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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) K* ?) g$ M3 ~( d4 O
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 \0 S3 |1 U0 p( @2 ]8 \9 i. N0 GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 t. g: h9 W2 |, b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; D' F J. y/ l& B% }
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' J# [; i* |4 ]9 a, D
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
5 b' F" s4 C1 F" |, x& `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) A* Y$ D5 D0 s& l! V8 E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. s* e2 R' H6 f9 D* y* J7 J8 BCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. L1 G3 Z' r0 b1 ^. j0 ~( t
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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