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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟0 f9 V+ a/ y4 `; V7 m: q) x: o

$ L! ?3 b; r* `' r8 ]% h) Y' j6 HOD2作用:/ }' }* Z2 i; s6 |* ]; u
1. 增加阻值
  o( E; o2 p: Q8 l0 `$ C2. 防止電流過大而導致元件燒毀
7 s% a( I" J! Q8 M4 t3. 通常用於高壓製程上
& l0 G, T) W7 c+ X, p9 l6 C9 O) A5 x3 Y$ Q4 e
SAB作用:
& t- ?% O' @" ]( b1. 可以用來計算電阻值
( T: X! {4 |3 w4 W) }# s: G; F* B: I4 U2. 降低阻值
/ o, t- u" k( z- S5 l% L3. 防止LDD的尖端放電+ r8 }9 n( }+ Q% @0 T# Q5 h: Z2 o8 T& `

* m0 {$ }% \0 m7 q1 X+ j( x& T3 F" }9 v; P0 T5 E& S9 @
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 $ P7 C/ b+ H- Y6 n5 S. ]# N
3 ~/ `* I6 M/ |" N
個人的認知與看法!有錯請指點一下!% @  _6 V- L7 ~9 @0 m. P; W, s
5 W8 ]2 m$ h, H% i2 f
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
) m* v7 L7 i* G1 J
- J# ]; Y* X& r蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!! }% ]# Y; Z. p+ O
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚; D2 D& d7 M( y! W
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
2 N# G7 Q# [( L* ~0 ESAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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