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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# ]) L/ r# k6 a1 z9 m$ |我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, y4 ^& U2 e- z3 S4 s; W+ EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% G9 }" |& b) E! B$ u0 w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% O$ d+ I O8 D% D( z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- y$ s! c! R; I8 N F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 K( D. x" w0 m$ n: I) }
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ O4 ^: `# V5 l. h+ k! R' {" W最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- F, a4 p7 O" C. F2 vCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 @- I' V5 X$ B, q
; E; d0 ~3 U8 t) g2 s. g; H! k. o
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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