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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ F( g1 v& O$ ^- b
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* O/ A+ v) z' a8 j+ J) lPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" G! |7 s# H% l/ G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 y/ T6 B) W* x- D這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 {8 n& u8 _4 A% N/ l
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; a4 t' e, d8 W3 k! s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, D, @3 a- b/ e9 ^7 ~. K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 u, ^+ R, q9 C+ r$ U* D) h8 J7 `( C2 I) [
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 D, N& `6 k$ h) b7 }9 \0 y$ c
+ w1 p8 b+ d4 b8 X/ A a$ w C2 Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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