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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟8 ^5 K- W5 i  s; T! f
: N" W# e  |; J  _' y6 d
OD2作用:9 y4 R# D+ `0 W, c/ T! _
1. 增加阻值
  I' G: g/ \7 N# O8 N2. 防止電流過大而導致元件燒毀
: H; @' v6 m& k* o- O3. 通常用於高壓製程上) h1 {4 C1 p# l3 Q

& @: V( U" q1 n- V" HSAB作用:1 v6 G& _: }! v" X% v$ N% u' q# f) f
1. 可以用來計算電阻值! V: E% B: Q5 H  V4 d
2. 降低阻值  `2 }$ C% D9 i; r& o
3. 防止LDD的尖端放電
/ L+ C# {/ j  O$ o- g! \" t# e( g, A- c
4 g  u8 d+ a# p$ e3 `; A$ {
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( ]5 l. o& C! f3 H0 E8 o6 w

* u; B" ^7 L. F; K2 U; D, v1 Y個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; ?3 b; A( _$ T) L4 K! w; b; \4 j$ F6 }
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 k4 Z' L! x! K2 x- \7 m
$ m6 @, G1 D/ X
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!) c" h/ l2 y! U* i- P# N
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
/ J# M9 n& l% i; K3 Q. ?8 S  v這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- E8 w6 x2 N3 A9 q' e" xSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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