Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21831|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
( n0 u7 A& Y+ t, R$ J  f
  C, b" d0 H" p0 M7 T; LOD2作用:
- ^2 s: w( }# M' z; W$ ~7 u6 M1. 增加阻值$ Z' v& U! I2 ]& G4 O4 K
2. 防止電流過大而導致元件燒毀/ l) r( g  r/ N0 {3 y4 u7 N. D
3. 通常用於高壓製程上% `' {0 Q' [) J% F
0 v8 ?; v: B. ?9 Z: f3 C: Q
SAB作用:' E3 |7 D/ I1 o& K* b! p+ \, j
1. 可以用來計算電阻值) }0 s, X$ x  x$ |; g
2. 降低阻值: W6 p3 x/ B% w1 `& I' g
3. 防止LDD的尖端放電
& U0 h* h: k+ Z& C( ^& `2 }9 x

' R0 q' t( ^( Y以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 9 p2 w/ V- [% D3 E' E0 y

# Y1 r3 w; F* }$ d" c6 m; s0 Z/ b" j個人的認知與看法!有錯請指點一下!4 L- u( K1 ]* L6 S9 r

4 D7 W3 d* _! h* |! z) M6 ~- J2 J有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 H" I2 Q* J  S! v/ F

5 h! i9 y- g/ W2 |蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
0 [% m; I: R0 X/ X8 g9 _" m; j能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( N  G8 u1 v- L( ~1 V. S* T' }
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
9 k! m& n/ c: I# LSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 06:39 PM , Processed in 0.155009 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表