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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) o2 {0 S' b T4 h
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 ?2 P8 g5 F/ f0 F! A" M# E5 [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 ?3 r1 N8 L! C! `3 I
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
q, ]8 X) b' t6 p這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* n8 z5 r$ M, N A" z r( ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 S, c6 y! O& g
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& s, Y7 `! i5 c% J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' [+ |5 L; v% \5 s
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 V: t }0 }4 o
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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