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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, y1 r4 i( \8 F' e7 O

( ~! _9 ~  T- @  tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' A3 {& _0 W6 C; F* E# z# c
大部分是要match
) [$ O: F6 }# h  Z% |/ ]" KMetal poly  density  不夠
' P2 u% s! {. G  z加ㄉ那些也較 DUMMY
, e5 W- V, Y, q4 A& x1 w8 V7 m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ h; x8 N/ z/ d7 J7 n* ?3 B0 A) q  [6 C2 z2 U/ U( {2 P/ @8 H7 U
; J3 n% _$ J1 o: L4 W
    感謝樓上的大大' X+ E4 g7 B. Y  ^, q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 \) j& L' T( ~- T1 c/ _: O( c7 v+ M  Y2 D# E
- l1 B1 ^1 m7 Y
    感謝您回覆的這麼的詳細8 y: V- G) U: M6 f
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* P! k8 S( v9 a  m  X9 t  F- a, U; L% s$ l" o) L6 l* k  W% h
不過簡單來說
, ?# }% C! M, A4 ~+ s在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 ?# j6 H8 P, a7 G4 v  _( Y6 g而特性就被損壞5 P/ B( Q& a  }0 l$ ]. P$ c

7 q! y: v0 a4 {1 [若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 U5 B4 X. h) u( p' u0 k
所以蝕刻吃他最多
8 [1 j! d' H: a( e/ {4 d主要部份特性就不會被破壞/ Z8 I- `. v3 D, j0 v$ G. H
# n' I# R0 b1 r! w" \: K+ q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ v( g) t1 q- \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ n+ e# l$ s$ m

9 A" H% |" N- ]7 c8 c+ k3 `' S" K又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ ?5 t+ {8 j3 u/ j7 v6 ^
還有電容也要加
( W0 v, u1 V, W4 y; O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!" M/ W8 i) X) m. J4 k8 r8 Q- Q
% {& T+ M; Q; k4 j
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 \$ K3 M% W. a. Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! _: X: T; _5 U# x3 `3 o: i. k$ m) V* B3 m

0 x& [* s; G- r+ g$ b6 I. T. c    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! _: f# l# A2 P' Z4 j" Z1 H/ x5 V9 A4 t/ k' E# G  I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) t" r, x, G4 s/ p2 [4 {' A  J2 L1 ^$ a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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