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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- x; A  b6 D) O* o3 s6 h避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 ?* K! C" @: H0 \了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
  Q, ^. X$ t1 F) M5 I/ ]% |須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
$ ]+ s7 q1 U: [  s7 b才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記! l2 h7 r$ o+ [# P1 ^+ y9 `
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! ~( v* l9 K/ R0 b不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
1 w( O0 k$ C* o- Y& g下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 P* M$ y. G( R) c* n' R" l4 X& [/ r% x( R$ ~- M, b1 G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 R2 L1 ]. V/ c8 A* H
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
' q  `  O- B  Y; a我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Q* e6 P( W+ x7 HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" h: V+ C1 K# o( P# J但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 w# y6 G( c; e4 O* ?* ~  n- w6 w這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 G8 z# f! g. n/ p' Y2 X( b: Q- v都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ) P7 T4 v$ k2 B& F, X7 u
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 X- w( o8 ~; c' _1 I* m* S6 t/ J最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 {( o5 Y$ t, n3 N% y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.2 c7 i& _7 t, k. e2 k2 [

6 Q( j$ p6 d4 ~9 Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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