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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" K5 {2 A$ I# m! i
% U: n0 W. |* n% a$ D6 q
OD2作用:( v! E- t( B& m, i- r5 m
1. 增加阻值, Q1 }9 E% h: m+ S# a  J' O
2. 防止電流過大而導致元件燒毀* g  w7 b$ R" _- l) O, [9 h% x) c' v
3. 通常用於高壓製程上  Z1 w9 c8 u1 X/ a9 f; v

, a! {( k5 M+ G- X4 NSAB作用:
+ W1 ]$ _: l. ?* \% z" N, n1. 可以用來計算電阻值( P1 a9 U5 G6 x: V* q
2. 降低阻值: Y  o2 R, C, P, E
3. 防止LDD的尖端放電8 ^8 Z( F1 J# \( T1 L/ K4 Q" D

6 f2 e, g+ o3 ]
3 k* T: x$ P8 n7 ]" p' @# L以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * w7 Q  M$ \2 ]; k9 E' R

3 x% m7 H7 S# \- _7 n& p8 [個人的認知與看法!有錯請指點一下!
- N0 Q" J4 j, l3 B3 g
  p" I- c) b9 H. [8 U4 q" |& G有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
) v9 u4 J0 O+ p9 _8 c+ n; U9 T- a% g8 D2 z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!0 y; }$ o; ?6 d3 x* _
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  w4 S. I6 y4 ^+ N" }這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的4 i: H% Q9 e3 ^0 j/ j- W
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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