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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& @- K9 K+ O) O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& S/ L/ X! Z, K8 @3 t/ I/ d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 _' [4 Q) z% d: G7 B* _4 X4 T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ Q; R2 g8 f- e# g3 r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. c I$ t& l& e9 s, S: y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # d/ r. @5 n _1 X4 Y. _# p2 }# T
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* M$ _, s! w' [$ Y% o最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 x+ A+ x- [4 m# _$ E8 X1 DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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; f- `! t6 A& ?# A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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