|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* z% x! U& n7 _9 {, P) A5 e9 n" M) E
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) N. Y) r2 c% B
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& r. `$ x" d4 s1 y+ z: o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 S( E& T1 e3 z t4 R這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. s: P* ?- a1 F( \ M1 J( G( z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 T0 J( @! G* G7 G
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 U4 _0 I) Z& j: T' g7 Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: _: |1 c; x) U: o" Y5 L2 `Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
2 D# j' b) \4 m9 ~1 X
" l' n, y, X, E6 U8 f L% m[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|