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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
( w" U+ w' f# D" O, U8 Q6 F
* n8 |" e4 J+ gOD2作用:! I1 ^* E% S$ j( j5 {
1. 增加阻值
. S4 K6 C9 S2 v, P# h" g; O2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ V; e  z8 T3 o' {( c% R3. 通常用於高壓製程上* F, g& e0 k9 E3 |; U: t

; ^0 T* ]4 V% Z- ?; C5 Z% c! bSAB作用:
; `' a" u* K' u1. 可以用來計算電阻值0 m& S' b4 }& s
2. 降低阻值5 w) a: d( Z2 |7 [% H: H: ?
3. 防止LDD的尖端放電& G7 Q  e1 ~1 Y2 [% r& U6 ~8 J* [" i
3 `5 J6 w8 X2 f/ P( ^7 J5 }
+ ?1 H# L# u( z' I* w, R9 F
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, x1 v  ~- x! Q, Q6 `
) g% y$ w. c- X# ?! o. L9 t+ m個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 i2 m# p: e7 X5 a) D( C5 h! B/ O, }5 V, V$ a
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, U& T: f) q. l, m6 N, f

: U: b" K* X& e" R蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! ~7 ?5 b. O3 O* D) r2 }能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
$ ^" I& ]2 L' Q8 \這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
: ?5 K6 ~( [/ L) `. ?% YSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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