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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" v0 b! F8 b( n$ W我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND8 s1 z) X) |2 A6 V6 T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* I4 L, P. _4 T) w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 A$ q7 ~) B1 d5 `: x( m' J
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ P; j* R! K$ U' o% |都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& n% e! G7 @: Q! P* ?' \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( @2 Z+ L' p; B& G) l# M最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. X; H; U |( S% O6 Y$ z$ k+ g1 J8 e
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ C2 I& U$ Z0 P$ V' V! P/ C1 ?
3 O" m; g+ W# f4 d[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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