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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; E! L8 |) M u1 k我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 g% P3 ?3 t3 n' R1 R5 G6 D/ iPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ a: D6 D! l7 g# X8 O5 q( ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 J/ b$ a4 o+ j/ U3 ~7 d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: Q% D7 ~, C( Y# j都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 c' A3 A( L3 j6 R
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, \3 o, v9 q5 j5 ?" T
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- U8 D, t# i0 U. T) u" p4 bCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: n+ z+ m" b9 ?2 d. L4 O/ g
1 _ v7 Y1 a7 C[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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