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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
. `" a+ p. D9 E/ A" @- F8 U7 o8 @% u0 T" q
OD2作用:7 v( X; Q. U0 G
1. 增加阻值
. p, m3 k2 a: m6 T# v/ {1 l2. 防止電流過大而導致元件燒毀& ]9 c" `0 j: h2 F) e/ x
3. 通常用於高壓製程上, S* J/ R! i- b- I" }% |2 Q2 N& L+ x

( k% F7 G3 g. G# U" a# ]SAB作用:
) I0 o5 p4 U2 y& v9 q1. 可以用來計算電阻值' z/ f& M; C5 r# [
2. 降低阻值4 a) }2 v3 L4 @
3. 防止LDD的尖端放電& a/ {& B8 W# J
) P, x( W, V; }
2 B' {1 Z8 E9 {8 \4 N$ `
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 9 e7 o" J! R* a8 m! N, Z

) ~, ~/ Q( u' W. B8 j4 }個人的認知與看法!有錯請指點一下!1 d, c3 d7 Y% V+ F. k# L. a

2 S! C+ A3 F; `  `; s5 l有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!, N6 v5 t( o, h2 I  j6 C
$ q& y; }0 [! u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
+ `, S* h2 J2 S6 ?- B* x能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
+ M+ ]/ [1 X8 a' ?4 U& G: ~) f這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的1 ^. V  E# P# w
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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