|
有 froundy kit 就用& B$ V7 v7 y6 ?1 M) v( C0 [
畫的 每間蓋的layer 也不一樣8 F* j* j; N, o1 @1 d% x- w9 x4 P
廠建好的 製程try過比較沒問題8 c; w- z; i3 _, E" j* N U0 w
* A3 w: {6 Z/ K4 U) K
自己寫一個spice model 容值抓抓看
5 C; G# q" R: E% O9 \; @0 m
% ?! p8 Y0 c, _: u- v) B3 lMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,2 m' V' X+ `, p" E1 r
可能任何工艺都有这个cap, / ?" s& l) `+ B, X0 z# z# ~
( n8 v4 N$ W3 ]# k3 l( ^; pMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
) q5 ?" I, g) g7 f5 \( b7 @% }由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,4 B( D8 m F, u2 X
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
|