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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& J5 I" C2 ^2 M我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% w4 ^3 x0 X+ r8 ~ m3 @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 h( B; v7 d4 K, {
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 [. q, E: W! y5 n$ u
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' j( a; U/ N( M1 H
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & P- d' ?4 } k2 r; A
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 S, B% h% E2 f/ q i6 r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" d% g% `, k. \* v sCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 |$ c9 v( R; |) K2 e( B
0 I, q7 S. Y/ Z& r, O3 V/ x[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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