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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟/ y; I; E) F8 P( |5 B3 p  q
! a0 @# a( W+ Y, K8 P
OD2作用:
7 J) G3 D7 z; D( R  B: ~1 f1. 增加阻值+ n2 X( `. G% {, z7 d
2. 防止電流過大而導致元件燒毀4 j7 K6 u7 |0 \& ]+ F+ v4 K  x7 o
3. 通常用於高壓製程上( d/ H6 `! C: Q8 S+ Y. m1 E- S
1 Q# V$ |7 Y* F1 ^2 u% G* u
SAB作用:
6 q0 j) c7 l8 S1. 可以用來計算電阻值
3 y; I% E9 O- K1 W# K& C2. 降低阻值
: h3 N2 B2 w, b7 p+ ?3. 防止LDD的尖端放電; l0 z: H; r" k
( h1 t' }- a# x, o. {4 C/ u, M9 v$ s8 G% q
9 h' J, i; t5 K4 X- J. G- o
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 * t* f# ], i0 V7 I

: U" J% ?6 w: W  u個人的認知與看法!有錯請指點一下!3 ~0 q+ e1 x) N$ b% g
9 M& v. g+ S9 \( V3 W- R5 ^, J! ~  w$ e! o
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
1 q# S) E5 W/ S! ?* Y. V
9 S+ G4 U9 h5 R' j8 V蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
# s1 A/ t& n4 F8 m4 H  H能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
8 ?% X  v+ `8 ]% J+ i這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的) x1 w, p) @! B  v7 H6 L! m; }
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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