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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟! r5 q3 U& f+ J1 ^# C

3 \4 w% b$ f& C. y& q4 eOD2作用:+ a5 U& ~3 e( ?) y, {
1. 增加阻值
- ?% E3 H' n1 A6 x3 v5 Q2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 D4 i2 Y7 L0 Q& ~3. 通常用於高壓製程上
8 I3 V' J4 q% n, A! G$ T& ~" g9 C
& f* l5 T& j- G4 C( ISAB作用:( f* Y: E7 r; ?
1. 可以用來計算電阻值
( ?" b; _' t* r9 J2. 降低阻值( }  q- R/ [  q+ K* C$ r
3. 防止LDD的尖端放電: U3 _' n/ E- ^+ D1 i

+ J/ n7 m/ U+ C2 o" q6 ?3 v
0 |1 ~. Y0 |. H" ^- a+ ~) V以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 O, j; U) o& `& O  G" O& {* A5 t8 r5 {4 b3 ^. C
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& o% q8 x9 |" m7 ]4 A8 M5 {6 @
' b, a7 D& R+ j/ X, f
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
6 C9 G, Q% ]( Q- ?* C4 ?# S6 Y; m5 v9 t5 U+ a+ ^
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
$ Y, u0 T' I) b: j7 r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( J" p6 c3 y, z  F& {$ I
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的6 D9 J. f7 W: G$ o# M% U# P
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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