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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
k* K* `$ C. x3 U我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( G+ {2 t) N! b/ T; f. t, Z6 xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% Z: f% x: y% c4 x) N* |0 N: H) N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 O1 C, V; q! n) C1 n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( ]6 f1 z9 f1 q* T; M都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 l+ N4 T" P9 O$ O! A; B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 k1 ?5 e( T% y! E: x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: X( t! C1 U* a+ }& q$ H; `! e
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." q ~- K* E% f8 Z: [ Z
# X5 r1 ?( p4 J9 r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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