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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" M0 v, E: h" A9 ?
8 {% v% s3 a5 H' ]! g* L( Wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% n0 b5 A8 M' C2 a8 v
大部分是要match: k- L$ d5 R$ g# s+ E* s
Metal poly  density  不夠5 i& {1 F* `4 [( Z* @6 {
加ㄉ那些也較 DUMMY
3 A$ F: D* D. p, J$ S8 y6 }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! `- _- ?. h: o( D" a' M

3 R0 S/ h3 B, l2 t# B. @& j, F7 S
  O4 \* l* K" G/ _8 j/ u: f1 E& A    感謝樓上的大大
2 p! h8 }' Q- m) `/ t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' G0 k; a' S7 y) Q0 _: Q' l

2 `0 c+ |$ g! H/ V( g* g
4 o) j  [% Z4 u1 Q' V2 o0 d    感謝您回覆的這麼的詳細4 z  ^, F* S; w( n. ]' R
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 i$ E: n% k' o; `' e

. U9 t( o4 H' g0 }2 @8 S不過簡單來說) C+ s5 R+ S1 E) u0 h0 T9 e
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 Y, v6 q% I- ?% \) d而特性就被損壞
1 I# E0 @. k4 K1 C) ]6 Q& q. b9 N; u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" g* l! r) s! g# c$ x- p
所以蝕刻吃他最多
  W0 z" V9 i- s$ n0 n主要部份特性就不會被破壞
# z$ f& a8 u" Z- b; y, R  b+ l; |: ]) [" ]$ ]' O! s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# \8 L0 q! @; u, n所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. ~' w$ ]" A5 x' p2 i* j/ W7 F
- |- l3 K8 f4 _, M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 j5 V" I& K4 f/ C& V6 J, H- n
還有電容也要加
: v+ ]7 X$ M4 V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ c* r( W( h$ _: ]4 H
% E. H6 @- v: o' \4 ^2 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ k, x9 Z8 d: ~% l" z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 x6 b/ V/ h0 q/ J4 a' {
( k8 P4 s. e  i1 I& \1 o0 U4 ]4 n7 q* m1 U+ X8 X6 Z$ C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 j2 g7 i, q/ ^. ~9 M0 e

5 e# A, S$ r5 b3 S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 e. }0 N7 k8 o

8 k/ z1 ?8 B4 D) t數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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