Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55012|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- C' F! m( }# D3 C9 [
3 o. e* ?& m% u2 D2 ?. Wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 c/ t7 L% Q& C4 u
大部分是要match
# N: t0 s9 F& W# K0 Z' D& AMetal poly  density  不夠
/ j% D5 E0 E* N( o6 W# Q# P加ㄉ那些也較 DUMMY
- E4 I2 y% {! ?8 y4 i1 k" @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
9 O0 H6 ~/ o3 }; Z# o9 }3 z: u4 N: Q$ Z, J* ~

0 N) s7 c* |% @    感謝樓上的大大
) T6 m$ v  \! \0 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) f* {, M- X' I

6 d  N2 }/ j- p  H+ P0 |' Q/ P; b6 T
    感謝您回覆的這麼的詳細
, U8 l$ U1 d; |( S8 k您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 D8 O+ m. @4 i  H! [% Y
& e, i* k7 R( _# b
不過簡單來說+ _: e" ^# A# _3 o
在製程時食刻會破壞掉你的元件
; q& v' G4 P/ u, d! x& [) o而特性就被損壞5 k/ U% M1 Y4 ]" N' {
0 V& h& U# K& P3 v3 F1 P! X
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# N) {3 v2 l* p4 w所以蝕刻吃他最多
/ j5 l, w* v  r主要部份特性就不會被破壞# c& M0 f) K# i0 `. ?4 b
: O$ [+ y' h( E/ y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) l* N- L- r) b5 _* ?所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享: L  E% T) H. ^  y& g5 s0 @8 z
7 a6 e. C. Z! ]+ l# G4 D
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( Y7 P7 O/ F( O' ~. o還有電容也要加
* r8 P. l, R* q: I( o' B5 r0 M若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! E0 s2 @. o) ?- Y# |+ c# D4 e! I, b9 E# h- w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' B, i, d6 d" _" Vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- {, m. j, {! ?1 L- f
$ U* ?8 _6 e3 r  H  C; j# |9 y9 ]4 O/ P1 w0 |4 y( p- ?2 y0 }" w
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" F+ [3 J6 s! X# K
  l$ M7 h6 p2 y8 p
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( ^/ V) G! N4 \( a
/ g% ]1 _+ l/ V; o0 K& |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 08:11 PM , Processed in 0.179010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表