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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 h8 S. ~# M- s- u

4 f" _) [* K4 X7 f- r% `" npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密2 Q0 d. _! j; u3 p, o) n
大部分是要match
1 ]1 a- J+ Q7 g% d! Y1 w2 PMetal poly  density  不夠& C: L  C$ H0 p$ G* Z2 k: f1 y
加ㄉ那些也較 DUMMY ' G- b3 j' h$ [! w- a* k8 R2 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' L3 b# p' l( Q$ e3 }- `7 R
% T7 [0 W; i! C* `( N
) B1 O% O; B* S# w    感謝樓上的大大7 i' d% C  @3 V0 n
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
7 k8 T- t. O3 M- B6 {) t# t! G: `# ]9 [* ^% s8 X. b7 M# O

0 l4 g5 k- _" Q$ e5 W: A3 p2 b    感謝您回覆的這麼的詳細
. Q+ s& \6 j7 K# s2 `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 Z- c- g. ^" ?* B; ^  U. q$ k

& ~  j5 l/ Q7 }不過簡單來說) `) a8 _- \# t5 L8 A% D/ G) E( S
在製程時食刻會破壞掉你的元件  n9 R# B- M$ D% P" g
而特性就被損壞& k7 e0 |" H6 ?! I

, ?/ k2 B/ ]% [9 z8 y9 {若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 u" p2 d* @" G6 }# n/ {/ }/ u所以蝕刻吃他最多
$ C) }% x3 k+ s1 f9 W主要部份特性就不會被破壞2 w2 h) Y  L5 n, B2 k# w
, X/ ]) d/ K( g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( ]1 u* f" R2 W: y! x9 k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" o( {. O2 d/ r" F& O6 x
2 V% T: @. l* Z7 v又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% S* R6 R; j0 G
還有電容也要加% C3 ~3 ~' Y$ C- [! n) ?# r4 m3 d# {6 N
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 g. e% i4 p5 J  f) a+ g7 H! ]9 L+ S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 [! z0 j! U/ {2 i5 K2 N% U2 }
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- t  f5 D' d+ c6 Y6 O8 @- }; k5 r% O2 x0 E; r2 q
2 T5 Z" \" o! M3 S6 n8 e/ n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ o+ u5 `8 ]* N9 H

% b0 @+ ]) @, e. Z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 y* H$ s! [. h) z

$ `; Z- J! g" {. V; `2 e) e數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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