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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) y4 o; F' r& G4 U6 [, h
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Y( _' O& ?( K" {1 I9 {9 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 m( F6 P* r$ l$ T6 r6 x但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: G* B1 k. w( `- [. C! ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# E1 o; X1 t# O2 \! }2 @
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ D+ |. |8 W. r" h! _2 P$ j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& D `1 T2 s7 H4 |5 v最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; T- Q2 l; C- |, ]' l& ?
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; I9 h/ ~! ?9 I& F
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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