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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 c4 O1 i: d/ o0 }7 b
+ @# ^% [  H8 A: l* {; l$ P* tOD2作用:
, J2 Y% ]2 Z3 F  ~9 j/ i# l1. 增加阻值& J: @: S6 P: ?$ i3 v
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. K) Q+ [: l4 A4 t; M7 j' U3. 通常用於高壓製程上
. `1 R( Q( s+ F* R0 v6 x+ L/ [* u, i" I: n; B4 z* V
SAB作用:
) m- d/ Q' @. t5 l2 `: c+ _, I1. 可以用來計算電阻值
1 s) {: f3 S5 Y' ^3 E- i: @2. 降低阻值
4 R6 Y6 O) n4 d( g3. 防止LDD的尖端放電) Z; ]+ d5 p" x/ W
1 g/ E0 J$ J9 h* u  E4 k

" b6 ~5 ?' h* f7 B0 _% e% C以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 c* a5 t2 L6 \  _  r/ M4 L1 ^7 g6 j  o0 \" V4 l
個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 z6 ]5 Z+ l5 w( e" h- M

: U0 f  q3 }- h2 X8 @. D有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!0 S& Y( `# Y5 U# f# Z7 ^- o
% @, w9 j! f! U, n. K
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
0 I2 l& B) i+ a能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' x. a& h+ @; J
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的# g' n& {4 `8 g8 z
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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