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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
2 x8 Z/ o6 e. m$ U! R0 E) K
6 Q$ S* O( U0 b2 XOD2作用:
  g1 k/ Z( C# t3 c; F! x1. 增加阻值
2 r6 M/ y# x8 c6 n+ M" c* j$ _2. 防止電流過大而導致元件燒毀
; B; h7 H2 T/ U3. 通常用於高壓製程上2 G% [* l* O, _3 Z, t5 m1 I8 i

8 X2 J8 r) L$ {& d+ [/ C, Z/ p$ Z, FSAB作用:  g* O& H2 {1 k: ~5 `+ h
1. 可以用來計算電阻值
3 U! `8 N; I; a1 \' M2. 降低阻值  i9 x. O  y( W6 M
3. 防止LDD的尖端放電
( `7 ?, V( u- V1 ~* Q6 x
$ T4 a; k' B: ]: c/ M2 i
; L/ E- v( @1 A/ C$ P4 x* o以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 r  ~# i/ T$ Y  o5 P9 ~0 z
% T3 w( X7 c6 e6 F5 T! g
個人的認知與看法!有錯請指點一下!5 {6 v9 Y( c4 }. B1 j

, ~0 k9 j% Z- o9 \1 [有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% y( j1 ?9 O6 _( H( o) D0 S8 z0 e2 U5 H, B# M) S/ r# ?
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!3 D2 ]4 r; |# L- ^/ Q3 c
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 |( _& }4 l6 U; |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的* _8 d% `" ~$ z5 i" I. u. S: p: a
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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