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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# ?+ T+ J+ j1 V7 L( q) s" O4 Q) P& r1 l6 H
OD2作用:
+ U, p6 L1 H' M1 F8 L, ^- C1. 增加阻值/ p/ m5 Y4 j0 H
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( G) a& `4 Q) M+ @- Y- K3. 通常用於高壓製程上: g. U3 t( n- K# B% u0 y
6 ?) ^9 n0 m% u$ X  {- C
SAB作用:
; h9 V7 R9 o3 O1. 可以用來計算電阻值! n1 H! f5 Q* w2 y$ S2 a* ]; \, d8 |& r
2. 降低阻值
# z- q, [4 F- y3. 防止LDD的尖端放電
$ A9 v% q1 M6 |$ T) ?* r/ C, c  k" E' P" Z6 B$ U8 X* T

# ~9 K' {! N' t5 w' z以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
: P( R9 t( D  b- H9 W) g" u7 u
個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 Z5 \2 ?! E+ p( M1 D5 [9 l0 s7 c) @$ V

; \! O+ r# K, O  `有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
4 G  Z# d3 s, E6 E8 e$ g# [) _% t7 `& z3 N2 O3 \$ |
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!8 V1 p! U8 z) K
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚" @" j* J7 U$ x& @  E
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
" E3 R" z: e$ x  p+ xSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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