|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
: N; I. e" a! O) g; Y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 Q& Z+ ?. K0 NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: H9 k' d, M# G
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 D% j/ U# ]8 p/ _- c, F9 {; T$ ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 J: o1 `! r Q+ I! }7 l4 ]
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( B$ z& D# s6 S$ P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' B6 v) N& D2 F3 r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 w9 v3 s1 |9 {1 y& r7 ]# {) qCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% ?. [& @0 |% a& a
" S; T/ g1 E+ R, ^5 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|