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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: O# U1 l3 O% D- J& l2 o
; L, C' a7 M' J9 VOD2作用:
* t% B  ?, B+ C' c+ B6 Y# J9 b' G1. 增加阻值
$ J' U) s& A) m6 {/ Q# Z2. 防止電流過大而導致元件燒毀
5 p2 u) ^5 x2 ~& H7 Q3. 通常用於高壓製程上
) n  l; ?& z( D/ _, r& @/ k- D. g, T
SAB作用:# f: B$ w8 n% P4 y) u5 [& l. m
1. 可以用來計算電阻值! n/ D: T9 G; w2 T# A( b
2. 降低阻值
6 H  e( ~0 d7 t3. 防止LDD的尖端放電8 o% |( \) n, I
4 v6 s8 A! S$ F3 p; a, j6 Y

- u2 i) Z+ U' [# w以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - V! ?6 P: B3 W" P" i

) V; }# X1 u, `! h, x個人的認知與看法!有錯請指點一下!, m; [/ t- R& X2 O" f" K  o- R

6 f3 _# U# B; i7 r% X- d& ]/ j有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 i/ ?9 G- ]5 e% V2 K6 Q- v

$ f8 e7 k% c- O3 T蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) u& @- Q: J6 P- m/ w, k
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚! I  r' P9 o, T- g; g- {& ^
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
4 {) T+ X$ O5 O4 o  D$ ]8 _2 Z$ fSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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