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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是- G+ a/ k' @; c0 J, m# A6 l  n2 P
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難& X7 P9 P. b4 q2 L) N; E
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ M$ E; S* W5 S) O& a' p須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( T2 n- K& t% y, t7 a4 u
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記- ~* i! a( q' f' l" x
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓, \. z+ I# T( K: O6 {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
1 Z! h* m: a/ e7 u下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
$ E8 Z' p; E9 y% ~- f$ U7 E6 a
) Q3 ~4 E4 e; B( f; @1 @如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 2 B5 `) ?! o/ W0 T" `
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
' }& \, C/ H2 w2 |, K: v我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 K0 R& {2 `" J  E* k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! Z9 `/ B7 ^$ H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  n" V: o0 N/ q9 p, Z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& w# _7 x5 x2 d, q/ D9 G
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 2 e) f5 ~, D: t& @& j- k
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) H0 i* T4 I, j, `7 D
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! }. a5 n" X2 {3 H2 r2 v6 B  a
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* g. n- C  ]9 W' R8 s- }( W" N$ h3 s+ S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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