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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" Y1 n' U0 B1 w/ p8 a% E6 X2 ^
& k6 M! `1 d& W& j; l1 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% t  N* G. F' O# Y  N, T. o' g大部分是要match
5 Z! V3 d) r, F/ @1 g1 j' J& EMetal poly  density  不夠
4 G% m* \$ b) @+ e加ㄉ那些也較 DUMMY
% Q$ \, K) O8 [& A把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- z6 s/ M, s) d- ^5 z! j+ S
: d) z1 W& f2 s6 m% f5 p+ G0 V5 p( d& c* X2 W
    感謝樓上的大大
( V1 G5 p7 J% U) k: q' n. ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' }* N1 M+ ^$ G
2 m) n, `+ F, v( C
. q6 W# \" S  v, _  k8 q
    感謝您回覆的這麼的詳細
) o3 o- C4 l4 O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 M. {2 D' m7 s% J) K. V8 P
/ r! _2 V$ A7 j* m
不過簡單來說! l" b, \" i: u
在製程時食刻會破壞掉你的元件/ G7 ~) ^6 p3 g' ^* S1 R
而特性就被損壞" m+ ]4 r4 `. n/ m; [3 ?

, Q3 Y% C! T) v若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 a/ ]8 Q- M& G7 Q$ `* w( i所以蝕刻吃他最多( o+ G# C3 i' o: v  @4 o1 A) w0 j
主要部份特性就不會被破壞
& h+ e8 P! @  C2 L( S- g! k2 V# @2 U4 `9 d% f
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 A) q$ `' q, u3 H- C; a所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 W" H8 K! q. u

* v; K% j, y' b( @- T6 N6 @) j. e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; [: C, J; i% U7 V* p. M% W: q
還有電容也要加
7 a1 {% C/ D1 p) \/ g. ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 A/ D8 i$ n+ Z- L9 I. W6 {/ E& p3 x/ m' x
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 K/ ]% D. c; E0 x) F" svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 t% G1 `7 c& y/ }
' c! _* s; B' E6 f7 P3 z
; a5 ]& Z  D1 M; y" ~$ B( D# m9 K    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 f' m2 z' ^* i4 A/ a) A& F: G3 c$ X8 n
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' _! A' j* e0 u' q# C
0 `, e% l# `9 G+ ~* B數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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