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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). ~6 v1 |8 I% n6 P/ f/ p* u2 P: m
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 T# {+ a; x i' K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 j; r' x- z0 Y' R6 m3 w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 s; B; [7 D# d, I$ E/ s9 x
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' r/ ?; W9 o* x6 c8 g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( x) b3 q5 e% z2 C R
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 B1 u9 X: a; X$ F x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 W7 S, R$ Y$ q' H% n- l6 |4 d, W
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., R# w4 O) o; W: H9 V% m
- Z" O/ k. \! V% R1 c; t1 }$ d3 ~" A. ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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