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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# g* G; e0 j' t4 h
2 ~& x8 D& q. C% b$ {
OD2作用:
& v' m5 p/ w. d. L& \; l3 W' P" [1. 增加阻值
! D- c  }; b, e  A+ l# W2. 防止電流過大而導致元件燒毀
0 N) ~* h4 R* v: {6 ^% Y6 q3. 通常用於高壓製程上
2 n. V( Y% L* u
2 g$ u' N5 w! `6 g+ v$ ySAB作用:
/ ?. a4 y2 r$ R4 M1 X1. 可以用來計算電阻值
& ], u* ^( L. ~" _2. 降低阻值
+ r0 ~- Q5 X8 ^0 B7 U' _3 Z& R, e( g3. 防止LDD的尖端放電$ M7 \' K8 e3 R+ S& k3 f6 {
& }: R! s5 j- d
0 U5 `. y5 m+ I, `0 R# P# Z9 Q: E
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
% _* G. e8 f, m) d) L2 d5 K* o. {" l! j
個人的認知與看法!有錯請指點一下!7 V% n1 _2 S/ ~: i

9 w# {: J) G& m有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
. [9 Y% V3 ]. P. r% |: r' i7 f5 S: N; M9 e  w5 u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!' q  J! ?# [" f0 {4 M
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; Y$ {2 t7 d! c- X7 I' |2 z" S這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ l8 h) P: y4 ~" CSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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