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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 k T1 j# g: N6 | W我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 y) @- a; @7 ~* @* f6 w2 l
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 o, @0 ~- x0 L/ L* p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ T3 c/ [( _6 U, z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 O, k1 c3 _. J' ?+ J( m, q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 A; B M- U% W' t1 [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 I z3 Z- K2 @1 T4 O- Y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 r& h, T! ?% u5 w+ _# I/ ?' bCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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d7 x2 }+ x7 c5 r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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