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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
; R$ R4 Q, S: M; V! o. i& b& D0 G/ @! n" K
OD2作用:
, C- ]8 H) `% N. d" {6 i8 Y4 j1. 增加阻值
# T' e( c5 y7 Y7 M) y7 u8 n, O  [2. 防止電流過大而導致元件燒毀
: j* o4 x4 P+ F0 C: x  b6 Q, b7 q3. 通常用於高壓製程上# C! Y' Q1 l% Q' a4 }
, a1 j' j& y1 C
SAB作用:
7 Y- E# Z' F- H1 s+ n7 f1. 可以用來計算電阻值, n$ M) {4 `% }3 r; Y4 x0 E
2. 降低阻值( Z7 A6 c$ I  g) C/ t
3. 防止LDD的尖端放電
- a( U. [/ R( k
6 |, }' e' B; P( i+ B
8 w  _; O4 y0 D4 S, ~; h以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 8 F$ E4 k  \$ R" s" `8 ^3 j

1 B# g2 }, }0 X% A! y7 Z, r# i9 f) K4 M個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ |! u) D9 n3 ~" |( O3 j! {+ W, A
% A8 O+ I6 D. t; V, Q3 ?有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
" O9 y# l+ f  g/ U' s
$ ?0 f. i" ?- H4 d3 I5 S蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!; o  m9 k/ W: c. b
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
9 ?: h7 X" W  e  |這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
# x7 P3 [" |' U* P, ~SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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