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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ p" X; t" {  u/ D. L5 O$ M+ P( s
. s8 t& F" b- ^% ~2 e
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) ^3 ^% M! ~8 H2 y% K" j/ [) x2 L
大部分是要match
! w% k9 z9 j# S3 i& ]3 q# Q, mMetal poly  density  不夠' F( \' ^  T5 E5 l. ~# h
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 }. @# H7 M# t+ C# t
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 @6 U5 b0 U3 B  M% Q

& y. }( c5 ?: B' q
( {0 E: j( x- ]2 S    感謝樓上的大大
, Y# ^* U$ h4 k. a. f0 F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 \7 a: x! \1 w6 ^+ W- h) Z3 c6 c% A! S8 \) h; V' h, r; v" t) e, j9 H
6 v8 C1 P) `6 w' q3 T
    感謝您回覆的這麼的詳細) O6 p. y+ F2 Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( m; `/ _! |- k7 W" l
: D6 z# N7 P: }3 o5 `+ P
不過簡單來說) S6 l7 h# H) l& l+ D- ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件
& ^8 F! d* I6 t( ~4 j  x, ], T. j而特性就被損壞
* m5 }- O& M+ R* P" t7 d3 c5 w& H' {: c% y1 I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>( H7 h6 @1 N  r' c1 |
所以蝕刻吃他最多
4 u9 X) B5 N. F主要部份特性就不會被破壞, ^0 V. {# q& M3 b
. C9 U1 M- j* P+ j, X5 J  E$ g! ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 e0 T! y6 d- b6 H/ R' M2 d( Q4 V所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! |# H& T! z6 C$ r/ D. i9 {! y* D2 X
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, {' ^8 \. f8 ^3 K  V5 P( r還有電容也要加1 F! o1 l& \- }" ?) Y
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 t7 c- c, e" q. D/ U
: z) h& g# @+ r0 I$ ~
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ I- g: k1 y3 H* w, K
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# o" u7 g1 n  w5 J# G$ {" h8 C  Y) F! s
2 T& \. C  T$ ~! p6 p7 S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' K+ S% C3 _- ^
+ K) g6 C7 l( P3 u; v! d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- z0 D9 a5 G/ w% H' O4 Y' w9 ^! c) Y" [9 B
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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