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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 |. Y% n* r2 r我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
y$ z$ {4 l# ` R1 U- `PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- V5 n/ C1 d: v0 e6 N. b6 e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" P* t' t) k3 q8 F0 o' i N這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) b( ]: ~* B% d R! `5 h( p4 i, @
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: [, I7 T9 y: D* |: M' | f因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' Y: _$ Z1 U% G( C8 F
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( `9 r9 {: b3 }, [. L' m1 e0 Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 {' \, b" A( X7 V! o[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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