Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21691|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
) ^) V+ s6 U6 [) l% D7 P  T  A5 o* _; Y" T/ ^  [+ j" x- _& h
OD2作用:& H! D+ V6 g2 C7 u4 G/ L% _* Q
1. 增加阻值
4 I7 R' R, r3 _+ R2 H( t, {% e! s2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 {% x& c' e8 `2 s; {" b8 q3. 通常用於高壓製程上
1 {0 s2 F1 F1 F; |
& P8 Z0 z! W- b+ |SAB作用:
/ G/ o. x* P* S: w1. 可以用來計算電阻值
: _+ I5 J- [7 K% r9 E2. 降低阻值$ I1 C2 P" X' j2 g
3. 防止LDD的尖端放電' `9 f+ }9 Z& t1 e
" i1 L0 D8 ~6 G- t' g9 ^( U; D* @
; Y3 b) N5 }8 t8 G  N$ A$ t
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 5 z$ U5 Y- s7 v' a' N( W
9 W5 X; ^/ h* O! Q: {
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& p2 }# H6 |0 A# a

8 Z: ~# V4 V3 b. ]有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!- s1 r* c3 h/ U% A% w, v) ]
6 N* h! G, e5 B) ~6 f
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!4 g3 P  q- g6 m8 {5 z
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
7 }  S" ^, f$ `" {1 g這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
1 T( G* r: j! f. e! ZSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 09:23 PM , Processed in 0.156009 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表