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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ i$ e4 Q6 ^/ o, a( i" y0 l& X2 h  Y) a! d# L1 N3 U0 `: a
OD2作用:1 y, E% _' ^  x1 E+ ~
1. 增加阻值" F$ `* ~. O7 n. T; E, a0 i
2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 S- L1 T  B# [/ G. I' T
3. 通常用於高壓製程上
' i( u+ Y" @* J( W# l; z/ m" D  i* h/ r4 x: x8 H" O$ \3 P4 n
SAB作用:+ v: Y( ]% W2 H' X
1. 可以用來計算電阻值3 u$ |1 A1 g# f) E
2. 降低阻值
9 N+ v; l, b% c: v# c" Y3. 防止LDD的尖端放電
5 _9 n. ]- X1 g5 M. k8 H0 Y
/ ^+ k9 U2 I/ H/ D) ]  }' W" d" S5 B" Z+ ?8 Q' N4 ~. H# j7 }
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, N7 ?* h$ E, N5 U: t' _/ K7 V5 ^5 i4 Y& g3 T- v$ J
個人的認知與看法!有錯請指點一下!2 j5 p* Y6 v6 q9 S
$ p+ p" u2 j( l. ]: W
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!# `6 B' k. D# S6 ?
# q' x. Z6 l4 W( K8 I4 l! i# z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 q: z+ D8 u; A2 A
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
$ x% o( F7 |- C' n. t7 T% f1 f3 o這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- G: d" F/ E, |' m, K5 }2 m, P& ], iSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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