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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) |# ~. x: P: K& i, u8 g& G/ n4 ~0 l8 B; g
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 g) S2 ?6 I! H0 c8 a( O
大部分是要match: o( ?$ e, X9 a! u6 E7 [
Metal poly  density  不夠. Q7 P% b* v: L4 k9 N) Q$ I5 B
加ㄉ那些也較 DUMMY 7 q. s7 H5 A5 S  @3 r
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& _" _6 `+ ^6 y% P5 y/ W4 M! I' ?0 y+ h' A2 ?

' A+ W8 g2 t4 a- e3 e# @; @    感謝樓上的大大  w; t7 k& d& {3 Z+ G) b! h
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 X/ c2 J  [0 y

# h9 G  \7 r, G- ^9 C9 V* u7 s  t2 G9 w
    感謝您回覆的這麼的詳細  P2 T! L# r% n+ e  C7 k
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! n* |/ F) _. G) e
1 M" N4 ]: T; ?1 F; u5 F不過簡單來說
* \. X9 k) t1 o: p5 K6 e5 t$ O2 D在製程時食刻會破壞掉你的元件
" m( @6 s  Y" C1 _而特性就被損壞
1 K( s! A9 p/ |6 ?. T
! b% K5 R& P/ E" o: E& }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" W# K4 \8 E/ J7 w& O+ _: u所以蝕刻吃他最多  h* ?" J- m, W! k4 N5 ^, A% d6 A" d
主要部份特性就不會被破壞+ V5 F$ J9 i! j

; }: }4 M" s/ B$ n; `# \( n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ ]7 v9 S! u' t" N8 X0 y; i) c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) J) ~5 {# e0 a8 z- G# @; ]

# i# n: k* E: |  F  X! y" ~又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- U/ n# Y( J9 p  |, _0 X還有電容也要加; `' d& i6 D( g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( C4 I% X! k  s; l2 u4 X& o1 \( i3 Y- J9 O1 E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 X; l" G" V# c* uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* S1 M, f% K; H7 a7 [* l
; [' Z9 u; E5 ?8 S* {; Q

. Y/ B  q+ [- A+ B, x2 [    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' U$ P9 q% s, I& O8 ?% X! }3 U" T2 n5 ~# o6 H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' {0 I0 y  K  y! H) j
+ e, l2 h: u+ o6 v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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