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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟; U& O) O6 I2 n4 l- f* X

9 U/ s# @7 {8 tOD2作用:
; t* W! m2 K9 o/ s( D1. 增加阻值/ f; m( R( M# K4 R% ]& P
2. 防止電流過大而導致元件燒毀7 x2 w- d! X3 Q. w* X
3. 通常用於高壓製程上
$ Z% [+ x; E* M. P/ a# B5 R" A# x8 R0 ?% j& L  [
SAB作用:
% G; [. G  N( l$ k" c: N! ]' D1. 可以用來計算電阻值% A) ]; b2 B1 k9 ]& H% V# Z6 W2 A
2. 降低阻值0 b- f3 \' a/ F4 N1 W
3. 防止LDD的尖端放電
5 c' J* I; j1 Y' |  }4 @
! u1 |) e- P" m. K. A) @* x' _$ F7 |
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
. |, ^* u8 r, h  C, C( s$ O
" L' A# D3 @- d# M* s3 g個人的認知與看法!有錯請指點一下!
- p# o8 E8 x# D4 z8 N& {  D
0 u- u; Z: O* D有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
6 S8 L5 M$ ]" n2 G6 Y, {5 r6 r9 c. e2 {8 e/ b4 Q$ p6 M! O& E/ J8 l
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!, H8 w5 U& o9 X6 ], N1 _7 D
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 H4 @, D2 L2 K/ D這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
1 b- a' T& W" [! q6 H7 K7 ISAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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