|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; C: |8 P) f, Q$ d! r) T, F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 ?) T' D! p6 ]3 k6 _6 C
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 D& h+ P+ f3 O8 d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# u2 a6 l- _3 `7 q5 H3 Z, R: [6 l2 P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 s1 n/ I: H& I! ]" ^& |# i0 W都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: J- T& i0 K3 U7 l7 M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" Z+ c4 R0 G% `# C# x7 P最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., P4 D' n! T" z, Y6 D, V7 p
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 e8 A7 |! ^3 `- U3 ~9 d1 L+ i7 {( {' R% h( w# S- c
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|