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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- r# f4 R4 H/ n. V. q. n+ z7 a5 [5 D2 S# _! W  X8 k
OD2作用:
1 Z5 _  ^9 T# |+ f1. 增加阻值
1 q& _! e2 A0 M( B% d) ^2. 防止電流過大而導致元件燒毀2 ~# y: [# T8 C3 c
3. 通常用於高壓製程上
6 A! {% M/ d, Y1 n/ }: q4 Q. u) w5 g1 {* X4 O# R
SAB作用:
) f# q# J% P4 V1 q: H1. 可以用來計算電阻值
/ N) a" h. x' `* L2. 降低阻值% s9 e0 A; o6 R2 ~: {9 Y
3. 防止LDD的尖端放電
2 _/ G' \8 S6 m% i" w' G: o( [4 c9 e. `! I

) O* r+ t& m/ r. i+ u7 M, e以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 & D. n7 q8 G, a$ ^
  `5 J9 V0 s) h9 m' j
個人的認知與看法!有錯請指點一下!) G3 J0 ?0 _) Y
' }$ ?- {* r: a8 P' i
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 t+ ^1 _$ {3 z  H" I" j5 u; C$ g

3 |+ ?% _$ k' V8 Y" h蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ O( `- d6 }9 H; r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 }+ t- ^" j# z5 e* q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的$ q$ N/ e9 X8 D5 S9 R% {  ]
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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