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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ y/ p! f! w0 ~9 d+ A避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難# Y$ T! R, E8 _) c2 {9 x% A5 H$ T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必2 m# Q% H7 w: F
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區4 g6 Y3 L& K) J( z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* l, ^( ?, e; `# m9 f. U4 W: s( x# u
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& U: w" x" N  {% \3 `% n不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; x2 K* X6 j) {  ^下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 X' p2 E. q% y1 N# C! D/ c8 C! \3 l: @! V' x! k/ w9 M0 B
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / c3 H8 P2 t6 G+ w& H  H5 G) l5 m0 Z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( n6 a* ~6 j6 Q6 P8 _% P$ c
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 S' ^/ b3 s, r, e2 M* E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 |' _8 ?* F# g/ z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 `, f# f0 |9 o) G& m; z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ d2 s) m( p6 i) u9 t都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, c3 x4 f8 G4 C2 [, T! r因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ j% @! w1 K; f最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 X+ X$ S* A" K2 d2 x( n: ], vCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.: d) i7 `* o, b( H

) A" E/ Z! J- |5 q4 H, c[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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