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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 f& R+ i- L+ |6 P) `我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* A2 \5 d% \$ K" \( ^PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 i5 t; {1 _& E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! O$ m f/ ^. L# `% }
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, k7 R# Q( N' P% k) p) L4 i& R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 A% ]* a! }* t1 a; ?, i$ z0 ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 l J3 R* P3 Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* Z2 T3 @% |2 n+ F5 O; U- kCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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9 k! x! i8 h7 G- K* ?* p1 }/ Y, x[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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