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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
% g# M5 ]2 r6 Y( W0 t% A: N  z8 z
1 |- Y# s* M. N' V' T1 kOD2作用:
* E7 G4 q8 U; q4 {+ k5 h+ d; R1. 增加阻值1 ~) K1 {3 s/ q4 L9 c6 C3 e/ H
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 M2 R& i5 p( o( m9 {+ [, W2 T3. 通常用於高壓製程上. s4 p: d% Y/ X3 h
9 B5 }5 k; J% g7 P  ]/ F
SAB作用:& b0 Y2 R  {5 E
1. 可以用來計算電阻值: l% E1 h" q6 ~% P- B% @( G7 p
2. 降低阻值  L2 ?; y+ }. d
3. 防止LDD的尖端放電0 N( W7 z, }( y" B( N3 m! g- j9 p
/ `. L# _2 ^6 Y3 b
3 W% u) y4 {- m5 ]
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
) t$ W! h$ M6 K( J$ |' y. W/ L0 _* X8 N$ b7 E: s
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
# l1 Q4 T, x; U: c0 l& U
4 n; @  y) N- _7 |有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% p- ~" V. e$ f2 h( d' F2 R2 l- P  }
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!+ A+ V' D% f3 s. W' c2 q
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
- \5 B! Z+ x( k! r- [$ X, K這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
& P( C- Z# ^& `5 D# D8 ]SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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