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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) y; A \8 `( `我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' @7 I" _) F! Z4 ?- t: [( _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* A8 _$ Q5 b' w- Z; C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. i' k7 N. O: }. Y' Q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. D A1 T' C( W" Z/ T都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
X. @3 m9 C" T/ [2 y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 B" Y: v/ Q1 P0 Y" X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. Z+ {+ x: s7 q" k. Q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 D2 d7 X# o: _8 |; v
, W1 B; h5 y3 J6 V) d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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