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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
$ p* f9 e! l- V; p  _+ v  p避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難. \$ |) L- [+ e8 [$ o
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 P: _8 A8 l3 C+ W$ w+ _1 n須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區; U% S' ]! z; x3 C$ j1 Z4 h1 ^/ ]
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- c$ o5 X9 O1 K( Q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) F: k* i' k7 S7 i. ?" M
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" s  x; K" f0 J: H% _
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- l7 M: R3 ?+ f# ^' B0 g4 P! ~# b# p! q3 q- S2 R
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ t3 j. {1 F  |, ~0 t都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
/ l" e0 f" S* o7 C7 D" R3 p' m+ _我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) G3 Z0 Z: Q7 o1 M, q4 t+ C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 W! L. U, p1 Y; A: y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 @1 Y9 b# O9 m這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 H, i3 C1 k" F) k& F% y. {4 m
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
2 l7 W7 m# Y& H因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& `2 j% h  _7 K最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: T7 x1 X2 F0 a! v8 eCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
( r' [. P' U+ ?' n: i# [/ U" h- U) @' g- j$ f( P9 x" r' w) M
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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