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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" b" |2 }: R. v8 Q0 P1 b8 G我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" n6 j, { G. OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) M6 h/ D6 l4 C8 h' c" m但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% W6 N" y8 C+ Z& L. o7 _, z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ m7 }* i; r/ s f$ }) |8 R' T, i. V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 s2 G |3 |, X. K' l' E. j- ]' ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 [; U2 o- B) V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 t1 j- G: |0 y0 s/ J- s+ u3 [Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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4 M4 ]2 Y0 E( C& q9 k4 R) A9 F7 A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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