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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
1 M- J: n% d! d( G
& @# R+ o5 {- q( P' nOD2作用:
* j4 R+ J; h( |/ h$ y1. 增加阻值2 {- f& X9 x* w
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
! I/ w" s8 m8 r5 i3 O8 p2 i0 Y! Z3. 通常用於高壓製程上
# X& J& Z7 a6 K6 ^8 q  ~) B$ a& O# @2 B5 j6 L4 w
SAB作用:( a" I/ M! a' }$ Z9 S4 l
1. 可以用來計算電阻值# T) b8 p, B& r+ }
2. 降低阻值. |% e# Y' k( X+ J" Z: p
3. 防止LDD的尖端放電& Z& ]( ]9 a* C1 j
/ @; _) H8 p: e+ R1 f/ H2 V
, ~, D6 m; _. d3 }5 I! ?# O6 {# j
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 $ m8 d; j3 S; @0 u" [
, k  x3 [& m5 z( d' W2 T" r3 {8 h
個人的認知與看法!有錯請指點一下!, {5 ^( o2 V. E) _, J3 _4 w
2 _+ _& j/ x0 t9 @+ [! |
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
5 o5 X! n. k" J, q, ]' }: _9 B* M4 l* {+ c% P' |3 d9 n2 d5 m& M
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
! h! r$ H& `7 s9 C) X# G5 W8 S/ x能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: i9 b: q6 s- k3 W
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
  E4 q6 t" k# |3 I& C1 {4 q/ ]" a1 ZSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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