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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟8 {3 k4 g/ A2 k, G- N" [

) l2 E0 _$ d* }! I) ~; h+ ?OD2作用:) |4 ~( A0 m: ]' x- w7 p; D* S
1. 增加阻值# V  N: r" W* p2 }- }  |
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
- \0 t- R5 P' |/ s: ^/ Z5 M3. 通常用於高壓製程上; @5 J0 c8 N! [# |

* g- S8 I1 s% Y$ ]+ v: B1 TSAB作用:
2 ]8 F! ?7 [: t& Y4 a1. 可以用來計算電阻值
% D; u( k5 R* M2. 降低阻值9 h( y/ N8 v7 j9 N1 l5 e
3. 防止LDD的尖端放電7 B& a  g# V$ M2 t- F/ g, ~0 Q

, Y8 S8 u; ~3 J) f3 v, g. Z4 e$ W5 A7 `  s; N5 x0 |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
7 i' @# J. B  {6 j! }7 K6 _1 f, E' n/ j1 N
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 l$ T# X9 ~( V" u5 W- ^; V) T+ y8 k- [1 L& M5 H2 t8 }' U9 Y% i$ P
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! p& B+ ^4 |) q8 ?. F
! |9 o# E; H& @: A
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& O, d) S! T+ a3 s& C2 p* C
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
, ~3 h1 d0 U0 _( ~  l* ~- K7 X這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
& L5 j9 {( p  L* j: FSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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