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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 B7 o, A. B$ t9 Y$ ]
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& `6 E' [: Y( h4 x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% f+ D6 w$ j/ y* S9 }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' w: E; n4 r( ?6 Y& l7 B& N
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" }/ p2 R3 q0 q' W- x5 S7 F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 h. G! _& U W b# D( _7 \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 s8 V' \# o( \. j; w% v$ V0 _% E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 y9 z- N8 Z8 P) v2 ]. q/ ^Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 o( s g2 g5 T' b+ w# `5 j
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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