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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 j4 I4 j# D; R( i. ]+ E, v) a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: K6 M: A8 n$ r& }0 c. I$ UPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% R3 c8 H8 j. n% ^ B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) Q4 L0 y7 A1 t: V& r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 C6 j- y6 P/ M) ?7 K$ C% C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; A' U/ p/ } P7 i: h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 k1 y+ o# u: y* E! H$ A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% B# M+ z7 x( `, X& s! j0 iCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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