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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) f5 X/ V% e1 Y- F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ e' c: @/ q/ t! s: v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 ?: I4 i' r, u/ |" \. V+ X$ P$ J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' l5 o$ l# o: E8 k: e這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, y- ]$ H, p& E+ D& H8 }! d/ f- C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ P" q U1 ?" l2 h, X因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ O* C; Y! q) p/ r9 {0 W$ J/ T* d最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 e/ x. t4 V5 F$ q) ?1 ?
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( i9 P8 p3 X) y5 ^' S4 l6 r$ P: I. l/ M/ I, Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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