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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" r! d* G( N! m* Z. c
  I7 n8 }1 [. T2 ^! |; W- x
OD2作用:5 x) p6 C  v; f& R. l8 h. B
1. 增加阻值8 c1 ?! n0 f* |& e. X# e9 y
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
/ S1 g& M$ U$ J" }( o+ p! o3. 通常用於高壓製程上3 `- u4 X9 j, y9 R) K5 P

/ `2 e2 p' b1 C# XSAB作用:
4 o; l, g3 d8 W6 e; b+ H1. 可以用來計算電阻值1 y3 `9 t1 x  b% W1 k8 A% _  R
2. 降低阻值
0 h* Q; H5 a, J* a+ X$ O2 R) _4 l, g3. 防止LDD的尖端放電' K, V( y( @6 H' V+ V5 H

8 T# `5 d7 X( H% Y* Y: j
3 x1 R% ]) P" M" X8 D以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
3 C' X. C( E7 y8 _) [. ]9 C' H( a
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
3 G" ?% [- D4 h4 O
  a( o2 v, ^; }! t有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
: P/ d# ^/ |5 l# b& O$ q! U
& Q: O- s; f% K# M& Q蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 H$ H$ G) U' D- Z
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚+ s  F! `& Y2 ~1 g: O3 Q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- R: W! w6 g) w+ qSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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