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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 O* Q4 \0 R  D
0 e" v( X: d0 i5 n* ?8 B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. C  a1 g" [' [' J( N" a1 P大部分是要match9 \- l- q/ y' B
Metal poly  density  不夠% `* b2 y7 \8 K4 V* J
加ㄉ那些也較 DUMMY
% ?! B5 ~* q: q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 `! g$ @/ Q( ^* K& [* G

, ?9 E3 C/ z% G+ q$ N, [$ z9 ~& G/ k' @- J- G- u8 i5 P% K7 I
    感謝樓上的大大+ d) z$ [6 S- y& y  |
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' }& }0 K+ k- N
! C! s7 ]" `- |7 i: }( g, B4 @2 y' a
; h# b6 Z" q* V9 Z+ H    感謝您回覆的這麼的詳細* h6 O  K  m$ q2 u3 h
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( Y3 t! ~7 b$ {. u: n0 {. b
  }5 Q3 T3 O& e3 q4 G" Y. w  \1 D不過簡單來說
, @% b. Y$ d! N4 V* n: o在製程時食刻會破壞掉你的元件3 b4 T8 H6 W+ z% o" q6 b# [) D* w
而特性就被損壞
: V' y* B& x* ]1 I# M. C7 q
" H2 `6 n! u. s& W4 m4 R$ j- J% f. w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 N3 L+ H3 M# d# r所以蝕刻吃他最多( R& l4 r3 p/ C
主要部份特性就不會被破壞# C; J" O6 p( H, h- d
- E9 u) b1 S, @! k
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; \; L. v/ n4 g4 N
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% J: W3 a0 J8 C3 D

5 `% J; H. Y2 R; d( @/ ^0 R又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; E  u! L1 I, ~- z還有電容也要加4 z  _* `; O! F1 S
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# L7 w* g1 f4 s7 t5 V
* E9 `! N* [2 s" q0 V9 f) b! ?9 v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 {( K; O9 ]: _0 \, I( {
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" M* A# h$ D8 h; z

# B- D3 U, O  e3 Z; N3 K- B1 T4 C+ M: F; a
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( D( i9 c2 a3 i$ f" F3 |  B

$ ~1 m8 v- K, l如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: b6 S! a1 F: `' C, \6 Z

0 c! L. h# Y* e* b. q! T% t- n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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