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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! U' Z! h8 N8 k" X6 j9 @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 U) d( s7 U/ z* k9 b! s
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 P" J/ x* }& }; F, l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 C1 J6 U2 ]7 F$ w! b
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, W9 R1 t; b1 g% D; M* Q( `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# A/ K1 e( d8 a/ X, _9 d J2 |因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# W9 M& Z: O/ _" h# f( K- l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* j9 b7 S) F8 G' N. [$ Y9 g" u
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. @2 S9 N" ^( j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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