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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 j/ j& ^. v5 r$ y
- A1 R; H, `- F1 d5 ?( L' [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! B: b& h& @+ R, F; j: x大部分是要match2 E! T. r% V" _8 u
Metal poly  density  不夠2 r6 n) t3 R+ L$ T
加ㄉ那些也較 DUMMY . S" T% i* Z" K: G% k
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: v. z! Z: K" g1 R3 {3 y: f/ j0 @2 |- O5 G

% u* w3 D2 z# ]7 I    感謝樓上的大大( u3 G; w! S& b5 u; J3 `
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& W$ a; ]# g- A9 E" B+ H& u  ?3 B
0 ]8 }2 b8 k! E+ A9 L- [
    感謝您回覆的這麼的詳細( g) |, E: A3 B
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, f- |. Q. j" k& {* v

# @( c- q# l" n# e* G不過簡單來說. r4 v( X0 T: V  Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 Q5 H. f4 H4 E. l9 v0 M, A' z而特性就被損壞& ^5 D3 L: I/ X" Q1 U& G# L8 m

, O" B  e) {5 d9 ^# w6 u8 A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 Y2 x; u& m+ A7 o: x6 _
所以蝕刻吃他最多
: B+ E& `. X. Z$ M; m主要部份特性就不會被破壞: V) i' W2 Q) g5 g' d

* \, ?2 i, y( ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
' f' E. F/ |! s! Y& E% J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 H* }. w, q# f5 i4 x0 q9 F
: m4 q6 c- c/ O# r& @; e; t$ x
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& @7 B) U) y/ j
還有電容也要加& ~+ S5 e* I" s, ~, Q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!0 J$ ]# Z9 B1 e5 i
' h: K# N! W* j. t
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 Z" i& `& P+ P9 y/ N# S8 Z; lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 |" l% S" m* e- p+ e2 q

5 U; u+ y" V# q4 F7 |9 t4 Y3 s
: Z) p9 _" r, o9 S7 ?; H; Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 i" B/ J/ w$ J6 g; D; n, h
- i' V& W8 ^0 ^' _* Q# n+ }如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! K. @; Y" u2 B+ X' F

* L: @$ U, \' w, v, y2 N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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