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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. W7 Q# V2 P( N7 j/ M* l: i3 j- J( `, P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 |  f3 p% P0 W+ `. ~4 x+ l/ q  O
大部分是要match( c. j  {) y$ S7 R
Metal poly  density  不夠5 I! A+ W2 W1 _( c3 }# h: o+ r
加ㄉ那些也較 DUMMY % p, L5 f6 \; o  \( T# t5 K" S
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  I  c& g& x2 s) J/ g% L9 O" S/ N; W1 i  E! i* Q; [' L# }! m# z0 N

* r+ f# w) z4 q    感謝樓上的大大
3 q# r9 o, ~* {4 T+ z, A$ ?   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " J8 v$ g% ^+ n3 o6 k3 I* @3 B3 F  Q
2 ~- O! I0 I, f- m! m7 x$ x0 c
7 @+ J' _8 [& E
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 b0 ], ]  @' F# [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! S5 Q. O2 X  J) v$ M

: H4 h$ d) q; k+ U9 f$ @不過簡單來說7 k9 y* D% p5 p: \
在製程時食刻會破壞掉你的元件  \+ w1 c4 k: a4 O# w- B8 m
而特性就被損壞1 J" e/ `0 M* `( K

+ `2 Y! V, o& m6 D若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>: w1 Q3 Y2 m: j( {: u' G# I
所以蝕刻吃他最多7 y- D2 {% c# W6 X" \/ ?$ U" m
主要部份特性就不會被破壞
$ B* \9 k. Y1 g4 J7 q# ?0 x! I/ C' D6 C$ w! c5 X! H# J% U# ~% u5 v, q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) R: J7 }1 i0 R4 W) a( r所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ ~# f8 i# T) |  S9 @# b
5 ^& L7 B4 f) a- h+ a* a
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- Y8 e5 R' e- a+ k- G5 K+ W
還有電容也要加
( D8 f( D0 X. V$ d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& @8 m$ v- D2 A8 V/ L  M# I* }% U
! s$ f7 k' c1 h( S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 g# k* @1 k% Z! P
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- s: H! d5 G+ R" i9 E

: b/ x$ g! F: P
" b2 D* P+ n: z. i    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: ^/ H7 _3 ^. p6 |9 O! M: b& \2 [+ N( r- N6 x1 V2 O! D
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- s0 u5 P: z: i3 \% j6 Y9 ^  _( Y& @. ]& |  n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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