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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 ], d7 B" n7 [0 e我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 z. l3 h2 I$ CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 c# d( X3 m B; m% f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 J: Y) L5 T4 Q7 F; n. z; a% A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 e( z+ j2 Y0 t- j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
9 N& O) u# Y) D5 w; {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 e, h# D' y+ H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 n/ L8 F' x6 z" i HCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; W& i6 g, I- o. A$ X
2 Y! w/ y5 [7 i, M+ U# x[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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