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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
% r, D% m& @8 h# l# x' r
4 w; ?6 v/ g) H5 FOD2作用:. ^& v9 f$ j* b3 E! V
1. 增加阻值
) I7 E- L% g7 O! P1 M) f2. 防止電流過大而導致元件燒毀- y$ L5 O; y8 c/ ~3 m4 q) p! p2 X
3. 通常用於高壓製程上9 i- K! v' y7 x! v7 S$ [, y

) ^: Q, o) Z3 m% o4 O' oSAB作用:# C* Y- ~% T. {/ t* H2 K9 n
1. 可以用來計算電阻值/ N# `6 q* g% M! s
2. 降低阻值
4 M( w% R# Z; v/ Z' \3. 防止LDD的尖端放電! |, u8 k. e3 x0 w1 V' j  `9 T
/ J4 n9 E  Z+ Y; g( \* w

5 S" ]1 E$ T% F3 L" A以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 5 w) W) ^& H; u4 ~
; _+ w$ P& e! {+ _4 m* A
個人的認知與看法!有錯請指點一下!6 q; V" e% w  o1 ]- m! p2 ]

+ W  v1 W/ f6 `8 ^. U. a1 q' }有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
( [6 V, F7 h2 S8 E: l. a& ^% S1 F0 J$ x: S- h
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
% W5 _, q. y2 D% G2 i能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚* q! s$ ^& P8 }" B9 Q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! L3 M0 m( h+ nSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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