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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟9 S) o% m$ J9 @4 i

3 \" `9 y" a  u, _9 t, ?4 eOD2作用:8 D5 X' A9 `7 y1 ^+ n
1. 增加阻值
, d7 A: u2 `1 d4 X" E2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) {# E2 {; {3 ]. y& I. z+ _3. 通常用於高壓製程上6 A. W: Q# _& G  R+ z& s

  w/ ~- g3 h* t( }! |& ASAB作用:( k% Y$ a* R' b" I9 Z( Z2 Q
1. 可以用來計算電阻值
0 S# o. I$ j$ q& P- Q% o; B* P2. 降低阻值8 u% e, x# J3 h+ ]) h# r
3. 防止LDD的尖端放電" N' B$ J6 [; ^, I. J& F

" k  t( X' j9 |7 }7 H, H; m$ I" o& M  X7 k) u4 ~+ R) ~
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, u* E9 g3 r5 M; \; P
+ J3 q8 P0 O) \+ z個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 }% W0 Q, D9 z$ A( g/ r4 i5 g8 B( @1 k8 v
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
, w. _8 ]: j5 b; _% r7 Z
" D+ B- Y, K! R0 P' ?$ Y蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!# d% y# q* I9 a8 v0 f
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
7 V; o9 T( m, Z3 W4 X. O) s5 B4 [這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; C6 h- m4 t( v# d1 |& J* \- DSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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