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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- S- w: I3 Y$ |' Z6 D; a1 C
3 E$ y+ a. `& x* \5 i5 OOD2作用:4 T4 C0 X# ?; s- e# k. |
1. 增加阻值; Z& c; D$ o! Z7 |3 K3 [4 J
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! W+ u  j% Z: }& n/ a2 g' c3. 通常用於高壓製程上9 A* m+ u0 I: l, K- v1 s) p

+ O0 y, I+ K( ^5 _SAB作用:
& C% a$ t3 h, @  b( N0 F1 u" v1. 可以用來計算電阻值1 q5 P* E" x, [; C9 n, ]# A1 J
2. 降低阻值, Y4 c! ~( p3 G
3. 防止LDD的尖端放電
" q# c6 Z+ e5 v' s8 e" r% S0 D& K  B2 P# i$ O' E) z( C# O9 M

% x# @/ n( [6 ?  k以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
$ E* o$ X' v! d+ A0 w: S0 Y  i0 A
個人的認知與看法!有錯請指點一下!  }% X$ i1 C+ {$ A) a

0 |: }" n- Q0 q: y' S/ Q1 z! a6 a: {3 N) I有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!' m9 k! ], W) `+ F( H  B( }$ L

/ M+ u/ H3 z2 \) X% [, m- h6 p7 o9 u蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* X( E+ {/ o* S* h, m
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) \: s0 L1 Q$ _+ B5 I6 o5 ]
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的! B" g6 c: F( _9 [
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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