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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
" l# x, p" ?5 f/ G
6 Z- V; v. |# v4 E( Q; ?OD2作用:
& c* ^& r) @3 m1 x1 ^0 L& t1. 增加阻值
8 r; G. X" x- c( J3 N2 R$ B2. 防止電流過大而導致元件燒毀
2 d, e$ W2 d/ h3. 通常用於高壓製程上
' U) H( ^  s% ]4 N7 f8 c( Z. y+ S
8 m% k, `) `: u4 x5 fSAB作用:" l( `7 s9 s3 O4 `/ x
1. 可以用來計算電阻值$ Y: G& \3 u3 J' T1 m& A9 M& Q
2. 降低阻值
4 O1 X+ p( f$ i9 c. W* g3. 防止LDD的尖端放電1 @" {8 Y9 ?# ~( f" X  b& y

1 {, _' i$ |$ T4 w8 x, e* s- j4 r' P. q! D8 g4 `0 r2 L
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( q, Z1 x4 Z5 |6 d. {* t" z

! F2 d1 u9 V2 G" T2 {個人的認知與看法!有錯請指點一下!' q6 e8 ]/ `# W( q& j$ z# d! p
0 }: V* ^& \3 Q. V3 S1 A
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!5 u9 U( @3 a$ A# ?  B2 w, E
1 c6 d) R: z: _1 X# t( `2 z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* T% }$ \4 {# R  V2 H
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
/ X- J8 _" K9 w! U這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ Y/ s! x. }* _- ~
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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