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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# Q3 I9 u2 _: b6 } e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; D8 z, {+ R/ S/ w& V0 ?$ q+ I- h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 ]2 t2 p- I, [+ W但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# ^# C- I9 k% k8 D- M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- X/ W2 X5 Y. ]. g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& R0 \' {/ _) \7 H因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 g2 Y; K* N8 W) h2 A5 \最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ Q M8 q+ W' b; O& M# Q9 v5 s0 qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! I$ d6 ^6 ` t7 \; [, V
6 \2 B( B3 ^! Y" `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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