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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
9 l6 {, Q1 l. W7 v8 M! J0 x, I! _- y6 f4 \$ \: D3 \8 d
OD2作用:. u: h: {$ w, @( M, p# M% p, O
1. 增加阻值- x, X& x+ N6 K9 p- z: z
2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 ~- E$ g6 \. _: q; S
3. 通常用於高壓製程上* |4 c4 X. o" T
# w: d9 P2 s* _' P0 O8 g; P- s
SAB作用:
" n! u: x* l* d: w) A5 t1. 可以用來計算電阻值
3 n6 r& Y7 T3 d: U+ [4 H  \4 z2. 降低阻值3 z' p; g  F$ Z8 O1 Z% I" O
3. 防止LDD的尖端放電
+ F8 H+ v6 ?7 p' Y8 c; A
0 h# r3 h; Z/ a! Q# T
. _( i- R& h9 _' |- X0 M以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' n! R# b" W6 R
  K! q" w# H' v! \9 Q  }3 l
個人的認知與看法!有錯請指點一下!7 r  ^7 U% b! o+ S
6 R" x& U0 {4 z: H
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
# M+ H9 X! w& w5 P
, A! R0 d: X4 X/ W% `- \! w2 F蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
' u, n9 E/ n! N5 ~# k能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
% n1 D# ?% V3 ~0 t1 c這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; X1 R5 I, P; `1 kSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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