|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 z3 a) B! D0 o; h# w我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( ^& q4 T# s2 ?7 c- {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 j \- c- A8 t; s/ T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: R, }# s2 T' A8 n" v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% [, H; X5 q% H8 L/ R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 x, i6 a5 B# W. N$ e+ x
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 ?' }& N' @) e7 {
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 c. C( S0 l2 z7 L5 L0 _
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
e. t, G. P) U0 N
) }# O8 H* f+ b6 L: r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|