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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. S: m( `' a; T6 G% Q- u2 H: V9 D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 p4 D W5 n* ?" a0 n' {( ^" L. wPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 M" D& _, ^# m, E+ W9 q5 w( `但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 s7 e8 K8 h& ?$ D T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ x1 ]0 V. b- n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 4 T! X0 m4 F# {" _7 @# p8 F
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 T& [3 O0 a4 _; [+ }4 u; m
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; o9 t' Q& S+ V
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! O% r" V+ M" z0 q
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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