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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
- o7 L5 M. X8 W
$ \/ D8 w  s  s3 [- P3 X  ~/ n3 \8 ?OD2作用:
) O' b9 k: O8 Y" @1. 增加阻值. r, r/ U% T/ D) Q7 ~3 r
2. 防止電流過大而導致元件燒毀- e, Q; H. e1 G* k% t- B6 u- D
3. 通常用於高壓製程上
+ s. }; i5 M$ v" _: w# H  L8 ]  ]. t! `  }( X8 {
SAB作用:% N. G" ]! u/ d9 a. a& V4 j$ S: n( n
1. 可以用來計算電阻值
. Q& C0 N- o. W2. 降低阻值4 F' U$ f* S9 `3 R4 I$ _! c! m* s
3. 防止LDD的尖端放電
. \) v* T/ x6 F. l9 O9 `; y2 p9 b0 {/ z

* k$ l) _+ a7 {. j# j, X' U以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  v  ^" K- a) d/ n) a  V/ t/ P* h) o" C9 D* B7 B: U. ~5 h2 a2 h
個人的認知與看法!有錯請指點一下!9 m' [/ v* r( w! G/ C0 E7 e

8 K! W( v8 [! `7 g8 u有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!% e! `3 y) ^" o! A# f7 r
- Q! d6 f* L: s8 H- @
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
3 X3 E' ~9 K: {  ~能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 F; U6 c) E4 \( f
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的) I7 H* P. M  r9 q' ^( ]' V5 _
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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