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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
0 e# Y: f; o' }6 k7 q2 R避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  }7 B* ?4 C/ d9 U9 n7 w( b7 o
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% g% ~$ h5 @. \+ s' {. z
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
0 U" A: \9 X2 ~2 F& ?, a3 J' v% Q, v才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 F; X" s; x7 _( ~: r& n2 l錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' V' }' Q6 K+ m4 Z6 J不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* P* Q" g  c! [0 O8 O( G- T下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
  e8 Y- G' H' v. B; C
* {7 Y; G+ h4 H% I& p0 |8 G/ X如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 b* C* {1 m+ b( W都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
: b6 P/ ?5 r; b0 j9 f3 a我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 V5 |2 H& d/ _9 V6 ~& jPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ A& l* a6 L# t+ R) @0 `9 m/ o- U* M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. f, t7 ?" r. ^: o1 _這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' u  I" N( P: x# _$ ~% r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 X. T' E. l( Y$ T; [: A  O& [
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' ^* n* Y% Y; o* |
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: Z4 _. i: I2 P: v: U& E3 D8 V% Z3 dCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ [* E7 W8 I  L; ], Q# z/ r) E7 Y" R8 Q" W9 ]9 ~( d; Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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