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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟0 o7 d! M- Q& r! n) E- \7 r

) J% a3 c0 f: M, y) t" r" Z, j4 {OD2作用:
* S6 Y% l' U, D/ ^1. 增加阻值7 b, b5 G* W, Y5 I4 y1 X
2. 防止電流過大而導致元件燒毀! c/ f; E$ ^6 _& @' o
3. 通常用於高壓製程上
" }- c7 I) j( R2 ?" |$ d& T% g/ s7 u* R- e4 I, j$ M% w6 T2 Q
SAB作用:6 u" @8 I4 \1 D6 `; u- B
1. 可以用來計算電阻值9 U; Y. I  L5 h! m( a& e
2. 降低阻值) g! B& W+ \( Y5 L" q
3. 防止LDD的尖端放電
4 k% y& u0 i2 ~7 E1 s5 N3 g
7 C* \% ^0 }6 ]# d7 v
9 O4 R. e. |  N( h* b+ k+ ?, c6 N以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 " L1 G/ Q  ^+ a6 r& h
" m  J! v( x" O% e3 Q; B
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
& x& T" m; \' k6 ~! Z, F& G# h
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# }" Z6 C9 w# x0 U5 e& E6 c% h- K, B9 m/ m2 g
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!+ o3 i" i0 p) B. E
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚8 M7 c) {% O0 i% G1 i" ^' Z
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的$ f5 N+ _! G- }# ~8 v
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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