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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' }& \, C/ H2 w2 |, K: v我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 K0 R& {2 `" J E* k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! Z9 `/ B7 ^$ H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
n" V: o0 N/ q9 p, Z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& w# _7 x5 x2 d, q/ D9 G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 e) f5 ~, D: t& @& j- k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) H0 i* T4 I, j, `7 D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! }. a5 n" X2 {3 H2 r2 v6 B a
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* g. n- C ]9 W' R8 s- }( W" N$ h3 s+ S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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