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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) c& X% f& |% p2 v0 ^8 O8 N
  ]& z! ~9 V+ b) ]5 G, t! w. o
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( z6 u/ c7 C7 g8 @8 H2 v大部分是要match- s1 K6 v  `; m) G4 g, X
Metal poly  density  不夠
; O) |7 i, k& r7 W1 t/ q! h加ㄉ那些也較 DUMMY
! v4 {. P6 k/ i9 L5 t2 o把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : |1 K$ c: F" _3 Z7 q

$ T( [2 c2 I/ u5 f/ H9 X6 }! r; p! U: c& W; g. L7 ^: P
    感謝樓上的大大
5 b& F. R; V  k" q: N4 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 w8 z1 j' o( H( Y; s; s( W1 L* U
4 q" s3 \! I6 T7 g

- O, o& S' _+ w1 K8 ]6 e    感謝您回覆的這麼的詳細
( J* q1 T" e! ]; X; W您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: Z6 W9 V- d$ F8 u5 g# \2 F* x* x4 c# C6 l, r, ?
不過簡單來說
8 O: T. n' o, l4 |在製程時食刻會破壞掉你的元件& |- T, p- u6 ?2 o) v4 e
而特性就被損壞
  e% ~* S8 t& l  y# p
" W( w1 d  I6 n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; z  L: l9 c) q- a# c8 U  s9 X所以蝕刻吃他最多
! u3 Z4 x( |/ ^$ d主要部份特性就不會被破壞5 N! _  G/ U/ l( H' X% o1 D

! |' N. w2 A8 e! ?; s6 o# f3 a+ J很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. U8 g0 f) l" w3 O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 W3 d1 _  W. x! L

+ k& m" g  q% N* X7 ]又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( }8 F% `- A: S4 k/ @( m0 h! [還有電容也要加
( w$ }/ g/ W$ V" B$ j若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ C1 `8 }& \8 H- A6 a+ y* W: U5 |
4 G. T7 R6 O( R3 M3 m5 Zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 K0 J+ l7 I8 E" ^$ q. j" U
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, F) _" x% g) p
; O; v! l# n/ b  e! {
) L' Z. C& U6 h# e5 F1 U- C4 ^    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 x. t" ]4 \. c, o" C% o
7 \8 _3 H& J6 w; O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??& {. a- J# Z' _3 _( _/ o5 ^5 Y
$ D" k8 c! U) r3 c! a9 N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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