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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 a" R5 d9 ^4 a- H! @* r! ~

- ?) s* l4 B4 q7 Z- M) n$ YOD2作用:2 P! X: _! J# u5 J$ a" w
1. 增加阻值  o1 a! u7 m/ @
2. 防止電流過大而導致元件燒毀6 A: w, \# t, l- I. a
3. 通常用於高壓製程上8 r8 I& ?4 i- l' h2 j6 ?

2 a! O0 J' w: F4 D' gSAB作用:! f* x) ], t! M% H# _
1. 可以用來計算電阻值
8 L1 T5 @$ V0 @2. 降低阻值
! B1 w; @2 C; Q& r3. 防止LDD的尖端放電
4 Q9 v- n# b! T9 s' R9 t# S$ l/ D3 f6 v. k* Q7 `
9 Y1 M' A7 K' a
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
: {$ Q' N! U! N9 k3 l# z! K( ^% _$ A+ M* `8 M0 H% ?
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
5 Z- \$ k/ d; ~
6 S3 Q: B+ [0 R- C* y/ s有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!7 N! g* d2 K( L  ?9 [

9 ?' M1 |- l) R7 n) u) X) D* o蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
, S" t+ G! N3 f- N能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚' l$ `# q9 t$ y+ L) h; G$ m
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的" f/ c7 ]! K. v6 R! H' c/ [
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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