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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% e5 h! F+ l& b- v( ~% i2 w
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! r+ L. L" r, \; C6 D3 \" gPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# T' T. x: G& R; ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ c* O' N. M$ \' a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 ~2 \$ N$ c3 _0 D) G4 A7 z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" R3 I3 C! w8 ~& I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 X/ |; [8 S3 Y) C T! _
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ k- k1 |5 ?/ n6 [6 K, b0 ?, I. rCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; T* m. |5 E# t, F! f
. p& |5 x0 ?. y. ]$ C8 K6 q W1 V7 O3 _* s/ ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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