|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& E' `$ h0 Q8 E. k4 P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 c- y! |; i7 sPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: M* y+ ?, S. E! J* ?: @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 q1 p1 y1 r% ~
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% n: Y& l' S5 x9 B, E. w! X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
k0 v2 ?! ?+ p S因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* u7 s+ ~* d, x5 n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: J5 {2 O" T0 ^
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* H# U1 b4 {) w h5 M5 v
4 r9 c8 `6 l* s" p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|