Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55025|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 X1 F7 u& I- \8 ?1 D0 j
3 Y! q) S) s" ~- ~9 Ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' j; c0 t8 W: u: x% @: D" y  F7 [大部分是要match! ?6 V3 z1 `/ R9 G
Metal poly  density  不夠! Y; M0 q! V6 _
加ㄉ那些也較 DUMMY
# X2 p" w* H9 T% d( a& x把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* n! m+ f: |6 J' A' }& }6 v$ F% i- p2 N. Z1 Z4 z

( P4 p' J1 P$ x7 z0 s0 s    感謝樓上的大大
, [, B; {& q; c! S6 f8 T3 ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 h* A2 p( R% W# }

! Z4 V9 R5 N7 d% j, y: q1 X- u; Z+ w& H( c' y/ V
    感謝您回覆的這麼的詳細+ Z& W  Z' N  W# |: F3 q3 F+ \: [
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 `% C) c5 R& {: k/ ~% K1 j8 b, x% z: R: r% x% S7 R# X$ _
不過簡單來說4 O' t1 F5 Z! r3 \8 L2 m
在製程時食刻會破壞掉你的元件8 U2 R6 l# d) B; g2 y
而特性就被損壞5 [# Q, G; m/ J" v7 C* r

1 X0 z" c- w* s' G6 e8 }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
3 S( F% |, {( W0 q6 t所以蝕刻吃他最多2 T+ O! j* e2 c, D1 d
主要部份特性就不會被破壞
, g* L  J" |, }3 N% ~4 L
0 N3 h' c) b" ~( {' V很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 V8 M8 v% f+ N% X- n. s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; u  E# ~( }- b. b, ^8 X

; L: ]8 E# {5 A/ w7 ~又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& C+ v, f2 }4 [/ G5 @還有電容也要加) D3 N: _) c( A6 z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. q3 [& ?9 |6 r' Y! [) c& ^
  Q. {* b0 z* U  f3 l. B5 Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- f$ m6 i) P3 Q" G) Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 L" v. f, r6 X: g( ^
4 y$ A6 Y% c1 B  e/ G4 o0 d! q4 U. _  J! l' x' {/ O$ O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* J$ K+ c, ~( O- B0 p) C, C; a1 }) ]2 |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 y+ ]- b6 O3 k. |# @  {' L& V7 \% Z* F! O0 `0 F# \( E! V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 09:39 PM , Processed in 0.178010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表