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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! d+ `$ C+ s& L8 c U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% _2 q8 a* F" p9 V" G* C$ K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. E" P& M! _* B$ x1 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 @: ~- D c1 i" g9 V9 Y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ i d5 \8 N! a5 ^都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 N. V5 y0 h$ L# ~3 z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" d& m+ U, |! z I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ i: @: e$ Z% t) l7 A$ h) k, c+ _) L
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.' f8 s0 l7 F- L: d5 r7 b0 d% R
! k) J" ?; q# C- N( H; W7 c[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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