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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 I: Y& k+ M# H& S" j% P4 y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# ~0 f5 j5 ]1 T7 T H* y3 P/ W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ J! W! d; t/ _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ i; J& g k( {這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. y; {& B4 w3 B1 R% [1 D都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ G% s# V" d7 o& G9 l X0 n因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# x! c$ u3 M4 |! |2 |$ j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ k; O7 l1 n6 V6 e2 ?6 E, I, L7 YCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 z0 N5 m9 f, b/ j5 ^8 [' n6 f; B t3 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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