|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 S/ [( g( B! S, [
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* q9 ]9 w r/ e8 z. f5 g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; e$ y! M p8 O0 w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, j+ E8 a3 F( o7 z) I& a5 C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ P" U. g2 P' b; e. t' r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 }2 n3 F" M- c) ^4 R' S( j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ g& j; n/ g4 h; T2 T
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: p# I @) S, P [9 VCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* v8 {$ |7 N- T# l4 p
0 w$ f1 K$ K" l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|