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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
) v3 w6 O3 H% ~5 N3 D# r6 [5 k9 G* n- Z/ b. F; O3 H0 y* }
OD2作用:
1 |: f9 B  R6 V3 i! k6 |% D% M( h) R( d1. 增加阻值
) z; h: j4 _! @2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 j" ]# B5 j9 u
3. 通常用於高壓製程上: D0 f3 G, s1 f% [

% {7 s* P- u; a- _9 WSAB作用:( D8 D, N6 _+ a; d. K: ^; x2 t0 A
1. 可以用來計算電阻值
0 Z! ^. N" n! s# b5 \, t$ L2. 降低阻值
" i8 c# P) c7 z, V' Q, l3. 防止LDD的尖端放電4 K) X& }6 M9 L

" u/ k, \' {' r, L) F* {8 a4 w
2 H! ~: J  h' X6 P以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 V$ [0 A  x1 g8 D$ W
) o; b  a0 G, F7 Z. d個人的認知與看法!有錯請指點一下!) ?8 P2 @/ P* S) r; ^3 ^
/ n% S( y' l( W1 U1 c  y
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
+ R' U  [1 b$ k. a: x4 g! O/ [4 e  a7 Y( h4 k6 r
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!/ s4 E1 Y1 X1 Q# {9 ?. Z2 X
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
1 w* e3 A5 K$ w9 {1 T$ |$ m這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
' J7 B. K1 Q) PSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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