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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
; P" H3 L* k* o/ [' x" s- `, o9 ]1 L8 q
OD2作用:6 l7 J# Y4 W4 r; g# x
1. 增加阻值
$ w6 ^. B( p' s; q9 B2. 防止電流過大而導致元件燒毀& F6 M5 T" q% x8 g& a
3. 通常用於高壓製程上
$ h+ a: K4 e4 d" u; p1 E* R0 W4 R9 B1 @$ |
SAB作用:2 v2 j' i5 d, L* z$ N! b/ Q
1. 可以用來計算電阻值
7 Z/ U5 d3 W; F/ v* B, O9 f) X2. 降低阻值
1 G  J# [3 Z4 w5 a3. 防止LDD的尖端放電
' @$ A$ K; {; s4 e0 k7 ^$ s/ e
: p; O4 E% p. d2 ~1 p* w/ J: i5 \! D( a3 f; h) ]
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 A* j/ Q9 d. f/ a/ N) a% d6 s/ J' r" {2 Z* D' R
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
. g4 m2 `4 j5 b1 Q8 G: x% @' t) @$ w2 I# J  P1 f0 M0 {
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
  c- T9 t. g+ [; F+ S; H
$ F9 g  }5 X# G8 c; U; ^  O9 E蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!: w# ~  S  F3 L% P. _) @' Y* S
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚) V5 a( v/ j  U' u
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 |& W4 |, |; Y. B4 C  ]$ T) g
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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