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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ k' }5 g! t, `/ r0 G

2 k+ Q/ K& s* {4 [( X7 r8 X$ K" j0 zOD2作用:
. ?6 V% `* a) E1 h3 H/ T5 R" r4 H1. 增加阻值
2 N( a, H$ r% ]8 ~2. 防止電流過大而導致元件燒毀, k$ o% k+ j- `
3. 通常用於高壓製程上6 ]4 R# F1 n: q4 \" \$ @5 s
" R; h( a3 x: C$ d4 A
SAB作用:) Q* ^4 }6 G$ ?' ~' a. B
1. 可以用來計算電阻值( ~( ]3 Q! ^1 l2 [! w
2. 降低阻值
6 B3 k; U% V8 G( I9 l3. 防止LDD的尖端放電
( A- j" ^; ~+ O5 K! T* p6 @" h' Q/ _. L4 m9 s6 I. m2 r. V! _
4 p1 s. k& e# `$ z! y
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
; J- U' Q+ F; s$ a6 {3 [4 e* [  ?* V. o0 C8 B
個人的認知與看法!有錯請指點一下!/ v4 B& d  f6 R! c1 h

& ^, _  R  {4 \: F, Z  A% D5 {有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
- ?9 U9 A$ E! c1 I4 x6 X0 j9 ]# Z) U. z  y
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
4 w$ }1 ^* O+ q能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' Q+ D, T! C) \( t0 ?1 W2 r# r5 b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
" S$ y5 Q9 C6 z. [  i$ [7 u+ MSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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