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有 froundy kit 就用
$ ~3 y- ^9 d) l- {! o2 n" z, i畫的 每間蓋的layer 也不一樣
o' `! O5 E/ _! i廠建好的 製程try過比較沒問題: z, s+ s# x& g, d1 r' |5 [6 F6 b
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自己寫一個spice model 容值抓抓看
+ B7 n( x! A: w- A
! f- j' p, I6 cMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
2 o/ j( V8 f4 ^( l可能任何工艺都有这个cap,
" I- @0 `( I- b7 W/ U+ H. [
' n4 d: T" [5 H4 t3 i, O8 ^' c5 D6 e! U$ ]9 hMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
1 y& e) p' W& M由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
. c$ \0 k0 P! e! I* O V3 oMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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