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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% ^/ L, }! W- q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- @6 S2 y& L/ J h1 N2 `2 M' E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 l O* A3 a6 D ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& H. t5 x/ v( a( y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 R# m3 j. ~, U# Z9 `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; `* y2 y0 A7 A: v; x1 i; _因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 ~6 L$ |0 @6 R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
|4 B# \5 x* cCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. o* q/ t" N( f2 ]: m
. E- E l8 K& c* e: j* c5 D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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