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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ B; ~  o5 m* _3 p避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難" r* k, u; z: I
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ e: p- R& [; ?; d& i( q
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ c; y2 m; A/ P2 Q3 i才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 q/ B* {' R9 m錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- m2 V# t+ a# D3 s8 J3 y+ D) A不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 |; @- {4 [* a% C) \& m下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
; {. c7 z6 q! {6 V, F' p; k# p3 W1 u
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& W. d; r2 N$ T9 N# x. m. l都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; y7 u$ i, z' N: O; S4 S+ f: K我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- |1 n8 g, r$ q5 r2 ^3 ]  w. c. UPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* V, N2 g* p6 g- e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 l# a/ [! _, T
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) T" K: O' e" p7 x6 h
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' P$ }; x. Y5 s. a4 s
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ m+ o1 w" x3 T2 J3 {4 x
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., G6 T9 M6 J2 a4 {9 I+ i& X4 y, c
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
3 h) _- [& M" C8 @$ Z" \, D; D  T+ z0 ?+ Y9 t& G0 c) J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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