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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 p. j5 H3 A! N' r W
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 G6 s% t3 X' l3 h5 P0 \9 N7 h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 {& Y8 i: B" w: ~% X6 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 U, Q! Y; B: ]" A2 [& M' S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* D! U! H7 e! W6 Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % x! B; C5 u- q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 k' O: C0 k- @" X
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 Z7 j% ]/ G0 Z) B& MCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' S& K) o, C. {) }2 N* Y$ g* i+ p9 g6 |/ ]" l5 ?9 e: f; X
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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