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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' S9 u: T1 n: f$ F( a& z- E  s- n' K' v+ Y) y- h! g2 N8 V
OD2作用:
& m' L/ c; }' t4 j9 H1. 增加阻值' J( z5 _# D' t0 r& K
2. 防止電流過大而導致元件燒毀- p' U( J1 g: r
3. 通常用於高壓製程上1 g6 m2 }# Q' s/ ?# T4 }

: E; J, S: q" i  hSAB作用:/ F; g. o7 j5 t1 h/ p2 T' D
1. 可以用來計算電阻值4 _8 a% r4 H+ Z! s/ r, r1 y7 `: s6 ^
2. 降低阻值
6 K& w  @8 C+ C5 [3. 防止LDD的尖端放電8 v/ G. x3 X' M2 T! J
9 u* F) M5 C( u2 ]5 I
. D0 {( O' u5 E) m# i; L; Z
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * k7 X/ t% v* p% N) D
' c/ n9 P" ~4 w2 t& f- C
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
4 K4 U/ P3 L5 w9 |( V
$ V5 D2 Q! v0 I! Q6 [7 O$ S有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
" O: z6 X* A/ m) b
/ L# U+ G; Y0 {# G+ W蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
9 \2 `9 A" L& U/ X" |能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
0 j& H- }0 q! i2 _! e0 Z$ J這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的# _2 ~. `5 k! Q7 }
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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