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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. \: i# l' I9 |0 H  [+ S
7 Q0 Q" u+ X# y( `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( A: j/ m" M+ ?/ h
大部分是要match  U( Q; p0 E6 |; E. P4 T% ^, L
Metal poly  density  不夠
! u- k! n9 N5 t加ㄉ那些也較 DUMMY
( R  i" h" F+ q3 M* T把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" r$ R3 o  A' Y/ @# v! u0 ]* @8 K
" z9 H  ?' F( y0 V/ A, v: K; H$ n/ K- ~/ w# Z  T" z
    感謝樓上的大大! s# D1 j- l' V4 S: v2 E5 v; u
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & M8 m+ Q9 R  L
6 `7 i8 k  D0 O# E0 N* Q7 K
  l" N# D2 I0 Q# E
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 S3 Y, |, U3 f0 v您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! e) b  B0 B& A4 u5 x2 W
. S" O; n  q6 X  X不過簡單來說
9 k1 m; X& h- d8 ?3 I3 j/ s7 ^4 j在製程時食刻會破壞掉你的元件0 {& q9 A5 Y; \( f. R4 r, d; F
而特性就被損壞. k1 X; Q5 ]& C3 H

5 ^' s7 u; x% d若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: L# N5 }- I" M所以蝕刻吃他最多
7 q6 ~* c! K) _2 g- `# a: ~5 _主要部份特性就不會被破壞% s1 p# O  w: s. H6 v* _
' U0 o$ w4 K* M4 Q3 R
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: d* p/ t7 ~, [: ~# P) V5 k& i/ J
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* X0 f! T. K+ Q3 I& f$ ]1 s
$ x9 D) c- M& v) h8 g* A. K又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ q% W# n& N/ R+ V! O- E還有電容也要加( f- M, j2 g! v% @& C4 Y7 {1 G
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: M; c0 S# l; |" F+ `  ^* o
& U, X/ O, L5 v5 J, g, hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 x/ I, G; y  n1 e; H! K
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
8 h/ P! \4 t8 g& T; O  Z+ V
! d* R* o* }! p* O+ C. j
7 j5 ~2 S( }% C" J
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; u7 {) ~. j  h1 l1 L0 `! p8 \3 `7 }$ L. H5 y% l: Q9 R' D2 [5 d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 h) C' u/ m: m  `. G9 b* |
% y# b& E# Q: o- Y6 P/ B+ `: Y3 a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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