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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 i! p; k1 |7 u避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, o2 s6 p% j) [, g9 C( \; z4 O
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必  Y$ j* e' ~/ {$ D9 k' x/ g; K
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, ~1 p: U0 Z8 d  @, b7 ~7 d8 U  v才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
$ a0 J, s) j* F+ Q" v# P錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
. p2 _2 q' Z8 w* `" M* u; v9 i) f不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
: a# B: z7 e1 }( t( F下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 f0 f0 `( K' J. H" [1 g3 s7 {. u  N
5 e9 _1 j0 {1 Y) \如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' l8 d1 H5 {& M& ~, ]都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
! U' Z! h8 N8 k" X6 j9 @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 U) d( s7 U/ z* k9 b! s
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 P" J/ x* }& }; F, l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 C1 J6 U2 ]7 F$ w! b
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, W9 R1 t; b1 g% D; M* Q( `都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# A/ K1 e( d8 a/ X, _9 d  J2 |因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# W9 M& Z: O/ _" h# f( K- l
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* j9 b7 S) F8 G' N. [$ Y9 g" u
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ ?( z& |, E8 @7 O, `# M4 r
. @2 S9 N" ^( j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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