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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): C$ Z8 ] Y# A2 D$ n, _
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* u: K9 N( w, i1 M% OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! n; m6 r" N8 n5 [5 e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: g* u9 v$ K, C6 I7 Z `0 _4 ~這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* w% p ] b5 ?& ]4 ^, N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ I. { r" o, F* ^3 Z Q% Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; T" P( j' V% T0 C/ p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# b3 p3 w% v4 d% P: y5 YCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; |! x! ^) W0 T+ Z
' ^9 t/ a3 V5 v. v, Q; |; g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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