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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ l" e0 f" S* o7 C7 D" R3 p' m+ _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) G3 Z0 Z: Q7 o1 M, q4 t+ C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 W! L. U, p1 Y; A: y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 @1 Y9 b# O9 m這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 H, i3 C1 k" F) k& F% y. {4 m
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 l7 W7 m# Y& H因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& `2 j% h _7 K最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: T7 x1 X2 F0 a! v8 eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( r' [. P' U+ ?' n: i# [/ U" h- U) @' g- j$ f( P9 x" r' w) M
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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