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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是5 {/ t, r+ {0 z$ X; F" }9 j5 n) k
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 d/ @5 }& U+ E& @) u+ Z了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必/ n; ?# m% i$ f8 @2 V. k$ o5 u* D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區  z: n! n, h( x1 c
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記! O2 a3 C1 b0 c5 F1 v3 T6 N
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓- }$ a3 y  ~0 H( u1 Y$ O
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況3 k$ Z! s! J# q8 u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
* q- }/ w  L: A9 {7 M1 w5 ~5 U! x8 m) D" m
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
( x" d% P# p. B/ D  K都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
2 Z8 B+ ?6 d: X2 P我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 K- D. o0 t9 x% {; j; [7 Q6 l% R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ H; x+ P/ X. C3 L
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 A) }, V+ I# k# [% O# Z( \. |這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. X# B1 b$ g4 K) T
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : c; H9 o( x' Y* G
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 L1 `% g* [3 B最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 s& e: }6 ]! P8 dCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
: K6 O" }) m  G0 b' @+ \# H( I1 M* k! w7 ?, `% N
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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