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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( Q3 L8 S3 G2 `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 J$ H/ s) z% p* M8 x; b; xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- _/ d M7 x: C# p# c/ `, j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ u+ s. i5 | m1 j" u6 X6 D, ^6 c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 Z+ h+ w# {% t; x" V, a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' z& e3 B& C* n" n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 w# u) @: V9 _4 u3 f0 W$ A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 N& D+ S( b6 v( |7 V! ]- xCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( b. l5 H& k% y- x- [* I
+ [+ k! ?- j6 b$ |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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