|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% V* P6 ]! m6 k( D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, I l4 g; Z1 F* g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% Z) w; [) i+ H# |1 a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' D5 w( `( v6 S5 c4 f4 B這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) `+ m3 P% Z7 q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ h) n0 Q. X, |4 X8 y. ]) S5 z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) Z8 z9 |6 w2 u* |* T
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 Y" L/ g( X. j) Y, u, B
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: ^# n$ z( ~, C; |/ M* P" \
! i G2 m" P1 v% I$ V* A; G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|