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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) A: D# ~( u8 @; i* m" _
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
# P  G* m+ Z. R! ?$ l; f了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" r9 r8 c: U! ]( C7 ^% I! N. d% I須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區) A9 e3 J% c- q& H+ J
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 ?! |% T8 w8 @錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 m' f5 _5 D; C( O不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 c4 c# q9 V. ~' V9 N
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. l9 n3 I' n9 i; \, W; v
( n  T% W' L7 m# C" l3 s4 H如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; a# [# y' p0 y% g1 E都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer). ~6 v1 |8 I% n6 P/ f/ p* u2 P: m
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 T# {+ a; x  i' K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 j; r' x- z0 Y' R6 m3 w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 s; B; [7 D# d, I$ E/ s9 x
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' r/ ?; W9 o* x6 c8 g都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ( x) b3 q5 e% z2 C  R
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 B1 u9 X: a; X$ F  x最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 W7 S, R$ Y$ q' H% n- l6 |4 d, W
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing., R# w4 O) o; W: H9 V% m

- Z" O/ k. \! V% R1 c; t1 }$ d3 ~" A. ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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