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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟. B- [8 S* T6 N# |

! k& s3 e% l6 ]: l3 y9 DOD2作用:
+ z6 U& h/ [, }# \3 Z* U3 e1. 增加阻值. K/ u2 F5 p! A( |/ D4 l/ [
2. 防止電流過大而導致元件燒毀8 c0 u- A! ^, s& A  G
3. 通常用於高壓製程上+ K+ q7 Z8 c' O/ |, Q6 h& {3 s
* X) k1 o% z# Q
SAB作用:
# [0 h! y2 o6 }( M$ P3 d; \1. 可以用來計算電阻值
  k: M2 w8 S, u$ m0 Q' |$ [. B2. 降低阻值3 _; k  v' E3 L
3. 防止LDD的尖端放電( D; k8 X3 }' I0 ~# u' M$ w

2 A/ L- T% L( p2 \: a& O1 G
  v1 ~0 o. r* d3 M以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' s0 A( w- k1 i, I7 o, n
! v% B( ^; `# z. s
個人的認知與看法!有錯請指點一下!) E. I9 [+ t. a% X0 h: t

- K& A* o& c6 X5 x有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
/ e: A" g. e3 F( Z( B6 W' h& z5 l# h; ~  {* S' K. Q
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
% u' y7 r& n: [4 J" W+ _能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚  b0 A" z& ?  w( r0 Q- P+ N4 f
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的/ M' W$ s6 c+ B1 ~8 I
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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