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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- w) g% e$ k: ~4 w( L# \避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ ]; z& p3 r+ Q' Z8 ]了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
! c: l7 W: L' @+ l  i6 s1 q須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區4 n+ @$ s, s( {* B  _; B5 D
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% D4 _# e1 N/ S+ u( l- S3 I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓- v" x# D  k& S9 G& L$ g" h( K' X
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
( |$ `9 w$ p# W- e下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
! ^$ Y0 o  T7 Q4 P; ]: W
7 q4 G; O2 E* l% ^/ H如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 1 l4 Z$ i# c/ c9 |( ]' q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; G, N2 n! k0 S9 l4 S我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 P0 F6 M8 Q4 P! S2 ~; Z, M( fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# N4 f7 S/ N  [  a+ }
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 D3 Y$ ~+ D0 {9 ?
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: Q0 T+ @! ~5 x& P
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 8 F2 E( H- e" g) l' o
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 D' u; y1 m/ j5 `8 S! o3 G最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. ?+ F5 d6 j4 t" I2 Q+ ]7 H: b6 t3 tCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 \# ^+ v, d3 w6 t; p/ d3 w! \8 ^1 x

* q7 S- _9 P( o4 s# Y5 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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