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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ ~2 L0 d9 m, M

2 A  G- d* N: ?  U6 r4 Q' jpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ F2 P7 N1 i( R! L. X* S  ?大部分是要match
* a- @5 I- Z& ?! VMetal poly  density  不夠
/ n3 j7 Q9 p9 K加ㄉ那些也較 DUMMY - q2 Q, |* g: D1 D' a( }- X) `
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, V6 U* e6 R6 u- @; {
; q# u; t3 z- p7 R  w8 t. F
5 z$ Z7 h( r# g    感謝樓上的大大
0 _; R& x8 I+ H; _/ f   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 G$ Y+ V' F8 S5 `/ q
$ c2 W' ~- G( T

& B. Q: J5 L! b    感謝您回覆的這麼的詳細! W9 K2 ^  t9 j: A$ H) M
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 I  }6 W) K3 ]+ e
& u" o/ [( m% c4 v1 B不過簡單來說+ b  n. ~9 ?; ]- X3 ?8 b9 w
在製程時食刻會破壞掉你的元件: y* U* ~1 \* h3 P  U/ e2 h
而特性就被損壞0 W: b% d4 |% K" I, j9 n3 u) }
1 Z' v( @1 R+ T! q' |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" r4 r/ S& D6 B' ~4 f5 r
所以蝕刻吃他最多
1 p5 k8 C; I9 w3 M7 q, e主要部份特性就不會被破壞
1 V' K4 T6 C- _6 n7 M0 u" ]* Q+ i! u; o+ l$ O; I& g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& d, L! z$ r- S2 O4 ~' a# i! g所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% T# a0 S$ u5 r  F- O; u% t( S, L% U' V2 R. y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, d, O* S6 M9 P& Y) k還有電容也要加& R, |5 l. {. X) O9 Y" _
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 ]+ B# J2 R. g7 }% C
- k* m4 s) y) s0 ~. ?7 K$ s; Xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ d3 U  S0 U' w3 d, Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& ^% r2 W9 U1 P+ d0 Y% z3 Q# A3 c
( k* S" Y5 y2 t/ R, c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. ?" T6 ]" X6 i7 G7 `9 T0 ]' H( B8 v. g: T1 I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 m% q8 ?" |+ w( ^& M8 `
& z4 e0 o( ~4 m數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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