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有 froundy kit 就用& u' E- l p3 V0 e6 p
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
* I0 M2 C1 A- a, t2 i0 ?廠建好的 製程try過比較沒問題
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自己寫一個spice model 容值抓抓看- m/ l* ^& R, j( i
$ ~& o8 l$ C( n* \# RMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
. r T2 u: P. X' U' \& h. q可能任何工艺都有这个cap,
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2 S0 h7 ]# c; F$ k7 O& W) KMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap," M8 l; T4 b( j! A3 I1 \' a, _
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,! u' ~/ H! r0 X# q6 b( l
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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