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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& z# K* {8 M% @6 e- c# d6 `1 x避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  i; H  v0 y; O9 [* V8 k& V, ~
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
! F3 e% Z$ r% n( Y須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* `" G# z4 t1 |( {7 n' O& v
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ c0 l' Q- B, r. |& R7 f錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% A7 u* P% \* x/ l
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. t, y5 g& G, M
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 Q- r' @; x, x+ l9 r7 h/ r! R

- B  E, F4 ?) l. g: ?如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 ?9 g' [2 o' H' O' S* A都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
& q- X" g3 E3 \* G; w# I4 O' Y我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 g7 I' @+ u- U  O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' G- T/ Z; t% Z. g! G3 Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( ~9 j5 b( Z- [& A: `2 Z& s4 F
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 F0 ]: V8 {/ p/ T# Y) r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# y' ^- J! Y* ~5 J7 S因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 e0 n8 B1 t6 U1 [3 x最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( @, U. a8 A0 l) C- \5 _Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; P, X+ c& r; C2 i
8 U" Z+ u4 B& Y8 I1 s! m' d  z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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