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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
i6 ~, n9 [; P$ {: C9 @0 \; P( E1 Q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& m8 L5 g2 N& @1 M1 O b/ H0 |' P8 H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 U2 u) {; N2 G7 h/ D, p9 _3 c* ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 D& p( a5 i9 Z% A# t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ O$ ?6 s5 |" O9 Z, z/ A2 n6 ^" c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( q" D/ q N9 W4 Y O因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 m4 ]' r$ ~- T- T
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ w4 X N+ M- m) {, c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, g( X- H, w' j" j2 g7 N/ Q3 e* K) T! Q5 M: J7 u! o4 _+ x" d
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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