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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
  r$ `) P7 e; N7 l# l3 S; [# K& i
8 _+ z4 V# Q; }' u7 F4 t# qOD2作用:
! @5 D. u# p: r/ e+ ~& I+ J* [# Q1. 增加阻值5 H' Z0 K  T) o/ E0 B: f
2. 防止電流過大而導致元件燒毀  |0 v! F4 L* x  Z( d0 G8 b$ t" x
3. 通常用於高壓製程上0 p  d3 ~) ]3 [$ D6 C

5 _6 o5 W9 {* m; |, ASAB作用:
2 u3 K  j% k% t) O5 {! X  d; P) O1. 可以用來計算電阻值
, @% M0 R8 b/ U6 f# u3 \/ v2. 降低阻值
1 l7 G+ [7 X, @3. 防止LDD的尖端放電
/ t- d  }7 L7 T6 `' x' G0 l* I' E2 @& R* y. H+ H

2 k$ b* D, F5 k( B4 i  P以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 k8 p! d8 X$ V: U

# x; \/ v& Q  H/ g個人的認知與看法!有錯請指點一下!0 N5 f$ N7 D8 b4 |  p9 Y" {5 O
/ I7 q9 p) ]0 [# _0 W
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
; A' `7 ]' R9 @2 f8 H. Y  b
6 T+ s+ S, ~+ t4 t& i蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!; L- a# s; g4 k9 x  m+ n
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# R4 j' y' J9 i: ^9 d這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
, H& _! Y0 u9 j3 J6 a1 L0 ASAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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