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有 froundy kit 就用" x+ g0 _, Z9 r
畫的 每間蓋的layer 也不一樣 `0 l7 t& C$ a/ S- r. v
廠建好的 製程try過比較沒問題( w" q! T" ], _% _3 o
; f3 c3 N# k W6 d; l: _自己寫一個spice model 容值抓抓看
) L+ V: N% z" V* E8 d$ I
1 \, _1 q1 J: J8 a8 vMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
# H9 ]# d3 q6 K, u0 U9 ?% M可能任何工艺都有这个cap,
7 R% F8 R3 j. L$ h% P' ` e# v4 J6 d
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
' o" b9 ~, y& y由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
u5 F, N, w( S: N6 l- c. Q. M6 oMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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