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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是9 G3 k1 T7 F+ q. N+ {: {
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 z) J: N$ W9 e& J: a& D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必' |3 [7 C. ~% }  ]! }
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 o5 R4 `  [( o: O  o才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& p8 f: ~, ]6 N7 U. \' W# N2 w錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& ~3 e; V4 y/ R不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況. b0 l* O8 l- H. s4 _
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。6 G! d- L3 ]" B8 I1 B
1 ]% u2 C) b6 H. }& t
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 ^' ?) H3 \3 X. R, X( H都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
" _6 o3 Q; ^% `7 D' Z8 Q  C3 |: P, @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 V& y7 R! z. H& d$ B0 X- z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# n* ~5 _( o: X- ?5 G5 f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( L( C6 f1 u& t. K5 y
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ G. u) V9 D. U/ t+ d. C都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input , o% F1 }4 n8 i8 x+ I1 B4 l
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! a. t; {( A) a" @; q
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.# m; E* l- X/ i- i& v* N
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 f0 L% V0 `# h4 [
! k4 ~- E- L0 Q6 L* R) _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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