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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
4 x' [5 d% y/ W$ Y3 A: {' u" D6 b1 I' M
OD2作用:% i7 D7 x) `: l
1. 增加阻值
' \# {* u- I# x' E0 ]$ \1 g2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 j! F) r9 x! P1 P/ {9 w3. 通常用於高壓製程上9 E- ~! X; k) C0 o7 a# u$ A4 o
* }5 S$ n( C: y/ b
SAB作用:! B  ^' s8 E9 |8 K& I& o  j
1. 可以用來計算電阻值
, Q0 g) I+ K8 \+ m+ F2. 降低阻值6 r6 L! p: j$ m2 L
3. 防止LDD的尖端放電. _5 C" W4 [( Z
0 `4 U( B1 p+ ~/ x

- X' K* b' B0 c& @/ j. G以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 w/ `# h7 C) p& ~7 y' Y5 h6 C) x5 o3 g% _( x5 u7 `8 j+ Y
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
( T: ~2 B' y( z* ?
$ T- _, }* I. C! ?: s8 x有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!- J9 ?# z, B: k0 v& Y

& e; z, c* z5 g- W' K蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!0 {- E" p4 `& t7 T/ p' m0 W. J6 V$ s. ]" f
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚$ ~. x( C) ~9 H/ W" g6 x
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
( G; `3 ^  F2 p8 N, k7 p7 L0 v0 \SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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