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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* a6 N( k4 B/ p8 m8 m8 E, v% \

/ H, Z% ^% j0 L4 M8 J5 Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! c. w: ?) K8 |$ B1 U" n5 E" A
大部分是要match1 T& ~; S( X7 H$ A
Metal poly  density  不夠& l" H; n0 v" W5 I4 f
加ㄉ那些也較 DUMMY
. g/ R* y! S9 R( O$ ?0 |0 @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % ]+ u( G7 }" C6 t( s: j

  J9 ]: F* E( ?2 s: ^+ K0 Y  m3 K( R
    感謝樓上的大大" b8 _+ a1 p+ Y2 Z; I" \7 p2 u) L
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 i2 X( T* ?7 ]: ~/ E9 q

# ]- d3 F4 \1 y
$ _/ M4 T6 L1 [, O    感謝您回覆的這麼的詳細
3 L1 ~& l) h2 O/ E+ i, l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: e# B3 H) W. X$ i

6 j& E9 U( w( P6 T0 i- b- Q. n不過簡單來說/ U$ }6 P$ Z# J1 S' p) N
在製程時食刻會破壞掉你的元件: Z+ B. v: G) o' E
而特性就被損壞
" B9 ]6 o6 F8 Q' }/ b* L; |5 [5 r4 |! e
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ }9 Z1 E* U. N! K; F' ~所以蝕刻吃他最多$ ?( k2 X* O( l0 t5 i! M" f( v9 U
主要部份特性就不會被破壞! B* K$ e/ f; ~( X: _
" X5 p! L+ t1 C3 }( r; z+ |- ^1 A
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 R6 }8 I& E( g4 j4 F. J* E6 @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* I  r4 G' d  ]) G' g/ r
$ \! Z9 I- ?1 I- B
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; h1 Z: |+ T! g6 Z2 z5 A還有電容也要加3 \  [" W6 [9 W+ y1 G6 H4 D5 [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ c( S) ^0 h7 D0 U

# v7 l1 Q& G2 F* D: A0 q. pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." a; g6 H& m7 S  t" }( G3 I
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& z/ j1 X! {& ~: ~: F& e1 B9 c
( R' x7 w) E* _7 D
# l. O' c, B) A0 v7 p9 ?9 W    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??2 l) E! z# n1 M* t2 E- H5 m2 ?) N/ I; |

% Y, J. w$ Z  b. a1 |# z: u+ D" F3 C如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, |" T3 V3 A7 B5 u" A. G* ]3 J
& h. C5 t; u0 g/ s3 P# ?數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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