|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" z5 r8 F. J0 F( m! b我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 c8 J6 T* @0 l; |% i1 E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 M/ l. [9 G4 B$ R- g' v% M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( x1 p/ h+ W, J1 T( x* X. C7 F- Y, [這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. x. ?. r7 j& Q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 o% x+ k) X" a) v) E
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 V2 Q+ m @8 t' Z, \/ s- x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) K/ G5 }! v+ x
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' G6 N- S$ j. i$ w+ E$ |2 j( M0 ? j& R* S% q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|