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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# H' x; w3 T1 Q" F" h
3 ?( ^" t* i& b8 [* T: aOD2作用:; {; O3 U. L0 P" \0 g+ A
1. 增加阻值* c' w8 `! ^$ c3 G5 O
2. 防止電流過大而導致元件燒毀, D* `6 U2 h+ Y( e  F" w$ H
3. 通常用於高壓製程上
- m* U  q4 G  r4 r) o1 ]
% x/ J- A5 W& E& `3 o! {" J8 dSAB作用:9 F. }2 Z4 N7 }& ?! \9 w: F. ]% ~* k1 P
1. 可以用來計算電阻值
, g, Z  o6 B$ Y; W0 k2. 降低阻值
( |# ~& K/ |% r9 k  t5 o( A% Q6 g3. 防止LDD的尖端放電" J& c/ [4 T: x

, T6 |; K! T; n( m$ J8 |. r% S& p0 s8 E" Z
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
" Q" Y( L& O+ D6 a% u% U/ g7 X' O. K' }/ ^8 d8 E, |
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
4 z- ^- L5 Z+ T3 d2 u/ b4 V0 L# o# [( W1 W9 n+ F' Q
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 J- H+ x" x9 U  J
* @' Z4 [: @- d+ J7 ^2 G
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
, Z$ x5 ^4 q- z8 F/ u" M能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚% t" \$ r3 q& o7 K
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
4 ]* W7 |/ }' d$ C) D+ OSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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