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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- P+ j( ?) q0 q# v2 M& g$ w7 f1 J! M: B0 w
OD2作用:* ~5 a) T1 l: W* s
1. 增加阻值
) h4 I! S# H; o8 \2. 防止電流過大而導致元件燒毀: D% n+ p+ v/ |
3. 通常用於高壓製程上( Z; T8 m, Q/ F! n- l& ~

+ p. h. u6 v( q: F1 j6 G; W: OSAB作用:
) s! O& S0 n) O3 @1. 可以用來計算電阻值9 R  w3 C8 i2 \, I2 b# g' E
2. 降低阻值% S' E; f  l7 n) O4 F2 z
3. 防止LDD的尖端放電
$ Z, Y# C. z% i) j" i
3 ]( L6 t$ X; V! o; t% Z6 J
* c* U3 D! v/ x5 u4 X* f* p" P以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
# O' L+ _8 n- H
% o5 t0 C) Q, j0 o1 }個人的認知與看法!有錯請指點一下!% k) M% V( A$ q

$ E# W1 c# a& c$ O9 C  }, y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, Y  ?9 A, E; o
2 y# m' B# I, N) t8 b/ q- r蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
1 E/ j% `8 B, Q! y% M4 z  Z能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# s( A, _4 \9 S6 w: t, [$ S' B5 I這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
5 G% `# p8 c! e# V8 {6 f1 MSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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