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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
# ?! `! @7 L6 c4 Y" F
* P1 C& b/ A& COD2作用:/ _, u. G0 ~- H# O( q/ K/ j
1. 增加阻值1 k9 T6 w) L' k; E! O
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 F2 d/ c. G- I! I1 ]2 z$ }3. 通常用於高壓製程上
& i, ]  M; ^% {& v& e* }- E+ J. y6 V) s
SAB作用:+ d- ?+ Y$ {" w" _( N
1. 可以用來計算電阻值
& z* Y# U9 p" I8 G2. 降低阻值9 V* j, ~9 A2 ~! N! Q
3. 防止LDD的尖端放電
, ~0 q  I* r1 t8 ]$ z9 r; \
1 z  E; y: k5 Z
9 T. q. V& g6 T- S9 I* M; \2 F+ C1 ?以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 " i# H9 C' N, Y. U: k# _

, n$ i7 y0 }; k' ]& v) v個人的認知與看法!有錯請指點一下!' C$ Q) ~3 |" U  I3 t  L/ o
2 h% x2 H( _- i0 q! j& r- B
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!+ e+ Y8 ^6 a; W' x: [

) j, `3 Y; |6 A蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
" @2 h# b% d$ ^: P1 R# {3 M5 Y能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
2 O$ h. z, ]' U& t+ J( h/ z5 }這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的7 B9 [4 C& Q8 p% M3 H4 a9 `
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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