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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
V% d5 d, p0 E: u: V+ f5 _我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( x% y1 l/ d; a- _$ V1 L9 j* A9 TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# v( g' D+ a* ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ l u; f* f0 o7 c4 A9 V( o. i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 H2 V* ~' `4 [' \4 F) M N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & Q! O- w1 }0 f \" V9 W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 p( P; s. D. I3 p) h& ?5 U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 p8 ~: D: ~( q0 O- QCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ S7 `( S/ z7 D$ J) m+ z' o% a6 r$ D* Y- s& s( I5 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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