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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) c$ [1 R1 x% u2 E
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
4 e4 h2 a- K$ k; @$ \2 q' f了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; ?4 U7 X, O/ g3 R( p# Z: N: ^須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
6 b+ c* }4 U" h2 r1 C才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: j% M3 k3 `" u錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& p! Q6 \2 _. L* S- n不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況+ J$ O0 N6 Z7 j- D' |- b
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) e# D  m+ r; J) J# D- N/ i
+ _: {! I6 q- M% P7 Q( r# a( o0 C
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ( D# e4 f% J& M: S5 j: h
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; \( ?6 p6 |6 Y- M我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ n3 [5 M! |7 A  m# MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. q/ o9 k( N! d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( L( q: ]/ N5 D- e這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ U$ y% E( e: Z5 T3 p4 c都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 9 g' u; n" T! `8 ?. T' S
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, c: ?7 X- f+ v9 g. b3 p# @
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 r3 I3 H) }/ x( S  Y3 N4 ], UCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
1 A% Y7 o0 F. {4 o1 Z5 N" F$ Q( F1 j- |" K$ k# @) d6 E0 Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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