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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 u# g. w( D p: V" b$ H& z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% w+ Q: _2 v/ APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 ? d9 e7 n' A7 {2 Q& c
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! v# S$ c' l* h* `, _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% \# s6 ]) b% n都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! f% @! W3 I( h/ h7 C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( n& y) s" ~5 [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: c+ v6 A2 {; A- Y5 r& a/ A- A+ l3 r
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ c/ T$ K2 Y0 t o4 I+ ]
" y p t/ g H+ u; ]" Q3 w* {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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