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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# V0 }; Y3 [5 H$ J& `
6 }8 {7 g! z% ~6 k9 k
OD2作用:) Q* [5 w; D) |1 g* q, [3 r
1. 增加阻值& h0 @) U1 E3 W; y! M/ ]  q( m1 B
2. 防止電流過大而導致元件燒毀3 _+ n: K4 L6 e  X; w# M
3. 通常用於高壓製程上# {  B3 `2 C2 g6 E8 a- @  b5 {# z
6 ^! }  f5 d/ w" u
SAB作用:: D5 l1 ]. }) F" R9 G
1. 可以用來計算電阻值
9 K; ~+ K1 ~% S( h) R( i2. 降低阻值4 k, P! C* B7 Y* L, L: s* I
3. 防止LDD的尖端放電* v( a& ?1 M& C+ O
$ t+ [% J# K! A* x. |; b% y# H

( S' E" J/ Z: j9 i9 \以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 3 s! W. s3 h' H, [  L, ?8 i

  l4 G6 H: b, X8 ?  s個人的認知與看法!有錯請指點一下!
  x$ F. T1 b- \  M0 V* H5 r- _* Y: H. ]6 W1 O7 j- u' K
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!$ Y# R8 M/ l* l* [7 z) u
3 J3 W  Q1 T( I# a6 C- s) `
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!. r% P+ Q1 J/ K6 c8 {! N' z. p$ D0 c
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 T" T- e/ H2 R& E: M. t
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
! R" p, z8 @* C, S7 ESAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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