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有 froundy kit 就用
' [, ^* Q2 M& e- \) u畫的 每間蓋的layer 也不一樣, H- U, |% T& ~ ]- \( V0 k, J' U
廠建好的 製程try過比較沒問題1 {: m4 L# r6 q( @3 M" g9 g
! K6 q5 M4 l0 R0 _7 ~自己寫一個spice model 容值抓抓看1 C5 A f1 Y: J, L5 S- {$ [
; c1 r5 R' k d! c- N3 P0 jMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,$ r8 o; @: ^3 T1 O
可能任何工艺都有这个cap,
1 R1 |1 ~! ~9 ^5 Y' A5 V3 z' G4 s) N/ j3 e* Z' u. l' ]/ h
MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
6 `5 e% c; L2 p9 G8 X由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,9 O9 v; s; m, t% o$ N0 g1 I' m1 r
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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