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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& N, y; u/ T+ i% {$ x我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, s1 c5 K" ]3 ^* I5 N/ C) p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! z J1 C+ i, B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 t% Z4 q9 }2 |* l r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 ?* F2 {5 n; i3 A5 q3 O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * M7 m X; P2 r4 v2 [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( ]/ r1 y4 S9 B- k7 | X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 Y8 W$ I2 @* [6 U2 S* KCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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% z0 V2 L8 i6 A7 p& ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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