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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟# v4 r0 U' U" @! T$ D9 s
% s# }) t3 G$ O/ z* J, w0 Z
OD2作用:
+ W8 u# }0 r$ U! u1. 增加阻值
0 Q& x. H0 @( d3 e$ J$ z4 I2 w2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- }/ w; F$ S, N; z0 r: o3. 通常用於高壓製程上# w2 n2 j4 D, b9 V- D

; {$ }* m0 q1 Y+ GSAB作用:  u% A5 ~7 M/ ?% p4 g3 j
1. 可以用來計算電阻值
! n/ o, j* [& ?2. 降低阻值
" \$ [+ z0 E: x( x# V" N) `( z3. 防止LDD的尖端放電
9 w) S( m. R& d: ]( l$ Y6 k$ X7 R# g5 Z3 Q! |% a
4 d# o, x& R9 s' A( a2 A6 K
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - `0 g5 ^) C# e
$ [8 v. M. Z6 S* N6 N
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: n  M' I2 E, `
. K, }, [1 a: n5 p. n4 \, N( \% `5 G9 ^7 \有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
0 J: O! {1 U) o4 o/ ~
9 M$ Y, h& G% z4 u0 F3 D# |蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!+ r$ K& m6 g2 P7 ]& X
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚* s; z& Z% e5 L# ]% u% j0 O1 g/ K
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
" z& z( x, A4 H0 L( |% O# KSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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