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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
+ t5 ]- r4 S- ?4 L* E: A+ _, y3 |' o% V3 j6 J2 K2 k* }
OD2作用:, w; @7 |9 h9 {' m% v2 d
1. 增加阻值1 a1 k5 v. N/ m9 R
2. 防止電流過大而導致元件燒毀* g0 m$ n, f/ H  K- z) V# p. C
3. 通常用於高壓製程上
) p3 W7 i: w4 D9 ^4 }
, ]# T) Z1 V/ E# e# BSAB作用:
( n* ?9 M0 g9 h  [$ B( m% t1 c1. 可以用來計算電阻值
9 l, }4 q* q, c  }$ a2. 降低阻值
% ?1 I" Y- ]; o. @3. 防止LDD的尖端放電
' ~5 e4 a4 Q- M- H
0 x' d, ^6 C+ Z! d6 B' x: h# V: `" ?  h, f% K2 w8 a
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
1 V3 Q5 m- [2 z3 Q" j7 }: M1 U& {6 p6 K/ y' g/ b+ m3 G
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, I3 u6 E1 [9 ~/ W
6 z0 R$ w$ T4 A8 X5 z有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, ]' p7 }! b5 C1 J8 l' ^
8 P4 R: ]" @' @
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!1 H8 F6 J& l0 @9 h, K* p- p
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚" u0 S3 c1 y, C3 L& y( L
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
; [" E( B( S6 R, K2 q" A% OSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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