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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 _) @2 H) j  Z4 G2 |
1 w  k9 z- r+ r! b) @9 `3 a! t) Q
OD2作用:
- `/ R$ s0 Q+ b. z1. 增加阻值
) X" ]8 ?3 W# O' l. `! E5 D/ M6 G2. 防止電流過大而導致元件燒毀
: K' m* X/ D. C$ C3 t0 |3. 通常用於高壓製程上6 n, t, c4 K& T+ S$ r3 c
* h; t6 z4 u- [
SAB作用:
# g: O6 y' Z5 e: P# k0 M1. 可以用來計算電阻值9 P& i* _) F0 J: O
2. 降低阻值
) \) I2 J/ m$ {+ e' e3 q3. 防止LDD的尖端放電' m; p" C( X1 n) u0 Z4 D

' G! H* ~( T! \$ U, [6 b1 z2 _" }& A" ~  X5 R: e0 B) \
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 z* e6 _  U3 i$ t5 W$ o; M0 x+ e8 J+ N" `2 B8 T* {. b) C
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
" r5 S9 S  i- B! \9 p
" m) G8 H/ z, T- c+ C有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
7 ^; T% B, H  l* m
/ d# x: g& v9 `$ v蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
6 S5 y* y3 K( F( V4 w* \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚8 u& b  {. F0 l& P$ L5 j- s
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的# F) N5 S. W  |8 I" A
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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