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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ {# R7 {) C; c- ^避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 b* b1 S- P* y( K: t. O  }% S1 e- u了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ W. q/ W% i& ?1 z% y: S5 L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" @% [8 D! s- @) |" ^
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. x" x$ \4 K+ V* R3 C, O錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% A/ q% i6 g! q% c/ {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
( v* G, D4 i. g' G/ @! u下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 y; M& K* R6 D0 y. d; F( q; n+ u' |6 U/ B& k2 n" {
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 x0 j- P1 s- M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
& N, y; u/ T+ i% {$ x我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, s1 c5 K" ]3 ^* I5 N/ C) p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! z  J1 C+ i, B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 t% Z4 q9 }2 |* l  r
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 ?* F2 {5 n; i3 A5 q3 O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input * M7 m  X; P2 r4 v2 [
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( ]/ r1 y4 S9 B- k7 |  X最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 Y8 W$ I2 @* [6 U2 S* KCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
7 X2 Y  |0 R, n' b% `* o9 Z' m9 K
% z0 V2 L8 i6 A7 p& ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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