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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是4 ]7 b8 E3 t' d' j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
- ?" z9 C# [* v' r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
- K$ E3 @; c* W須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區! M( W7 k. f+ b# [
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記( h3 j$ E& u- z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
2 L$ V; {$ Q. A: b. }9 `不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 p2 L. W4 L1 ~+ H  i  {3 B下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。( z& e' S; X- S
+ r! H: X2 ^" S! }; K
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 }" I; c! ~! y" M
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) K* ?) g$ M3 ~( d4 O
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 \0 S3 |1 U0 p( @2 ]8 \9 i. N0 GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 t. g: h9 W2 |, b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; D' F  J. y/ l& B% }
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' J# [; i* |4 ]9 a, D
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
5 b' F" s4 C1 F" |, x& `因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) A* Y$ D5 D0 s& l! V8 E
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. s* e2 R' H6 f9 D* y* J7 J8 BCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.. L1 G3 Z' r0 b1 ^. j0 ~( t
1 i, x* u$ N: E3 U' K# m
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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