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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" _6 o3 Q; ^% `7 D' Z8 Q C3 |: P, @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 V& y7 R! z. H& d$ B0 X- z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# n* ~5 _( o: X- ?5 G5 f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( L( C6 f1 u& t. K5 y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ G. u) V9 D. U/ t+ d. C都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , o% F1 }4 n8 i8 x+ I1 B4 l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! a. t; {( A) a" @; q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# m; E* l- X/ i- i& v* N
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 f0 L% V0 `# h4 [
! k4 ~- E- L0 Q6 L* R) _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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