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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟) a  F2 j6 F) o1 x! ?! p, K
8 `4 s" g# J. g( `
OD2作用:: s( A, g' F2 v; A+ f, J
1. 增加阻值
* h' g5 E& [( }6 k2 F2. 防止電流過大而導致元件燒毀1 Y1 r5 o5 m$ t( d# H1 p. Y
3. 通常用於高壓製程上
. }1 y8 F; |( R6 ?' O
4 r& Q& R5 o- J! WSAB作用:2 B0 Q3 T: i# U
1. 可以用來計算電阻值* j3 w2 M* w/ X7 S% j9 N' `; V
2. 降低阻值  _1 [" s0 h% U4 ^
3. 防止LDD的尖端放電0 {9 m9 i4 j' H% K4 P) X2 f

2 g8 @& c# i7 J3 b: w& C$ [
$ `2 ?; o) c+ z# c) }7 Z以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
$ V) j! o% s5 K+ x1 W( d6 \5 k* Y6 j7 N9 f4 p$ O
個人的認知與看法!有錯請指點一下!5 m# Q1 O4 F9 s- N7 A

/ J2 `, ~9 m4 T% d, n4 T有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
) q5 p9 n# C( }( B. O4 y0 ]. |+ A1 H
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
* A: n1 O* _# B能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚0 r( o' V4 G( ~" \0 v
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的! p* Z1 V2 k0 n' P' d; v
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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