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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% q1 v# y# ]% w6 V1 M M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# \: O& a" @! y, o( A, T4 F9 X# a: @1 }7 t
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" y! F O2 }$ O7 e- m
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 t% n. m5 s( t: D
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ m' \' o; Q9 I# b7 i$ V
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % Z/ [5 s+ _- R) j4 p
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 F( e6 t& S9 x( }! J5 r! Y( X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; }) d1 |+ i* {: l( c2 W; eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ P. O: g4 T0 D% L
" [3 m2 h+ M: b7 G* U# K6 e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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