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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
, w$ W3 k0 H! i6 X3 y
$ k9 P" N8 s3 R  WOD2作用:
, C" Q# S3 V  f) t, X1. 增加阻值
$ ^/ o: x' a. I4 B, b7 b$ e7 a2 g2. 防止電流過大而導致元件燒毀
, [9 R' {3 }1 |+ u+ k% R3. 通常用於高壓製程上( k; z* z. ]! t. ^9 @) ]

2 i+ E: x# J$ s0 g) i5 ?$ _: iSAB作用:
! u8 I" n  K! ]# w5 _1. 可以用來計算電阻值
7 G% b. w3 g7 Q, n! r2. 降低阻值, j& t& w8 r4 t" C. h, S1 s0 ^3 `; {# S
3. 防止LDD的尖端放電1 E6 T7 q6 Z0 Y0 E2 B

& e0 r: b+ U) u/ H& q
7 a- X1 W% {2 g1 i$ @9 F6 Y6 ~8 o. d" _以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 X8 k2 J8 {$ U  C6 g1 B1 \$ z+ G+ V8 i8 G' F4 r6 j
個人的認知與看法!有錯請指點一下!/ o7 u5 u! p. R: D- d" b5 q
2 b" o) P4 T5 D( S1 J. ~
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!9 }! _; V# f. z8 E
* q' Y7 P6 Q3 u, B8 _0 k
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 E: e' ?0 U" C' U& ~, P能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 w& X2 K/ A( k( |; H# Q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的' Z9 V) r: U5 ^9 t! y( a6 T  B9 z
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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