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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)" L/ t6 j" }* q1 s6 L; b
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; {) W" k! J, S9 o! T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* P% r+ r" r6 X3 U, P6 F但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# u0 K1 I3 h- W6 ~0 [9 s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 w% [- d2 a. H. ^4 M: D" v都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ \7 \' M' [+ b" W" O$ w因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, n& B1 e1 D- T. b% A; A1 r( t# r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 h5 k% ~( {' O' k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 ~4 i( e$ k/ g- D% q6 c
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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