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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# |2 T6 \: j4 c8 `3 n6 g. K- \$ h0 j' U" w5 ^# F9 p3 t  c3 x6 a
OD2作用:0 F" S, p8 t; o- o/ X# \; @
1. 增加阻值
- h7 e+ j# f4 G6 w# D  g" {2. 防止電流過大而導致元件燒毀6 `& `4 D+ x7 u: n' Z; @! }' z" k9 v
3. 通常用於高壓製程上
1 k7 k5 U4 p* P' [+ |% v! G$ G+ R2 P
SAB作用:4 D1 N: B. r3 y- ~
1. 可以用來計算電阻值
7 g& C$ f5 i- c5 a. @2. 降低阻值
) p/ p+ G3 B. i! `! F3. 防止LDD的尖端放電
1 [9 [* ^1 _& F! f1 A7 |
, @% a* s. E6 Z5 H# J& H8 a8 N
! F& M  K2 A1 u% O, R( F1 G, o以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 1 t3 t7 p8 M2 z
- P/ {# L( Q4 w- O. t* B5 U+ H2 l
個人的認知與看法!有錯請指點一下!  U. _6 e$ |: H1 n

! @, h* E% C5 e; N. F2 E有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!+ k& {/ @! l; a# Z- L* C2 Q

  y  H5 M1 ~, n$ L, T7 n蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
" [8 ]6 d, i/ |9 U; S" {能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚- \* F" n4 l( V; ~3 b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& d  i. q" n: N" O- y
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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