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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ m0 f% P. I. H/ i
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" w v* \" j1 tPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; B! F( W: w: p: }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 m1 S# W# M1 \$ A: k這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: k/ d+ r! r: K1 a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ m0 b! t* z" N1 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- y. W, b' j# ?; R+ b" s r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- P# j8 O! g% K2 sCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
6 y7 s7 |# W$ z( p3 p b" u' i. X" _% K/ g. ?
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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