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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 B- F0 f: n4 x$ s4 O8 `2 ~5 \% {

* B/ C$ s9 I1 T- Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) ]3 |1 v/ e( [大部分是要match
3 r9 d- i) Z, O- h( DMetal poly  density  不夠$ t, C6 t# `2 @
加ㄉ那些也較 DUMMY + M9 o8 T( q7 m/ M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ A) J0 F  m' b# A8 J- Q

8 P! F! q8 O) J2 }9 }8 p: }! F: d) ~4 Z0 h- Y$ M$ X2 l
    感謝樓上的大大
; k& H# A8 a# L. R  H+ s! _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / j0 B" y  O( e- c- N0 A9 O6 h

, k( Z1 k4 O. d9 @0 ?
5 F5 x: G/ Y6 z    感謝您回覆的這麼的詳細+ N9 b- ~6 Z+ |9 k2 v! A" o4 g
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. `  E6 B% o, Z! {( b1 i# [0 r% L: L6 a
不過簡單來說3 d4 u. J! k3 n3 I9 F
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 ~6 {5 z6 ^: t' f" U而特性就被損壞) F1 W3 t6 H6 {( B4 N) d+ \

+ ~. V+ `. y# p# h2 ?5 F. Z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; B! ]6 @% A+ X7 `' _# |  u所以蝕刻吃他最多: s2 o, Q- o9 X/ ~* T3 p
主要部份特性就不會被破壞  N3 r" w  G9 D  M) g! U) K2 \

! X$ L- l! i, v' ~) b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" n0 U$ r. C- U6 d所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% o1 S/ v2 D3 \# H  n- k! O

& O3 [! E# B" a又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 C. N& x* t5 \! M$ U3 {& }# L
還有電容也要加
! R+ ?! ]7 }! w1 p: d7 S! l. C% m若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! Z3 _* ^1 e' w& K1 a+ ?0 R
8 b$ l3 |$ n6 i' H3 _
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  x+ k: E" E2 w, v0 R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 I$ X+ Y( y2 s! H4 i# z
  e% [( ?! U2 m( x
. `( [7 y& y: R; A0 d) M
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% Q" k/ A+ o: S0 r# V% X: i! B% D% D+ p, X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' C* `. k/ f; V  k5 [% j

2 d/ r5 J& K$ C2 K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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