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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( M' N/ h v+ U! c% L1 m我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 d& ~- P, A( r
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" w7 t' v; k+ {/ O9 V* Z* a; U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; x5 R% G( f7 f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- A' z1 Y2 ^! w# B1 _
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 |: F+ P( r4 R( c# h- }
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' i; j/ X: I9 d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 a& F6 o/ B* Y, v5 q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 i/ v: ~% [9 m5 a$ L
6 W# ?9 |, T: O/ z* G3 h
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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