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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! m" H! b2 ]  \% l0 S9 W避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難+ P) ]; m' S$ Z
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 K6 G: J+ B8 i+ r4 t3 A, Z) ^須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 e! S) Z; H, m. W: e. I! [( K才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ c, j8 Z. ^# d1 K- o( u2 m
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, C/ h& h$ a$ R( ~: y- O8 T不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  {+ T! I* g1 f- k+ N" W( m- J" C
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) ^  J5 {0 ~# P' U

- x, P2 U. _6 @# W如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 p" ?7 }! q$ P
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)' ]$ m: |' b  H% C
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% ^: f" N- u9 O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 {$ E3 _6 Y+ N8 ]' ]% D) T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 c) u; Q& ^4 Q: S% g
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# L# U: V- z3 \2 M8 j都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ) R& A! @1 a: {3 x  ?% s" Y
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 a# X5 d4 L3 u/ i* O  \1 n( _
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! Z1 r( V/ @0 f& J" bCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
3 H: T( I, L- G' ?5 G" b: b$ M3 q7 |1 ?9 {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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