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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias( @% T( v! y. z; a
$ d& a2 T9 x! r8 C. N0 q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# n$ _3 s$ A/ I9 ?. u, o, l' v5 K
大部分是要match, E( O) Q: U4 ~; _
Metal poly  density  不夠6 i6 [/ q' t% T+ {/ N0 \
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 ]% m& P' Z6 k3 P. g6 |
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! D. S  H2 N" K; f& W/ h" m1 A- d+ G8 X4 S& s
* w: c( K8 n6 C, u. W
    感謝樓上的大大: @- y, P+ z  K0 I
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
0 U) B  Y3 n' H: v2 m
) g: u; J/ l0 E; S( l
2 u% C5 m  R, {9 g! c    感謝您回覆的這麼的詳細
+ i5 }! l! h% X; l  X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 x5 S7 P' K! j, s
* W9 y! W$ u* U不過簡單來說
3 a9 ~7 \, V  Q% R在製程時食刻會破壞掉你的元件
! n; X2 M& k, R: K0 p而特性就被損壞
, q6 O! O) f* l' {$ h8 Y" L- E6 \, F( g8 K, n+ f
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 |* t3 M( c( c" t2 `所以蝕刻吃他最多
  \: Z& D/ \. q7 ^主要部份特性就不會被破壞1 Z' R) i4 [* l
0 q1 ?! f0 s* n! ~0 ]& ^) R
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 A4 }& H- w. W3 l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 [: u& t4 D( H5 b" @7 x, s6 V
7 \8 Z2 t0 N6 ^# X, Y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 U6 y, h) m9 e" l. f( d/ G
還有電容也要加
8 |! R* C/ B9 w) C若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 s" i# ?- r* I
3 B. F$ v* c8 [8 r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 g" K8 q2 ?7 Dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, M7 u+ X5 b) C$ a) M! h$ c' ?( g& i5 _) i8 B6 C& E$ d

! v* E4 B; s- k# ?1 M1 u    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# k/ y7 R9 ]2 y& _! }& H1 b
' ?8 I& D/ {, Q5 y5 b/ q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 S' ^7 b2 g) w) j
- O2 t. [5 T) s9 y! D( R& w& Y* I
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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