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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 v/ L% y' C2 U' ~$ w2 W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 y' _2 j8 {, }' Q/ m' a( w% ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& A% Q! [; x) |* k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# k9 K- j7 ^* D% |6 @2 r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 i0 Z+ t: O, y: l; ^6 ]0 }+ V
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' d! j/ d0 U7 T. V3 E- `
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 l% c+ {' I1 a0 C$ s' K; U; a
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 j# T# j$ w: c2 j1 Y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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, @) p" n7 C. a- [8 D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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