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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) `1 a' ]3 i) g/ x: `1 O我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- L+ |0 t% G' nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, c4 z* U" `) `6 A5 }4 G& R; n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
A1 S7 [/ ?( h) b4 ]6 E; b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# [$ k9 {) [4 N( l9 B' x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ l% D: S* E- U: K3 Z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 z! x- I6 V; }' h, C _
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! n: a2 h% q1 A* PCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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