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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
; \! `; Z* m# }# m2 u0 E: O' b, e3 b' M! [& g" r( O- a, M7 L; i
OD2作用:3 H7 @1 s( |5 c) L9 C" `
1. 增加阻值1 Y! ?: h' ^: \, e3 n
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 O7 u( `/ {0 N* D) q& m& }- s3. 通常用於高壓製程上
0 k, ~% P, l' H  L2 e9 J' ?  p/ y5 u
SAB作用:
& \3 J7 s& E2 v4 k! {" H2 n1. 可以用來計算電阻值) {1 l" S# |( |3 `) u7 p# O
2. 降低阻值& e7 g+ I# ^2 n. j- X$ f$ l
3. 防止LDD的尖端放電5 i3 C- t$ }3 l1 b8 R' r

* U3 L1 [" I2 q! m4 x& d* I. b6 ?3 r2 X' f! B* s  u2 W: g1 L' g
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
; P$ ~5 s1 I( g: T2 z! s8 L. t. h3 o+ d) `0 z2 e( X
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 `7 W" C% ^7 U
( T; Z4 C/ g# x. O8 C  Y有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
( m& q6 r+ e. t9 Y; x0 c$ L+ z  L4 w7 Z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* Q. S  S/ l; V  o, I: O% l
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚6 ?& F# v8 x: [8 {
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. ~; H% N$ Z. {! W, jSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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