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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 C8 ?  P  l4 u7 D# W避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難& y) h5 S+ s6 L$ {5 L9 Q" o6 c9 @
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ }! b5 P! {2 ?0 n! Z* t! ~
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
0 P% H; m; E0 `# h才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
$ Y- K: P/ `  g; X6 s8 ~# e" c錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) h# L  B3 D* C+ T6 D( }不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況- [, a4 B" G. U2 Q
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 @' r% R; a+ k% ~: ?0 N$ g2 m
0 g7 X1 ?" }' u0 E9 e
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 c6 w. L* }- U# c) `8 E都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
$ |% B  Q. l7 h0 ]. x6 M我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, I8 t9 Y1 Z3 v+ ^. p- r9 k* ~( EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 I5 }$ z; v& u; y& m! L: s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 d9 ^3 O  M5 X
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" l3 K1 ~0 ^3 c9 h& N$ Z2 K都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ d  U- W+ K. Z% K$ `
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: }% h2 A0 ], h
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) V. q- g8 V, y; l# d' CCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
4 x( Z/ o/ t' R' i4 s6 @
9 H% v: ?$ o2 ~8 I( l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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