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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; H3 \6 o" S3 S0 s' `我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 p7 |+ h1 @ d) V) h* ]
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 q( h+ g$ x4 }0 Y4 a" p8 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 C1 U0 A9 P! k H+ `7 `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# r, Q* s7 V, k9 x" H( ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# F) a" h6 w6 D9 I3 f6 x因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 | Z4 q R A$ B4 R d最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) h/ Y( P( B5 P' c& C
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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