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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 d  }" V& v2 H* Z7 Q+ S; x' Q: |$ [% H2 I. v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密/ u" s5 E9 V- S% O7 n
大部分是要match
8 K" L. {' s0 \6 {Metal poly  density  不夠
6 @6 k! \2 t0 o1 k+ y7 e加ㄉ那些也較 DUMMY $ N( r9 c4 I: w2 Q# S$ G
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( `) m: m9 A. K3 H9 K$ }/ ]. E
, p" j3 m  ~9 ~( e
4 C2 q  l8 c, Z! p
    感謝樓上的大大5 J% _9 k9 b- T, V8 h2 \
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 y2 n. c8 o) W- e( e( z4 ]) _  f0 T6 G  t- F
' Z* b9 \' P, s' ~& x, C+ J
    感謝您回覆的這麼的詳細
& A. d# ^- E% i5 {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; f# o  j" q7 a0 @2 a
1 C! b+ Q; a. }2 a+ o
不過簡單來說0 _5 P& Y3 r9 P( A
在製程時食刻會破壞掉你的元件  ^7 W& s  b. B1 ?4 V( h/ T
而特性就被損壞
8 y4 l2 e5 B! c  }! x/ o( e. d
5 f& s: K6 u. A- R: J+ X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 j& x, U* x; D- k8 B; }7 b
所以蝕刻吃他最多/ ~$ K3 \3 N( H3 Q  c* w: N
主要部份特性就不會被破壞
6 p% A$ M! u6 f- E  r. A' `: h5 n6 f% D+ N# S0 b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ C: O0 N- g9 C1 A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( ^( `0 X( a# ~" C% V' I

: X' Y' e! c( ~- t; q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 ^9 O' s8 W) f+ O7 Z% B
還有電容也要加4 b3 J, K) E& G  `2 Z  Z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- _5 B8 S* `0 S1 p9 c, y8 ^3 m( V' ]
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 k! m. y; K5 E$ E# c$ W0 `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' q4 @: d6 f  y( p9 g4 @

' ~* P. S6 D; {- E6 s+ P
: d* K& z: V  b' @% J# W! H    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  i* S" G" u6 ]0 ?4 Z! G: o2 p0 a% @7 W, x. w$ _/ u4 Y8 S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, o1 {0 j% a2 M" i; l9 X

& U7 p6 q: g  t/ r" O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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