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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 A! x |5 ?: o$ A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: I" T0 F0 z+ P4 ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- j- `8 O7 I6 O- N" b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; M( x4 X+ E+ S這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
! d9 {# r' q; P& k( J9 n" f$ _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 B2 k# e' [+ C9 z( u( p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, @: u* e& L& ]8 [4 S5 b% u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. ?% Y& U( k& G! s S, }$ WCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 G# M1 H% M: W
+ U. c8 | q4 L[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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