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有 froundy kit 就用
I3 \) Z' }3 P+ h S畫的 每間蓋的layer 也不一樣* R1 _% M& [$ W, r) O: ^
廠建好的 製程try過比較沒問題0 V+ y' C# E# a) M! s5 K
: H& Z" T- H, e5 A; h, F# w4 @# Q自己寫一個spice model 容值抓抓看) m. [# |$ M' r1 _' P
6 _) z! c: u$ Z# P7 k, `/ p
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
) o/ P9 u: M. o" l; [可能任何工艺都有这个cap, 7 ^6 |1 l6 D1 e
, X. X9 V F3 n' g/ @4 C1 y' }MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,! T- u0 T' {7 W+ E$ u
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
+ U' _- B, P* {3 A3 VMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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