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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! c% C" n+ A' {0 z1 p8 w& L避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
& T1 t' \; A5 ], A& n7 z# x了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必# G5 z; M. A' ^6 ~, r( ]8 o
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區8 O* h( @$ o( e" P3 l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
$ c% I: t4 Y+ e/ {錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓7 a: y- m& L6 |/ V, J7 Y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 f% g8 A; J: x" ^: s0 e6 E& _# {下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。' O1 ~5 `7 T) x
( ^' O8 h8 l" J, o+ N: X
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 ?6 ~, C; K/ h3 M- U
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 Q# s: a! c) `5 e6 q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 [1 e! x) d4 n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* V/ }/ p7 h  V) {
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 W4 E& V( d# r這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ g1 D* m; Q' ]0 A2 g/ L0 ]
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 6 r% ]- j# N+ k4 N7 I& J9 Y7 @" i
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ `, X% @& B- |& Z; D4 c) T
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; ?' `. J+ d  LCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* V4 r' S) W8 \6 c8 M) ~

- b9 S% a1 I- o$ O[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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