Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 21842|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# d1 Y" t1 e% \: f6 ]- _
% M2 Y5 f* _" h: ?; H0 Y. z- b) @  Z/ H
OD2作用:* O$ ?( w: Y- u) P
1. 增加阻值. f3 t- ~( X+ m, Q- D5 a
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 p8 l. t7 d* T* e- y3. 通常用於高壓製程上2 z2 O) J9 K) O
7 b" I6 }- q( j& v: h; `
SAB作用:0 k8 B) n7 Y. W& t( d
1. 可以用來計算電阻值* a# U- Z3 s* }% W& M6 ?1 [% q
2. 降低阻值# w. u) e, ~1 q  s, S! c% {
3. 防止LDD的尖端放電
8 J  l/ Z* [2 e. h9 h7 b$ F+ C+ w* g+ `+ g" e% c
. e- g3 ]9 G" x4 I' p8 A2 _% `# Z; O
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂34 踩 分享分享
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
- u6 C" N3 \+ O" u' _3 \
3 w0 f# s8 u) `2 |個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 [& J4 x0 T; q1 `
! {9 h% i2 E  y8 Y  p有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 g  J5 x: R, S9 Y
* B# w. V- S4 W4 O
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
3 T/ A% Y: i; ~$ |: a+ n8 W/ \! D$ `能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚4 A& }% X% c6 O& e7 N5 ]; Y
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的9 w# o( q/ _" X5 Y" v; J; r+ R6 w! S
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 10:26 PM , Processed in 0.158009 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表