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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 A0 f& R [6 y# J: R% Y$ Y r9 B
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( |, ?& P/ v# c6 g: tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 C" q& U& v/ W% q v但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' s" b& M) R1 E( W% O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ r, K5 S2 ?5 F7 o- h" W8 F) @
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / A! X# N# y7 F' J
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 l9 H' d$ x( m5 a+ |0 N f最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ J( S2 v* q. _$ b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
5 J" r, r3 I- c2 B% M4 ]* P& Q& i% @3 T# x' A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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