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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  l6 C' r$ D% ?1 G

9 D, Q0 J. ?6 p# X. ?- {  R6 ?poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! p' k: }' P% G. y" ~+ L1 K+ b/ j大部分是要match4 J3 O1 M  u: N* U* e
Metal poly  density  不夠5 }7 u9 e# ~1 x
加ㄉ那些也較 DUMMY
$ t* [/ b. u/ z  z9 I; h) M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: N1 ^. B* D2 x& |% D2 i/ _7 o: X* `: ~" g4 |1 d

7 v5 U" @# c5 S3 g* \9 x    感謝樓上的大大
. [: R8 }( N% P6 o   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * H* t, S  x; U: V3 u9 [. C8 O

, G! q) I$ y+ M
7 J, M& a; Y3 K    感謝您回覆的這麼的詳細
+ Q, I  [1 e9 u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: ~% I- p% M7 o* n. p
! }$ j/ o' [) S  B% C% l  H1 C
不過簡單來說
% u* x3 q8 Y! u! Y7 w在製程時食刻會破壞掉你的元件: U7 p3 g' @6 Y! i
而特性就被損壞
$ P+ N; ^- \/ f; o
. [" }7 n: Z3 `若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># \4 s' y0 p& ?6 a' M% g
所以蝕刻吃他最多6 I8 @# l4 H$ l* n
主要部份特性就不會被破壞* c1 m. ~, c8 Q( v. X% w

# s+ X' n+ ?7 x( c% P8 B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" y) O& _( O8 y* J4 Z2 _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* [& A* a* _; f: h. M7 i

1 G3 v; T# B7 E9 p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ B) |# p6 x6 ?2 ~5 i' F
還有電容也要加0 v* l( N" p9 m" W$ J5 V
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ x; u8 {; i, C
/ z) S5 l$ @9 N8 U/ s" D; B% d0 kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' e+ I, `' F9 J8 \7 V" X
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 i3 T$ T7 K* t: @
' J5 i( F, y- _& _. S/ i; C
+ f1 ]5 @/ j& }+ a; e/ |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 v8 o1 l; k- t! T: [- L- v$ K
' r, u+ u6 Q& [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 H6 ^! ~" i2 W' p+ q
5 W( ?! m) _* o. d1 h數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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