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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% E( W0 |, S/ \我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 J. a# e; i- u7 X) ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- v* L2 ]9 [0 Q; F9 ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; b4 d" P0 n* E9 n* Y3 j' ?8 U
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 }6 x6 c4 k" Y( E- g! A都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 b; ?+ J/ f3 i: Q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, P: X- W% S' `' P最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& Y F" \1 u- t& F
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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