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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 \" a) d( D: I. K7 T1 K& e
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& p8 K6 C* V/ {' I6 bPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 A4 _+ h: c! ]4 J/ f) {1 Q V- K
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 y1 c! g8 x# a( {! |/ h0 T" z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 w f+ q; B- b) u' R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 W4 ~, G" X3 F( a1 F因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" K3 ^2 l( i. o9 M最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 p# I: L; _$ r+ J
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 p( I7 h' ?. R9 A2 m
. ~- L+ N% m9 ]! g7 A, l. T0 o0 A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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