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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- Y# Z8 k ~* o& Q y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 b7 O9 Y- q; C& a! I4 g, b* Z7 E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 z, l( j) ^! X: R9 Q8 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ n& P3 c% q" K/ R( \& a這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ ^, g$ A# Y! ^/ P* c7 T# Y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + r: H. |6 P) l" D: M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: T2 H* K+ A7 m3 W5 X$ x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 c+ m+ q# n- P9 M7 J. `3 GCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" U$ {2 ~8 r1 J8 H
9 Z5 N7 A0 n; q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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