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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 b$ R. z2 Y5 i# Q6 B
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難. X0 r4 u5 X6 U0 u6 Q4 B
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& v; Z# B' D8 B0 ?2 ?3 t
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 ]. j2 }2 D: w/ V& [6 l才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) \5 n4 |. T. Y1 K% z. q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓3 Z/ X0 [9 b/ }% ~" W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ c& e+ @9 S( ~  V! N下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 m* B+ v& N3 t$ j1 J9 f$ M; c, V) i0 C5 c- z; q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
8 a' u- H( M% u" b5 V! K8 Q2 A都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 j; ~5 {$ K" X2 }2 B) [4 Z4 U
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, Y2 c$ e. [- @- D  F: S! {# q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 A/ }) F8 p( X5 k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 L+ F4 a0 U( K9 G$ `8 p+ T+ d
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, e9 ~2 n* U$ m0 r& g都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' [# i. [3 i6 z3 H* y. i9 e  m
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 R/ q) _& R: D4 |7 h- V, C最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. z7 V. _; b% v
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.! W' g8 f( m- e0 j4 Y1 I' n& }
+ b& W+ i% N% U8 q6 f4 B
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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