請問有關 bandgap 內 op的 spec ....

naliga

想請問各位先進
& g9 s& c3 T+ C& R' l* M( ?9 w+ m9 fbandgap 內 op 的規格該如何去推論
如何可以由 bandgap 的spec
去推知電路內 op的 spec
5 `( p9 X$ ]; s; V9 e8 t& y
2 w+ i& S3 z4 P8 H$ Z  k且，在bandgap 內的 op的規格
有那些 是必須考量的，那些是可以乎略的
+ g  {- g1 m; i) `2 j+ y( F
煩請各位大大給予指示，謝謝！


以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
# z  s! S4 x8 s; m9 t" abandgap voltage reference?
* |9 V. I) E! Q0 rbandgap voltage reference?
0 z  s3 l; \- M- Z! |9 T, z關於CMOS的正負Tc
: `* o: z# m- p% a1 o5 M如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
: R( n+ J: v$ D( f( _bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
5 O6 w+ L0 T6 G# W/ Y1 [
: b2 P' A) K( ~; j
5 k% N5 E& R5 n) ?, h4 y4 y
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:49 AM 編輯 ]

mjl

1. Offset voltage
" @' l+ D' G4 I& W+ y2. current consumption

monkeybad

The open loop gain of OP should be considered, it will affect the PSRR.
5 r: j  I" R' i% C; ZGenerally, the more high gain can get the more high PSRR.

naliga

謝謝 monkeybad 大大的回答
可不可以請大大再進一步的說明 OP gain 還有 PSRR 對 Bandgap 的影響
是否可以在 design op 之前，就可以先從 bandgap的需求
去推做所要之 op 的 spec
* w4 d% J1 s4 _" [" b) C% _例如說， BANDGPA 對 10 % 的 VDD 變化，其輸出要小於 1 mV
: u4 y$ ?* t0 w1 ~) a& U: a" ^那麼可以從此推知 OP 對 VDD 的 PSRR 比較 (是否存在此關系式？)
9 e  u" f; D( h. [4 F- ^此外，OP GAIN 跟 PSRR 或是 BANDGAP 的規格 存在的關系是 ？
' G5 k( x( C4 W
5 G# M+ _3 Y" V/ Q# i另外，很不好意思的想請問 OP 的 PSRR的量測該求得？
7 D" P- a/ x7 {" n2 D1 H* w輸出電路該要怎麼接？

感謝大大的幫忙解簽，謝謝！

monkeybad

PSRR與OP gain的詳細公式 我沒有推導 只知道PSRR跟OP gain有關
不過可以自己簡單推導一下 應該不會太難
PSRR只是其中一項規格 在做LDO時有規定 模擬時是在VDD灌ac小訊號然後量測輸出的電壓波得圖
真正電路要測可能要用FFT的方法看頻譜
另外其實bandgap另一項比較重要的規格是 offset voltage
要在不同的溫度 電壓下 以及每一顆IC做出來都不能超過一定的誤差
這要特別care 因為萬一做的不準 就沒辦法當參考電壓了

starshine

如果opamp的supply做到1v一下 怎么来选择opamp的结构呐?

hvpower

樓上 所說的1v OP 很多論文有啊
9 I% o! W# T7 V7 g/ j, xJSSC 2002年 有一篇就是將的是 A Sub-1-V 15-ppm/ C CMOS Bandgap Voltage Reference Without Requiring Low Threshold Voltage Device
整個芯片都是1V供電的。