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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟2 d. F8 R% {/ T! Y) W! }

$ J2 A- k0 ]" dOD2作用:0 {5 C* j* G5 Y# r- K5 |8 @
1. 增加阻值
+ n) M$ l' Y& \2 O2. 防止電流過大而導致元件燒毀
$ R2 u$ v" g  m2 l& s3. 通常用於高壓製程上
, R6 e# \  Y) c% ?* c  M$ w
! v- r* Y( [+ a. a& USAB作用:: F$ d/ {' [1 A
1. 可以用來計算電阻值# N2 b& V; c0 d# u& ^6 g$ g
2. 降低阻值/ k$ @' t8 p  J, w8 }. l. s
3. 防止LDD的尖端放電
! [' H2 p6 Q5 h% [, q/ v  e, S1 p$ F" z" @( \9 F# M) Z

0 t2 g9 y2 \! K) W5 y以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
3 t# h  Y% s( O$ Z% ~( w
: m. b' G5 U7 I; j個人的認知與看法!有錯請指點一下!
* [0 l6 z. ?" e6 J
+ {/ G( v% p9 w- Q0 ~7 a( H6 T有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!8 e4 c* ]# B8 i* G

2 T; a) ]# }; J5 E" _蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 z% a; Q$ N1 C7 n5 C, s
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
- i. l' p0 L' \3 t$ b+ B( a這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的( ^4 v2 ?; V  {! x1 S
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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