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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ I, _6 o( x3 H
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND l+ K$ r V8 R: a }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: o/ i/ I1 W) s0 \) U* E% ]! ^但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ f5 R2 A+ Q. A% S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 f& s9 M7 q8 t' O) b. R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 m& |( m9 _8 B1 M* B* [1 O& z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 r: J/ D# @5 E, U0 U) h2 t8 _( u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% { |" Y" N5 q* ]6 \( o7 h8 l# L! b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! v. s3 |$ _% r8 b
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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