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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是5 s* |5 I: ?( F# P; o2 i
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難& V" v  V; o/ C2 e3 Z3 d7 B
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 Z0 {+ z) m; x
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- l: R9 M  d- M
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- q, ?! z# R1 f
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓2 w- F$ j; {6 m' B
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; `, F" n/ y- T4 W. S! N9 {" F9 {. Z# ?
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。8 R; ]8 O, s$ [; u! D  {
6 e: @1 c" v% o8 f# T3 h
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
8 ]8 g# l( h  J- W; _都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)9 g7 h5 H" H6 k/ M
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 I( S2 E  ~9 @  i! HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, L$ H, W2 H  K' A) J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 Y* N3 V( W) g這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! k" x; s+ Y# T
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input . O- B& P% f9 I
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" B1 Y( G: Z) t2 p4 x. ~
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% V$ n: ]: Z: [. |' Z5 N+ Y) i
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
, H+ r' x8 e* J+ |
  E" y( I  r: A  y. n0 ^& V' K1 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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