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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 s* k* z9 g0 F! T) a F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 L1 x2 A+ A0 UPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 J6 t. R; K2 X5 }. f但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! t) `. q1 l' A6 z# F這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ ~# a4 B4 Z+ R0 P9 w+ L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* O+ B& X7 d$ u# n. F/ O$ H3 n3 p因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: `2 F# ~& {0 f, k, E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: \; f" Y1 K/ ]: A% R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: j7 @7 f$ p$ J, h- }
% G1 ~% } I/ r( X. t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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