|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ \3 o( l0 K9 K0 s5 r4 Q7 x$ Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. Y5 K! k7 }8 r/ ~2 X! M" H9 X' DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! w: \. \+ o# l8 g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* r, ?3 A4 @5 k$ }9 A% k) p# o這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 W8 y" G, ^* Z$ O7 Y) O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( [1 E; ~" f, d8 C( U- Z( s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
z) p D B7 A2 F6 \ P/ d( n1 H2 _最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 w" a+ j& j. Z1 f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; u+ l! R$ p+ ^' h& m/ t- A7 I% n' P' G4 ?/ ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|