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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟6 Y& u1 D/ s+ B9 c% d
' T" V1 Z/ E! w0 ~
OD2作用:5 [+ l' C+ W( T- i, y
1. 增加阻值
1 V# q2 w2 L1 g2. 防止電流過大而導致元件燒毀
6 q5 U* V$ N2 M2 }3. 通常用於高壓製程上
" u! t5 P6 f0 }& @! U1 a. h& H% M7 X/ U0 \4 j* b3 ?2 Y" ~
SAB作用:
3 T8 {! U/ c7 G1. 可以用來計算電阻值* O' F6 l8 l9 v& }5 V" W- S
2. 降低阻值7 k9 D! x5 d" o8 ~8 x
3. 防止LDD的尖端放電5 P9 k7 ^  M& B0 j# d

3 C7 z3 s% U' r1 f
6 J6 @% Q' U( w2 Q/ ?. N: r" g  N3 q以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - u' F6 N$ l/ S; x7 f& t7 i

! {' H: q& E- h/ s個人的認知與看法!有錯請指點一下!. t4 D# Z. N: P& X4 @

* |1 ^. O$ ?+ S& A有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!6 f; e- Q+ N0 h. {5 ?; {9 A
! U% E# g% R( @7 U( `0 s
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
% h$ d3 e4 N7 t1 P, y# V+ r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
4 ?; i3 x- u( k, P( ~: J: {& w這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  I2 e* e8 m; {; e2 F
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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