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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  v+ p" S9 ]: B* m9 p9 k

! {% i3 `9 M& n& F+ u- ^" cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 R* P0 n! c$ Q6 S& a# ]
大部分是要match- o' P/ W3 k- |1 N
Metal poly  density  不夠
* S  A$ W. i6 U* l5 X加ㄉ那些也較 DUMMY $ V; V! x4 d3 G6 f$ [( F
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( \' g4 W  |. M9 i; C- N$ t+ u6 ?4 y/ l9 O% Z, _. X
* K8 Y6 o, r: i2 I
    感謝樓上的大大, Z# T0 o, R/ C4 U1 R' v0 o
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
9 L% K9 O: U+ v( s3 |
* s; b" m9 E1 a; ]9 h9 e! A
$ O+ W6 O& f3 e( h3 D; `    感謝您回覆的這麼的詳細- F  K" W2 a4 C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" V( O# i: k6 M+ G

- H# k" D2 k  C0 y不過簡單來說
$ m+ X& U% ~( k! {在製程時食刻會破壞掉你的元件
( p2 N+ G# z; X' D, v; e而特性就被損壞/ [0 q1 A, [' C0 v
6 o8 a, R9 Q/ w8 V3 ^$ ?* g+ @" p
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>/ y; n3 o6 N+ c; _* x' h8 N. t; D
所以蝕刻吃他最多1 M1 t% U9 m7 u* f# S1 Y
主要部份特性就不會被破壞
* H% f7 s) @% I% y4 L8 E+ X: n5 I* U9 }3 T* Q/ l$ G& W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 T6 x; T6 x; b0 I: {1 e9 b
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& @6 D3 l. |1 z0 ^6 O' u9 p" ~  o7 K5 i3 Y. e1 q
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: ?4 G# i$ L: F$ S7 X, [9 q
還有電容也要加
4 |2 Z' g+ x) r, c若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 @+ W  u! B" @6 y
( _% j1 v: @, D5 ~+ A( G1 t$ `, O1 j
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 v. C! X' X/ o1 T7 ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 G- y3 Q3 w$ C
/ v: E5 }6 F0 A
- @; o) z  |+ m* ?" h  \
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; c6 l7 U6 G" p+ t
5 [0 T  q! ?8 m$ l* B1 z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 Z7 L* t' j% O7 S
7 a" c# a2 T* D2 X
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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