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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) m1 c9 w6 ?: ^& p7 m. E7 c) Z& {: z
. B; h! e: C/ s7 ^! K+ [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% K( o6 o# @6 O) y) c大部分是要match5 [3 J' k0 K7 {6 h9 U
Metal poly  density  不夠
& ?) l# y% W8 S2 g, D加ㄉ那些也較 DUMMY & X/ X# f* F8 M+ f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' B% d* l7 O3 b7 Z4 P% E) S* w1 m! ]5 P
# b+ T+ }* C# i- i6 k/ h9 J
    感謝樓上的大大
( L7 r6 R+ K# r! S7 J   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& S- v* i: H) U# Q* X3 G" e$ @% q2 w# @1 |: `3 J: r4 Y& }$ F

' Y# ?, M1 v  v4 S    感謝您回覆的這麼的詳細
, I) ?. w7 X* l- M您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 C; T7 t6 k0 x; ?( l1 T" r  \$ w0 }; k& J( n$ h, g4 I0 Y
不過簡單來說! r5 Z' r+ ]4 ?1 J5 G  J' |9 {
在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 e7 M/ o, q( y: h) Y而特性就被損壞# y3 q+ ~1 o6 h. ?
- R5 F; D( c' @! m. u5 |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) p3 ^! C  z1 S" k
所以蝕刻吃他最多
$ k  M6 C; x. X/ ?主要部份特性就不會被破壞
- R$ u7 Q9 |1 \- ?2 q; ~; ?. y% @/ H! n8 ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 U: Z! w% x0 |; p) }
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 }0 g/ C( h3 W7 M( d% w; r, |
' y! Z- Z( E! n" D& j0 h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ ^0 ~6 d1 y# l- i# q
還有電容也要加( s! g  Q5 s- a: r5 w$ T, s
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 F8 f& n- _/ S' Q9 B, s6 f! q' g
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 J) T0 W" x) D3 T' N* a! x! D
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' M( V/ ^+ G- d$ _. G0 [! I# p8 Y; d5 |2 ^1 j: Q0 b
' A+ V* G- m6 R  |! t4 D$ p- w6 R
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  v4 ^2 ^& ^3 F! G; P3 ^  c% M. ?
9 j3 e. ^( U1 ]9 U# s. y8 U
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# j3 T' I0 H6 L! b+ E" {" b+ W5 H! q- v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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