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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 [! T7 |* U( N* R! _- m
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: S- V( ]: b7 l$ }" u5 HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
a6 V3 ?1 L" y v( U+ R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: O# k# Y: N$ v3 e e/ `+ B" T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; `! ^( f( Y( H9 ~都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ ]4 J# r3 J, i' I: ]( s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 j+ n7 Z8 l" _0 ~$ V4 c$ v" ?
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; U2 ^- S. ^$ Y4 P5 uCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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/ v) j& Z" d$ M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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