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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ z- P! s; t( [! F
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 @/ Y4 n3 k! |* l7 V# M. v+ r
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必  c. ^4 V  B* U  |. @% ^3 \* a( \
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
7 d& _' i$ N9 A" f1 R才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記5 I  w3 u, |$ q0 D+ s: l
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 A* o- z' {7 B* c2 D不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
% u- s$ \) U$ B) L  }# k& o& e下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。, K& l# u0 D3 j3 J

$ s/ g! v: {7 B9 ^+ h如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) m4 n& y$ i" Z* [! e都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( Q3 L8 S3 G2 `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 J$ H/ s) z% p* M8 x; b; xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD- _/ d  M7 x: C# p# c/ `, j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ u+ s. i5 |  m1 j" u6 X6 D, ^6 c這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊7 Z+ h+ w# {% t; x" V, a
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' z& e3 B& C* n" n
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 w# u) @: V9 _4 u3 f0 W$ A
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 N& D+ S( b6 v( |7 V! ]- xCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.( b. l5 H& k% y- x- [* I
+ [+ k! ?- j6 b$ |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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