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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 p0 d0 E4 s2 y6 |: v3 ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& Y: z. A, G3 k. G
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ }- ^6 o# s) X+ o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ S5 C. K, ?: n, z. K' B這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ ~; u7 M5 P' Y9 L7 W3 u都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' ]4 S$ A5 [( F8 J* I* ]7 ?- k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- {. i$ N7 r4 @, ^2 Y. X
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 x4 J8 a$ H8 ]) q, f7 |8 aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ \$ K# O; q5 v" i! m ~/ Q! r' `4 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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