|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
W( ]. d6 x5 w+ V4 x" P7 f3 d) z' v我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 F+ Q# t) X8 ~# L! x: @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 K" F6 [: i# E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 E+ A2 l* C3 _: a& l h; \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# P1 d2 u7 M6 S都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
s5 i, _) h, ~: S( B' O2 `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Z3 Q1 I p, b! h) r2 P
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 D7 X. c' y$ g- c+ {# FCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" @. X3 c& \% W" j$ R! p J
# P4 w! x$ I4 q2 j. W) ~3 v3 L3 G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|