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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 }/ J+ C- A) }8 E) X9 K5 U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) Q. I* g2 y9 |" s% ^了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ F( C7 M8 n9 @- ^: |7 a, z1 R  @/ j
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
; R7 l4 m" L3 Y3 z6 y; O才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記1 W2 ^9 `  m9 M& A+ r9 t! w* P
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 \' r( C( {+ P" W1 ^不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. S" U  C9 ~3 S  N) i: Q
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 b5 M! d! b9 e. r2 }" i1 e0 ~5 c

1 u1 x5 m6 i  c# N; f8 j3 e如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! x# }8 Q1 U. C- _+ Y: x4 @都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ m0 f% P. I. H/ i
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" w  v* \" j1 tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; B! F( W: w: p: }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 m1 S# W# M1 \$ A: k這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: k/ d+ r! r: K1 a
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ m0 b! t* z" N1 b
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- y. W, b' j# ?; R+ b" s  r
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- P# j8 O! g% K2 sCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
6 y7 s7 |# W$ z( p3 p  b" u' i. X" _% K/ g. ?
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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