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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): s6 V: Y6 q- G5 G8 g8 p' E
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# O$ T; Z8 a- ?, s8 K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- F( C6 `9 y# `# ]) q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 {4 Y. i' U: M6 l0 C' `9 j這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- M5 ~0 S( }( \5 D' a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- V& Y; n4 Z# a* Z+ z7 r因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 k+ g' {6 ~2 h$ g) S- R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% ^( {& i* d/ Q3 p: y1 O% U) u
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., W% s% z: }- @6 a4 {8 {- Q
2 }3 a/ C2 m v# P; Q7 m" O1 N" ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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