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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟, Z6 a  @8 y/ }

1 n  E  `) b. F' s6 i8 v* DOD2作用:
# N: d. e! a* m# f! G- U+ g1. 增加阻值; ?; ]$ ?% a7 n5 `( |# c: W
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
" H9 R8 j9 Y7 N4 |# U3. 通常用於高壓製程上
* Z) z6 r$ e, }
& ?: f% V' Z8 m& y7 Z3 a" e6 iSAB作用:% Z# _7 t8 v# A1 F
1. 可以用來計算電阻值8 ~1 V- `; A* V! j+ v$ \, _
2. 降低阻值
5 v& [  P) w# L3. 防止LDD的尖端放電
  l: t  a2 C6 ?" w1 m4 j7 [/ V- E  P  g) e
' M: Z" }9 B' H
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 ) W. |9 \! k7 z# A0 `& u

& s. C2 ~" S% S  V個人的認知與看法!有錯請指點一下!- n5 P$ j. Y$ N* ?/ d7 h0 \
5 d+ S0 d7 P% V( z/ T( w' U* n% A& T) _
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!  r8 E7 q$ }, F* a

4 p% S: {9 d% U8 c+ `, @7 x8 G蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
0 N* T5 C" ~2 M8 U4 F8 T( U能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
7 Q9 q2 Y9 V  R2 J$ U7 y這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
. U7 Y3 u1 ?% x$ P- t; I. y" [2 mSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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