|
有 froundy kit 就用: K3 v7 r( m, x7 W/ j/ }6 Y
畫的 每間蓋的layer 也不一樣+ S3 @1 n4 u" z4 \/ A4 E6 L
廠建好的 製程try過比較沒問題
b0 c; ?! l0 y) _9 _* @
0 U/ {5 s, u G3 J' x自己寫一個spice model 容值抓抓看
& m' |- l$ t4 V$ D5 d- ]8 l3 w
8 h3 l, x' a9 l* j9 I2 vMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,1 c. P7 e. x, V' a9 R
可能任何工艺都有这个cap,
3 s. W& g! i% m; o2 l& m2 L, r. n, }( X) Y
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap," T# I K8 }' }" A2 E- p/ |* J1 x
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,3 X* d1 I! N2 c. g2 C @. ]
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|