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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ G' A- x  C: |) }4 \
% m: |# K( i$ kOD2作用:. Y) W/ g5 U' P/ A
1. 增加阻值2 W/ Q* P, X7 I8 r
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- x/ e  z: g/ e; o% b3. 通常用於高壓製程上# ~7 M! u' t. Y* R  G( b3 G, s

2 |) S  _; a8 C0 {, f1 bSAB作用:
4 q, I( W; }7 [2 C/ M6 I$ r1. 可以用來計算電阻值3 }/ d+ Q" X2 Y  M* s
2. 降低阻值1 ]) D' n: ]; u0 @" B, y0 q) Q
3. 防止LDD的尖端放電% o1 t$ H, J, j

1 z' y1 x9 E5 Q+ s  L5 ~; r; F" p& K% S+ r1 v! G; Z, @  z
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * o4 J; T! Z1 k+ j% l
" V) Y- ]2 P2 h, X7 u2 W" X
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 T$ z5 U9 @+ A, n' A
" G+ l- M, H& m有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" r7 N: @$ o$ S( i* X) _

. ^  A2 v2 K1 t- Z* Q' z; R/ v  k- H蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!2 n* k( w2 H( ?) Y
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  F+ |) q+ c' F) I: \0 t這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的: }0 ^& i( [. w; q! q. D2 Q) R
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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