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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟* {2 I- k$ Z3 v  v
  X( k) a$ Q$ V5 u. B" S' j+ x5 X
OD2作用:
  T& n) ?% r0 r' f1. 增加阻值
0 G. z8 L  P5 _2. 防止電流過大而導致元件燒毀
# K. A4 ]. O6 M: D; \$ B! q, \, @1 R3. 通常用於高壓製程上
4 m$ _: j$ Y1 e: l9 }( Y7 R. T7 @( @1 m
SAB作用:" y$ Y6 {% q$ t/ A+ {- m, W
1. 可以用來計算電阻值& l* h% Q& A$ w5 P) P4 R3 A
2. 降低阻值1 I5 k+ k% ]0 U3 b+ g1 v  z" _
3. 防止LDD的尖端放電$ Z, i; s. R, h3 M6 R) S3 @

( P: J5 Q" W3 J* R9 Y& k" C8 h# f' K' Y
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 2 o% p7 F7 n' X5 |5 v

# X  q% y- a! J, b- {3 f# x8 z個人的認知與看法!有錯請指點一下!- e$ x$ \: F2 U0 g5 G; |

" z  U0 a: h8 g' a6 R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!' q4 f* g# d3 q% I3 e1 F

$ ]1 x% T. @) c  J# J4 Z蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!, R+ N: h) f/ S) ?
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
1 A- }* n0 w1 D7 h( a這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
0 D% q5 q' L/ Q7 _SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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