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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是$ D- Y5 N3 b0 x' Z, Y
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 T) |5 D1 x, M( x/ V3 |" V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) |! g$ z. t$ h, @+ E. I: O
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 K9 a* s& ?5 H8 ^) b: s0 w2 p才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記1 M* B. t, `5 i7 C6 ~
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 N: R5 s' F+ s" E0 x
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 D, i: C( w# y6 e( L; [/ ~下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ Z: M1 z2 D. T8 y! T6 L; a
. b/ i' {' o2 s, r5 q如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ _+ U7 _: z3 y, }# v4 C2 f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; h5 i" ^5 H( ^" X我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% e' G$ C8 {2 \6 u. A* rPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ s6 Y" M/ p5 i但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) t+ ~9 _! T2 K" m2 W
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& e) \6 U( q' T8 f' @+ K都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, k. B0 a+ q0 c3 j6 s因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 X! S5 E# [: ]5 R最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; o- ^% Q# |2 X# G
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 V4 \9 @! w9 y8 f+ ?3 P
4 _  t+ K$ p$ w2 c! F, L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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