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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  m9 d# @+ C7 G
4 b% C) b, T! ^% `* O$ ?6 L' k% o0 Z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  K8 p# ~: d8 H+ Q
大部分是要match; i. F# A: E. V; o0 L! R. ^2 E
Metal poly  density  不夠
  o; h$ A1 ?1 H7 P# h/ `" R加ㄉ那些也較 DUMMY ' @* |) t" m# G7 B5 G4 t' V! R
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 ~) z' t2 G" ?. m* Y" `
" u6 v! `% q3 ]/ ?3 S
; H& C2 G" A4 d% q2 Y2 |, h8 P
    感謝樓上的大大* l- r% F8 \! m( h2 m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * b# m0 j, y2 h0 e1 {
2 k+ }  C7 Q$ }( B2 q

3 f' v+ d: a/ G$ |) e9 j% G1 g    感謝您回覆的這麼的詳細
8 n$ [& b6 V" W# B6 r4 B/ L  M& S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) X- |* x. S3 f* c0 W& T; W8 R8 E# Z2 g" r+ p5 S
不過簡單來說1 D" u/ `& x" _$ \' K
在製程時食刻會破壞掉你的元件9 Y/ s: }9 {/ x6 F5 z
而特性就被損壞- @) D/ Y; K5 b( a

, S7 s3 F/ `$ w8 \3 B& m$ T若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>( S* }" J6 d3 N- O
所以蝕刻吃他最多; w7 K% I0 I# L
主要部份特性就不會被破壞' C3 v4 T5 w! Q7 i1 h" `2 Z$ T8 D4 @

* q+ E, s9 k+ w4 I. ~8 v$ A很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( d4 }2 a9 l; k6 B$ A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 z% w# L. D" k9 x* A# M1 r
4 a- Z6 D8 P. w7 L/ ]3 F+ M; P又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 p; ^$ }0 |' S' W+ z
還有電容也要加8 W  y8 t" N' ^2 \# e( f0 C
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) M5 O0 Z/ G) R+ K( x
: ^1 E& X  t4 Q/ t: E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  Y; _, k7 ~7 ]3 y- A9 |vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- \4 W- m$ h' r" ~+ O
1 w8 _# A/ E& m7 A
/ q% G* V( J* O8 F9 H. m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 i, N) U* i3 t/ `& R
0 ?6 U* Z$ i& j$ c. }如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% f4 h  g) Q+ i$ r5 ~5 ^

- a, i; w/ U% N( }2 W數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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