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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
3 I$ i. v0 S2 m/ T( H& n3 k4 V
! k$ }  M; N* |9 h/ qOD2作用:. j. B$ S1 A/ x0 k8 y7 }  V$ B2 v
1. 增加阻值
9 X' [; s+ Y2 P4 g2. 防止電流過大而導致元件燒毀! @4 E. Q1 p/ x' Y
3. 通常用於高壓製程上7 r0 D, b% w+ z: Z8 ^7 ~7 b

/ X' i$ x5 U. e- k/ ZSAB作用:- v' h! @8 b4 v$ i; Z' W( G
1. 可以用來計算電阻值: c6 i9 C" ]. a0 ]* t$ t
2. 降低阻值
7 B5 @: b! u7 `4 O5 m' W( {3. 防止LDD的尖端放電
* d) N  G; p5 y2 b3 U- X# h
: ]/ W2 ~2 y9 v# Y$ }' O( _
$ e) |, O. ^% r: n3 [, X5 D以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 / q! ]! m7 B  T' ?- F* i: Y

2 {) _: T# F4 J5 G個人的認知與看法!有錯請指點一下!' @0 Z& v% F6 t# c  j4 P) e3 s+ A; |
9 X* x. u% `. I5 c# B4 C3 q1 c
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!  X( U/ C1 n0 I/ y/ K% f. J

- G9 n. O. o) A1 _蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!1 v$ h; x/ m' [; ^
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚  J# f% c) k2 E2 }3 o+ [3 m
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ K- }$ I  i( N8 c2 @3 [6 Z* bSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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