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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! D6 I+ w% a/ i+ b% g5 E6 d
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
p2 X, o* K) W2 qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 q( u- G5 ~" E. p+ y. |% k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" }8 Z8 e; [2 V9 P' h這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: _' e; h U4 F1 N6 V) u都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + d* K2 Y$ M5 F) M' a1 |
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重8 N. Y( R. x$ C
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) F% I/ v" k, }: ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 M9 i, T# _" w8 h8 l
. J8 k3 @- j( j) W1 F4 x: }
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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