|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) w) R w) s: u& C7 r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, F8 Y7 s( H u2 A0 F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 K" T2 c; o8 K! S a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# u; D8 ]. ]9 c( H
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. p: x9 C6 H; f* A% ]5 a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ [6 K8 D. Z6 P- J S$ v! a' c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% Y! e- b% P3 t0 K5 O" G: Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ J1 ~" b9 F0 w# O0 _
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; }, Y/ H* K/ F2 M0 n k
% y5 q' }' K6 f[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|