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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 i; V. {5 ]5 e5 J$ I& H
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 Z# {$ ^4 e( c' o0 S
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, f9 E% m/ O' L! c' O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" `& l$ L: C9 O3 l) p' `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( b. `9 c# v" ? f, a
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' g/ X+ C7 a% v, X/ M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 n; n9 A6 ? O ^; Y, F$ a最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 t* m/ y7 G/ LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
g r3 x( F7 N( e) i4 l9 T9 U+ Z/ k) H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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