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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
% u! @# C' W- S4 p# h, C, B1 B
0 M1 N3 x$ Z. y7 s: vOD2作用:& `" m* F  `) Z$ N5 g: v- Y
1. 增加阻值
; d% F7 _! X/ U! ?) Y$ Q/ S. E2. 防止電流過大而導致元件燒毀
: `2 E. b( q1 x) A3 V7 w8 B3. 通常用於高壓製程上* O9 B, s! k: O
* ]# g, ?* S2 s5 ^7 t2 E
SAB作用:
4 a: \' ]! Q* ~2 I2 h. h1. 可以用來計算電阻值
" f2 k( A3 w$ }" w2. 降低阻值/ D9 q. _$ v. o3 k" D1 X+ ~% B
3. 防止LDD的尖端放電
0 t/ ^+ ^2 w9 h( [1 R$ }; P2 o9 }; A% ~) j7 [5 ~' q0 p

! S  B! {. Q/ D# \' m5 `% F以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 J8 X) s* G: T
+ [. @) J( V3 V% Q% x4 t  J; {
個人的認知與看法!有錯請指點一下!8 f$ \6 v$ ?% l) F  D, b8 k+ k

1 s6 }  a9 q) M: ~) n9 |有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! U4 l6 y5 }( ~- {, o1 ~
! O2 M' ~$ {  J8 o% N* g蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!; Q5 H8 a4 |* f0 v* M& n- `9 J4 V
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
( }0 o2 K; v$ z$ q/ K這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; f! l4 j0 }$ M- E- k) C8 CSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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