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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
5 \1 D7 B5 A6 A$ a9 c
& p/ M6 g8 Q0 Y" t6 @OD2作用:/ I! Q& z* @& ~1 ^  [0 N5 v& a
1. 增加阻值+ W0 P4 L+ W5 x) M( k7 ]
2. 防止電流過大而導致元件燒毀% A) ~9 F3 O" c4 s- n
3. 通常用於高壓製程上# ~2 }) U' ]) W0 `6 V' w& x

0 I' b3 O4 F+ U+ I  nSAB作用:# H8 B' H/ G- ?( L7 v% O) C
1. 可以用來計算電阻值
5 e) i  R( D5 U2. 降低阻值& w0 j. z! U9 p& U# X7 W1 ]
3. 防止LDD的尖端放電! }1 z8 k- u: y
" y: L% H: ?( w3 \5 C
9 B& t& b& o0 r
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' g1 n0 T& I- @

  N+ F; k7 c! q* k個人的認知與看法!有錯請指點一下!* X- y# G+ n3 A

3 P1 x4 o9 h( p  `' K# y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!6 g& U8 t, d' Z  W( e: e9 s" P( ?" @

/ W; N% j/ a2 ]" C$ }; c& m蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 L+ |% q! f3 X8 F* h+ O能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚# V% I! e5 A$ s
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
% w* N6 T: T/ ^" m* b) Y; dSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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