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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* N; K" ^* s b+ Z- Z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 o w: {+ q2 L @2 {) mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 F; a0 {: |: g( \( v7 f, L" b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- ]* J) `4 x. f5 {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* _' I" b( B6 I* }" `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , S$ f0 u+ t7 L5 D+ w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ n- ]* l7 Y4 z( L6 J* c
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 O8 W8 F) p9 \9 R' ^! A3 o# {
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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: j2 `: P* `" F% y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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