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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 I1 x9 i  @/ T* [+ {$ F$ _
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  ]7 b" x+ T1 l4 [* ^
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必, O" h2 c2 s/ A' n4 \7 C
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 a/ T6 i' w) K3 w才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
; C& m! h( j6 C$ X/ A錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
: R7 @+ k7 S' s6 v: V0 V不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況2 T8 H- o) L% R* w7 i
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 _7 ?5 C' ]4 {5 J( x8 }, V9 t+ p
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: \7 f! [" p( Q都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)8 S/ [( g( B! S, [
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* q9 ]9 w  r/ e8 z. f5 g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; e$ y! M  p8 O0 w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, j+ E8 a3 F( o7 z) I& a5 C這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ P" U. g2 P' b; e. t' r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
8 }2 n3 F" M- c) ^4 R' S( j因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ g& j; n/ g4 h; T2 T
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: p# I  @) S, P  [9 VCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* v8 {$ |7 N- T# l4 p

0 w$ f1 K$ K" l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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