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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& U1 O/ j; f# g* k' s8 H! t+ V# C- m7 ~2 V$ y- e' X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 w7 {. q2 N4 z% M大部分是要match) G# ?- _6 X) s5 v/ A* U5 A+ b
Metal poly  density  不夠) s" }5 n( d7 G8 E" R
加ㄉ那些也較 DUMMY
: ~: X! @# _$ M2 p& v0 V# E5 V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 c) `: D0 d. [
6 b  h0 |: ?+ p- |) `

( z) Q/ y- P2 P) J- |% }    感謝樓上的大大( X& @' C% t+ b8 F  @
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( y* X9 ~1 D% I) U1 Q* D6 D* Q5 _0 b* _0 {/ G! Q! H! F0 H7 e

- A/ a1 f# U( K: b+ H1 |- s. I    感謝您回覆的這麼的詳細% Y$ b2 R% k; j  y% B0 W6 ?9 \0 I6 y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' J. R# G0 b% K
0 _* Z, j4 R2 u" L( ~4 e不過簡單來說$ t9 d% G/ l. r  p# S
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 u) J3 F  z- Y5 {# z而特性就被損壞3 j: Z. i* |0 `8 c# f; H

1 D6 L" J* G1 O! [. C# R( O若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  c$ P% r1 P- l% X& i1 ^/ \6 U
所以蝕刻吃他最多# z5 o' d- G5 K) D$ F' f7 u
主要部份特性就不會被破壞
" J/ K3 Z1 L; Q; V$ C% _. k' @5 n" ]# N* Y1 b" h4 t7 X. R
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 h" b( x2 E( T" z! Q所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# [3 v: o! i3 [  u" v! g: p7 G7 U7 ?" R: j% v' Q. @
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& P. v# x/ ?* T' D/ b還有電容也要加0 _7 m* U* W; J. f; l  z+ g& S3 ]
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 s- C7 m; [* I* d" V  M2 e
) A8 D; ?  ^" |  z
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 `* c" k% K  L4 i0 E* `4 t) ?4 ~4 ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
  [' W- d4 \7 C  @, ^2 K1 d# R) _
" m$ w; |2 o5 [8 h

& b# a/ t9 M# r* l: V    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ o" R- A% ^( b2 h) k
% M# x, i. O6 b5 k: W
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ H8 D  B6 h' L) k" d9 @

# ^, T5 y: i' _3 Y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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