Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55089|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 f& m5 J/ e+ N) H7 v& n) S( m
( s* a  g$ c6 s0 Y/ X/ k
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- {; j: j- U% j- R5 s4 X
大部分是要match& @: O  N6 \) v
Metal poly  density  不夠
" N& {5 Y! j# G0 A( `加ㄉ那些也較 DUMMY ; ], k* {* J/ K( ^9 c0 f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - ~5 P# i) s* i, b$ M
. n/ `1 p& M- x

. k: m6 @! ~) f  t: {; t+ I9 z# }8 r    感謝樓上的大大) g' E; s  e% j0 {& c6 e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 h" ^; W: Z7 Z5 X! B6 [5 {9 H
% L) {9 L. s$ u, K3 j5 j
  j7 ]1 P% X3 P" W% u* E( H' h
    感謝您回覆的這麼的詳細
; |( b/ B7 ]+ E8 Q" S+ ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 a  }) g# R  x( n6 ^

- W2 o: C$ Z- ]  F) {不過簡單來說
7 X' f  ]/ E; \9 r4 N. M在製程時食刻會破壞掉你的元件) x; i9 }6 O& q' u3 Y, J7 `
而特性就被損壞8 g0 T5 c5 O, X' s& N2 z

; c1 }, U7 w+ _% g5 v5 i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. B0 ^: v- i+ y: T$ ]  z" U
所以蝕刻吃他最多- @) i) ?* D+ f6 _+ F* k" f( s
主要部份特性就不會被破壞
3 ^8 K5 _; E! m- _8 ?( P8 Y: t* r  V% i1 D4 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 }3 {$ r; G% C, t  l. A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- u% }6 M3 M! H0 ?* T  W6 Y

2 j, r8 B9 V2 c7 @- T, a/ d又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 Y* {3 @5 _) j, ~) ?# w" a
還有電容也要加* x; t; a  p4 C% P$ _3 k5 D7 `
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 \7 P- ]! W; W: \7 x5 D0 S  Z, t( q: d& b- E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' Z# ]+ I- N$ a% v1 c8 T0 Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: Y& |" _1 h6 z2 _; a1 k+ s
. Q8 |0 z" r  K5 d
  E" Q; h: f% H3 C- r% J$ |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( K- M. ~, b: o: J) D" J- w1 ?: O+ ^  o+ Y2 t# b
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& w* x4 Y% D- J9 j+ a3 T9 S7 _/ N2 s. M% H
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 07:16 AM , Processed in 0.198011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表