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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
% Y! }. K8 ~0 I& R# ?" v. q1 V* o. O
OD2作用:
  ^! W# W; a" \1. 增加阻值+ p) V( s+ B1 L) I& c* B# l
2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 E8 Y4 l# i0 @* ?) v" b8 i' W7 ~
3. 通常用於高壓製程上
0 e2 W+ {1 z$ Y7 w9 v6 p
2 o4 I; }7 K) mSAB作用:
+ W! s! _$ S3 P1 A/ A1. 可以用來計算電阻值" u9 k* O) q$ F
2. 降低阻值$ H6 m; S5 x1 M) |
3. 防止LDD的尖端放電6 ~4 |5 ?' [& q/ U! v! t+ W' Q' `

% F/ _2 m9 M- {0 a) B; _# b1 [$ Z: J2 m( S8 ^6 M8 V) x
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
! a3 |: k9 i% X+ A" w! [8 f3 l" O  l/ i* ]6 S
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ |; l+ ?2 R  C2 q- Z' M
% }7 n, r% s  o1 |' C1 L; C有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% V  w' n; Y. T8 V3 X
) t) E: X4 v, X( j6 ?蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
2 k* L: S1 `; z0 j4 c能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
  ]4 ~6 w9 y6 n* {# N( Y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ \1 [3 D5 K4 l& o' }7 }SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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