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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): w' C* g5 Z# q, [8 {, }, v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# Z8 p( L4 r$ R8 aPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 e# Q; b1 f$ N$ Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 e" j+ j( T. @- a& i% x
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 ~% ]( c/ H2 f' C5 S( N, t都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 s2 g* ^2 O+ F, a8 \; e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 S5 o% L0 e# v- o+ P n+ d/ X& R最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 g$ v& A- u8 }- C9 R5 A- a6 j& Y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.8 M( B7 Q) k) }. [
' m1 P. {1 G9 X* E' r0 `( u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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