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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
" m& y3 j; b4 q$ ?5 Q4 N9 D; \& x! \( M$ R; {7 X, Q3 L3 h8 v
OD2作用:
( {9 z' H  a; ?1 z/ g7 |/ w1. 增加阻值
" {" C. J' y; L0 v( D# D; Z& V2. 防止電流過大而導致元件燒毀
2 T5 ]0 F3 M5 F4 N9 G3. 通常用於高壓製程上) ]; m/ ~0 c+ f9 n+ a
* O$ u; g) k2 j  m3 T" [
SAB作用:
: k0 C. \! X, k# m( H( T1 S1. 可以用來計算電阻值
, T# Z# F( N9 l& E- n2 m2. 降低阻值$ q6 A. n) [) ~" u5 W* t: I: }
3. 防止LDD的尖端放電
- A7 O9 w0 b8 Z
' P, m+ j. H2 b$ M( p& w7 B0 c9 u3 l$ V8 [7 C1 V
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
+ Q" m, T4 c2 A/ K, q2 f2 R8 x8 O5 H0 X( Q2 X$ u# B
個人的認知與看法!有錯請指點一下!; z5 C* H# V0 A5 Q' _
& g/ q$ v7 |( E" a% V3 s- z3 _& i8 M
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 T' m4 ]7 N" T% H( ^
5 h: x" P! V6 x7 }% |3 o! V
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!# g- p! D& o9 R/ M" n$ p2 x
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚1 L: f( z( A; m$ z: d* R# L
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的/ H# p; ?& r" U0 W" F
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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