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有 froundy kit 就用2 S8 G* G, i8 O% a8 B& T+ p/ A
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
" @0 n4 j; Q, S5 Q# E! ~$ C$ ?廠建好的 製程try過比較沒問題, g- l' Q3 m- q1 _2 b1 K( x
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自己寫一個spice model 容值抓抓看2 ~ S8 T+ J7 A/ X
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MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,5 |8 o( B* K7 r! P, a5 h1 Q) v: }
可能任何工艺都有这个cap,
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MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,7 J. l5 w, Y- a8 L4 x# m" }
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
6 e# ^, Y6 m" W% Y' W3 W8 f0 cMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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