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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ Y+ ^3 w& u$ `9 i3 k' Q7 S8 X* F8 ~: p8 |( O1 x
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) o+ Z$ x6 }9 J: T8 U
大部分是要match
0 u2 r+ ^! [4 pMetal poly  density  不夠  u5 u- G1 n- p2 Q5 Z, `
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 `8 [& X! F. E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  F& i0 f. h+ O" ?
) g. f2 P' u$ `. Q8 j
. _0 i3 v. [3 c, g) a9 t    感謝樓上的大大
# N4 u0 S7 G  Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 g8 I: u& H5 j1 T4 a; \8 w& c7 b& G3 p( @) s" @$ U

, @" `. S; E& A  t    感謝您回覆的這麼的詳細3 c; B- j6 J% c7 Q3 ~4 W2 @6 c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!5 M. c& C# [. v2 C% I

/ N/ t! h) `  E不過簡單來說
9 X* @$ x4 t3 Y3 T$ m. M在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 Y8 B7 u6 i; c! [% {% y而特性就被損壞
, z5 b* e' k' s7 v  P- H/ ?1 i4 O+ E8 q  W& Z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. \. `# _8 t6 w7 F4 [5 l" T; S0 @4 \$ ~# `所以蝕刻吃他最多4 U% t& w; ]4 H1 J- @# _0 N
主要部份特性就不會被破壞
  K" ]& O8 G0 }* U5 `8 E/ u1 ]& N( o! W5 K' l+ T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 k3 j- }7 \" i7 b9 z5 |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 |; C. d& J/ Z
! w0 C/ e' R: V  o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  Z# ^  n" t  S9 e* c還有電容也要加4 b. `) D; A1 v- W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; j+ X5 u2 f% G# Z+ H/ y

, R3 z4 x9 g7 D, Fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ I* _& _6 n" O& R4 ^9 [% Yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 k, c4 b, @$ g8 h" f
9 @1 P7 C9 a0 F
8 S" P: [3 U# U: O    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 d6 r9 G0 A9 ?: g6 n4 g

6 p+ u; j# ^* r" C! v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ t+ Y  b: h" @9 J9 i
/ ?: U3 |5 U- _# Y- M1 n' d
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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