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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& N. {5 y+ Z+ L4 _* `
) \6 m$ ^: [$ p' r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 a5 B7 L- j( @( x$ {' d( t
大部分是要match' j3 t8 [. v7 {5 C9 h$ }6 K  q1 h
Metal poly  density  不夠
& k  g) r* _4 h; `* v$ ~3 e4 ]" [加ㄉ那些也較 DUMMY
9 \+ Y5 ]; Q1 d$ e. ~1 @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 o: u: f) d2 }
0 J' j1 |) V! o% A/ b% q' K- ]) y3 }& ]! [! B4 R% t! l' Q
    感謝樓上的大大
9 B4 E- f" Z2 k, W( K  ^   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 $ R% h) t- f; B8 L; |' t
) i) I& R: y  o, {0 e0 s1 G1 {

2 E1 ^7 |. P6 e7 x    感謝您回覆的這麼的詳細/ s9 _5 m  p% r* m" }! h. X& f7 l7 }
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 c; b+ ]: d5 m3 z; H8 e& T* ?0 L

, H7 K9 [0 p6 r( m0 {, m不過簡單來說
7 d8 f, s- ~" W+ b/ a在製程時食刻會破壞掉你的元件
" \% k9 W( o1 V) l, j而特性就被損壞" z6 x9 m/ d8 {6 ^" u! n

( r% p' l3 M! N+ Z5 v3 c: r& ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: }" d# a0 d: g1 w4 ^  s5 X所以蝕刻吃他最多
1 y9 g" h& E( N% u+ i2 M3 I6 @主要部份特性就不會被破壞* z+ D) `8 v) ~  q
+ m9 S; P$ F1 o6 z8 ~; I
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 M2 B, w$ a4 D5 I) g" q) D
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; I: ^7 v9 v+ x, b" v7 w
, i! d1 b0 W/ k1 m7 v: L
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 K5 k; X' ?! \) K2 w0 ]0 Z# i還有電容也要加$ T5 [# x0 C; P0 v" N8 d" y
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& M% L! p! u$ N5 Y6 j7 h: `# a0 S) \" Z9 L3 U% C2 R  W
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 v2 c1 f2 S7 V+ D7 n+ S" @. v
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 z- n/ P2 d1 G& @0 c$ |

/ ^7 S6 i7 [& h2 k3 R9 }0 M- M
6 T5 m8 R9 ?& p( T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 g7 w% {2 _: ?" q
' u0 @) F: w8 j0 z4 {& D& H( g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' v' W3 o. Y) O! G' D' ?" }4 n6 g$ P' j1 q3 D/ N* R3 x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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