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有 froundy kit 就用3 a9 i9 c! M8 Y: j! j* f
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
# \9 D4 n6 S' u+ C( D, H廠建好的 製程try過比較沒問題
7 m1 x# V: |9 I! m. T/ P3 B5 `6 Y, o; v: e! w1 M
自己寫一個spice model 容值抓抓看
' N" l# e$ o; ^, D* S* r) I1 t2 K1 W4 j3 Z
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,8 O4 F& J9 O8 {7 U! Y
可能任何工艺都有这个cap,
& X9 Y$ J, t, ~& M2 P# M& ?& n6 p- _* E. U
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
* S* h5 G5 L& I0 J$ g! b0 H由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
- k- K+ P& d# X, g- i: e5 rMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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