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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是. N* c3 p6 c  d! g
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難7 w! i7 a8 u3 A% |
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) `: {# o1 ^3 D5 v
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" j0 g; p3 f7 L% Y才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記: A7 I' q/ `1 y1 E5 W
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% \% Q9 C, A* F8 K, \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況( h! L1 k* h+ Q; |. w
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
7 Q7 S9 {8 Y  {  w  C, D
" n! W8 P+ i3 c9 T  C( L. |如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- T7 |( k/ L1 G( B都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) y4 o; F' r& G4 U6 [, h
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Y( _' O& ?( K" {1 I9 {9 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 m( F6 P* r$ l$ T6 r6 x但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: G* B1 k. w( `- [. C! ^這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# E1 o; X1 t# O2 \! }2 @
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
+ D+ |. |8 W. r" h! _2 P$ j因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& D  `1 T2 s7 H4 |5 v最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; T- Q2 l; C- |, ]' l& ?
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; I9 h/ ~! ?9 I& F
9 |: D: r% \( c2 I+ B1 t
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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