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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 v. K0 {% ~* y4 P' b+ m. z
, Y5 y5 j2 t( ~9 x: c, t7 ?
OD2作用:
" [: N. h- m* Z1. 增加阻值; J9 o' s/ h, G
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
' t4 g- S0 E* {# R3. 通常用於高壓製程上
7 f* K4 [- P% P) B& `  O  \4 G* J  o% ~- U! t2 |
SAB作用:
3 D8 c  Z* F5 s" x1. 可以用來計算電阻值
) ^" Y" k) G. U. B/ B! b2. 降低阻值
3 Z) G8 G$ w- X0 ?5 s$ v3. 防止LDD的尖端放電
" O5 A& d! i, l7 y# O7 W) C/ |+ q5 j0 j+ L* b+ s

: P6 }& f( Y( X  g4 }以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯   }! k; Q" I7 M+ M

) Q' ^6 a) w4 u個人的認知與看法!有錯請指點一下!. l1 l) d! e$ k. Z% r1 P
2 Z' b: {/ w+ B% F
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
/ R& L7 M1 c: `$ u; H* b; e- t' g" j6 h0 M/ _' p+ L
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 w# ^; C) C) T$ P3 _能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚# ~6 J; [- I1 `0 |, O$ B
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( L# u: y* K1 U" s
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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