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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& x+ d* d8 U9 p5 X; y
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 P, o6 o6 V: m+ ], u了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ s" @6 i8 m0 I# O& g須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區6 R0 X0 ]3 _. |, I4 B$ _
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記2 c  d1 C$ x0 U. T3 x  ?
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓9 i/ R0 n7 Z- w) u
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! d: H( ?, ~0 E# Q  A1 Q
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 i* ]  ?/ ?5 s2 s3 a4 i, Z, f5 b- X

& j" _( f1 g% D如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 g1 h8 C# W( R0 j! |都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)8 v# ?' @4 t' G4 S8 X. o' m
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. f. s3 F( z/ u( h( A% z/ z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; `$ m3 y! D1 ~6 c5 Z) E# |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# ?9 q: p: O- r! y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. ?& w7 C; V( {7 I$ D+ `
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
9 L9 ]0 h. E9 H/ M, l因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 T) A" N: L' m% @+ z最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' {( W# `7 u! k2 L9 v( Y3 i
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.& Q, p% {$ q9 V* K5 b5 H+ U0 E

7 u8 ~& _% L$ D4 e, V1 H1 I+ Q6 j$ Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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