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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' [( P  J$ J9 Y3 o/ q1 @  B0 K' [! j/ O5 g9 [. d' c2 e. u. c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" M! J: a+ t8 A7 i7 g' M大部分是要match0 q0 q6 e  q6 G7 \( e7 ?5 x
Metal poly  density  不夠
6 q: n. C! L/ T# E. |8 z" T: I加ㄉ那些也較 DUMMY
* H" X2 h, J0 q$ E把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; i4 Z! h9 M& \* L* K

3 J, w8 Z4 T4 Z. M: @' ]8 v) k+ f% w5 h/ F
    感謝樓上的大大7 a/ g" `1 B7 o0 S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 s4 r0 y) W: z: A( |" m$ D: p/ d& [' a1 [" U
# Q$ s% e  \& i- f/ D* S+ i9 Y3 Z
    感謝您回覆的這麼的詳細
. J+ H& _1 x% {& i8 `% `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ ]" m+ O+ b+ z
5 N! c$ f) t0 x" u1 l+ S不過簡單來說5 l3 p9 `! M+ e( [! s+ p" Y  N
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 s# T; Z8 J" D/ U( G而特性就被損壞
5 E2 W- Y  y" c/ X2 @4 d% q* P3 l1 N7 {
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ T8 c  n% a! e' E6 @; B4 A% b所以蝕刻吃他最多& G! c' V7 d2 r& y' G) w
主要部份特性就不會被破壞
/ o6 a& E* r; T1 V
1 @0 A! `8 n" C# Y( N很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 _% b4 h$ z# g' {所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; S. ]& V4 Y( T# p8 s+ a1 P  T8 B" h5 ^3 R
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* D2 b& n8 X% N" B+ g還有電容也要加
  C5 q6 u0 t7 a/ J4 ~若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' @, n8 i6 M9 o9 `: W/ \
. X4 i2 Y7 @: q: w; [- yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 c* }$ c5 q, p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( {/ {/ D" ]) Y
$ \! O# v9 P* ^' J) ~0 p5 N% V' Q

. p3 e5 S% d' q! P' ^    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??  H) @: W5 y/ }: P7 @9 {) m6 F! U% M

$ a. }% L9 Z: V8 `+ q+ p如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, j+ V7 K. X6 |% A0 N

0 G  M* B/ |2 V& y數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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