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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). c @& t5 ]0 h, f- I4 T
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 V3 U- ]1 x g0 ?PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
9 U, D0 t6 _# c6 z$ _+ _$ U3 u4 C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 M( K' v/ `9 D6 a這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 V& J+ _# x1 j" V
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % P+ E" s# N4 Q, T( q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 ], l. Y) a9 b5 K$ T7 ]
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( B$ a/ \$ d' j5 DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 J/ q \% P& w# T- I
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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