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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 A, a$ d$ k& }' P. U  M

$ k; K$ e1 c& r) I4 t' \poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# t# t" y& Z; s5 t0 c- R: Q) d大部分是要match$ D0 B2 @& W/ [
Metal poly  density  不夠
- }+ h* `" h' _0 X加ㄉ那些也較 DUMMY ) B0 _6 A3 L) I! a8 h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- _) E/ }  ?2 ?; Z0 Y4 h2 Z2 U2 q7 x3 ?& y

/ j2 ~9 ^6 |* v, i8 Y' S    感謝樓上的大大* s0 G1 M, [+ b6 F7 g( w+ V
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) E9 U2 D9 Y( n4 \( \7 F5 Y: G% a4 ^( `. K
+ \  N. J: a# f/ p7 ?) j
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 E& m" {5 d4 d6 w3 }) \! w& c; |) s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 Z$ x9 Y0 ]$ c6 ^6 I% M: W8 r& D" a. B5 b9 y
不過簡單來說
+ A) E. V! e  ^' c& ?( t在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 {9 \9 D* p* c, d( d而特性就被損壞
2 [+ j* z: T- V! G; u, ^2 |* C8 }+ n: L0 f; R5 g
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% m, R0 C6 w' e. ?所以蝕刻吃他最多
. Z2 J) D% Z# h  @: _主要部份特性就不會被破壞
# _) n7 M+ o+ ?4 G6 r7 W4 b2 H! [$ T9 v7 L* m7 \
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" I0 }0 X( ]9 I! P/ e8 z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 d& U+ C" ?. s7 ?6 ~% p/ t8 N2 a5 `5 R" l' U" X' I" V, X) y3 w7 z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ T& }- z) M0 D. g* J- {( \
還有電容也要加1 p* q: V* U# u7 Q- k0 S1 ?* L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ q) E& M# [0 {6 ^" j8 k2 h. f8 x% [* u8 M% j9 l
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 K4 d( P+ m6 d5 Z  I& t; a  l8 {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 B# R. E5 k- B- R- z
: B: h& ~% }1 Q7 ]$ m
& G. ~0 {; N- Q5 Z' O) v# y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! T- m$ C: p# Y" b) b/ H

3 T- g* ~. T  S7 ^1 y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 ]; a! v8 r+ B+ f$ V' E/ s7 J8 I
( B3 ]8 v! v. x( L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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