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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 ~3 T* F1 j+ U) t" ]% g$ c
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 b, r+ P, J( xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD _- \4 D7 N0 N" s& b; Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 ]$ @5 A6 W- [6 z' `0 |! Z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
j# ^( p, b+ x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : a& D; y/ z) K8 ]" G
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ c7 x3 ?! E6 U
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
F, b1 R+ K: x% l" |) ]Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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; G4 P' Z, o J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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