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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! r, |9 I* S3 n1 Z8 D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' k1 _ n9 @; Z: t
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 ~4 c3 }$ W, S+ m; x3 R$ \
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% V9 \6 ^( |/ t8 ]! h6 E
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. {/ ~, C$ R- l& u1 U5 N$ k) y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ m7 n: D5 ^; w! Z4 a因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! b# @# u* l& u8 ~' ` t最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 G' d8 ^6 ~$ i* n! @, M5 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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