有 froundy kit 就用4 E4 U8 p. ~; B
畫的 每間蓋的layer 也不一樣 ; D1 Z6 ]6 [ ~- K廠建好的 製程try過比較沒問題1 j/ b0 Q5 t( T. l! o1 v- a: T
3 n. D1 O- h. ~) h* t7 K% ?' G自己寫一個spice model 容值抓抓看 % o" y9 O; M& k/ F' i ' b) `9 q9 ` b' s9 G5 JMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap, 7 ^! L& ?* M) ?2 n可能任何工艺都有这个cap, ( Q8 ]2 a8 G* ~. C1 S. O+ ]
6 F* X. e* D0 w' k KMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,- s. t2 }# v, s' {7 a: L
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,6 b+ G2 [- r0 c7 I, y" l
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍