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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ a9 V3 `5 Q) J避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難% A% N/ e/ ]! ~
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% z9 m" B9 _; t1 ]% @
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ P6 n% w) d) {" _. B7 d才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 a' m3 l8 o6 B1 b錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) A% V7 H* O* E- t5 D" h
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況8 F4 r. K; ^& M+ @" Q1 f3 d4 u* h4 V
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 g8 s) u4 }2 c& {8 n: K- L4 X) r4 v) ?# d' J
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. & N$ \  `% E& z& t
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- f% ?0 T! h, X2 }) [我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! q! \9 P' L1 XPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 M# c1 O& F  b3 Y6 a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況. E2 y; Y, A7 `% W% ]. {
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 [( t: J% P+ F) B1 a0 h( O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! ?" V" }  p$ y6 ]) i/ u& E; j) ^, n# i
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重. j2 F. ?, r" p6 N' V- o2 G# m/ B
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 }" u  E6 Q* d. {6 S$ e
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% D5 n$ f  \, B7 c0 h4 Y& J7 h" O' C" z$ U3 A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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