|
有 froundy kit 就用
" l' G, G% i1 J0 Q畫的 每間蓋的layer 也不一樣- q4 ^9 A5 u4 _: |4 q6 [ `
廠建好的 製程try過比較沒問題
" R5 x$ W$ u2 [% g+ b# f, T0 p% X+ _: Y2 G* r! N
自己寫一個spice model 容值抓抓看
0 d# }3 S. P9 x, M5 {) z3 {
! k8 i* Q1 y; c& m" a. lMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
; T+ R; o* n4 P可能任何工艺都有这个cap, : n, \- J5 r; Z0 o, }7 e, X
6 ?2 W6 [" N$ c
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,2 y* `2 t0 x) d# t$ Z
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
E* f2 A3 _3 F; A: PMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|