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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- s) S2 B3 M  ?
9 G1 H/ B# t) S) lOD2作用:  Y! K' \2 o* ]6 |! z8 Q5 b2 C
1. 增加阻值# F# P. h* \3 H' r; v% d6 A0 P
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ I2 R8 I5 X4 C4 B' H3. 通常用於高壓製程上
7 N; t+ Y$ x: z* o2 X
  L( q0 N( e' w) \SAB作用:0 N. D1 S( S1 b2 A* a9 q. r, q
1. 可以用來計算電阻值
4 D* Y+ ~1 @3 u4 z2. 降低阻值: G, I3 x9 A$ g3 o. _
3. 防止LDD的尖端放電9 h& f! P8 F' {7 g
. r0 z  L5 z0 _( D/ `0 W+ P9 {

9 q6 l) R( Y( r6 t9 J2 ~$ o: w以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 3 B0 z9 H  Z* d% z

) f+ ?3 h& |+ ~% N個人的認知與看法!有錯請指點一下!
1 j$ ~, g( [- f/ ?/ W  O0 z$ t6 u/ ^& }0 f5 C9 A/ F9 G
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% T6 o# C9 ?/ C1 V9 F# Z0 G) C
5 q, U0 Y2 q" n; k: f# Z0 ~2 p蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!! w) _$ G) a( w- ~
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚( k, F) a6 R" A2 o* T- t* r% @1 O" X
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 w/ k6 x: N( |. X' v3 W8 i9 s
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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