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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是( H9 C" C  V( [* \* q( g
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
7 Y$ L) J  W( v了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 ]: I5 D! q, S4 V0 p須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" c  @- a2 ?4 s# Q. c! B4 X' \
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: s6 b9 v2 {% P. s1 B; h, F錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
* V6 `- s8 E! t- ]1 g" [' I: c- d不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 V+ w. K( I6 o下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 o- v% `8 Y& g# y. [# n0 k+ O
3 q. n, C: y) r" _6 H3 s" ~0 \
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' s6 c, f% \' J# o! K都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): s6 V: Y6 q- G5 G8 g8 p' E
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# O$ T; Z8 a- ?, s8 K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- F( C6 `9 y# `# ]) q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 {4 Y. i' U: M6 l0 C' `9 j這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- M5 ~0 S( }( \5 D' a
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
- V& Y; n4 Z# a* Z+ z7 r因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 k+ g' {6 ~2 h$ g) S- R
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% ^( {& i* d/ Q3 p: y1 O% U) u
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing., W% s% z: }- @6 a4 {8 {- Q

2 }3 a/ C2 m  v# P; Q7 m" O1 N" ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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