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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  p5 s- P5 T, s) H8 u6 k4 R) A
: f2 m$ e5 p6 ^6 WOD2作用:$ P, M- w& m2 m& w; l+ _
1. 增加阻值
' l0 q" J. ~# |* M3 ?2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 M" e6 I" u& G0 H! o5 n. T3. 通常用於高壓製程上: H5 o. Z  a/ g) M
8 g7 D. Y( f9 U1 Q
SAB作用:
% v5 r  o9 B* G! E+ ]  d. [1. 可以用來計算電阻值
* D' L" N# U) M; w2. 降低阻值7 p& @6 T/ {, T/ S
3. 防止LDD的尖端放電7 H6 b' B) I3 J1 d
* i( N* ]1 i- _# P* M% Z

# A7 j  x  r/ T以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 . P6 R  p$ X- m! q! C9 b" C

8 Z) I& P' X2 }5 W個人的認知與看法!有錯請指點一下!8 ^$ ?  v7 f4 K, Z1 S( C

4 p; n3 K$ P" k有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!1 w) B' @2 d8 V! _8 W0 T
9 `5 I9 O  B2 h" o% x: n
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!" Y3 X3 c6 \: Z3 B( I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
6 M9 K8 r, x# p6 a這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 E. {, r8 f% ]
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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