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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟/ E" T2 z" c- k' W9 a+ g

2 g1 F' s- S4 j- Q( OOD2作用:
2 G& n& D2 m" b! x  Q, ]2 n0 T. a1. 增加阻值' g) e/ f% @% Q& T) P1 R
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) U* G! E3 w& C2 v: B. K( a3. 通常用於高壓製程上( |$ V; H3 m  _; F8 Y8 _

' s& l* u' z9 nSAB作用:
; Q" b! L( S( y" x. `: O1. 可以用來計算電阻值; A8 n, A4 t5 I$ M0 A5 ?
2. 降低阻值3 A( q2 B8 f+ `
3. 防止LDD的尖端放電
2 u/ J/ M4 g; v% q1 l6 C3 |4 ?' B& ]2 ~2 t% x2 S* p

2 h5 u4 S) o% I- m# R& w" H以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ! b) w( P2 l1 r  K0 ~3 w. N+ z: L
7 w6 q  R4 Y3 f2 X4 v+ g
個人的認知與看法!有錯請指點一下!# s' S" |6 @5 W) W5 j% C% Z

! |$ r2 ~; g. [' }, Y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, Y8 _1 s; A# d3 G
- Y) L& W, t+ Y蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!! o  K/ r4 w, E5 M9 F- u+ p
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 h6 }, f- E: T! Z6 c& e$ w
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& ^/ b/ F& X! b3 }4 @6 k6 ~9 `& q* c
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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