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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% `$ g) Z+ C0 r T: N+ q; }7 F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% O }& w4 G5 K6 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# i4 T0 e9 i" {) t( e; O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# f& l0 O- t2 j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ t: p8 J' m4 H0 h1 {' m
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* T' W7 o4 z1 m因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 v* }1 s; Q7 I- b/ E) o0 c% Q+ D* k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 Z! N2 W) o2 }9 J: sCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 ^9 b' S4 H9 f* o3 U) A7 }* q
0 x0 n2 N9 b! T2 \) h, M- e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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