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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 o5 Q. r8 w' E0 m8 I7 g9 k" Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- ?* ^ D- s! H8 M9 q8 R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" E# U# r6 _; m1 u
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& R- j# H, J. N7 n1 m
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- c+ m* N1 V; W% x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- U2 G) r% j- e# M) B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' L( s9 k' ?6 Y3 {3 I6 S
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 Y+ z b$ e9 ^7 ], p2 B$ W
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 P; @$ l: u* i2 |* e4 E4 g! ]
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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