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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 T4 K/ D( {! y+ S1 e9 M! s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# z0 O. S( V, W. HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; F+ }) v# [, D d: ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 t) O t/ ?/ L( y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 b7 R: G+ m& j6 z7 k6 P都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . O: a* ~* x+ f% j6 } U: y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 P: C5 N a# x A2 W" m+ L
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" u( G, x$ @9 r& Z, E% ]2 ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, @7 T1 Z1 F+ k5 O L6 ~2 }
6 s% q% P, c& H% r {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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