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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
/ ^$ `. y8 d5 {! j) A. |: e$ }
$ j6 b& j* ~0 {( c  ~+ AOD2作用:. a* k, J- g0 I) ^8 r; C
1. 增加阻值  t. F% A0 R% c$ c# ^
2. 防止電流過大而導致元件燒毀9 v3 }' Y# Z( ^0 E- O- [
3. 通常用於高壓製程上4 v; p2 A( E8 p. p' \( D
9 W! o5 @# p# Q8 K$ {" ?( y( r
SAB作用:
' \; V4 Q8 W4 C# Q3 j1. 可以用來計算電阻值9 Q/ p/ \; d$ N! ~
2. 降低阻值/ u1 U) S( T5 ~  `+ ^! W
3. 防止LDD的尖端放電
% A9 k$ U2 ?: U3 ~) Q
$ W2 ?, f0 x& A* y$ M) V  M) ^: D! W$ L. o1 c: {, |* X
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
/ z; F' b( _4 t0 c5 w
9 U) i/ g+ ?( |6 O個人的認知與看法!有錯請指點一下!
0 R8 S3 }; V) V3 K9 l  q9 F: ^9 l* O  Q" H  J7 a$ V9 V
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!( Q/ a9 P% i0 q* r, ~- D0 k
( a3 p; X9 U2 B/ s! E- F2 w; a- v
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!0 H' n( b4 {; M! l% g) }! T8 r
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚* o5 Q/ ^/ c8 d3 v
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, i1 \/ B, q2 {; Z/ r$ U3 \' aSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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