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有 froundy kit 就用1 c) W8 y, W+ E0 C1 V% P5 p: ?
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
- b5 S, v9 T' C' t" p6 {4 b- {廠建好的 製程try過比較沒問題! @* o# ~) g( K8 j' f
: b/ a* }( c3 U5 G! [0 b3 y自己寫一個spice model 容值抓抓看, ]2 U, |6 L: T( D+ V F
! z. Z5 t. k& T4 l0 R% W8 L
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
9 l7 o' t* O9 m% L. u* g7 j4 b可能任何工艺都有这个cap,
+ w, t( t, P5 b! M! }. f) p" E- N
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
' k6 j$ F8 N! h由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
0 a, \% G7 {* q K4 H( EMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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