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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是, o  F# C( ?- o/ {0 x! L
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難# m2 I" F0 A( Y" E' N$ c9 c! @
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
, C5 Y7 p0 u' y須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) F$ |* z  A7 [才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 W$ o0 ?2 j4 ?& m
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% t" v0 r# W- s) {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 [$ d& r8 v5 H( z/ L: y7 K下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 Y8 {7 [  `8 [; ?+ U
* i  v4 K$ n. Q, n% N! t# a如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. * |/ N2 D: H6 ?) A! C% w
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)& E' `$ h0 Q8 E. k4 P
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 c- y! |; i7 sPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: M* y+ ?, S. E! J* ?: @
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況  q1 p1 y1 r% ~
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% n: Y& l' S5 x9 B, E. w! X
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
  k0 v2 ?! ?+ p  S因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* u7 s+ ~* d, x5 n
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: J5 {2 O" T0 ^
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* H# U1 b4 {) w  h5 M5 v
4 r9 c8 `6 l* s" p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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