|
有 froundy kit 就用+ l8 N& |, K5 F; z) L5 I
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
3 a3 U) ~; A' D3 E廠建好的 製程try過比較沒問題2 i% k1 K) e( n; R, D( ~3 u
\2 A6 ]% M, R, }
自己寫一個spice model 容值抓抓看0 i4 x) k" V$ r! h: X) {
9 a' C. N; W( J# e) K5 N8 G& q9 v
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,6 u# c9 g5 z+ b
可能任何工艺都有这个cap, + |% ^; T* g; Q: M
0 }* r1 B* S& g$ }5 wMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
# ~9 x) Y+ c6 g I由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,9 C- g: j9 Z. z8 B; o, [/ Z/ |5 r
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|