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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟  N6 j0 J/ W) Z3 o

. K  p" F9 L* a, j5 ]9 ~. pOD2作用:6 S) f3 \0 y! J) r% ?
1. 增加阻值7 b* o5 b' S6 y! Z& p% n
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( [* P) X* }" d. f* \: y3. 通常用於高壓製程上* A% B# B3 D  h

+ s# T. f2 y0 Y6 o6 F8 z- DSAB作用:- G# e, l& H$ V/ b, w! Z. i3 `
1. 可以用來計算電阻值- j5 T$ T: c- A7 P; }- V
2. 降低阻值
2 W0 o6 b! i( ?" l, G3. 防止LDD的尖端放電$ N  \) L2 A$ c8 r
4 \! c# r, E- [  z( V
3 ?/ g- Z( ^4 ]. K: j0 M. h, ^
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 f5 n6 @  m3 c3 p
8 t) G9 N; N) m個人的認知與看法!有錯請指點一下!. P/ [! _& z* i

4 a3 E2 b  Y7 B  r有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
& @0 J, y" j/ \, ?# q, L; O' y( m% T% r( Q" N1 ]
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  E  v0 p( l: e- Q
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
" x( `) B' D. n5 d這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
9 d) G+ X( W! s8 zSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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