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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: B# P! Q3 S& S2 f3 n( L- j
$ T. E7 t( q$ opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' O; z/ F! J$ c
大部分是要match  q( n' X, p: q' s% q
Metal poly  density  不夠
) p+ n5 e8 E$ r% h$ U2 L/ s加ㄉ那些也較 DUMMY % R: M& K( {, R, X8 D2 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 ?0 I7 o9 A- w" Y7 D+ R* R5 `! q0 L) l  `; D- [" P6 s
8 m/ N/ t8 G8 J6 h& d
    感謝樓上的大大: f7 V6 i3 f5 v0 u) D. c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& z: i; Z( U3 j, f% _
; y( I6 ~0 Q# d" M" v2 o$ R, b' f. Y5 ^9 `$ r: ?
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 m0 d- N1 k% ~9 T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& g6 q1 {0 O% n' k
, \- B+ N7 }5 [- N不過簡單來說2 j0 B+ L% T! z. Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( J0 E- y& [3 V9 Q而特性就被損壞& a; e2 S- N; t  s7 L* e) |. W
/ U6 k+ \/ \! o' \" d$ ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; V5 E$ g* E3 \所以蝕刻吃他最多3 Y- h  g- [$ W! p! c9 J% b
主要部份特性就不會被破壞
6 R# v* x  i  p3 V6 l' m
7 B4 b: H0 A3 P! L& s* }  m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 ]9 g& p8 ], ]! ]6 S; `
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 ~0 s) a* M7 S
* b# F" X1 I) S& l
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( ]6 e& r8 h. h3 M" L
還有電容也要加( d4 n9 A+ A: Q5 w* a2 a
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' S. c8 j; u! ^1 K) g3 D( @/ J4 F3 e

7 W9 i* |  K6 p; land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 w+ i" c( [% q3 d8 z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, G+ r% D" S/ Q% b- {. h! B3 J

" \9 V3 B3 c* J1 _+ O0 o( V; u2 I% _; o5 A8 u& }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ h3 m* e' \4 ~, F" h$ x/ A, n

0 b) }3 z: C% z. p# \. r* z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 p! s& k% G7 o! G& B' {0 a- l2 y* ]1 c
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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