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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟8 P( K7 r4 t1 `: D9 n7 w) q
! t# O& `4 t; V" p, [/ E
OD2作用:
! H  J1 N2 u# \1. 增加阻值, X8 o1 W+ i$ F; V) B6 t6 P* D
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
' r6 v5 o% E+ m. |3. 通常用於高壓製程上
3 i. A0 k+ b: T+ q
7 C2 Y$ f5 c8 NSAB作用:$ G5 W0 K2 q4 }; N
1. 可以用來計算電阻值& g: N! W, g3 u' n, J
2. 降低阻值
. B6 Q0 V4 D0 y- R9 t3. 防止LDD的尖端放電0 U/ D8 \0 O1 q+ h, Y& u

. v0 O7 G. V3 h4 j' |
3 g+ p" O6 n. S) p/ q6 B) e以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
* c, G7 M( E4 t4 w, z+ @  p# M& O+ K
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
4 }3 @% E$ K9 p7 V- Z; J. Y/ h
* [1 \  r4 P- `& l( u. M" N有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
. C7 a+ t+ p$ O
7 P' R$ |0 z* P# S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
. h. ?$ E1 y, f1 d8 k能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚, Q3 T7 u. R& M3 X9 I' b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 T1 [" t/ ]. K* h# ?
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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