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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 ?4 `6 P7 `/ ]4 G: R+ }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 R1 S. u8 L. [6 G* M2 |9 j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 o" \0 ^1 j" R. ?! ^( j) T1 U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 k7 g" R/ d4 V% [) s; g4 Y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( W& W' {: o, y) x1 A$ Q! O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 k- k4 q$ P+ F8 _
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: m! S1 m. X+ K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# w7 I$ f% ?5 ]8 x) R4 R4 E
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 l& X- P/ S* H$ R/ ?
, t7 h, }$ v, _7 W9 p3 _( v8 i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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