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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟7 m! F8 a1 F! X* S$ n

: O4 F9 Z- \6 _: ]3 G* fOD2作用:
0 n3 g* |9 u" |, c/ f! ]5 P, ~1. 增加阻值
  U, a' S2 s8 i0 }5 l" P% y2. 防止電流過大而導致元件燒毀/ m7 n1 A/ Y, H5 O0 @) ^
3. 通常用於高壓製程上
8 o' q7 w$ G" |+ |
6 K/ T8 e4 m0 R, j7 ESAB作用:; U: u$ _7 x# B" v# z6 Z! u
1. 可以用來計算電阻值# Q& N1 ~; K2 t5 T& _, G* H/ b+ u
2. 降低阻值% v; {% Z: S' H& @  n" R# ~/ ~2 Z
3. 防止LDD的尖端放電
" T. z6 \# S# V' W6 p8 H3 g# l6 L
$ ?! X3 i7 u( z) f4 C! {, J9 ?
1 c1 k) I2 l/ o6 w3 e" A% @9 ^以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ( m! t7 h2 k# H4 x& }/ d
& ?1 A4 N* N# b8 b1 J) g) c
個人的認知與看法!有錯請指點一下!; ]+ V* g2 f% E+ s% [, t$ Z
( |% J. E- i+ Z
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!* E. b7 |- y( c, @2 \' @% H
# {( z& z6 h4 V: _6 z. {9 k& L) s
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
2 Z* K2 [) V/ m+ X能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 D9 s+ ]! G+ f' q
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
  q: K/ a1 s: JSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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