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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' t% m5 m% m( q) Q# t
/ p# C$ _  ~/ l8 m7 y6 Hpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 _) F2 [0 y& U0 _9 K) M+ j' ~3 E
大部分是要match
1 f$ x. l6 w: @0 c: MMetal poly  density  不夠
+ r" L( q: G0 \/ C7 ^9 m加ㄉ那些也較 DUMMY
6 n, R- r5 @$ Y  ?0 X3 i( V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( C7 y. r1 y. U  l7 V/ Z
# }- ~' ]3 o3 i4 N3 \0 I+ w3 q
6 b3 G+ Z5 ]: w. {" U
    感謝樓上的大大2 F7 U5 I3 r# M! |4 p- Q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" h- K, ^' [6 @7 A" ?; U; B% n" R3 v2 N( j# I! |0 X1 m  U; X
" Q, f) `3 E/ a: F' f8 Q8 p4 G
    感謝您回覆的這麼的詳細
* n0 C/ ^* u5 G* Q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ I& q! Y4 T( a, f( X! A7 ?2 Z: |& P" K8 \9 I8 F) V, H
不過簡單來說
+ a" N4 j3 H! n2 n: D( `% R在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 W7 p. Z3 {9 T3 @0 E而特性就被損壞2 G1 P, t6 P3 ?+ W
4 t9 T! \. \. J; H* _+ d) P
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% h; r& D6 R0 d, r. [9 c3 Z7 z所以蝕刻吃他最多8 x/ l, F8 K' k) g* I5 Y
主要部份特性就不會被破壞9 k7 t- h* E; x" P: q) }
$ U% P" c6 i* ^) F3 D6 O
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# e% N) m% q, j! z1 N4 k5 L) E0 [6 v/ H所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 q0 ?  i6 f0 k4 ?9 H
, M+ i% L# B* g: p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: ]- T' m0 Z' _; A) `. \
還有電容也要加
5 a; ]! [3 m1 r/ \% y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# s/ W) |3 i2 R

$ ~4 ?- r8 |+ F1 f) Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# W3 s! P/ I6 c: n) A8 L1 M/ W7 A
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 I0 ^5 g3 L6 `9 }$ q& E$ v
* h/ |6 L+ w" W' T
2 u6 r4 x2 I" `9 D2 m" c% R    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, F1 Y& u7 X8 e- I6 H& U  }% W- u3 N6 P. Z4 c( @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ [9 ~' f0 q! t- V

" A' i3 `* o( E$ c* A$ Z4 f% C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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