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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& y+ f  j; }2 l. z避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ P. c( B8 d' a1 ^$ @5 E" O, y了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 s0 x. a) d5 J& l0 ^% b; T/ C須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' f$ B- I" R( U; I才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- @  X( J1 `( u6 \/ q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 m: H) b5 T7 B+ E不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況# n$ v7 f6 ]. Y% U2 r% z1 F
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 d5 {* J" }4 t' y% f) ]- A/ f; r/ Z* l" E5 F) i* I
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 I( Y7 F+ C4 K: b; g' ~: ]都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): C$ Z8 ]  Y# A2 D$ n, _
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* u: K9 N( w, i1 M% OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! n; m6 r" N8 n5 [5 e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: g* u9 v$ K, C6 I7 Z  `0 _4 ~這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* w% p  ]  b5 ?& ]4 ^, N
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ I. {  r" o, F* ^3 Z  Q% Z因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; T" P( j' V% T0 C/ p
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# b3 p3 w% v4 d% P: y5 YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; |! x! ^) W0 T+ Z
' ^9 t/ a3 V5 v. v, Q; |; g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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