|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 @, l7 Q# b3 N: r; A5 i我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& M( L! |5 Z8 `: x7 z/ ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD e9 F% |; P* s$ M( Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# f! [* B0 L0 G1 v" n: [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- [) Q+ ~/ E5 j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' N$ ~5 @6 g2 d, B' ?7 {& x3 i+ S" T
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) W8 G* g4 B3 f4 Y+ y5 ^最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( y; m1 ]$ I% \' ^( u; g- K
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* J6 a; [" G$ L- g ]: v9 ~4 G: I& O0 |5 v& J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|