|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 G2 F* N% |' b# D$ `5 a5 y* z+ o! K- z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, O$ z0 Z$ l. H2 {- l' ?% ]
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. Z7 O4 y( S2 ?" ]! E" T" s d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
Y g+ Z# f$ v+ A u7 w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& q% ~$ a" z6 ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , g% Q# D& R4 s6 i" [! \) _2 I- h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 U% {0 ^& i6 ^: B* ]( L2 O! g" |最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) b/ D7 r9 B- M1 D- }$ m! T* _
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 y3 C- y& g- l" Q0 B
) z$ Z8 c. x) [, ^, v5 q; z. h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|