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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟$ s; n1 j/ F& I* O- E( u' a1 \
7 ^! L" A8 L$ g6 q4 Q
OD2作用:
/ I, w# l6 g# F8 P5 N1. 增加阻值
' W1 j: _+ F$ U! Y% o' e* T2. 防止電流過大而導致元件燒毀* |2 j& k8 C( |- x" C8 _
3. 通常用於高壓製程上! U+ m  w3 G3 c) C# |3 w

0 l/ ]0 O7 B7 P  SSAB作用:$ D$ U9 t; v; M) y/ h" m* p9 e
1. 可以用來計算電阻值. X9 D0 ^+ X; r6 n
2. 降低阻值
1 Z6 H) ]. G2 r8 y3 m/ n( t5 r* w" E3 r3 d3. 防止LDD的尖端放電
( C  }5 O, z, {0 r( O1 v% W& E2 Z  s9 d

( T" C+ v4 H6 f8 q) n, G! [4 S以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 B0 n4 M0 e7 f- q- |6 H& i/ X
9 t8 l4 X* p# o1 g" |5 J2 Z
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
( T$ @; E5 [& I& A, G  U% A% \; W: e  L; r5 b. R% J0 b: Y
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!2 l% v% C" y/ a1 l& C3 \6 z

+ M% F: L& c  x0 K& B) N+ ~蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
. k7 C# p# y, j1 i. r能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚: n# ~5 ]" {, a$ i
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ }- i% r0 X, R" zSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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