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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 t' K& Z. j& {0 L! I3 _2 g& E) K! G+ B我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; f* B, M0 x; r' B7 vPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 S7 e9 ~& t: ~0 ~* H# i但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 y( G/ o% R5 Y+ i5 @7 x) x7 @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 |, v0 j8 b5 j, |6 m8 n) l4 k
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; Q) K5 I# j. \- m! x* b. I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( h! t. P* G/ C' G最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ i0 p$ K2 d: D! F# E5 b1 ~
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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0 e' T$ x7 Z# u4 l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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