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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 @( r. N9 l# @0 o

- E  C2 I7 Y/ T, qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 h& b! x  a& D大部分是要match
0 d1 ?/ a' k9 Z& x; L& s5 C+ iMetal poly  density  不夠
4 y% `5 |3 @9 X% ?4 E% K% `加ㄉ那些也較 DUMMY
% a* g  B4 v; k# o# N' p- u把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 M1 K1 T5 z: d( _! T3 \9 J
( E$ p0 f0 \  }( J+ F. {3 S- ^* m" o' m
    感謝樓上的大大% j. m5 G+ _7 [  }* d
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" a6 S  A9 Y. t$ b, }! Q0 ^+ P$ |) m; y8 B, o
' U  N/ A  P) A1 t0 l
    感謝您回覆的這麼的詳細& K1 J6 |' T; W" F4 s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 U" F! I! ^$ P% j- d  M) Q

" Z' ^! n- E1 S. D- \0 B' L不過簡單來說
; Y1 y3 _9 d1 e/ s0 W+ o  t# d在製程時食刻會破壞掉你的元件
) J1 O/ Z0 R7 S: ^. x而特性就被損壞
$ J$ l/ y0 p( ^; x5 O
& {. d; D0 q$ Q& ]4 o6 Z2 A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* F- J1 y+ Z; e; {/ y' N
所以蝕刻吃他最多; F) f# a( U; j& V; z3 W
主要部份特性就不會被破壞
) `% V% _! r1 A! J: {+ h/ Y, f4 v
- r) s% I1 S- w# x; O9 A1 a! ?/ \% Y1 U很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 }# x4 M2 X) l* Y9 U- e2 Q0 Z. {所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 P: |3 w4 l# I/ S4 O, g2 x
3 s" D1 G! n* l" N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* P; e3 [* y* ]) V9 R! o' `還有電容也要加
8 z& W+ |& H; r  M0 H& v3 P6 z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( B1 D8 c# w! S* e/ V' U' L
1 f. a1 q* I4 e2 \: p& Dand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ P& v) p0 Z2 \: I
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 Z: q0 W+ X8 W7 a7 g2 `. t: ?5 f5 K  y$ O9 Y
+ I! B0 ?3 S" S4 J+ h8 F0 n  T% a& J
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 H3 t9 `2 u& q4 b: K$ [& K( V) }+ s7 S* I* ~6 ]5 G- V; K( j& f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ U" r$ ?# s: @6 G* Q* U7 F+ A: e- T0 s3 K/ F% {
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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