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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: P2 A# U1 x/ @* J
+ T7 I; i% G$ j$ J" e6 k8 z
OD2作用:
" q/ |/ ^7 Q( H/ z1. 增加阻值
# U0 d- s4 A7 j! t2. 防止電流過大而導致元件燒毀" O6 C1 N' e* l& ?
3. 通常用於高壓製程上2 m; D6 D" r1 |) T, ]3 Y

9 }4 L4 v, @" o2 D- ESAB作用:
" v% x; o7 k( V% H1. 可以用來計算電阻值. T5 h7 O$ c3 \% x! j. w
2. 降低阻值6 p- M' I% z# O1 ?. t  D
3. 防止LDD的尖端放電
% y" T0 M8 D& v7 F5 A/ X
& L- b! y5 p+ L  @  K4 Z
) f, ]" m1 p% F4 L1 E( S以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 T$ a0 b- C6 d3 O# ^) V' m. L9 N/ ~
& ?9 l* |# N- g5 H個人的認知與看法!有錯請指點一下!. [. y/ t0 x/ Z/ b9 T. B3 m: f' T( b, s

) x* s% \5 L" M) ~5 ~0 o8 L$ V# N; g有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 Y) F/ C: H% [$ Y( `7 n8 |* p  t
9 A; ]" k% r7 j
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 R' Q+ Q, k, X% s, z能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 r: O( S4 E2 j% Z  G( v
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
5 {1 ^% {- ~4 U  @0 dSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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