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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): s% y6 G* O( b( ]: Z0 G1 {
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 J* R* t* M/ m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ C( e3 d1 b" P& x- A- ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: C9 y8 @! n6 M1 P2 \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% D& j5 o* P6 Z" {6 \8 Q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & z6 R5 ?. V9 E" m7 E
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 D& g) e' I+ j' f
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& T6 P: S8 s% u, b. w
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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% N. I1 n; f N6 K# _4 J9 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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