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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 q& e4 o/ x$ h7 z6 m
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 y9 I& T* m, GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# O. M" x3 z \; G8 L" ?但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' Z; X' R8 w5 b4 b3 q8 F% M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 @. z* q2 F) h. }都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " W' c, V! A8 S( B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 e* ]5 _2 X6 e% L: }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; A; h" c/ _$ {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
# U I. |* x! a g6 F6 ~$ `- \
# L* |: d0 y. J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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