|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& l, s) T! c6 k" t. E我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' ?, D7 ~6 b; ]& GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 @) m; ?' e, C' \4 \5 Q1 V2 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% Q k3 O+ u7 Z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 P7 f0 o7 X- l" ?# ~/ ^
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 `- `* Y6 F1 ?; f* ^+ @8 j因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 D* \! v7 Z) X/ ]4 w+ S
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 Z7 D- B. M5 K% q4 I1 D4 n: L! y/ a
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
/ s! G" y" c" L* Z( b" E% ^2 {* N8 v9 p% W4 b
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|