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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* W& h( M+ m. w9 h( P
! }* w" g/ v4 |OD2作用:8 f$ O" N9 A8 u( ~* d- S
1. 增加阻值
9 v7 ~6 {# b, Y4 ?& H' S2. 防止電流過大而導致元件燒毀* k6 g, r  R* E: o; _, W) U
3. 通常用於高壓製程上) G, l" I) j8 z. B" H4 U0 y) s3 d. d

& Y) u7 D9 }3 u$ h1 fSAB作用:
( X0 \  z! l4 s7 l: D: a6 I$ L  D( q1. 可以用來計算電阻值
1 K. p0 a2 S$ E2. 降低阻值
% X5 v1 ~! q, X( H3. 防止LDD的尖端放電+ y, a, D8 I% [2 g5 d% _$ [

  O! O$ ^1 T8 v0 L, ]1 P% Z; O# |( a4 i
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 & `! o1 a0 ]0 B0 n

; L$ f; f& Y0 R+ D7 [個人的認知與看法!有錯請指點一下!% v8 o* N% B+ c9 @  i1 \

, ~2 [8 G/ |: R( h  b有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
/ x4 D) A9 {5 I
9 g5 }" l( [! a# {2 H0 K蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!! j8 i0 a2 g$ [, ?/ t# G
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
* ~1 M+ Z% J8 }, f! I7 Y! s/ _這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的6 b/ X1 V2 P& ]) a$ u, x
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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