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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 `; u9 l. t' Y4 L0 X4 P$ H避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
# L7 e/ {/ M8 k" ?/ Q" E了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; \% c; ^, e+ o, _0 B: j. z須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' K, I8 y' o0 F9 n4 T5 Z1 F
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) L) ^$ c! M7 h* g3 _錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 B/ E" M; |' b. \5 }2 _8 ~
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ Y! P( Q- ~# O- k下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% z$ |) m  J- x+ h2 Y1 X0 \
6 Q" Z5 ?0 P& o' K3 G5 @; a如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 h9 F" o4 _3 J
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  W( ]. d6 x5 w+ V4 x" P7 f3 d) z' v我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 F+ Q# t) X8 ~# L! x: @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 K" F6 [: i# E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 E+ A2 l* C3 _: a& l  h; \
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# P1 d2 u7 M6 S都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
  s5 i, _) h, ~: S( B' O2 `因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, Z3 Q1 I  p, b! h) r2 P
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 D7 X. c' y$ g- c+ {# FCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
" @. X3 c& \% W" j$ R! p  J
# P4 w! x$ I4 q2 j. W) ~3 v3 L3 G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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