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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是. [* Y& O/ `% N  `0 U; q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
! V8 Y2 b% m+ y. D( ?了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必5 R+ x! Y" Q4 s9 k+ t8 k
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
! N( a5 c3 _0 O; C" |才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& X" m+ z+ g$ n錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, h5 `5 W  O  F* P2 D! Z不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) w2 ]; G1 N3 ]$ |
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- L3 x  V- O# P2 J& Q# [7 g' _
* X4 C5 y7 S1 F2 R: ?
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 h7 @1 k" [! ?( S; Z4 W1 v) z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
4 I: Y& k+ M# H& S" j% P4 y我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# ~0 f5 j5 ]1 T7 T  H* y3 P/ W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ J! W! d; t/ _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ i; J& g  k( {這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. y; {& B4 w3 B1 R% [1 D都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ G% s# V" d7 o& G9 l  X0 n因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# x! c$ u3 M4 |! |2 |$ j最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ k; O7 l1 n6 V6 e2 ?6 E, I, L7 YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
0 z0 N5 m9 f, b/ j5 ^8 [' n6 f; B  t3 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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