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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
/ s8 r  D+ c  A  _8 F; H8 {: @
$ E- O, b5 N5 {9 H. N/ BOD2作用:
  Q3 Z- f  Q, X- x7 S4 S, I1. 增加阻值
! a' t, ?1 w+ u7 M+ O8 g2. 防止電流過大而導致元件燒毀  E. h/ W& p5 v% G- d
3. 通常用於高壓製程上: ]+ D6 Y' n1 B1 R1 t! R2 S
# E, r$ B( b5 i# y4 h- L; n
SAB作用:
* a  l( t; V6 {  }1. 可以用來計算電阻值# y8 J) M5 s0 y& d9 J
2. 降低阻值
9 G" d% [. e: Y: D$ K0 I* _3. 防止LDD的尖端放電0 T' ~* R/ \1 K# Z% ?" l5 R
9 Q: A! y. G. X* `5 P) W$ C
  L' N5 \* {0 K; [+ ]
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ; x3 F( w1 w$ S! ^! P- Z3 d) z: l

% O" h, z; A) q0 b' |4 l- Z個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 c8 G' V. n& P( Q% L/ P+ |
; T1 y; T2 [6 O* Z5 Q
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!/ Z$ b* @3 M3 c7 I0 H) _* ~; Z: h

' O  @! |% k2 @蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
# Q! Q4 @1 s7 E9 Z能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
0 k- d5 N/ y6 u% R% |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的; h4 ?5 x+ U# q6 N0 ^" B/ Q
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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