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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! r& ~5 ^: d* [' B" |/ z( \; l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND1 s3 L- L) q3 Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# n/ [9 p2 |4 w9 |; N% ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 N$ N3 A) M# W% H5 j, ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: D) h: R9 t" L5 S
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 b: u) A! v/ H3 I* H$ Z+ R Z$ |
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 T5 q# T7 Z1 h" W- @) p8 _6 u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." a# U C+ o7 w' k# D" @# v
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! z" L% K! w2 q0 S+ U* b
" H, T' i( b7 F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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