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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% R, \$ U/ _8 b
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 ` u' m8 \: h- y% Z3 k5 YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 B" J6 j' ?/ G2 c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# m% ]" B2 S @7 D0 J這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 R0 v. R) y3 A. k9 t* s0 r! K都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input - ~- B1 F) x: ?9 `' s5 h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 t( G9 a' ]5 t( V- ~/ x+ S最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ S8 d3 s( T% N1 {Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 d! ^0 o: `4 a+ t8 N o
, R2 y1 {$ s+ h5 W" a- x! p7 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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