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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* I5 |* s) _, A" W# C% I我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ F# `& m6 X3 g! ]' F. ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* ^9 z1 P' c2 s0 ^" M* ?但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 S7 }. n- S( P9 n
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' F5 f& D Z7 n% y$ [4 j4 Q) k都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 k0 g, H4 \( g+ E因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- S. B4 l. F: l" L. }5 B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* W2 N, }, {5 I3 j0 DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* Q0 Y( @# o% S) z6 d5 g/ w; L) C/ Z9 T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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