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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' I4 j3 d1 W+ f% P8 N我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
\) v& ~& v: zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 S" ]$ v2 |* b* n5 D: j6 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" v# b$ P( s3 U5 f7 Q/ t/ o! W' f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 X7 S$ T! c/ r/ H
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , p1 e# r5 Y: q% [' }2 Q" b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, h/ @! f3 I8 R7 T0 [5 j2 L
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 G2 C7 _2 \" b/ u9 yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# y, |7 ^* q/ _0 Z
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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