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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 l) P5 C2 t* i0 [6 {我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% d$ k: U1 H! v$ W( I& X2 Q% n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ E F, m* N+ H8 k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ \& U" r. A4 I( j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) _1 V8 F) o9 A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 S$ `% b L8 S) B7 }因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 i6 X$ Q: e% H0 K2 p% ^3 f+ q+ ^0 n$ k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ T* Z1 A5 M F O3 gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 s* A& J3 L+ u; w* D
+ r" B6 r- F' {0 c4 u& F. g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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