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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 T" g2 s! t; R0 [! Q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% T/ w7 c3 N! Y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. k" b% _* o: P% A$ D6 `但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( b. o; w9 w) v; I9 L, m
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; }0 i, ?# v0 P/ m# E3 b% r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" s& k B+ S$ q4 p/ v W1 D: L: _因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 `4 y) |5 o/ \* |最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 e; Y9 T: G/ F2 S$ s0 M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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/ G! P* g5 m0 ~# q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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