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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* }6 P7 D& @$ Z( T! v; z6 t

/ x0 _" U1 d3 M( ]6 s& x  M# q" Cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: q$ c. X1 i- B' u
大部分是要match
5 w; g+ z1 T6 i( _: b7 uMetal poly  density  不夠
9 b1 a* ^$ O% \7 a/ z' f加ㄉ那些也較 DUMMY + Z' R1 B# O. h6 z. _- t( h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 r; n' c  Z3 x( A7 ^8 _* D+ b3 [

' _, Q1 b; q! p* R# @# \
% Z) R$ G8 H: p$ X: T    感謝樓上的大大
6 m3 z4 b' \3 y( V' ~" I   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; k4 t* A$ r7 u/ V+ _" M

/ m, M8 ?6 I; A; W' K3 W: \
1 B" p" Q  ]5 f0 R( }# r    感謝您回覆的這麼的詳細
0 x: m# [: A6 D  y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( P$ e- u) G# N- ~# }; ^- k' t7 `) ~& @' S' J! r4 f
不過簡單來說! o2 g6 K# ?3 T/ ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件
! n! b: {3 j- i0 V+ n而特性就被損壞
, o! D" k8 P8 F9 K& U0 ?
  B1 `9 c; a& X8 J% l- ]2 d2 j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. ]8 o9 q, Z; \7 F: b5 S+ N所以蝕刻吃他最多9 z# e& `) B, v3 }! X2 t; V
主要部份特性就不會被破壞
9 O! A3 L3 r" I; j: L- N8 [2 s. I6 M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>7 j* F, [1 X3 N1 Z, d; T% D$ E% q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 ?. h. ?9 r! r

  q9 u) j. _$ x1 W3 e9 w又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! ]9 \+ K. T* l8 W- X, V
還有電容也要加
4 B) F% j  \& G7 [, k( D若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 _* F* H8 K$ l
/ k' P8 b# I2 z; Q* x) B% B
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. @3 n6 E. P# {& J! r5 ?vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% U$ o* E: m$ P0 d9 t

- P: W' H6 [( C0 G  A  B( X% Z. P
0 y9 c- T2 P& ?6 g. I5 s0 d    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 L7 S1 O" X! u9 i3 s9 @8 g- ~
. j' q6 L2 c+ I  z7 m1 P( t% v+ @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  }0 E" P2 d4 L" U/ Y+ q$ T, j4 H6 G
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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