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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 G& N! H2 M0 \# M* b我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ S8 X/ P4 u6 w. |9 \PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: q) @& ?1 e" H7 ^5 H! y1 x但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) \( v) t3 x( t( ~. u1 H
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 d- R# x1 X; _+ G) l
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # R3 Y9 A7 u8 U( x( i: C
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% C0 t+ P0 I: _最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 f a3 S! ?# Y3 B9 N$ v" k0 M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ Y9 r3 l/ S1 f' p3 L, O
3 {- r8 G7 ^" s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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