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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 D( ~" h/ ]: A1 i8 z4 T" d
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 w# s: `7 R s+ z/ u$ N3 pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" \: ^. [9 I6 x+ ^2 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% ]: o5 s- ~9 M8 x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 I+ ]3 i- @/ ^1 |4 U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' D: F8 y7 h3 I+ t$ I" g
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 a4 H" I& e& I- v5 j; {# M
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 J+ R* \/ H2 Q" V1 c: ^
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 e! R0 Y G3 I! I, [8 O% y3 ]1 x
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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