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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 A, Q r7 P/ D- Z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
I! C2 f4 C0 w7 n) a' @' f! KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; P `' S N$ W) s7 j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 j6 t' L5 a( `! S, |( ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 U8 M4 R/ _! g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 U" f3 D# A4 `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: @. m+ |; q8 K0 k. h8 L最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' D" T) q& D+ e7 m3 eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
3 m4 S2 d6 y* L6 W! Q& @8 U2 P( V- j
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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