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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- t6 H, J9 L1 W* h! P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; @) x, ~8 A2 e- X) S$ uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" }# E/ B$ _$ V& L8 K但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, j. _& W5 F4 x+ z) j! c. w# T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( \' Z, b; Z- i' k$ V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( Z. {% \1 |1 n1 N因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 d# r7 E+ g2 J W; N最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! w! j( b" b' m( G% \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
7 i- R: p L0 o5 M# |- C3 m% X1 ?0 [7 N" a0 s3 L' `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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