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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 ?) [( t; X; G6 U我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 i4 x; B4 f2 v+ b. g. F% G( }PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 T2 U7 p: [! Y- i
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 V3 t- D; L* B9 |) [5 a& ^& L這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; U9 U7 g3 `$ |' l3 Q. O都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! t# ~' y8 Q% S/ y, t6 i2 M- C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' d/ Q5 O+ T, t# v( s3 i; ]最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 j1 E* o, f1 v w& ~Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. o% A5 j+ ~" K9 ~0 `8 n) j
6 Y% m9 a" k* c: F+ c5 f, U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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