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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 i# F* G8 ~. W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 V# B! ]- I' PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& D7 A5 Y! V) R& s( p% @( k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! }5 E4 x, j) L; F: h/ h- Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 i) @# M% N- ]$ i6 R' g" ^1 b4 }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 p' G, K! N4 p4 X% G' b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; j8 O1 k* C' s0 e8 d, `& J. G0 S最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ |" r( w* S4 ]0 Z( ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) p) |3 L$ h$ `& E: [5 P
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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