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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
& S+ g" e3 \+ ~8 U
/ x4 W8 j' u/ g3 jOD2作用:$ w7 \5 F6 ?5 Z" R
1. 增加阻值
2 |: q1 v$ S) E) M2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 a" d; ~2 I: k9 \3. 通常用於高壓製程上
, \7 E/ f( r, s4 i
  s& q4 T/ J+ F7 k2 r) ?: v5 d, B! ZSAB作用:
) g- A( v( _. ?/ Q2 ]3 H2 l& `# N- I1. 可以用來計算電阻值
* y) c7 h& n" ?# q8 T+ q  D2. 降低阻值
# n  z* Q) K2 d: y# i3. 防止LDD的尖端放電
* x1 h5 Q5 h# b, o  y- z
6 U0 R# e9 Z; V7 U7 G% O- }% W: Q9 r8 L
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' P, h+ X( B) y$ v0 n5 E3 |
  q6 c- V- [& o6 [5 ^& I
個人的認知與看法!有錯請指點一下!, I- O* ]4 R4 M

9 f5 H$ O/ G" r* k. P有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!+ q/ ]8 B9 f8 m! c

$ E) ?' r" W8 G1 v! i4 P蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!8 }1 h; [- \( P4 R
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# O0 c9 c) X/ _. q0 B# y1 N1 H! ?2 {這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
8 p; t3 D; \6 U4 R& M7 @SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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