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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟( Q- z$ m) |$ }/ c+ a+ R9 T

+ ^- `) Z! x, _" `4 t( k' AOD2作用:
# I; P' e2 b' I* z' b) r- n9 i% I, l1. 增加阻值4 \2 ^( b+ G2 N
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
5 A8 I! [7 D4 ?2 }! d3. 通常用於高壓製程上+ h$ b  A. N  x* |! K
3 U* F1 k( I- R8 ]
SAB作用:' C! U* }% K3 ^9 J' N+ v. ^
1. 可以用來計算電阻值
* P* z- l! o* f1 h& a$ U' `1 U2. 降低阻值
1 A* E8 W  b8 [/ s3. 防止LDD的尖端放電/ Z$ P9 ]; o! f, ?) c& m! }

# g/ D2 K2 F3 `* k. Q& M
: i, Y3 W/ F! D* E' c  L以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 2 D( Z) i1 \* a+ y* e

* x7 T9 g4 x2 b個人的認知與看法!有錯請指點一下!/ J( H+ B- `* p! g- X
8 ^# p  o- @% N3 J! x
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!+ \+ U; H" V8 r7 n) ^- K
, L$ o* q" p9 T. V6 v. H3 \
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
( Q9 |9 U2 h6 ~" g+ t# p: m能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚7 N% n) p7 q7 Q7 ?
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的+ e: z7 |& ?' ^* [
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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