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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 A8 ~, @6 O0 c- I7 L( V  S: K% ]. o8 d
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 T/ b5 ^% X" W* v
大部分是要match" |7 i# E; D2 Q  d1 Z% a
Metal poly  density  不夠) `: I8 w0 z5 y! x" U: X
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ V$ D' Z/ B( {  h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   q; f5 A* `2 _( t' b1 T" K
# m2 q6 e; I1 M9 ~" y+ {8 Q, w

) a# ]0 o, s, W4 c$ B    感謝樓上的大大
. H8 q1 t7 c* J/ o3 [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' E8 S$ ]. q% X4 Q# l
- H, ?2 x3 A% |+ `% O: H
" M. Z! _( A; q+ O
    感謝您回覆的這麼的詳細# q% h6 m4 b+ U. {" }" U7 m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, |$ I! c( w; Y- N

' n7 i( d& j, f- b# a! j不過簡單來說1 M8 W# _8 U6 f1 i' p& T- O% M
在製程時食刻會破壞掉你的元件
) ]+ W- D5 s. O; B而特性就被損壞
, c1 J  W* r1 e8 ]5 R4 H0 {1 z! @: V% h, \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 T4 A  R. {& e  a* ^0 `所以蝕刻吃他最多8 U) m2 `. [4 |- j. v& t
主要部份特性就不會被破壞
$ N6 j/ m3 p  H, u" ]7 w  \  K2 G! @: q+ T9 |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 p* O7 o" I  R: s$ c+ B
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; \" n9 s/ K' k9 \) E+ }* l5 q; q3 P- D" r2 m6 _4 z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, F2 u& i5 y0 j) D& g9 N6 p還有電容也要加& T1 D- r  e/ X' H, q) E. q! b. ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# J* E$ @- l5 V4 G9 j2 h; S" u0 d3 F; @8 @* S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) C1 m) W4 O: Z& Y3 L* {
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 ~& x8 Z/ d  z' M1 c
, q- p. ~; R/ S/ W5 ]; {2 h' a: _; N( s! K2 s! _  ]8 b* S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 P9 D5 @/ M' h9 z

' Q1 v3 F; L) t9 T$ V2 x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ @4 {8 G" n8 e; |
" L" `3 V1 M7 o: x5 }% K7 `
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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