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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
3 g" b" [5 j) E) M避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難0 m5 z( R0 X* r, U/ a; g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 Y: r/ o4 T% Y3 O須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 O) r% @1 J" v" n+ P- @才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" M# d. L* i( [% z% m. j8 r- B# E
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) E, @  ~  Y* [# z3 g不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況2 _) i: n3 M, R3 ?% }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) Y+ c4 N7 j; n, t

! y. Y- u5 F) k: ]: F+ p; ^如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) z" q# m4 L6 |- v( h& E都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 ~3 T* F1 j+ U) t" ]% g$ c
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 b, r+ P, J( xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD  _- \4 D7 N0 N" s& b; Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 ]$ @5 A6 W- [6 z' `0 |! Z
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
  j# ^( p, b+ x都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : a& D; y/ z) K8 ]" G
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ c7 x3 ?! E6 U
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
  F, b1 R+ K: x% l" |) ]Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
) C! I" U& ~; }. Z
; G4 P' Z, o  J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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