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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
* l5 O. x, Y, h! l+ {* z" q& |! a8 V  q: Z$ a) H
OD2作用:
5 s' k) u2 x1 r  O- a1. 增加阻值1 [, i- v3 F# Y- v( g
2. 防止電流過大而導致元件燒毀$ X* R1 ^! O& r4 J& L4 ]/ M
3. 通常用於高壓製程上
/ {# {# Z5 A+ m, W
4 Y# {+ Q+ m. j+ _. d2 X6 V9 USAB作用:
% U" Q0 Y/ x6 W# D1. 可以用來計算電阻值
( e: V  @- y( ^1 x9 u2. 降低阻值
+ |! d. C; [9 U9 l( x' c% g3. 防止LDD的尖端放電
' C+ T& E  \: Q( ^5 [, d! U
) {" R2 q: }& q2 I: S: i( }
# d! t  G5 Q( X+ D以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 4 \) R  b; F1 C& P

+ H" B( G+ |. s/ z# ]3 m個人的認知與看法!有錯請指點一下!
7 v- ~+ k$ ~& H- t0 d
% S  a; r1 ?$ H/ O) g% J: a有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!! d' t. a2 R6 d8 m

, }9 E& L" A3 f# c, \0 o! h蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!. k( f  J9 X( p& S1 e
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚. D4 `2 d* B+ V* b
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
- Z& ~0 `. ^9 w  pSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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