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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ N6 b4 ^+ ^/ H
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" {( ?7 W6 ]1 a( B. g) tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! g3 E0 f! Q$ T) I$ w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% h; F, O B. }1 t: V2 L這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
W5 J2 h- c i* t* V2 ~# `( U都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( J4 g) B0 t& }( Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ k+ [9 o6 M0 o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* ?1 ]3 \" `/ v* R, L0 _, m9 D* }' qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
7 x: v7 H5 D- i( ~. o$ r, j+ C3 o) f9 l. N; ]7 O$ f6 h, w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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