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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* [4 F# m8 K' g" v& E+ b3 ~
3 ?3 |& A. z7 Q* Z' W( q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 |+ z, q7 O1 |2 J
大部分是要match2 V2 @* ?" N5 {: J( g& P/ z0 B
Metal poly  density  不夠0 G; G# t& J2 S1 M$ d
加ㄉ那些也較 DUMMY
% K. `8 O0 a7 H; O1 \8 e0 {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 U! b# N7 ?) ~. x! B
, h2 S3 O7 N0 F* k7 ]
) O0 P4 W1 D7 C9 W  ]2 P; H; B
    感謝樓上的大大
2 ^) `  ^# X: d# M0 R   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" Q: c) |( e" x8 P' z
- `1 d( Y! I1 g, T& e; d$ s& x* n3 O3 T( f1 |2 g
    感謝您回覆的這麼的詳細
5 E/ e& s  b4 N3 X& ?您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( x. h, \+ }+ G3 W: x
& m* E$ k8 u4 P; z% L
不過簡單來說  ]  e2 r  d, r0 [4 U+ d+ i. [1 t
在製程時食刻會破壞掉你的元件- Y3 P2 p/ |; x0 U
而特性就被損壞
5 ]4 X2 R; K' p# _. }1 [$ L
" x+ f8 M( p: I8 H若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: s1 D- G: t8 F# ]& Z! U所以蝕刻吃他最多
( ?" l: }) P: ?& M: s: |主要部份特性就不會被破壞; X. u+ s9 d1 y5 B3 J
7 G/ O( Z" j! {5 Y. J- d* b/ t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: G9 k/ J9 b" z1 T- Z2 E8 ~3 z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& Q5 d# _# J3 D- S- w! N4 D' P0 n2 t. f2 {5 K# h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加# {8 U6 C+ b! U3 a7 [& i
還有電容也要加
  c+ o* V% V' o2 w$ u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 R1 b& F( P. n' ?& ~) C( V3 Q2 `( S- g

1 X5 O% ~8 @) S- g2 O7 S5 a  Rand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." s* S1 n8 [9 j. n* l! h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) l7 o2 I/ f9 I* }. b) u% K% c0 X1 ]# v* a1 k) F  R

$ {1 S2 Y! U! s/ m1 l- |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! L' t' v6 @$ `. l. S4 ^8 V! H! v0 ]* J3 ?% C3 u9 ^! q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 Q, g, |6 k& R% Y; ^3 ~3 u; m

( c- g9 U$ j; U5 q& C  f4 j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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