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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 A! @1 d8 W2 M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, R/ @( o: A# x; gPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# @2 Q" E# Y6 c3 P5 I! o U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) I& M) H+ p; x; h9 L0 s5 U+ h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 R$ e& J8 Y4 j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- `' A# B- h0 `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" U8 E9 ]: U* f0 k# b最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# j# G" S) s9 G9 w5 w) ?Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
9 W5 W* u5 f! I; ]$ r/ W. @# W
* c4 O1 B8 ]; F( d8 r, S3 b$ T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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