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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ |% B Q. l7 h0 ]. x6 M我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, I8 t9 Y1 Z3 v+ ^. p- r9 k* ~( EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 I5 }$ z; v& u; y& m! L: s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 d9 ^3 O M5 X
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" l3 K1 ~0 ^3 c9 h& N$ Z2 K都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ d U- W+ K. Z% K$ `
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: }% h2 A0 ], h
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) V. q- g8 V, y; l# d' CCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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9 H% v: ?$ o2 ~8 I( l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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