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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* r' x2 E1 r4 S: J! \2 u3 L) l% K% C, _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ U5 H' @, B& l! p; R- @2 s大部分是要match
( _, J& ^( i9 c/ m5 T4 GMetal poly  density  不夠' |; H. x' b1 g) Q' X2 D
加ㄉ那些也較 DUMMY , R( j5 R% r1 u8 @9 A5 a: U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; x* e2 m' c9 q# Y
+ g4 x1 s! g8 E) \' Z# O: T' F: y, S* M& {+ W6 D
    感謝樓上的大大2 M6 }) T  }2 `. _
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 _7 `% P- \/ E* J9 H7 |8 S* X, S2 P, b1 P2 t) G- R( [
4 R/ c6 Q% u' T. G$ S$ E
    感謝您回覆的這麼的詳細
& K% s& }1 F- k! M, b9 w5 u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- Z. j5 ?! R3 V* C  }1 ^$ \/ Z& E
; n; T- h' q; O$ X) z1 c不過簡單來說& w6 I, H2 P$ s9 {3 m
在製程時食刻會破壞掉你的元件; @2 z, k# j+ k
而特性就被損壞
0 ?3 Y. ~* y( d0 P! ^; i/ f1 W) H+ p0 \/ c- V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 K* Z6 V0 r: N* B3 {* ]5 e所以蝕刻吃他最多/ r4 V6 @0 [& t1 Y
主要部份特性就不會被破壞1 F* G8 Y8 |3 `% |5 P  X

: m% Z+ f; ?# B) ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 h: x4 ~7 ]5 W" j
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* @  {1 n. L; r8 V' k% U, R# k9 {0 |2 z. \: v# ]2 q! C( g, G
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 c" y* Q$ t# \$ h5 G. |還有電容也要加- O% q) q! T# m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 ]/ X; v' a  w- N; N/ K2 A5 g1 u. Z3 S4 Q  b* X1 z+ o* p* q+ o
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  N. ~- l# h# h1 Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! Y8 @2 S8 {% i  h

# e4 t" v) D; g8 G
" a/ ]: \5 U3 a2 A9 X  f    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: F# E$ F- I4 [2 L& C

6 t% ]( v2 E9 e" f% O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* ?" E& g! t8 b! \% v, ~2 s1 q! Q
% Q! L. t# b! X4 b5 {6 n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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