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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 g7 h5 H" H6 k/ M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 I( S2 E ~9 @ i! HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, L$ H, W2 H K' A) J
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 Y* N3 V( W) g這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! k" x; s+ Y# T
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . O- B& P% f9 I
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" B1 Y( G: Z) t2 p4 x. ~
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% V$ n: ]: Z: [. |' Z5 N+ Y) i
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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E" y( I r: A y. n0 ^& V' K1 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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