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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 W! {) D2 K' N- [/ S7 ^" i6 _+ Y& D- w0 [0 x& D% j$ s8 `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. V3 [* E& y9 f( A大部分是要match
2 B8 e( P5 E+ L" V( L! kMetal poly  density  不夠! W7 c) Q. N. Q2 i. j
加ㄉ那些也較 DUMMY
- ^7 M$ W. s! O# g9 h$ s# c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / `+ h2 w8 J5 D

1 q% ^1 w! J- L. I  R5 H6 m2 F: G( s7 z0 A; M
    感謝樓上的大大1 I6 v" v  V) _. X# F% e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ z6 H4 R/ K& A9 S; D5 a& o+ B) ~; B8 ~) r! F7 n/ A3 b
4 M1 M  k2 s1 j9 g
    感謝您回覆的這麼的詳細4 }( }" q6 y* u! b) s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 l% h6 a. S! f. z7 {# V! p$ l2 T3 }7 J4 y2 d* q1 _
不過簡單來說% C" g& ]1 u% r2 p3 }! O2 v
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# M- g/ w3 p; u而特性就被損壞" g5 g& h2 ~, G

9 @& X( E4 e# B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 n* a6 x5 O/ ]2 o; @
所以蝕刻吃他最多
" Q$ H4 {$ [! f) q& j主要部份特性就不會被破壞
% ^8 G( Q$ [% f: }/ U  V. r) G& f$ u0 e% p- [2 P! ~9 n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ c0 ]/ b( P" r! }( c% c3 ^% q3 ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# Q: |2 Z. |" S. h5 D
5 ?# ^) I- ~4 P1 e% O2 B- j
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& }# _* Y( T5 Z& ?# H0 R/ D還有電容也要加
. q, E6 Q0 x6 B% O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: j$ x6 V4 V$ _
- S: N# J  g; H+ Yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 m0 W* N) q9 J; p( @* u9 }0 y) y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 e5 p# H6 ], e* n
3 W7 h5 q( y, f+ W

% s! p" h  L* q$ r    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ C1 |2 p6 |  `: u9 Y) O
& F" t5 c3 x; P" f: P如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  ^" w! }5 ]1 A% m) P" j

8 B/ T# w( e3 e0 i0 j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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