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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 e- E: n- _; x/ t7 Y' }我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& l% e: x! z+ V3 n5 y. t. LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& o/ A; U5 g. ~- X$ Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" j, H* I6 J, e5 }! p7 z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 e9 m7 Y! n% V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : k: N( K h9 z- F- x0 ]) l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, u3 f( R4 { F8 A9 ^7 @, o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' l/ o S. X* t; x+ u
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 D, ]2 t- A- {/ [- z u9 ?2 I" E) m
( K- w( h+ u$ e$ C1 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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