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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
2 M' M+ J( a% Y' q" v! o2 L5 [- v& h9 ]8 a0 B9 i
OD2作用:
$ K6 _1 d7 D% F; m  k! n2 b1. 增加阻值/ t  A( ~: R. h( J6 q3 G' p
2. 防止電流過大而導致元件燒毀5 I0 {5 c' Q6 D$ F+ g
3. 通常用於高壓製程上
; c! |  H" U; l4 E& G" V
5 p* ^+ i" l2 h. e1 FSAB作用:" o5 i) G2 p1 P' N4 {) O
1. 可以用來計算電阻值& b! H- A# ?. N4 D- k& p# M+ P
2. 降低阻值4 n8 |4 Y& {0 ^" _0 j1 Q2 T
3. 防止LDD的尖端放電
) ^4 R3 g" K9 [* F6 {+ b# r9 h& d
/ @4 [$ }; U2 s7 `/ M/ d. w
5 |; {7 ^" O3 ~& z3 R以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
! c6 f, J1 v$ \0 z. G1 V( @  T6 s
1 i6 m3 G9 g$ N; \, N2 a個人的認知與看法!有錯請指點一下!
0 D) H* A* R+ N3 h
& v9 @2 \! C* N" A  \! J有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, j+ w7 e0 j! P2 H2 Y; v5 i
0 ~* W* S/ a; g  g
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
; c. s1 x* \* x7 z1 M3 v2 g能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
, R1 v6 Z/ j2 v, A  W1 F這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
7 X1 A  ~, `6 [! U! I# zSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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