Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21715|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟9 g- t  v' P+ l" l: G

, G% M4 K7 |$ `& V+ {& q; IOD2作用:
5 b' I, B( Y8 J! Z6 r1. 增加阻值) l, l. {3 m- x+ j
2. 防止電流過大而導致元件燒毀+ a5 R% q* j& O* @8 ]
3. 通常用於高壓製程上- n" z0 b: _+ `# W$ f8 v

4 L. ~! X* V/ L$ m  ]SAB作用:# V- u$ [% M) G) z' H4 V2 h
1. 可以用來計算電阻值
$ o. C7 w$ s7 U2. 降低阻值
0 v0 O6 Q' {# b# K- U3. 防止LDD的尖端放電. o$ R" C& t# k: u$ {- P0 R
- f8 Y" E; |) g8 H3 ^! R9 N0 x3 v

) M" `4 y6 G7 R0 C+ H以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
+ g. @3 l: o3 r% P
$ |9 Q, d( t% ?( Z' r  H個人的認知與看法!有錯請指點一下!
+ Z; V; w0 V& u: G- o7 w! @0 v& H: X8 Z' U
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!- N/ i" Z/ P2 C# [+ |

, R( |$ \6 _- z7 k; C0 A蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
7 r) o- ^. P9 T# _9 w能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
9 @8 h# D% w0 c' }/ M這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的- }% I' F% a% {  y) X4 S" t5 e
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 04:41 AM , Processed in 0.155009 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表