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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% U6 z6 D2 J  |5 [7 k

+ E. J7 }6 T, Q2 ZOD2作用:
+ G# S% |5 x# L0 x/ ~1. 增加阻值
$ v0 R( I- r+ j+ |6 A2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 h0 H8 a5 N1 i  y3. 通常用於高壓製程上6 m, A, m* I7 ], c4 r" x

) ^  ]2 h* i" G! Z! ]* v) a! }( MSAB作用:
/ z! i. J$ k) L$ V8 K1. 可以用來計算電阻值
0 `4 q$ F% s4 ^  n& d2. 降低阻值
: @, P# y& b  n6 g# }" M3. 防止LDD的尖端放電
; g4 A8 L" G( ?
. x. s/ G1 i/ D0 \  i& R( E( D/ P+ C+ s
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
" G; G( A! D: B+ r- ^
! _1 b% E# D. z7 _$ q' P個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. Y+ d: B) Q0 t# W' X) w2 d+ T) X4 ^$ \# A
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) ^9 _" s" O; `8 q7 w

9 }/ x0 Z) m4 {1 [  O  S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
) {6 k( T" Z! c  Z2 @能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚, A# L1 m. @  _
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 \! ~: M; n7 Y% [- ~8 e
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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