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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟& i) M0 R' F4 }

5 n% r9 K1 ?- S/ z0 f0 T8 OOD2作用:+ b; `) s/ o% f9 d9 `. Y4 K
1. 增加阻值
6 w! C, Z  J& E5 f+ [8 _2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 B- m* ]4 {; V( X3. 通常用於高壓製程上
, o4 r3 Q7 |8 i3 S7 ^; I) R7 a7 a, E4 b, V4 c- Z2 l8 G; T/ o0 ]
SAB作用:
7 B9 e9 R9 u" z( |( R' b# P, a1. 可以用來計算電阻值9 z# P) ]" o% O/ _& \
2. 降低阻值
* k- w; ?  d5 |% V3. 防止LDD的尖端放電
+ p$ r  O2 T- I. J& k
! Y0 O% @- q5 P# C, ?; s3 z
9 I1 L1 H6 r1 _7 h' J8 H5 }1 v( {4 k8 l以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
( q) s) _" J( x/ [. ]5 t, X" t4 ^: O' a
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; f6 {7 X5 j3 \3 o7 R0 R
. C* `7 S& n3 E# T& y8 A有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
; M1 J/ z0 Z) v9 q/ A
6 H- h+ R5 x' g2 u/ Y( E蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!4 K& [: Q  Z! p2 C" M! m( x
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚$ e' v3 M) z# t4 W
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的$ p6 f9 b* X6 p$ {
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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