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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟0 }; Z; h: o# C4 \2 m8 `
: r5 @- A* ?5 M& z
OD2作用:: P, ]1 K& Q5 M
1. 增加阻值
7 f1 L- W/ Y& t6 \- f4 W' g1 J1 L; P2. 防止電流過大而導致元件燒毀
9 Z" @! W# D' y) l* Q3. 通常用於高壓製程上8 x3 q) R# Y2 o* L4 K( V9 M1 I5 A

* i  A4 m$ P' ?SAB作用:4 t1 |6 d% ~* E( C+ X& \
1. 可以用來計算電阻值
- s+ P/ ]9 S# U; z2. 降低阻值
7 s5 c" U4 j, G' t, t, W2 ~3. 防止LDD的尖端放電, D5 V! l% F# M1 }* p7 c' ]
, o. e/ c; F# N# R5 n' d! p

& D% c7 H* M7 l' \0 f5 o9 j* w以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 Q# A$ B  X( @7 O& Z
! E2 [$ c" b0 ~+ t/ F0 v個人的認知與看法!有錯請指點一下!( q7 _. D( q( g5 r- a* ^. z

% s6 D7 Y9 f* ]. D7 z4 x6 j/ P有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
3 C& C4 j& [: C1 |/ R. h$ q/ o7 D/ ^. G0 z5 X. j
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!1 l1 a! I3 C1 k3 y; X1 p
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: \0 l! W1 Y4 t8 C4 x' N! |' O
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的1 V( \# U- g1 U1 P, n: G3 I
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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