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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' j% F9 K7 Z3 T/ t3 M- D: ?, Y$ j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ c" M8 p4 O3 {3 }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% [/ q8 q0 W7 F; x
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 F7 j$ ]" o0 H) n! ?& j( E a這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 r' h! t4 @. P( V( M
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 w% J+ c! ~- [# @0 T- g因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ a+ m Q' s& Q+ A$ J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 ~4 C3 y. Z7 B5 l4 s% q8 @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 p* u [! {: N' E, y# Y
* F/ z: l0 f1 v3 a5 P) R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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