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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
% C- ?& ]7 @- y* g" E
1 D) N4 F; j6 t) h+ k0 gOD2作用:
$ q9 {# V$ p% ?" F  r8 [  N7 N+ ^1. 增加阻值
; L! G2 Q8 k- `2. 防止電流過大而導致元件燒毀; R( K. d$ K4 X) Y3 q9 j
3. 通常用於高壓製程上
" f5 a3 I  |4 {% i% {# Q5 V( g/ N: @9 ~0 g  q/ d
SAB作用:
4 k) p  [: w2 K  j3 F1. 可以用來計算電阻值2 X" Y6 d9 L, D
2. 降低阻值
2 X9 ?. s7 A" Z3 G+ r3. 防止LDD的尖端放電0 {) f2 {2 |  m6 i% N  X( t& ^

; o+ x* d  O+ a' Y+ ?! o4 I( H3 ]* F8 p. |2 J
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  m$ k9 o; D8 ^; z3 r6 A
* O: X: q3 ]- n2 r個人的認知與看法!有錯請指點一下!" H+ g" f$ f0 b
, k$ A6 [. V' n2 J
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 W5 ?* c2 B) j( ~3 T1 w: L8 u1 j4 h

6 V- S+ b9 ?+ I  t) `; A$ ~蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
% o' u% c  \( Q  X4 T能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚; ?: q4 I6 G, ^8 F6 k
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的; \- W" s+ c; H" `
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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