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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" \* N1 g' ^- A

  I9 J+ t$ H2 h$ M# ?1 O" gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( O9 E1 |; T2 ~  T/ L  l大部分是要match
( n* h2 S7 U) UMetal poly  density  不夠3 D7 l( e3 a/ X( h' O' p8 d2 K
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 F# E7 `* q; i7 Z& \: x- H/ ^; o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 \5 P5 c. R6 W2 g" S2 S( U  m5 T

1 Q* h# M; x7 S3 n
1 {" q$ S2 w- G# n# L+ V4 N0 O+ P2 p    感謝樓上的大大" p7 ]6 H& C- _$ ~& O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / X4 i1 `- @( h0 z

" u! D6 P- `9 @+ s! x7 q& h  r7 W; P% R. I: ~$ Z( d3 u0 H% T
    感謝您回覆的這麼的詳細
& [! @- h" l: c& B% o/ ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 L( y+ w# G2 O2 ]. Z1 W6 u& ~; e
7 _8 ]9 Q' C: |# z0 X
不過簡單來說% A1 h4 y8 ]8 a* ^! U8 h
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( P) V& Q1 ^0 J而特性就被損壞3 n* m# @" F  F2 R$ e7 c0 {

" _$ n" M+ U8 b6 ^7 H- z! J, [若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
  o% P- {* M+ v+ f3 }所以蝕刻吃他最多" N# D, R& i( v# ]7 P( e% I
主要部份特性就不會被破壞
! w5 }) E  N" z% ]- ~9 n7 v. L; G* i/ s3 M2 ]6 B
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 g& ]( q: W9 w8 y9 Y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ l/ J' V4 v6 Y: b' c9 H9 Q- v; n9 K+ |" u* h$ R7 C' W
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 O8 W% E" W- ~- o  \' E還有電容也要加/ ?3 Z7 A* I& {$ _+ e# D  T
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; H7 b; K6 K, y5 G4 u; x

5 J6 M$ J- r/ |$ I2 ~9 Dand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  v9 q& b8 ]0 S( F; I2 b/ Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; Q/ X0 q7 K5 g$ H
, X$ {4 T4 N  n  B8 w3 n* p

3 }) P, C" l8 ^6 D. \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& z6 g) G. O9 m) Y4 ]
' u3 N9 {2 I& ?/ Y; i1 F- @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 Q9 N6 o8 a/ `4 u. A  s# W# v- [
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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