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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
& E& n/ J! v. `# v' p% B; t1 w3 A( ?. h' c9 P4 u: r
OD2作用:4 m$ z* K& Z5 M  ^
1. 增加阻值
+ ?2 w7 D5 \8 ?8 A1 o2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ T- r% F# l8 G0 B5 }. }1 N* K3. 通常用於高壓製程上) u% t5 F$ w' x' O! t1 g8 d
8 V4 `' `0 j! `
SAB作用:
+ J( \( e: r. D2 F3 q2 g1. 可以用來計算電阻值
- |# X/ D8 n, i5 W4 g( n7 @! k2. 降低阻值; o; _, W: {& Q7 Y! f+ D! z
3. 防止LDD的尖端放電
+ e* F3 N0 g, b! Q
5 p+ V( i6 L2 X
* ?7 f& w6 C8 w# [以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 y5 d( R- H) ], s
( u6 e: Q( q& L" k  ~
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& w( v" T# z% B1 @3 s: h) a/ o

0 |+ x  ]. x, b5 z有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!& b: S1 c" G% B# N1 _8 D. R8 s

5 N: b! j5 y$ S, m. g3 g* z( x蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
- P6 m  X+ \0 |) t能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) t3 V1 d$ k% u7 c' I0 ^: @% N
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
& z0 Z( Q8 n4 U( M+ OSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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