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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ F- D: J/ n. h+ g6 V% z) X0 k5 ^, j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 |1 Y4 Y. X5 u3 b' N+ j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% {2 r+ A) h8 N) Y6 {但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# O& U" c) W5 ]* j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. B# ~+ b/ [. S; p) Y( m8 c
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input . f; F( M; w6 w! _" R
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; L8 Y4 u: x1 y& x$ x2 n5 Z$ p. q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 r) @: ~+ r; y0 P, M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; Q, D7 L1 ~8 j
$ h. ~) t. F: u$ _3 ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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