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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
" J$ [9 o% Q! T" t. [# |' ^( q, ~/ b9 W4 @3 A2 K! t
OD2作用:5 Q6 g# i' p7 @6 _, L. i
1. 增加阻值
3 G( F- [$ i# a: i2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 J' X0 Z, A: c% u: b
3. 通常用於高壓製程上
* ~* _  r3 O# s6 l- B
# ^/ v( i+ h& R9 A" R4 B1 TSAB作用:6 g* @9 ^+ Y* ^; Q3 w/ V1 k
1. 可以用來計算電阻值
, }2 G! z$ U' @6 Z* I: S4 I+ U, h: m2. 降低阻值2 g6 i2 e% ?; {* s1 [2 A. H4 z7 v/ D' |
3. 防止LDD的尖端放電
$ h- F  }; v9 ]' C5 N
) L; s! x* N8 w) t. M, U' r: W3 P/ O# B' b: J! |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 - d" H) B7 o0 n; y0 s

0 L. `1 Z4 A2 y) n, `- q; U個人的認知與看法!有錯請指點一下!) Q# _1 {% x5 b1 l9 m
$ b( j2 g7 M7 ^3 g
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!+ ]; _( o8 f9 Q6 x$ ^" I5 w

3 m$ B# `3 t( O蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
- H' ^0 C3 a) `能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 Z" G- {& s% F" _
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
9 \6 a+ [4 l7 T, O& y& |SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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