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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
' b5 d- M3 r# D避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難- ~* s; `! F; X: {
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- E% {0 m) k, d
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區9 g6 i; j5 a7 }6 }9 m, d: E  `
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" o9 p* b7 B/ u0 B
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% C% ~: d. q) I* I6 p* _9 p不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) C1 t5 B% m, W2 [7 `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: e; h) h: W8 O6 C* h4 S! P
9 U4 t! ]+ a# a" @5 ^$ u, i如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.   O# I! W0 T5 V, `! j/ b
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 v/ L% y' C2 U' ~$ w2 W
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 y' _2 j8 {, }' Q/ m' a( w% ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& A% Q! [; x) |* k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# k9 K- j7 ^* D% |6 @2 r
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 i0 Z+ t: O, y: l; ^6 ]0 }+ V
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' d! j/ d0 U7 T. V3 E- `
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 l% c+ {' I1 a0 C$ s' K; U; a
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 j# T# j$ w: c2 j1 Y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% c9 b2 ]$ y3 N5 [! C
, @) p" n7 C. a- [8 D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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