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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% Y, l3 K8 N' f

# z1 z2 f( l4 T0 |  \4 x2 u( B2 WOD2作用:% ?6 s9 R% D* K
1. 增加阻值) K& x, A- v( O; H7 t  E# X9 Q8 e2 H
2. 防止電流過大而導致元件燒毀! R) \9 j/ r" Q
3. 通常用於高壓製程上
# v" v. m, n1 |5 X& x
, q: Q) {9 w5 h4 E" H! j; USAB作用:8 K1 [: V0 t7 M% _- ]0 W& Q8 _
1. 可以用來計算電阻值* [' a2 c: O9 N: Q# K! b2 I
2. 降低阻值& ?. V1 j7 w8 i: Y8 @
3. 防止LDD的尖端放電
" j% g( y3 [7 F% E( D3 d& e) o  e/ `' b& l4 y; H
3 d; [  w& c- [- g
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 . _8 Z# W9 X) x

0 L) U1 I, R' _個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; E( P7 x  s. Z: V' B9 N" G' ^
! }# A3 R3 u; Z* D. l6 ?有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
  J& x0 ]' f$ x  q3 W" M, x9 E3 l4 G( [
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!+ ~: E. u& l) o9 c
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 H/ ]- u, t% a% Q* V* E4 K
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 Z/ _3 l$ z. Z5 l% i" F
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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