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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 s# W2 v$ D( D0 {( w0 I5 u

8 q$ W% P% ~! C( e( t2 c) }" W# Apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  _& i8 x2 a6 L$ I! I# D; O大部分是要match
0 @, D, U) \  e; u' P- Z+ _Metal poly  density  不夠
* y" D/ F  U7 X- s, \& z/ {加ㄉ那些也較 DUMMY
' M+ B7 b9 L/ l! a+ O$ G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 x  J. T; g- ~& D4 U3 e( u

+ s) M' ?. l: a$ r: E& b0 h: D* ^. O/ e( V
    感謝樓上的大大+ S: u+ ]! ~8 z: f, q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 k2 \/ C8 m! f) E$ I
8 K$ r+ |: j$ L! p4 M  x7 Z
8 E9 W  U" D. z7 c1 z2 r! ~" |) @
    感謝您回覆的這麼的詳細
' L( P  {# p* @您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 p/ M6 n! N9 j% O8 Y
, q7 k* O. J) L% p* H
不過簡單來說
5 C* U% X) N1 V, |在製程時食刻會破壞掉你的元件$ R1 e: y' H. S+ [
而特性就被損壞, H/ \$ ]* A" F; m% e1 m

, q5 q2 @0 e" [! i1 Y/ ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 T; f3 z7 l0 Y1 X. _, b5 R# o5 l所以蝕刻吃他最多: p& E# E( H0 Y. H4 ]. I' a
主要部份特性就不會被破壞
- j# ?  q4 ]6 u: x' J( O
/ u2 H+ M0 n/ f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- d0 p8 A2 \7 z2 V: @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 z( N0 T8 o' J$ N2 F; T4 r4 k  j6 u/ O+ y( U! }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 G" G3 q' A7 z還有電容也要加
" O. O! O% c# r& z* c" R' t# e若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% D( q6 g) y( d& I  }8 L" T" u# T' T, h' [
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% f0 I# c0 G1 P6 Q1 V0 s0 e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! G4 Q# u7 }  z4 i+ f/ V

* F3 P" S8 |/ C# U
3 _' S$ G" w; _% T# V. y1 [    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% _% w% E/ ^  s& \  K- k! P' g
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& a3 N8 i7 U/ t; o- |. C; J  J" I( c  J; F5 a7 e, @" i& A- d
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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