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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# ~0 p6 A" N+ {- r2 P, r1 ~: d
7 c2 G3 ~$ [" \) x9 Y) o: G
OD2作用:$ j& ^, }+ L) D3 k6 S9 U
1. 增加阻值
- d3 M* x* c; @2 N+ f2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 i+ d0 C; M! m- ^, H( P% Q3. 通常用於高壓製程上/ U+ X2 w& A, L4 Z) K" `
  r1 s& N' o; A( r7 ], a
SAB作用:+ q3 u$ a& L% l* ^/ [2 e
1. 可以用來計算電阻值
9 \/ ?4 H! K! `- ^4 M) q2. 降低阻值( ?  d. v4 `7 Z8 u
3. 防止LDD的尖端放電5 k8 K# G+ V) a
; @. \  I" a& o7 q4 s
, w! j" r( T) q) r6 B& B
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
: t; U6 r' n2 K- H* I, ~  I: f! T, J# f* l9 e0 X; p( T
個人的認知與看法!有錯請指點一下!8 h$ r5 \: n* F' P5 V9 J9 Y  a+ e

7 @9 h6 G& G( z有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!% ]6 i2 _& @# V1 D2 V; N0 D
& z& q( n: u" O7 P# _4 }2 X- y9 a& [
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!- |& B1 `' }4 j7 A" f( v
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% s1 z' U8 }5 t# F7 [- p4 X這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
/ t9 z' D1 T! iSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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