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有 froundy kit 就用
3 K, ^ G8 y- _9 T& ^ c畫的 每間蓋的layer 也不一樣- }6 ^" X% d# A# Q m# J
廠建好的 製程try過比較沒問題
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1 z7 w/ {# Z1 `; m2 E" _自己寫一個spice model 容值抓抓看8 D" P8 C2 M9 R! r7 {4 j
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
7 F: I0 N; e& M- x- u, H2 e+ B可能任何工艺都有这个cap, ; S( i4 ~$ X, \# n6 }9 f
5 H, b( C# @& x2 ^! o; rMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
) _" R, g! K. [ ?7 ~由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
, ~+ u# Q B3 n8 \5 W7 lMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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