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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是7 m% u  I. R" G# ~
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, f3 c1 a  H6 m, j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
. y# Q- I! C% I須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區$ m& v" C( H% ]- W* Q8 @8 |( l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記/ g( P4 @' n' q, Y7 w6 e* {
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
3 n. C+ q6 S6 Y+ R不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
2 L; x) y! n$ C$ p下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
* H9 U+ ?! ~& O- R0 o% Q
0 H# Y5 ]; g& P% Y( V如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
$ n' D2 }8 k1 D: D都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)8 G2 F* N% |' b# D$ `5 a5 y* z+ o! K- z
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, O$ z0 Z$ l. H2 {- l' ?% ]
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. Z7 O4 y( S2 ?" ]! E" T" s  d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  Y  g+ Z# f$ v+ A  u7 w這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& q% ~$ a" z6 ?
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input , g% Q# D& R4 s6 i" [! \) _2 I- h
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 U% {0 ^& i6 ^: B* ]( L2 O! g" |最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) b/ D7 r9 B- M1 D- }$ m! T* _
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 y3 C- y& g- l" Q0 B

) z$ Z8 c. x) [, ^, v5 q; z. h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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