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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟: E8 m7 i9 V* }

: `: q8 F9 e: G9 }+ \4 bOD2作用:! \# o, ~% d8 \
1. 增加阻值
+ K8 |( g/ Z8 d: ~" j' n; @  |2. 防止電流過大而導致元件燒毀% Y0 \) N- {9 B/ z: J3 c8 O3 }0 |
3. 通常用於高壓製程上; ?( V5 B' E9 N' U( @+ [

/ z1 `! v/ p/ O' Y) ~, lSAB作用:) |8 \6 U7 ^* ^
1. 可以用來計算電阻值# ]% |$ }( u4 Z' r2 N7 G; W
2. 降低阻值
/ k6 {2 d" _* j! U. f* ]! {) m3. 防止LDD的尖端放電
" c  V' r  p$ q* ]. R
0 {$ i* o! j. ?/ z
: ^. z' \# i, p: B- w以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
5 {4 Z+ }* e- O/ @& x. M, @4 i4 Y/ D! m+ Y% U# Q
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* q5 _9 }8 {, `+ j
' S( `& r. j5 B6 f8 S  o# m+ Y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, K) ~9 l$ T( X6 w$ u3 O& h) i, L

2 H! s4 d  R& N' K6 j' r蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!9 \6 y+ W% o& T1 k* B; x, N
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
7 e' n3 `" y" G+ a這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. [( J4 i/ @, Q  oSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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