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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; y7 u$ i, z' N: O; S4 S+ f: K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- |1 n8 g, r$ q5 r2 ^3 ] w. c. UPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* V, N2 g* p6 g- e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 l# a/ [! _, T
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) T" K: O' e" p7 x6 h
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' P$ }; x. Y5 s. a4 s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ m+ o1 w" x3 T2 J3 {4 x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., G6 T9 M6 J2 a4 {9 I+ i& X4 y, c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
3 h) _- [& M" C8 @$ Z" \, D; D T+ z0 ?+ Y9 t& G0 c) J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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