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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  e( F& {  E9 }4 U" m, D6 V  W5 @( F. W
OD2作用:# l. d8 l* ^9 e% d. s' e! E
1. 增加阻值
- k; g( U- r6 \* D% z2. 防止電流過大而導致元件燒毀* T; ]0 j# d% v! r: h6 i
3. 通常用於高壓製程上
/ B. ^  b' g( X2 Y6 s3 q5 g  y4 L$ x; e0 [3 K+ T7 Q6 _. Y( c
SAB作用:
" F, n+ ~/ M( ~' n' y* \4 n$ ^) z; ]1. 可以用來計算電阻值8 s9 ^$ x- b  N# D
2. 降低阻值
6 r( }  ?( Q+ H- v3. 防止LDD的尖端放電
: M& {, z1 x5 ]8 O6 u4 z$ K+ X: y; t# K* M" ~8 B  s

) a/ y3 l* F# F以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
+ P: D* i) b% w$ q1 Y; K
! E# x8 ~+ F) L8 u2 l0 K/ @- V個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ F- U9 b/ m3 e6 \$ R: [% `' F: @& R6 [2 h6 a& D8 v8 u) {
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
' T. M) i1 m) s. ?, V' S, T$ \9 M: L: d. m6 j: a
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! k2 X" V0 X# v0 A; w, A. E能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
$ \* M% `' k) R% F8 K1 U' i這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
% T/ v7 j  K- b7 GSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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