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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( n6 a* ~6 j6 Q6 P8 _% P$ c
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 S' ^/ b3 s, r, e2 M* E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 |' _8 ?* F# g/ z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 `, f# f0 |9 o) G& m; z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ d2 s) m( p6 i) u9 t都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, c3 x4 f8 G4 C2 [, T! r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ j% @! w1 K; f最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 X+ X$ S* A" K2 d2 x( n: ], vCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: d) i7 `* o, b( H
) A" E/ Z! J- |5 q4 H, c[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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