|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
: b6 P/ ?5 r; b0 j9 f3 a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 V5 |2 H& d/ _9 V6 ~& jPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ A& l* a6 L# t+ R) @0 `9 m/ o- U* M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. f, t7 ?" r. ^: o1 _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' u I" N( P: x# _$ ~% r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 X. T' E. l( Y$ T; [: A O& [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' ^* n* Y% Y; o* |
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: Z4 _. i: I2 P: v: U& E3 D8 V% Z3 dCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ [* E7 W8 I L; ], Q# z/ r) E7 Y" R8 Q" W9 ]9 ~( d; Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|