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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: U4 D+ m2 c* o5 E/ d: d/ s
/ ]2 G. P. u' `1 a" Z  T0 q/ ~7 b
OD2作用:, H3 q% a4 t1 a: j* |: e* i8 G
1. 增加阻值
# k1 ^" r3 w4 v! d8 i# k2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( z; y# ~, q# [9 Y) `/ G) n/ ^3. 通常用於高壓製程上$ ]2 J2 p  p! g2 G0 s, u

+ f( z5 Z6 [! m/ j4 N8 uSAB作用:
9 W0 B( R1 T' E- ~/ ~, P1. 可以用來計算電阻值
0 @8 ?5 u8 g  Q7 t2. 降低阻值: a; X+ H' N1 d: A0 N
3. 防止LDD的尖端放電
0 t5 f0 \5 R9 V: Y0 N" b: F- k  U' ]- W
( `: |+ v+ g; Q
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
! g. `# u2 x8 e! a% O; |
. l4 M. G7 X7 I- `* f) R. ]2 I個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, Z+ N  t- W& v6 V3 v2 d& c& u
) \! A& z! T* G. @# n有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, E# u" J  M/ x4 O: M6 Z3 ~% g7 V. T1 w8 B
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ x% ^5 t9 G, N. x能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) S4 Q+ t: ?6 u6 }3 ~1 |
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
4 u4 c5 R/ `( V6 K/ D; s7 oSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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