|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), C: `% ]5 n6 @5 u8 |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- z; ]) _9 D# v8 u" g! `4 z/ w" m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) Z* r; _) y2 |& q5 v% Y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 Y/ K' m. H H% l; C
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 G3 B( [( f! F$ m1 f
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 ^7 J T; C# f* k因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' e' G/ y3 B( g5 ~7 k! j; {% f7 \+ j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, h6 ^! y. D" Q" ~7 oCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; \5 x' o& ?* K l( I
# y* g! p- X) R+ k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|