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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% m( K+ E9 C; L+ i+ M1 n

8 [3 g. L- D: q4 q1 mOD2作用:( F! ]# D$ d, d, o6 {8 T
1. 增加阻值" j" A1 h0 M' d6 B  Q
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
( V! Q5 k& S( X7 W: Y+ n9 {0 ?# w3. 通常用於高壓製程上) w! O6 c9 \8 `7 f6 {( I

- U4 g  m, k0 Q/ x/ BSAB作用:. t5 J- ^4 {4 M# o4 m1 E$ P
1. 可以用來計算電阻值- D6 E" _6 O4 h# K; a
2. 降低阻值' Q* j% h1 a" T, J- O* _
3. 防止LDD的尖端放電
+ K! ~1 V! c+ }
6 J7 }- m# }: V) N0 P( _3 }4 Q7 J# G5 J! v2 W3 l3 J% K
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 K7 ?4 f0 e: D3 J3 U
4 B& {: m8 R/ W  b個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 P4 P  d* M1 n! \
+ s2 W, Q5 G4 t/ Q7 K9 H有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
% o8 n8 K1 ?" K/ a7 p
' X. s6 j9 c% {  P  J5 o0 |+ k4 t蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!- T, P  F8 |. h
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚8 G8 U' ^% \5 b) J
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的  q1 x5 r( n* L& x
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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