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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟* N6 |( b' F' J) s6 t
) C" [/ T" L+ \# N
OD2作用:
: O4 T! L1 F; h- V# h1. 增加阻值
( c: @4 l/ g+ ?  d( J2. 防止電流過大而導致元件燒毀
6 p! P% @& Z1 `0 X! F) L3 B3. 通常用於高壓製程上
7 R. U( j9 |* E% V- I) E( u% A1 D+ Q& b8 Y% r# l/ q5 X
SAB作用:  }- v2 l9 U2 f& D+ I- [
1. 可以用來計算電阻值' m8 [* F- j4 h1 q* Q
2. 降低阻值
. r" E: [* \- E7 T2 d3. 防止LDD的尖端放電6 r# P9 _9 l% ~

5 Y" y5 ~9 p8 n& q0 u" q2 c2 {- i1 }& W
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
. z. K- L1 K& _5 ?, Z
2 d1 g* c/ V# m  \0 d( X% t( u3 m個人的認知與看法!有錯請指點一下!
6 U, X- N! o3 P) A: ]9 k9 M+ [4 c* z& B/ s" V( ?1 \, N
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!# y/ J7 p; ]2 |- b+ e$ S. Z! y/ `

, A- D7 B+ P! _蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
' a. {" p! B1 S' L- g# Y" b9 x能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚/ O- L. o7 i3 ^7 [
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
' @+ n4 v; [1 X3 R9 A  C3 vSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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