|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 p' s8 p9 l Q: _9 C. Y( G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! _4 T; h/ X X% o( W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" a3 F' [; |9 Y S) s2 ^9 Y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) j4 i% b1 H1 w8 W8 J' ?+ I8 p
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ Q2 z, p- F ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; b: |' I5 g; D' T% N: H# r$ R. P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' z s. q* q* w0 `! v% B7 a最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 O r5 L7 R! x) _) c2 `
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ n0 O" ]2 |0 }+ T: e, p, r0 \8 E/ ~- _, A, j, Q0 i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|