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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' q ` O- B Y; a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Q* e6 P( W+ x7 HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" h: V+ C1 K# o( P# J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 w# y6 G( c; e4 O* ?* ~ n- w6 w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 G8 z# f! g. n/ p' Y2 X( b: Q- v都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) P7 T4 v$ k2 B& F, X7 u
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 X- w( o8 ~; c' _1 I* m* S6 t/ J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 {( o5 Y$ t, n3 N% y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 c7 i& _7 t, k. e2 k2 [
6 Q( j$ p6 d4 ~9 Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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