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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* M* g* T8 A; G: S
: J3 A: o2 {5 spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* X6 U+ \8 }6 x大部分是要match
# Q8 {8 ?$ W7 ]; o3 AMetal poly  density  不夠
! l7 s. H; u# q4 G9 O; M2 u/ ]3 r加ㄉ那些也較 DUMMY 0 Q# `/ x9 N& P5 L9 `' f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : U, A; Y4 R2 m9 y% j
4 r* W; B3 k* {! J- l- O

6 c1 ]# ^+ H2 ^5 }( p2 }! K    感謝樓上的大大) `+ V" f2 P0 `& m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 L7 ?, X' z3 q' j) U
/ S) U2 Q5 n$ P/ d! o0 P/ \% a

7 d; v- B' S" q: x  P    感謝您回覆的這麼的詳細2 I% E) H. b2 W1 T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  b7 L5 W4 s+ ?! V9 N- S* }# N0 O
! T" o8 U0 |7 y6 m# r; S& A. L
不過簡單來說
; X4 R+ D, T& X4 g- `7 m在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 e8 @9 Z( V: B! N% y3 U' Q而特性就被損壞) t5 i. t, ?9 E
" K7 `, h1 @# L) p6 X
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ X8 Q: S) N, p( R+ ]
所以蝕刻吃他最多* }0 i+ U  U4 ?; U
主要部份特性就不會被破壞
/ Y, K, J4 |  h, ~) s8 A8 E$ t3 h- J4 f% {
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% A. ^; b& p0 s) I/ X
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; Z+ k3 m  D" K3 f$ o. Y; ]! B6 H& F$ d. E, a/ n. \  n! S5 Z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ x8 E9 q- M, R, Y$ w. c
還有電容也要加+ X4 j% g8 U1 ~5 S( A# U; F
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" k, _0 o; I9 j) g

7 N6 D" _! k: J. z2 j( ?; w) e4 wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: S8 C% j" g9 p3 `7 S+ t! `6 ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) _- ?0 C- n" z. p, T9 \

% U& d( k2 S* L  T8 ^  i$ g2 V  \7 p& e5 w3 n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  k& c+ ?/ ?: z4 c* h; \
3 `1 @3 e2 y* d! g' P
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ j/ K" _7 b! T4 \$ z1 Q7 O% l+ M' ^# Y/ ~3 J5 ]9 j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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