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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. L2 G) S* e$ j9 H我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( X! }1 Y1 b9 L2 APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: k! I/ y' a( X2 l5 Y( t3 M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" \. R1 c8 k2 |( ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 C9 u6 ?7 e# |3 z- j; c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
) |; ~( S& g9 f0 l, X6 {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 u9 o( S. P0 p0 `" G$ g最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." S0 L8 T6 D- Y/ {% b- X/ \
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: B! r# o2 c6 _, m( S: l" ?0 r
. _* O' H2 L1 G. Z% y* y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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