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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" t: E0 Q# F" {5 X& P

5 [" c, ]  B; }& JOD2作用:
! G6 G; {5 w& z3 k* b1. 增加阻值
1 a% g- X6 B' C3 G/ {5 ]6 S4 j. K. }: z2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 {) b1 |8 `/ g; S4 C* \4 A$ Y  b3. 通常用於高壓製程上4 ~) v! r* e5 N: c% x6 F" ?
& j$ e  {# Q# t, c) V
SAB作用:
/ `6 [. S" |) _' y- e1. 可以用來計算電阻值
0 O4 a: J0 ?& U9 M) ]9 D6 O4 P2. 降低阻值
/ G' q& Q# g+ y- x' \3. 防止LDD的尖端放電
; K" c- q! ?/ x( p& D2 V
% y5 ?! U0 q' ^" C6 _! e4 y1 Q! |& h- n& k4 B# q
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 " k' [" G! g4 X
  |: m1 i) F, [  G/ C% u
個人的認知與看法!有錯請指點一下!' b& L& l2 n8 f+ Y

, K' x! [1 {( e. {' \2 V有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# U  x# ]( F1 R: Z0 o7 m( U8 s* d$ X# [3 D  m- t7 o+ ^: U
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!, v, P) L- g  \: u
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚! I1 u- E7 A8 F" P% [/ i; G
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ }6 x5 o2 T- i0 uSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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