|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; y# g. p+ D' c7 S我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' K& X" o |2 ^+ a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: a, g* L% F9 V但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 `' }2 e" D O8 c0 ` M; Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 z3 \0 W; h# Y& R; r6 r" Q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% C6 p% D: i+ q$ i8 \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- {& K/ J% d0 b3 X. K2 V$ }9 z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" r. b/ w8 _7 C7 T M+ @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. z% z2 I3 M7 X
9 F: S$ j' ~9 i) j& ^/ p" z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|