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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是4 \. c' n; }0 G- v8 |" j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難( b: ^6 ^' E. a1 b* v3 l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 d2 M0 v$ @9 V! F# j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 p5 ]' g9 F7 l- r才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: z" u2 \/ p. o" h8 o, L錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% G8 A( T# X6 L
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" Z1 W1 S4 [; L; J2 {
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 Y- _) j3 P6 {# k

- f) w0 k7 T( f/ w4 m5 U如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 A( B% S8 w9 e( R, R都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)/ \3 o( l0 K9 K0 s5 r4 Q7 x$ Y
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. Y5 K! k7 }8 r/ ~2 X! M" H9 X' DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! w: \. \+ o# l8 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* r, ?3 A4 @5 k$ }9 A% k) p# o這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 W8 y" G, ^* Z$ O7 Y) O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ( [1 E; ~" f, d8 C( U- Z( s
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  z) p  D  B7 A2 F6 \  P/ d( n1 H2 _最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 w" a+ j& j. Z1 f
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
; u+ l! R$ p+ ^' h& m/ t- A7 I% n' P' G4 ?/ ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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