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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 n9 }& ]- O' f/ t+ K
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ S8 q- F5 F3 q* h% {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" d* T7 v. c6 m! q: g/ O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! e- s Z3 ^, V D7 Z( R2 O這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- k9 s+ {2 @" b5 u都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 h! S. j# j7 q& {' O2 I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% m# X6 M* C0 |, G/ i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. {0 g# p% @* m& B" a% j. TCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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