|
有 froundy kit 就用2 S" ?; Y- o) K8 ^, a
畫的 每間蓋的layer 也不一樣* q& `% o' K9 C2 q. [+ [" g
廠建好的 製程try過比較沒問題- {' } @$ G, w5 [
& s* r% n1 ^" `. A自己寫一個spice model 容值抓抓看
1 ~1 F! y7 X0 h6 g1 P
D8 l) ?) j8 M* g, l) tMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,- o, f0 B+ ] x m# L4 o0 W
可能任何工艺都有这个cap,
2 c6 X$ b9 z" {" ?! x( L X A# u! j7 c/ f" x" t
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
6 [1 z8 z, m2 y- l; R8 f由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
8 V1 w% n/ x7 y% \6 W" oMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|