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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟" u  @8 M6 G" I4 p5 e8 T6 J4 \
/ s( `# s5 A, l
OD2作用:
# u% s* u! \4 ?* q  U: j1. 增加阻值
+ P8 ?) T+ Q. y4 C0 B2. 防止電流過大而導致元件燒毀. N5 P  z% A, I5 x
3. 通常用於高壓製程上
. I1 k; f2 O  m' E- j. N
& z4 M$ B9 r" v/ ?( [; aSAB作用:( ~$ f# y& h5 X
1. 可以用來計算電阻值
/ n5 s* Y$ o8 [$ J9 V% k8 Z* w2. 降低阻值
6 G1 [' d% K, E. N& i  _% _3. 防止LDD的尖端放電
7 ^% g6 z. g8 l1 D* [* q+ o, U6 I
% ]# f, K; J& T% c% U/ p. |5 e2 C, ]$ S) H* V8 j
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ' L  s0 k* `; s, Z$ @9 o

, T1 P4 [  ^9 L: A' s  e* b1 {個人的認知與看法!有錯請指點一下!
; U0 H  w- V% V3 ?5 F! V
! f1 b. j- g+ t有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
0 a% Y* N2 K$ C; m/ q& |8 g2 r
5 p4 j- P% }9 a$ n蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!  t9 b9 L0 q5 I  _+ Z, r
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
# N, [  s* o: a' |- j( ?* B. e$ z這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的! q& W6 t6 F  Q* _
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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