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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# s$ Z$ c/ R1 e, q8 @' `; I3 ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 ?4 ? g1 D. ~" {! {& PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 ^1 R& D; k! H" g. ]7 x3 n9 W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 y/ N: P# s. x; ~+ z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) Q" u4 c5 B( R7 ?8 P) o. \# v3 c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& q# z' {. D9 Q3 U$ A- C8 ]因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ }" E- d5 U& l% w2 f g3 k最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; q+ W: U; D2 O! V" K, j- ^* r
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 M/ |7 U; s) c" h' u
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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