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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), g6 k& H8 A, m, X E/ ]3 y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" d% w- y) Q; u* C8 [0 }6 R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 A3 g* z7 `9 |. o' T. ]2 ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) M0 {; t1 R5 v8 X; F! b3 V% I1 o f! _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ U' j% ?$ c8 Q+ P3 H1 N都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 K& @& N; z- B$ B9 }因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* V. B6 ?6 ^6 x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 U' S T) d' mCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, O5 x7 S1 x6 g2 o' Q/ M! L# C, M; n
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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