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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 W, h6 W, Z6 Y. r. z8 C( e$ p我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
A2 o, X! e' _6 j/ o; sPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' Z9 l, O! O7 @4 r$ G- f( a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 b% v [+ J; E
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 I3 }' z6 T$ e' B( k8 G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. F# U4 J8 L/ X% g$ x7 ^因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# g' R3 E* j9 R* f4 O) u- q V0 H- s
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ Q7 I7 x$ s# _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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% @8 \& y- c' e O& r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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