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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: t' V# U$ {# I1 f" J- T7 ]3 ~  L; d+ m3 c4 R2 R( ]
OD2作用:
7 H6 V0 h0 A+ h# ]1. 增加阻值
8 L0 O9 W7 Z' \* K( C2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- o* c! G  E$ t4 |3 [& ^$ k3. 通常用於高壓製程上
6 ]4 v/ V9 E* G, i! a. X; l" V4 G) ?3 j6 G
SAB作用:/ ~' h2 ?. s4 v/ E- t
1. 可以用來計算電阻值
1 y0 R7 y# p: N, J: K" g* I! [$ L2. 降低阻值7 n9 K+ C/ C+ A" t4 T
3. 防止LDD的尖端放電
1 C% r/ @: H3 o6 p( Q/ k4 {9 t* B/ O' A; x
7 k2 Z" [; L& p
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
8 `6 b" R  j" e! x$ f4 u# I
" l9 R" k# g0 U. ?/ y* e4 s( a% o個人的認知與看法!有錯請指點一下!
4 L: q) y2 z7 o4 I8 H4 m9 {. \* e' C( j
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 F; x& a& N- p/ G. D
0 @$ Q- T5 x3 W4 m" ^& A
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!2 E- E+ j: L( h' Q9 `" j+ O4 U' w
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 k' a' N, l  Y. a這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 F5 F3 N& g1 ySAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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