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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是$ K  s* Z; K6 N
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 t7 u$ }* q7 |0 k
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* f* t/ @4 J7 G/ j; V2 [
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區  p; R, n% k) {( m7 T% s- G3 h' r
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記' F" u# S" F1 i- a" W! B. ~# [
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& d5 ^, q% N1 C( J7 W不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; |. |5 P1 {8 M/ S3 Q: P0 z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。; R) ], B0 C% C

- q- A/ L& `# x* M' h* F2 _如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 g! \5 U: V% K% ?都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)7 P% `0 q# C$ I- R4 M" i! q3 s
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( F. r# t* L: a& _7 t0 o/ S& D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& Z+ }4 R6 A' A5 O2 b+ B% w: M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( Y8 H4 z4 W& e- r8 s7 U" Q( I
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# Z8 p1 |2 p8 K; m5 ]) @2 _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ T* M' Z1 M" @$ S4 p( m7 Y因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ T, [9 L% X( v' ]: q* r
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' b& f" m' }" D+ P/ a
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' U7 U, L+ i/ n/ D) v
: B" g! w( b$ }- {. q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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