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有 froundy kit 就用# O ^; |) K, E$ |, I
畫的 每間蓋的layer 也不一樣, f% k6 n& r0 p7 K3 p$ X2 h) ^1 Z
廠建好的 製程try過比較沒問題3 F% {3 u3 U. Q
$ v. i* m. ~) ^- J9 W自己寫一個spice model 容值抓抓看
2 U, K' ?2 p- o( Y5 k# r; e9 F/ B* q' C
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
! a' t$ Z: z I1 l可能任何工艺都有这个cap,
! P2 S9 P- q7 J( n' }* r
3 ~ C7 U6 z( V, dMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,8 d- r, y% Z% |- q2 n# _" [
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,3 v5 a' [/ Z. ^9 R/ l" h9 D8 Q
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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