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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% A  q7 G: S  s) K5 Y# _

7 D5 d5 D1 Z0 F' \8 S/ H* XOD2作用:4 e" z) y9 _8 P9 u
1. 增加阻值
! h. ~) J. g- {( R) J& H0 N! j5 m2. 防止電流過大而導致元件燒毀
+ o* D# z( R& L+ C; z$ l* ?& c3. 通常用於高壓製程上
( M3 d1 M  Y; s5 L: |+ M4 Z: ?6 s& k1 ?$ Z- c' v
SAB作用:5 M6 m" @* k/ B" f9 o
1. 可以用來計算電阻值( G7 K: I) R) H1 v" {
2. 降低阻值
" y; G3 B3 H: `3. 防止LDD的尖端放電; |2 ~$ s6 T! j0 e/ K4 |+ [. f

& }, D# g: j+ c: ?7 g
. ?' X! \% ?2 ~% E以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  k5 v8 \7 P! w- k6 u2 L6 r0 y. C! n3 }- Z( T2 }& r+ `
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
: `* e+ ?" Z4 z2 U" K
; D0 o/ ~% u  I- `6 ]有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!3 S+ w: {3 B5 e, A+ p
# p$ |! d2 F' U# u0 w' s6 |
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!* P. G; b6 B. [$ g' ^! @4 S
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; C2 p2 x0 Z9 h% ~8 y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 ^( y. H" J1 fSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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