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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; G, N2 n! k0 S9 l4 S我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 P0 F6 M8 Q4 P! S2 ~; Z, M( fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# N4 f7 S/ N [ a+ }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 D3 Y$ ~+ D0 {9 ?
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: Q0 T+ @! ~5 x& P
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 F2 E( H- e" g) l' o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 D' u; y1 m/ j5 `8 S! o3 G最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. ?+ F5 d6 j4 t" I2 Q+ ]7 H: b6 t3 tCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 \# ^+ v, d3 w6 t; p/ d3 w! \8 ^1 x
* q7 S- _9 P( o4 s# Y5 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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