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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ J& ?6 @: p6 i* S
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 Y- b4 s" K N$ a, q2 j, {- kPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' V) x" V6 f. D. @但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% [+ |1 L4 |4 H) \這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% v0 z2 ^- i3 N4 f9 O6 @* V/ J( g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 i w9 \9 v; i6 G6 i- A$ u0 R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& B# f! W7 `! ]0 ?( v2 R% J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 C0 G& @5 m& E* M7 nCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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- a' M# z: p5 t. p" e[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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