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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是, `2 A$ G( m& F' _$ `' i/ M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 Z1 P/ |4 w/ f+ D0 L8 t% T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" r8 U4 ^4 p+ t$ U% e! J
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* a5 b- N1 p  `% M  M
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
- J7 x6 X5 k7 d+ e6 \錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 T3 L! j) k0 [3 N7 r2 f不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
. G$ q+ h; a, {0 ]# x! _3 P" w下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- l0 D( x/ ~* p% P5 C
1 N* `; G$ ^: Y8 b
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 6 j. }) ?9 K& Q/ z) g
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 @, l7 Q# b3 N: r; A5 i我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& M( L! |5 Z8 `: x7 z/ ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD  e9 F% |; P* s$ M( Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# f! [* B0 L0 G1 v" n: [
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- [) Q+ ~/ E5 j
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' N$ ~5 @6 g2 d, B' ?7 {& x3 i+ S" T
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) W8 G* g4 B3 f4 Y+ y5 ^最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( y; m1 ]$ I% \' ^( u; g- K
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* J6 a; [" G$ L- g  ]: v9 ~4 G: I& O0 |5 v& J
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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