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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 ]$ T5 `: Z+ t. y9 h我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND8 ?, }. x$ G! l1 h/ `$ ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; q5 u, J) e$ R( d: L6 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" ` N5 ]" J: R9 F9 q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( V# | u; }" v/ j% E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 m, A# X; w, C9 y; |$ ~5 x! E' {
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- G: @2 o% r) T( A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 o. R4 J! ~! t) z( E* H' \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% E6 a! W/ G/ v4 s4 n5 Y: R
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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