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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  h/ ]2 \7 E; ~1 d' x
; r' y) W9 X2 k& [7 v. IOD2作用:' i( A. W* V+ |: I+ y
1. 增加阻值
1 w. H5 m; q/ C1 M% l; P' j2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 Q6 a. D" C0 w! m: e) W8 d
3. 通常用於高壓製程上
5 U- r$ G9 ?7 b( H& X* W! f# i! g3 ~" C, a( O$ z
SAB作用:
- |+ }: L/ s- `1 f/ p4 b4 C$ k1. 可以用來計算電阻值
# S3 e' J. c  l- Y1 T+ N2. 降低阻值
, q* S; `7 a! Q$ S! g3. 防止LDD的尖端放電
- w2 e3 G3 b4 K8 E& `! E  J2 h: H0 D& e7 J
) {" m) J. M' J- ~; V, }( K
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
" `5 b, I  d9 K+ G# s' V/ F$ f' p* N+ {% C/ `
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
7 v* F6 T, L% w, q+ L: b
# i' w! @. J7 V' g( I" [4 t有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!$ @, E0 `2 J8 E0 z

3 ?. Q2 q& w# S* L3 J) J8 v4 Q# Q蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
5 x; W4 f, n) H  K% F1 \能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. \7 Z0 P7 u0 k, ]8 d3 }) h6 Z) ?
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
3 r2 k8 d$ @. PSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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