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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 I3 T, Q5 f1 ~$ m7 d/ l' G; s5 G g
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( O$ H2 Z9 f9 y' F7 f6 Q/ r& ?; ^" b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% h3 F# f/ Q D3 T1 P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" C) X- c5 m: p$ Z+ b" q! A' d
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" C; g: F. I0 [, [0 }/ S
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 p6 c% [/ }+ b9 O- S7 Q: M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 ]5 n( K }; }2 L. e最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. r5 |5 S" a7 D4 N* _. @! aCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( z$ u" c6 o, ?) ~7 X, O, }2 ~* k3 S8 p7 X8 K4 X: b8 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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