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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) O% F7 s% Z; }9 Z/ p5 W, r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ O% D4 W$ I* g. n: D$ U5 B2 V0 e6 {! x# nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ M' W) t9 k9 m7 Q+ g* C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; l; o- G# X) G$ W$ m8 r! G, R
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' x. c3 x, a8 q7 z* A+ l都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( G9 g5 \3 n/ I+ d% a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! y/ j" t6 `" `, x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( o& v( b9 i9 i; S6 dCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) Z; w1 i0 \% t& C. l5 {# P' U0 ^
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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