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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 h# g1 S& F- p* S) r* Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: v* n1 e, r7 ^8 P; QPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, V4 z% f! f' v: Q! j6 N% b s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ e/ ~) G- x5 ]1 \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ x1 A1 S2 {" A1 Y8 `. o% D9 O都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; G7 P& {' o7 q4 M. E4 r6 `1 V" Q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 }9 Y) Z* e4 ]$ r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- C) F9 X8 x2 Q6 q& a3 P; h
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. K" g) O" x" v3 P6 O: v$ u
! U) E3 A8 t$ R. ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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