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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)0 s$ G/ h5 b6 }( L
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' ]. i9 P0 Z) y, O1 f; X: D; V8 W7 c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! a D8 C! \: B7 H( ~# R y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 B7 l5 j8 k7 x0 Q2 X7 |0 ~ k
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# u9 b7 M1 { v- d都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 }' C7 Z# P4 a4 [, \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 w6 R( N8 D# E( h# c
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 ^$ j* L9 h e( h$ X- k$ T: p. bCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 P# p/ @5 G. C
8 K+ c! ?% z. E( f6 [7 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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