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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 q7 k8 L& L) F9 n+ t我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 X% K4 v* j2 }5 y2 [7 IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 u4 O# G, Y' ^) b7 H3 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 c8 W3 l" F% X% f ]! d
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ o% @$ p. O1 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 e, O( D7 G+ @+ V" x; v' F" G
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) r; Q3 e5 X+ l8 J& |
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, B( m7 o. N9 v- G( u1 fCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.1 I3 U* r9 F8 i6 S2 N9 ~& }" U$ p! E" L
$ G7 X' `; _: l# u$ P# S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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