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有 froundy kit 就用
, A& S$ _8 m' ?$ Q1 ?2 `( ?; ~0 j畫的 每間蓋的layer 也不一樣
( S; M: w* B5 I$ X" p廠建好的 製程try過比較沒問題/ c4 X: A( x \: r) Z
4 G' z: I) {) g# F8 Y- K* m
自己寫一個spice model 容值抓抓看* N* V i7 u+ Y
( v6 Z g" Q# vMOM 是tsmc的说法: metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap,4 |0 Q# ~) {6 A- Q6 c, {, H
可能任何工艺都有这个cap,
' L2 b- C) i9 o2 ` [7 x
1 n) z! x) j+ w. |& M: j% rMIM : metal insulator metal, 这个在Analog、RF工艺里面才有,用来做 高精度的cap,
% i- p, x3 F8 U3 M' j( _* K, k由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成, logic工艺是不提供的,( H7 u5 U; e2 o* q
MIM的2层metal 特别厚, 一般是下面的好几倍甚至是10几倍 |
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