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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& K6 B+ I% e- e7 u% \3 k6 }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- t+ s& r0 v8 G' Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 _% ?( f" {% h0 f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
m1 k; }2 ~, |# l/ B這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% Q1 C- h$ O4 ^2 Y4 y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 @* _+ H+ \, ^" O5 Q+ q6 R/ d因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' ^. [$ f6 \! [* t9 d. G" m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ u6 ?$ C1 `. X/ s0 A d8 TCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! n2 q) \( e. X( B6 e
& [" N* @: A/ O2 k2 ]. O9 O. R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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