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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 P4 I: L- v- Z/ n8 q; Z$ T避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 L3 ?& l* {! @# ^7 _
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 m% n0 g% Z# ]3 ~須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 ]2 Y  _0 i5 k才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 W" G. y! [- g: X9 ?( F錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓' i2 [# U6 v3 h+ B0 R' G
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! n' X7 ?7 M6 ^/ j7 \下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。$ h0 O1 U6 V1 H5 A
3 O! i: z1 w/ H- z; f: C
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. # i0 v9 H& h% p4 @
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 c; V  w$ U5 q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ p3 x# c7 o# ]' F7 ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 p* O8 e: i9 G  _0 ~. B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- B; @/ V% F( m& }這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ m1 y3 R4 M  R' Z8 j. C8 m2 V- M! i
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
2 K2 }8 l7 z. n因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 T* C  g+ D" W最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) K9 V: _8 b$ ^) r  HCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 k* `# k4 a: Y: n/ b5 ]1 l2 [# M5 P! n$ W9 Z: m3 H) z6 _  t
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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