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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* b1 g1 J) D* ^! R我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, G! {4 j5 W0 X+ r' k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! `3 n# r4 d5 |/ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ ~ d1 u7 p9 a! e$ b
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& Z1 i* W4 m& P4 ^都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # D& T" `1 a ]
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* e7 _$ e/ A: `/ n* Q0 `" B
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 S4 o( B6 k" \3 N& A
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. \* m$ L4 E$ Q' P5 y) Y F
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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