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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  R& k6 d2 E% u, L/ q4 b1 O- q" e8 b0 t2 U0 X' z' ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 K1 h7 k9 z% @( e2 G6 n大部分是要match/ `4 g; l) p1 ^
Metal poly  density  不夠
( W0 a/ R& d2 r% H加ㄉ那些也較 DUMMY
0 ^; K2 V) y- N& o: h% O( c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ ?8 I3 d6 J; r$ m$ E9 _# H2 [7 S5 D/ V
; d; h$ ]7 x- _5 N5 z! |- |
    感謝樓上的大大7 @. R% m! U  M+ T8 i! C0 k. ?6 W
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 J$ _/ L) C: x$ _+ A) D

. C) _6 X9 f( X2 a$ S; [2 `% I2 A! D. w, H
    感謝您回覆的這麼的詳細$ v/ ^; C, _& Z3 Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 I+ ]3 P( Y( C: X( p! X
) d" M+ w) |8 z( U6 X
不過簡單來說, B# i3 Y) y* X8 n$ b5 i
在製程時食刻會破壞掉你的元件3 U8 x$ A7 {7 Z7 u
而特性就被損壞
) l4 [" Z) a/ ^, O& o+ Z) r, ]; \, Y5 ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! V- v7 ~% q  S
所以蝕刻吃他最多
' ~/ n9 i8 v# P主要部份特性就不會被破壞
* i  n" d2 _  ]2 G5 c: L) ^
3 b% {- R& e+ u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 t+ |5 w2 n+ l7 M. v所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! d: `5 r2 a6 L& f8 r0 [+ I

) }1 f/ b  e7 g8 Q( N又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ w3 e5 S  d7 t& a4 J4 t還有電容也要加
6 k2 j  d& N, O% l3 b: G0 g若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 W" c1 P0 k% V8 C# J0 J8 M% ?
' Y; `' E" L+ _$ Z7 t, ^0 p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 H1 F; h6 e2 T' ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" Y- g* v+ x+ z3 I5 I* w4 U7 K
0 W/ \) x' R+ n3 @+ B2 w5 N/ A
% V3 h% h6 K/ v7 Y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% Q9 ~# O( X% t9 m+ L0 {
) s9 N" @9 e! D( P) g7 G& r如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 U" _, X4 v2 p- w5 g4 y
2 M. M6 B5 \- f, B  L數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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