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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
4 b# j& n, T; m+ r0 w+ @, B# O: @1 m! \
/ j( C) l3 a1 g6 _OD2作用:* h, _+ V) M% A' S+ r& P
1. 增加阻值
+ k% o( K+ o* a. y' D8 ^" R2. 防止電流過大而導致元件燒毀% G+ P' P3 z0 f+ ]# d6 g1 ]9 a, e
3. 通常用於高壓製程上
# C( b8 Y" R! i# m- o( G1 |* x2 J  F/ z
SAB作用:
) J' X( O$ y. X8 m# p9 A1. 可以用來計算電阻值, a: W. p8 q7 x3 {6 F. o4 {
2. 降低阻值; `0 `3 P, ]7 Y% V
3. 防止LDD的尖端放電1 C, m9 }$ L! x

2 a& N: b9 P- h& L' B1 S* e6 v, k: \* |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
6 K) J9 J  _2 l6 @. R. D$ _* U% d( t% I$ t2 p+ _% C
個人的認知與看法!有錯請指點一下!, a5 P) k  E' g* Z+ {& b
( E0 E  f0 b/ e/ n
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
+ r( G) e: _$ b) D. [- y: ]! _8 X7 o# R4 `( Z: u
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
8 `9 `7 B* l, D; T6 h1 }能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ o5 n  V7 j4 O2 Y( I& Q- W8 W
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的6 Z6 {# M7 G6 l3 x/ s4 J6 |
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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