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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 S  {" b8 U  Y' R0 ?* x1 C
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難* ?, r2 j& I5 s! J7 Y# \. {
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必. n. R* z" h! x5 _- |6 d( z
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區7 ^' I8 _5 b* M4 L+ H
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% r8 d' p' N7 _+ \1 D1 u3 y2 L錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! R$ a4 \2 M4 z: r$ c6 N0 T不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 C% w) A) v- B- i  H& X
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 g8 y! K1 _3 l, \; J6 B! D0 Y7 E8 o1 w/ }- }
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
( B6 O/ m" ?$ l1 W9 b8 i都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)4 p. j5 H3 A! N' r  W
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 G6 s% t3 X' l3 h5 P0 \9 N7 h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 {& Y8 i: B" w: ~% X6 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 U, Q! Y; B: ]" A2 [& M' S
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* D! U! H7 e! W6 Q
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input % x! B; C5 u- q
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 k' O: C0 k- @" X
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 Z7 j% ]/ G0 Z) B& MCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' S& K) o, C. {) }2 N* Y$ g* i+ p9 g6 |/ ]" l5 ?9 e: f; X
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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