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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
, O& ^0 `( P6 g7 t0 D- _8 v  h0 A' y. X2 `5 A2 K+ F
OD2作用:
8 B- q0 R8 v* G9 ^1. 增加阻值1 x4 A1 j' y+ `  N& z
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
. N" ]3 _8 N0 F' q3. 通常用於高壓製程上% h' r6 I) A/ M1 m& ?) ]

0 ~# ~2 n: y1 J* X6 g' h2 X) R4 @SAB作用:9 u; e  u/ E% r3 Y
1. 可以用來計算電阻值
3 _" r* e' k; s) Q2. 降低阻值
: V, V+ D0 u7 i. h( P2 L3. 防止LDD的尖端放電+ O! |) P3 E: V) P" n
: f% o0 g* v1 ?3 \/ [2 M0 _' B
( E3 A9 L) S: W) N& U0 |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
) P# u0 i4 e0 C, Q) B: Z9 i! a$ p/ ~' T9 v9 r5 P/ |
個人的認知與看法!有錯請指點一下!) A5 a/ ^: w( d2 }* s3 F

: \# K; e/ F" t+ t; q. w有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!# `9 G: ~6 m# Q1 x9 L/ P! K
# t7 |- E$ G1 J. b5 Q2 M7 K
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  e4 U* R6 ~2 b* r3 i' E( g2 B
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 O  B, }8 G! W; n4 @/ s; q" l這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的5 V. [( w" f$ _
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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