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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
: j$ z" }$ R* k7 m
8 r  y  O8 c0 r) k# c" ?+ BOD2作用:
' D* s8 _$ H5 O; b$ R! A8 L5 X1. 增加阻值2 i* G+ l& m' s$ J% v/ p
2. 防止電流過大而導致元件燒毀/ F5 X+ }  i* x; e8 M4 Q- T
3. 通常用於高壓製程上
5 j! b. i$ C9 y$ ~! x' a$ w1 T2 o& @
SAB作用:
! K( Q! R! P7 `7 Y1. 可以用來計算電阻值
7 {8 e" H) R6 M, [2. 降低阻值- y+ ~. E! e/ D% y. s
3. 防止LDD的尖端放電
$ N/ ^7 U+ m- m7 p
. N5 m+ j! a6 [% N! L4 m/ J
' ]+ C9 I5 ]! y0 Z以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 # s; O4 A3 C. u+ D7 S
: i- k; X; h# g4 _) o* {
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
& T3 u. T3 Q1 n6 o; @9 r" t7 Z8 {9 ~( O8 K2 X8 y/ k' Y: n1 H' x7 E
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
$ ^1 N/ H/ W, M& }: j# f0 F: V6 z* e# `8 m0 v; [( Z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!" A* t4 Z9 |6 F  I" _
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
4 R- S( n  Y' \這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
' _9 Z! [* Z( a- k1 c6 Y* hSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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