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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 [5 D5 S: y; c+ i( A, o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- k; h, V: q1 C2 i4 `2 a FPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* J+ W1 r. z: V
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 d7 ^: _2 q. e+ I* p1 ?. L+ y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ a5 w: t" G$ s8 M; V6 l! [7 W都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 `1 t, L0 x3 L( w& A9 k% w" K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* c5 P/ K+ O4 V5 p9 l. K) {; E( N9 W最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 b3 p4 C/ B. }% {! ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% M3 f' D( D: R0 ] m
0 q5 X/ d9 h0 K& a6 D' V/ \5 Y' v. _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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