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有 froundy kit 就用+ c2 q0 D. D/ M: q
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
7 ?+ l9 I* f5 n7 K3 v廠建好的 製程try過比較沒問題+ m8 l, @! `) H9 s/ Z( \
4 H, K! a* T7 |( e' W- ~
自己寫一個spice model 容值抓抓看
+ s t1 s2 C, W- x. D6 g, L" t/ U$ K" @9 n5 T; X- `
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,! J8 C: U- m) j% C$ k2 J5 S4 Z& `
可能任何工艺都有这个cap, 9 ~! H8 s7 {+ Y6 M
, @/ U+ A# k: _& n8 m4 x
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
% o$ P8 t" O; m- q2 }由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,; d7 I1 y% u4 F# h) J9 l* {
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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