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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 L  g+ e2 e. v, U0 ]9 q5 p

7 w  Z) @% s9 T0 kpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! y8 T' h& c1 m7 p( I9 B
大部分是要match
9 ^* n4 V8 I5 F; N( rMetal poly  density  不夠
8 s8 @% y0 m; Q- F% Y3 E; h加ㄉ那些也較 DUMMY
6 U8 h7 T7 W0 b, h( ]8 ?2 S3 |把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + P- X% P, h& D! c& ^+ \" a8 o5 ?% k
( U; x, D/ u+ v+ n: D
5 E" S5 l# q- C  G2 U
    感謝樓上的大大+ p# k5 w) f2 u0 l7 f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 R* s$ n$ p5 c+ c0 g* C! `+ V) L5 P5 k* L+ h- R
% N" w) D* s. n2 S+ m- ~
    感謝您回覆的這麼的詳細
$ w" ~8 l( K& Y$ A您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  F- B/ e$ I* S' l) `
& _" `' ~" I3 R7 y& i& e' u不過簡單來說! |* L- P; j2 O* t- t1 P
在製程時食刻會破壞掉你的元件) J- H; {* q! G9 C/ y
而特性就被損壞
+ I9 V3 A4 y- c4 x; w
9 @! C& R; y( `, v- t; w) q5 @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ F6 A( C$ V7 h0 A9 R
所以蝕刻吃他最多* v0 n; J4 L7 t; I% m8 |! H, @4 X
主要部份特性就不會被破壞4 {9 @5 S( o* ]' l. h

* u' _& w$ b3 y+ I: |很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: j5 _) x& i( u( b- p! ?9 f所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, X: Y- }7 I, [8 E6 [# o- r. ?0 j8 l. s' l, O! t" N; k; g) }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; L* }; D9 h, {3 g還有電容也要加
8 ?: h: @' s' u; f" o$ h$ V* G若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! [4 l$ \- S/ K# B: e/ J, |- b1 A

7 C# d2 f' T9 U$ Eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ @! E- l' f0 Y. R- Q. Q: Rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* D4 k6 T: a$ X- F4 m
- C  h; y+ ]7 W
9 U8 |6 d( |0 x, X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 g7 s1 Q3 |& q% W# P: f) u2 G9 @9 j

+ U6 i0 d+ c2 Q: f7 V0 i如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 E7 O. }9 W' h6 d. U) }8 D* U5 O. Q+ W% _( R) C8 q( e$ V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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