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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- u( z" ~, Z8 p1 u0 W6 M W9 N
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& s' I1 B/ B. L: h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' D' c" C2 W& S; `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 b: ?8 Z0 g* r# h這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 J0 b5 `0 M: L9 Z! {都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : i I: h' [7 H {. s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# i) Q$ Y, W4 {7 g+ S- M& }/ X
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( T) r7 `1 w; X3 c' _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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0 q& n3 {3 `2 R" e* y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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