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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ E/ K" j8 U- v, x, ~3 F

7 W6 Z% I" D8 e# Q8 Npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* M) L+ O) O( `0 E大部分是要match
" T3 t+ j- a( U3 k# ]: HMetal poly  density  不夠
- X' Y5 R4 P# R6 A" S  Y加ㄉ那些也較 DUMMY 4 s9 f% N# h3 ?1 O! ?' Z5 j. Z9 Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ J. j; d! f9 O: ?( o9 `/ S, _
. A7 _; b; K, C" ^( k
( }. l8 P+ {: t: t# \% q  G* o% E    感謝樓上的大大
- p9 f: }5 e! A/ R+ H) N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 Z1 v" u1 t( W
0 L8 O# x) G9 t6 a+ W

6 b, ^% d( ^& ?    感謝您回覆的這麼的詳細/ b5 ?3 O/ g8 G9 [# m. O% l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" W' i7 y, d8 {

, I5 E' g  s4 y7 W2 ]  T; H不過簡單來說  P% [+ {* c" Y, S( D  {4 @
在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ Z' {9 u; T$ d' w% [  w2 u; O而特性就被損壞: f/ W2 m& I6 ^+ {4 f, b# p
7 H- h' L2 m, F) o' s' d$ y# a
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 _0 i' N0 H3 h9 S: K; c+ H+ g4 n
所以蝕刻吃他最多' E5 {+ k2 }5 ]! ^/ f* z
主要部份特性就不會被破壞, A& p5 s' P$ G2 s$ w9 }

1 B! p9 w. ?; q; y& F1 t0 S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 N2 ^1 h0 M, S* q) y$ `* p2 ^' r4 R
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 H1 ~" h. n9 C3 L7 M/ M  l2 |) ?
- i/ |0 S. t- `
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 \6 X5 K+ w- H% ~1 \
還有電容也要加
8 e* o0 U& r4 G+ [若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: a0 X4 _9 Y& x. B2 }0 ?

- y" A) t2 T4 K2 k4 J& @! c/ Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." V9 B5 v8 Q# K$ j3 e5 @0 x
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- d5 _6 g( K- Q& P* e
6 o7 Z  K5 |. A4 U# l
' t5 |9 R* u! }& o8 M# {    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??2 W' O2 ?2 F; S$ d7 @% h9 o
# n) M5 I3 T/ c$ ]+ p* z- Z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 y, b" e* Z  ^# [
1 b% S. ?4 g$ C- t# }% Q, H: `. S& y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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