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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
7 u8 l4 B  j4 \3 l1 z0 z1 {+ |1 ^. _
OD2作用:
% H2 z8 _9 V6 Y/ d3 Z1. 增加阻值
4 ]) R: `% R. ?2 U3 }5 u/ M2. 防止電流過大而導致元件燒毀5 ?$ }. m; l8 q/ K& Y* Z: n+ q
3. 通常用於高壓製程上7 [7 c: s. \1 U7 }3 C; Y3 z# ?- i6 j
! m5 b: G6 c9 ^" y
SAB作用:
1 ?: B4 ^- M" u# C7 Y9 h1. 可以用來計算電阻值
# H8 [+ A1 p, K. I  B2. 降低阻值# w: v  u( \" a: C7 ?+ h
3. 防止LDD的尖端放電
1 s+ d7 U" A7 t* W1 c
# ?. B3 e6 Q/ q3 ]  d. f8 U9 c, V, s5 s( A6 G
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 {: x: t6 h7 T; }+ X
3 m/ Q8 x0 N' u& m& Q/ m. R8 @* N& Q個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 ~; z( F8 P$ |& u, o$ i( g8 r( D1 @  O. R7 `( d: |
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 |* W9 W" B! [8 z- e+ Q  t. U  ~! e

" K; W1 O/ X; P6 O& Q* `2 R蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!$ K# x0 A  l$ ?: R5 B
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚7 x+ K$ ]6 R! o
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的1 o( j4 R4 j0 t
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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