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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟3 O9 b6 W+ X+ E0 m. O+ b* p

: l; k' d( g* p3 {OD2作用:
" H" p0 z$ y# D" X1. 增加阻值! d7 N$ z4 g0 {* ?
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
/ u6 O* M- \% l  U3. 通常用於高壓製程上
5 {# Z+ K( w3 p# ^: s; l9 i$ U# ~5 P. I3 H/ ]
SAB作用:6 Q+ D3 A# d7 K1 t5 ~4 P
1. 可以用來計算電阻值3 ?2 v9 {7 c" ~6 X: h& z* U4 m
2. 降低阻值1 B4 V7 }) Y9 z9 S/ Y
3. 防止LDD的尖端放電* f& H9 D- l1 \( z$ p

8 y: ]0 M2 z' h4 Y+ C( \) r& S. f" \* D$ s) s! D
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
5 c: k0 j4 G; e' j1 Z3 y$ f; V$ P8 c4 Y9 b" d0 O
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
" N- N2 ~5 C" i2 n! F% m, n3 \) H$ G
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" O! k1 |4 K, s# Y- z1 Y9 O0 x- x& U3 U

6 o( \! G' @+ P: P& @8 X蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!- l# Z$ W/ {; w1 I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
6 m- V8 `/ x/ B4 i" ]1 @" i0 d這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的% ~" C" z# Y& O2 e' ~
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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