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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ d) ?* b, @- G% t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% M; K2 E, l# q6 Z( ]$ ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! f' B6 W/ P5 Z+ N# [* z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況$ D# o% D5 _/ ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ |- ^6 N) J- S! H# \) M) _5 {! s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! g& u N" Z% B8 \! H. b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重 O3 h) U1 C; R( k- I- I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. t% v) Y Y: g' N, o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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: ? b7 y. c" T# a Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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