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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
4 h! ~: l  m0 R7 c" b, I8 h# j) R1 [1 ^1 g1 o3 L* c
OD2作用:
# r! o3 @: u8 X' d; Z% x( W5 L1. 增加阻值
- [) B2 X3 y, V- ~! I& A$ [( E2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 l/ x7 R4 V2 _3 g: \6 h5 r! N3. 通常用於高壓製程上
. o" M) i/ _  O' E4 ?" }& Q  O+ h  r/ G+ [4 P
SAB作用:: v6 q5 x/ V+ `9 E
1. 可以用來計算電阻值, p8 G; W$ \1 W
2. 降低阻值7 B4 r  J! S9 n* X7 M
3. 防止LDD的尖端放電1 I1 b/ t4 U( G( Q& T
) A7 a1 r) A5 _1 Y  C7 X1 R
4 f6 s! X$ F. J* _4 L; t5 T
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 . `5 C& s5 k/ h, v' u
3 U+ O) E4 h" x4 k( m; s  Y9 {- c
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
) g( e1 b/ h/ v6 {+ r5 }
5 y( x& |: n, F/ }! H; Q有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 h, _! c, T  X+ K' x1 u; m$ l
/ J& k: t$ r' f, }9 b/ s- X( F2 u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 D  o- X) Y2 o" ^  N能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
" @. z5 j5 W7 c/ U* i這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的0 w3 A# R1 `) }) b
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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