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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟4 L- _& h/ a6 V4 l  a# s! z! u

2 j& A* z$ o6 V+ J  `OD2作用:: H" b) U3 D$ e' [
1. 增加阻值, F5 D2 g2 T9 A, E; ?2 o
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) d) E  u6 o4 o5 y) J0 V( [3. 通常用於高壓製程上
# G$ b1 ^! ~% t
, P- f! d6 E! u2 s) V+ O- CSAB作用:
9 k& F; z2 n/ J# z* U# `" F* `' r5 X1. 可以用來計算電阻值
) B% a3 y& l5 Z( d2. 降低阻值
2 E$ ?( X- _7 E( S% T1 Y3. 防止LDD的尖端放電
/ j/ J* D) ]5 }0 r8 W6 i" N7 [5 D9 k
0 T! ^5 |/ v' i$ h
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ! I: {9 |2 E: s# {
0 \" s# x1 M; Q9 X, Z3 ~
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
6 l: K9 I2 V  `9 P& H  M( ^5 u  [5 y
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# n" F& c9 z9 g& N+ O! i# e) {* Z# J
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
9 _5 u7 H. w3 U' P8 ^8 E能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; V- x5 w5 k3 g) U! q' ^這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的8 r6 Y7 U' T9 a( E7 I# Q# b  _
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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