|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 v& P: h' i% b9 N/ x4 [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 r; j1 Z. o# N# x7 P& G2 z: X6 m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
9 o2 e& j" X. D- p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# f0 D# w! X) j2 ~' O# {% M7 f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) p9 b, ]+ ^+ b
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( K* h0 `; W6 R/ C. |* t6 r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: {) ?/ Z# p; v* n) ?9 u s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 {! _; x$ @, ]# LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, f% c2 \1 r, L6 b2 D' X+ c
' \3 F6 @5 S4 I P6 E& S# G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|