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有 froundy kit 就用4 R5 Q9 Y/ ]% u" q
畫的 每間蓋的layer 也不一樣
3 w- `4 J! x8 g廠建好的 製程try過比較沒問題
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自己寫一個spice model 容值抓抓看' Y) G4 E. |( T, w8 [ _! d
' r0 x, e1 v: m7 h9 H
MOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,
' H/ u9 g& W8 y3 o1 E可能任何工艺都有这个cap, ( E: X8 t9 H5 N, e. H
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MIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,. e' A2 u& }) T
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,
) m! g; I0 G1 i7 N% q3 xMIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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