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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ v4 V- j* i# O6 C. u" y+ t5 r" z- l& y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  X3 z" L/ k& |大部分是要match
0 x) i" a2 D5 n6 w1 cMetal poly  density  不夠$ u  P1 N: W0 K6 u7 P! k7 p
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ W; {8 L/ [5 Y4 p8 [" P把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 P. v. G( m8 t! F, ~, R

; u. j8 [* H$ d* Z7 c
4 S9 [' e3 \  Y& |. w: B9 X    感謝樓上的大大
* d" s% G: f0 ~! T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + d) R# W" n0 m' o2 F5 G& O* e

6 q5 a* p  R3 z0 O" Z) a9 s1 o" F
    感謝您回覆的這麼的詳細- b% ]0 C( z3 s4 W1 S5 o* \: r
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 x( R! B* G/ M  ]- X( L6 @" m, w; n! c0 p/ s! P
不過簡單來說& M/ K/ g3 ]  `  a( @6 Z
在製程時食刻會破壞掉你的元件' \, S4 s2 t1 s; A
而特性就被損壞
% w1 O/ }/ t5 o  v' d) n3 T" C# l; J5 W
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- x  y4 L% a* y8 T所以蝕刻吃他最多
7 N! ?. u- Q( l3 ?) M' `2 _& S主要部份特性就不會被破壞. d' R/ N0 w" c2 R' j
- d& f1 Z: Y  O) g& G+ i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 N# d" c( t$ Q/ s/ t0 W
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享$ Z! w; t0 K' D9 p7 A  w
! @  B  H6 V# O) c5 G9 }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ A6 R- Q9 t: L5 {" Z& j
還有電容也要加
& T& k) J' V6 V% b  e3 H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 X$ j9 m8 ]' e3 Z7 Z
# n0 Y' K2 y8 b8 _: e) `
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( e* L: t3 K. Vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; L$ ^- x/ `  U; |3 @8 Z
# p4 {6 `6 d! R' ~* h7 B3 f

9 z' p" T; I. H. T7 A3 Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
9 }+ V& g4 z3 Z
* c" k" z4 k# o& b! A- a1 X如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* }, Y6 }; z& v" W
' {. |2 h) z9 m  z9 w+ d& c; g# q3 m數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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