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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
x* n6 H) k1 m) n" S我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 j1 ?' X( M @/ |% J
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 y4 E+ R1 O8 E7 c9 |6 y/ l0 _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; H8 I" e# c, q% j5 u# u; n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 u' y% k2 g+ t
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; e, ?. u$ Y% X) P' C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 E* S; M; U( N! C6 o& T1 J4 [! C
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 }% H' e7 \2 r- }Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 a ~1 R5 n: Z" ]. }& [1 C
* M7 \$ K2 B3 F& A5 O/ j) F' d( \
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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