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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟% ~- ~- C: U( w1 l+ c% [* a

  w8 @7 d7 [. \6 s/ ROD2作用:
0 d+ E) [; U/ h/ ?1 y0 C: T5 ^1. 增加阻值
! M! U$ j6 b; ]3 w% a* G) [( s2. 防止電流過大而導致元件燒毀- k4 @) a0 X- I; t* D
3. 通常用於高壓製程上  J, Z6 u* ?4 r( i  u

! {  @* Q: m2 d) T' x5 ZSAB作用:
* \: |$ j: k8 v# k) k1. 可以用來計算電阻值
1 I: t( Q9 ]# B8 V5 @2. 降低阻值6 m( U* L) {0 ]3 q! S) [# z
3. 防止LDD的尖端放電% B! @, D/ g! q. O3 i
! z' B0 ?/ z4 i. ~  w' y0 ]

7 h3 Z" |! s8 A; _; z3 N' D" k& M以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
3 q" \3 }: c: ?- S$ u" @5 q' E$ x% n) @- |2 y8 {4 j1 G
個人的認知與看法!有錯請指點一下!4 E5 F! X5 S/ Z6 ?1 [% X5 O4 F6 J
* n# _( K& i: F8 A& ?
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!5 P9 C' _) z* L  z$ s7 v
1 A! w$ {3 C) `& i* K* Z
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!7 C; q" K9 G. A8 w7 a
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚+ F* ~7 q6 |2 |
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& ]" z( U0 l& Z/ u% \/ S
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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