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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
) j2 f) w% t+ g& @" D3 F
* d9 @4 i. c% Y6 b2 H/ @* qOD2作用:5 X7 x1 Z- x" ]$ T5 o
1. 增加阻值
# ]- ?1 {1 ^4 Z( V2. 防止電流過大而導致元件燒毀9 m. s4 I/ o$ [" O3 H  Y( q1 @
3. 通常用於高壓製程上4 o2 |: x8 r5 W
1 E" V+ P' a0 m5 _/ t3 [
SAB作用:4 `6 y, \2 _( }# E: Y# R- g
1. 可以用來計算電阻值* p! c) T, {1 Y% l
2. 降低阻值# I3 r% y$ x) v' q# p
3. 防止LDD的尖端放電& l7 E- T4 Z, S5 n
. b" [7 B$ `+ Z' E( a. p
5 j0 ]& B7 v# X) h+ s% g
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  h$ G+ i/ e' k! i4 s8 `5 d7 i
! B. W$ Z# U' s4 _* n個人的認知與看法!有錯請指點一下!+ t$ t2 e( E$ [; N( f. T. n

- W, l3 }3 ]% I, A( E有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
/ }0 v' S$ ~, c/ @6 m& i
" [: c3 b1 x* W9 X蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!4 U0 h9 m. S( @% H  {2 K( r* F
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. y9 Q8 i$ u) f3 w6 t
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的4 x& u+ y, o( B0 v& z
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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