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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是( o9 H% K: {5 l7 ]& S$ d/ }# a
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
- |; Y5 G# X, {( u# ?) n+ M了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) i; p3 `3 ]& A! \! e須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' i. z3 v2 M$ K/ E
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
0 P5 g% {% I4 u/ d錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) ?% G1 J% m+ d, F
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ y! H' K0 u8 Y% n下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- e7 g0 z+ {! O. k) D0 l5 z! I7 U8 m) `6 a- q8 _, M
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 p  z4 n0 |- {) S: T  A( `- j* |都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)8 S/ p6 b. L& ]9 X. u: `: O
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ f! U- \0 k2 Q* O) l6 _! V8 MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: p. M  q' d  u. q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 J, G9 w+ ~' R9 P! J& d這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# e2 G: S9 C0 S5 i都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# S6 s$ E0 [9 V5 J" t( C* F, d0 i因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 u: B# _0 F( b( k( G7 ~, W+ o
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# G. F- z& X3 O8 {7 ?6 E6 j
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.. d9 b8 {9 s4 u  |( |# B' O1 _* E
- Y/ U' V7 j( w. b8 _6 k' S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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