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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. o' G# ` z4 Z3 P我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- n: Q: s j- G- }1 J1 v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- p- D: y0 Q2 b0 V0 U# T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ U0 I' N$ k/ ~" G這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- D2 q- p" n$ E: A( a( ^1 Z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, a' {& o Z( u; d4 c( ^9 D8 s, J1 D P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 ?1 D( M1 ^! D7 @( `5 }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! I+ y6 s& \( Z) R# yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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