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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: Y( f0 J$ i' \& C( ~. P6 h' w
$ m9 D3 Z" H' ^) MOD2作用:
( T5 G- g: ]0 ]- O- l3 U1. 增加阻值! g# V( c$ N( u5 q2 C
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
  _8 m- U. [; p/ X. C: D$ I0 D+ w+ g3. 通常用於高壓製程上$ ?- |7 n4 o7 b  J. m

9 L2 S1 B' h6 P7 r% [SAB作用:4 l( p4 G! H! ]  j
1. 可以用來計算電阻值! }% N/ `6 V9 ^& B+ B$ \
2. 降低阻值5 X2 g2 p& x8 P( p
3. 防止LDD的尖端放電' j* m: M/ b! `6 H

# I6 E, L- q% r( R3 `
  ^' u- H# \& P$ b3 a  {9 S7 e以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
0 l: @/ a5 J& f9 E7 ]$ \, J1 t0 z8 f
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* a. Q) l, ?8 g9 s7 e) Y7 }0 ?( H0 l2 U9 X' z0 W8 S0 b
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
: E4 t$ f1 s$ [* @) @- {% q- P" {! c1 t5 u5 N8 u; z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
0 T7 X# Y$ G! b" l2 ?6 j# }5 r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚! ]9 L( Z* P, D, M& t
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的, V# U5 ^8 u. l* j! `* I6 \
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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