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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ f3 @) A+ y, ^: L+ e- L' ^我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' }% k: k; j) q! j( u' }& l9 Z LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
9 Z6 G5 c5 R' S8 C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& C" t. g9 J5 V+ o
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, k. V# a) I) {0 Z/ L f6 G- w5 _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ c5 m% R4 d0 M# R5 z" ^因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* R+ G1 C3 F: A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 x" H8 N8 [4 R0 U. DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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