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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ U; z* e6 P7 M3 e) `- F! ?2 z: h

  D5 m9 e' l* u$ |OD2作用:
5 g" A$ g5 {- Q1. 增加阻值
  u$ D; Y# h( X4 c2 g9 N7 ^1 h5 Q2. 防止電流過大而導致元件燒毀
: _2 H' B- e# @3. 通常用於高壓製程上
1 `* }% g' i0 p6 y4 U
- _2 J3 r- b  p0 [$ CSAB作用:  X6 _# E- N& w! M% m% S$ p, [3 S
1. 可以用來計算電阻值
3 s6 ]# x" ]) F9 p; P0 l2. 降低阻值+ b, p: U: G1 H. \' m5 B' @9 L2 U! N; `
3. 防止LDD的尖端放電
* _$ i. Q0 [  H" T6 P' H1 r% F' d: ^& c# _
6 j' v% V8 k# d4 q, n
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 6 i( Y' o: x2 L; N
: @1 D: E6 i. o; I+ L6 u
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
! F, k7 o. Q2 ^6 j, C0 I
8 C0 h5 P. J" s有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!$ ~" Z. W1 ]6 E# e' t" N7 C9 {

% V, L3 X- ?5 ]4 }蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
9 A+ T. m8 P% f7 T1 G能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 u/ E. ?7 e2 D! _9 Q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  _4 y6 F. V) R, N6 m9 B- Y) t: ~
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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