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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟, p. G/ L" r+ Z) u+ ?% [' @( o2 y8 E" ?

) b* a$ i, M  dOD2作用:
/ s" I$ z: V+ L: B- k0 q1 I3 z; [1. 增加阻值- b9 R, Z+ h3 G" \5 A
2. 防止電流過大而導致元件燒毀2 _6 o% f9 B9 t6 V, G  b& k
3. 通常用於高壓製程上; ^1 C0 t/ d5 d, c& C. c
- Y7 x5 d, N0 P! q1 l/ W5 C: \
SAB作用:
* n; J+ e' K5 M2 m* Z6 N, ]1. 可以用來計算電阻值6 Z( T2 I' F+ s3 c; _  P
2. 降低阻值
+ j) |$ B7 B: m5 }3. 防止LDD的尖端放電: h/ F  ?$ o5 _% [% n+ v
& D3 ^- Q- w  y

  Y: @: Q; \, j# X, ?; w/ E以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
2 V* S  `' B' U/ K% W
) ?6 C' O9 w" ^1 R個人的認知與看法!有錯請指點一下!
7 O2 l/ r) M" V' \/ C  k
9 s) w# j# b2 I6 t1 s" C- A$ |有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
5 g! K; d3 y/ o8 q: J. i6 \1 M' P
3 V6 ?) T6 j( P/ j: }& p蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!& B/ c6 M; h5 g7 _/ V& R
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
+ S8 T2 ^2 H0 X9 b  P$ r這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ p* v4 E8 o* e1 N+ v/ d( B  c: lSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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