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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 Z8 B+ ?6 d: X2 P我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 K- D. o0 t9 x% {; j; [7 Q6 l% R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ H; x+ P/ X. C3 L
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 A) }, V+ I# k# [% O# Z( \. |這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. X# B1 b$ g4 K) T
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : c; H9 o( x' Y* G
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 L1 `% g* [3 B最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 s& e: }6 ]! P8 dCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: K6 O" }) m G0 b' @+ \# H( I1 M* k! w7 ?, `% N
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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