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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; \( ?6 p6 |6 Y- M我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ n3 [5 M! |7 A m# MPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. q/ o9 k( N! d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( L( q: ]/ N5 D- e這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ U$ y% E( e: Z5 T3 p4 c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 g' u; n" T! `8 ?. T' S
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, c: ?7 X- f+ v9 g. b3 p# @
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 r3 I3 H) }/ x( S Y3 N4 ], UCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 A% Y7 o0 F. {4 o1 Z5 N" F$ Q( F1 j- |" K$ k# @) d6 E0 Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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