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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 P% `0 q# C$ I- R4 M" i! q3 s
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( F. r# t* L: a& _7 t0 o/ S& D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& Z+ }4 R6 A' A5 O2 b+ B% w: M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( Y8 H4 z4 W& e- r8 s7 U" Q( I
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# Z8 p1 |2 p8 K; m5 ]) @2 _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ T* M' Z1 M" @$ S4 p( m7 Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ T, [9 L% X( v' ]: q* r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' b& f" m' }" D+ P/ a
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' U7 U, L+ i/ n/ D) v
: B" g! w( b$ }- {. q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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