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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 i3 Z3 d' p9 c# k3 B; R0 B

& E' G0 D. d; a. M: Wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; w. `, y6 z' Y  W5 X$ Y5 ^大部分是要match, D4 L! o+ g& ~4 _1 z1 s; h
Metal poly  density  不夠* A* Y5 P- B% u* A; K
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 M- l8 P7 m1 X把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 w4 G5 U0 T/ {

! ^$ P9 O2 ?" x; Z! h) W: |8 ^, F6 Z$ ?! c! U
    感謝樓上的大大
) g9 [3 j; P# B2 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 o. t1 \/ }5 }( [, U6 c0 r
2 d9 P0 X0 u; Y; z7 X' ~5 U/ k/ d' u2 G& h  o
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 c0 u* g8 \7 a- K您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) r1 G  H- f1 L. k( P

) @& N. R+ Q) c  B1 c不過簡單來說1 F, I3 [; D1 C0 y
在製程時食刻會破壞掉你的元件
' s3 A$ r; ]% h* Z& E而特性就被損壞; \! m/ ^  n, G/ l/ d
4 x8 X% y; f4 `, X
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: T7 p1 a, b' W所以蝕刻吃他最多
" x; r# D! V' p  d+ M& l主要部份特性就不會被破壞
* I" b7 \$ x9 H1 z! K* e# H' \9 O: U1 @, ^) j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, Q0 e  p/ j+ o5 P! F
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享: M1 D. Z8 m0 q, C/ r4 P5 r

' S% n: [. q2 Q. H& ^% B又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 b4 B: ?) }+ o* ~還有電容也要加  \. b7 q8 \: I7 E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: C+ v+ T1 {; }) ]. s0 m  z
/ @4 d' n" M, v( sand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 I+ Q6 h4 y& J+ o  Avincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' [; n) ?  [! h
! }- c1 i2 T" r
  ~) ]  x: z4 }) R6 D    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 u! V2 s, v3 z$ O; r! \1 d% Z) a& R/ D
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 R. C" |: y7 ~1 ?
; I/ O# ~0 B% a' j. l6 T0 m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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