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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! g* F; f/ Y1 D! W4 G+ J' B
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 ~7 ^ e/ A! ]# CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
]4 i. J* ~3 O o( `9 X$ d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! E/ }6 r( r7 ~& Z* I+ h& \這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 G1 ]; y/ l- |4 h7 ?% V( U! _# u
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; e3 I6 `+ e2 }9 H因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 x" [( V6 f% M0 L/ \9 Y, v
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 @1 H& q; ]; Z2 z/ } p3 L0 xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ f3 @. i$ l# J. w% S" H8 P) {
" C$ j% O" }' a% I# } K
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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