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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. ~; Y5 y2 ^* s- y4 m. d- c我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* M$ g/ t( w! b: S$ v* pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; i" |1 i$ { {3 {0 j9 _7 n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 G. g/ R2 Q7 U! A
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) y. ~3 p- j( }( _& F" j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 Z; |- x* o" R! s2 Q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 o @1 n6 l. l5 D( J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 d4 X ]7 V3 b, ^. Z3 yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 L7 ^. C: @5 q( d( ~, h5 R! C$ P0 o0 d0 U9 j, F& G1 F( F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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