有 froundy kit 就用# M( [2 W' a6 P& S5 U
畫的 每間蓋的layer 也不一樣 1 H6 E, v( N- [/ X3 D; _+ t廠建好的 製程try過比較沒問題$ q7 U6 |2 ~* p. V
( p( T w& }" a, n8 |- j- O自己寫一個spice model 容值抓抓看 + D* ]6 l" g1 S! y9 O* f( e. d* Y7 w/ Q9 u _1 O, h: J U% W
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,! a/ ~6 H. W( K6 x
可能任何工艺都有这个cap, + H O) A, ?& V/ x
Q+ O% U4 Z- d% S1 DMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap, 5 C. Q0 w7 V; s* O& _8 x6 L G2 K由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,5 T: X/ ?9 x! z: l
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍