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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 F! O/ e1 O3 u: _; Y# Q# w

( r" C, N6 f4 b6 e: F. nOD2作用:
7 m0 {4 I. V4 _7 |, [1. 增加阻值
6 U- g+ C2 m9 \+ _* v2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 f2 P; b0 l  A1 @% D$ ^# `. ~3. 通常用於高壓製程上
3 M4 q6 Y$ a7 F& P* O3 B# @9 k8 y2 E
SAB作用:7 ?4 G; \. K6 x% o
1. 可以用來計算電阻值) l9 g5 q: N9 f, @) f5 J  g
2. 降低阻值
5 o/ X! E8 U# _2 `$ \3. 防止LDD的尖端放電
. w/ ~8 N' c% Y5 I$ C$ H( K2 {  M& o$ J% C" |
) h( j6 t1 D; h; {
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
% k  t2 }, r1 P$ L, L, ^! m6 r  m
, R# r% M( g2 X- e4 K個人的認知與看法!有錯請指點一下!
) [& Y; R; z/ t9 {3 f3 R- u2 W( H
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
" D6 V5 b4 ~, T5 A2 V5 O: S0 @" \: w
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!/ O1 v8 }: @9 \' K6 ?$ C* ]
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚% z' i( q1 {* L. ~" S# P, {
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的6 X4 z5 y7 M; t: \+ z# x
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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