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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' I0 |8 S- {9 S) v+ m
1 T0 y, y5 D! Y) P- w; JOD2作用:
) j1 f: S4 e$ `5 ^5 X( n1. 增加阻值
9 M# N' r- H! c. f0 `3 {2. 防止電流過大而導致元件燒毀, [; j; c% V# E# D( d6 P: V
3. 通常用於高壓製程上* G7 x5 A) H3 N( r* f# t" c1 f

) l5 c& T& n7 X$ NSAB作用:5 |8 k" K( [: N1 T' z
1. 可以用來計算電阻值9 x/ c9 l; u0 V( r& W/ J# G
2. 降低阻值
8 D1 O' ]5 Q" Q3 s* t$ _% k3. 防止LDD的尖端放電
# r6 e/ L6 ]1 _- s& J
4 C6 ?; `, i( t& j2 l2 @( _$ P' X, P, ]6 z$ [& o) Z
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
, t+ {" {, H1 o1 I* E' X& }* B( C4 E7 n. X
個人的認知與看法!有錯請指點一下!, w6 u/ ?) K- E0 m% d
: l6 y* O" [1 P, R
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!) M% G: k. s+ G9 q, R& P5 O

; c$ U# R' _8 \0 M# f" ?蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
7 X; ^# n# |9 e' W0 N4 q1 `能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚4 F5 I6 R4 x/ [6 W; M( J) K6 ~
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( W+ o. X" C3 m: V3 ]2 ^' i
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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