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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 S/ p6 b. L& ]9 X. u: `: O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ f! U- \0 k2 Q* O) l6 _! V8 MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: p. M q' d u. q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 J, G9 w+ ~' R9 P! J& d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# e2 G: S9 C0 S5 i都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# S6 s$ E0 [9 V5 J" t( C* F, d0 i因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 u: B# _0 F( b( k( G7 ~, W+ o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# G. F- z& X3 O8 {7 ?6 E6 j
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. d9 b8 {9 s4 u |( |# B' O1 _* E
- Y/ U' V7 j( w. b8 _6 k' S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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