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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: \9 ?- x9 n. L4 }4 y& X

: Y% Y4 S- B% T8 u8 p/ ?+ w( dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 H' _" Y5 Q6 w6 E8 j* j& U大部分是要match
) [0 Z0 y: P# i: ]6 {Metal poly  density  不夠
# Q' E' O- ?6 g加ㄉ那些也較 DUMMY 0 g* j, Y1 o3 @8 v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / h/ H# j; J3 d! I
0 d/ p! @* M% ~' N
+ l; T3 m4 x  B" |4 w+ E
    感謝樓上的大大
1 C2 W' y; _7 X   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : B! p7 x/ O5 o+ Z8 K3 J; T. k

) L4 p" S6 n& g7 \+ W; Z9 N# J  B+ t( s1 [! V; A: I
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 a( H1 I  J& z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 \1 z& @+ R; a% r5 v* z6 H, H: ~1 l- R! _  p& i
不過簡單來說
- M( \8 o0 @: j/ D- S! T在製程時食刻會破壞掉你的元件6 B; j5 N+ h. V% j. x
而特性就被損壞6 K; {6 |( i* Y+ g! P

/ P! @: f: H) ^5 w; \" k若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 M* q/ F$ T" p8 [# \, [8 R
所以蝕刻吃他最多7 a: V( L, q7 \7 T( [" ]  x! q
主要部份特性就不會被破壞
4 U5 ?( @. ^. z' o4 f7 W. o, v: }: T  f' H- e) s' z" T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 `2 ], {- J( E1 u! l0 V1 z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( O1 T7 |# L4 j

5 i$ a' }* ^$ A0 l! f& W0 [$ m% T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- S- u0 O; B1 Z# C$ G; t還有電容也要加# D2 V5 Z7 e! q; R7 z7 g& j
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" X# W* m3 n$ v" Y5 H: `. f' E6 S- j5 z# b4 T- G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& |: e9 R; _# vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# x5 x+ J6 c! Y1 H: y+ D$ o3 U% s
# g- O" [  {% v6 J6 R

/ A2 ~3 U. `  H5 \  o, y1 G    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% B5 N2 j- m2 k5 }: ~

) Z8 \, ^& F) m& A( T如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 ?" ~2 E2 F  w, T5 X0 s
. ]# }1 _" f! O7 O+ d$ X8 p
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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