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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 q. u3 ?2 Z1 N" l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 L3 a8 ^; W. _* _/ NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" U6 u `( ]9 _( U3 t8 Q" O4 @; Z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
O" |1 T% b3 z3 r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 a+ R3 }' Y6 f+ `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 u" Z8 Q& g( n. ~# g+ `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% w8 q/ v2 k. N. B0 K5 |; {
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( V/ W( q8 T' v, @: p" q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- Z" O) Y+ q' y0 K
; A7 G- M, k, d9 F* f8 b( b
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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