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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 i! H) _$ N; A6 {: T/ i. U8 z9 Q. @
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
& r; \( f( {: x了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) k) l& l. r3 V% w  s) l
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  ~/ F3 D7 x% X2 ~才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記1 d, Z% q! E  |7 h. e6 ?. B
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 S- U# f& `  J  t% @4 b: @不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; G) L  ~+ |3 Y: ]6 \6 l. E
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 p9 r* P7 J. L" V4 b6 u/ W( ^$ U
1 J& u5 y# E3 ~' F. h! }" i
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 c. z& p6 z$ B8 @- ?都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 ?4 `6 P7 `/ ]4 G: R+ }
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 R1 S. u8 L. [6 G* M2 |9 j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD5 o" \0 ^1 j" R. ?! ^( j) T1 U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 k7 g" R/ d4 V% [) s; g4 Y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( W& W' {: o, y) x1 A$ Q! O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 k- k4 q$ P+ F8 _
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: m! S1 m. X+ K
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# w7 I$ f% ?5 ]8 x) R4 R4 E
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 l& X- P/ S* H$ R/ ?
, t7 h, }$ v, _7 W9 p3 _( v8 i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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