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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是" ?; R2 q& K% c- U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難: g, k! W  r4 s* y: a
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必4 ]% I' l2 ^3 t/ U
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ I$ D. C  j/ w; R2 A. X, f9 _6 r才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% ^8 p4 C) k9 q, `! T$ ~! ~
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓/ `+ G% W4 L/ W: x$ f& H+ o6 R: w
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) h4 z! }- D$ A& e, f
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。  }$ Q" K' R1 H2 u* ^
# @+ o  o- S% D% h2 H) X! d, V1 z; K
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 6 s; j. _, g: Q4 x. L. T- n' G/ ~
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)& @- K9 K+ O) O
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& S/ L/ X! Z, K8 @3 t/ I/ d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 _' [4 Q) z% d: G7 B* _4 X4 T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ Q; R2 g8 f- e# g3 r這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. c  I$ t& l& e9 s, S: y都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input # d/ r. @5 n  _1 X4 Y. _# p2 }# T
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* M$ _, s! w' [$ Y% o最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 x+ A+ x- [4 m# _$ E8 X1 DCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% [! @" j- G# Y  s$ J4 E
; f- `! t6 A& ?# A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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