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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 ^+ X% H( \. v9 c1 t
( u/ J* x9 P& h* {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" z7 @; {" P, c" R% }' \0 A大部分是要match3 ?6 v) K6 J) W7 R  z" j
Metal poly  density  不夠- F4 C( g  r# R; O5 X- F" }
加ㄉ那些也較 DUMMY
# W* `7 v3 Z+ u: C9 |把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
) u  V( ]9 y! V4 O$ w! M( P2 U8 }6 P3 H! n& W, f) H  o- w+ W
; J$ C3 u0 B% ?
    感謝樓上的大大
5 T  M3 F  _/ ?9 w4 l6 Z7 F- I0 t, L   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) P4 {  ]5 S# J  V1 ?1 U  a0 Q/ O. T2 T2 X6 {. D# J9 n

& W2 R" [" m8 F7 t3 I& P    感謝您回覆的這麼的詳細
8 T0 z' i1 p0 d8 J您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 z7 i1 v# S5 H3 W; Y. p& [
9 I& M+ {/ O" M/ q5 t. f9 l不過簡單來說
1 v4 v2 o2 q  D8 L" W; b& x! G& ?. ]在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ ~, e1 w7 T0 ~4 I+ s6 b) h" N, s$ C而特性就被損壞/ _) g; ~% P( c6 t" _/ y; ^+ J6 _4 M0 W
3 `5 t0 Q& `6 t9 v4 D. x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; ]) J+ k" E( X0 z所以蝕刻吃他最多% ~& y* c" M; B0 v
主要部份特性就不會被破壞6 J) ?; R% y- }5 I: S, G8 ~1 i+ V2 a
$ W3 r( n3 c+ U, X, F& W6 E
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- f/ ?3 f% o0 |/ b$ Q- j% r1 u
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( x* H4 T  p* R8 h
, [2 G0 D/ L- {! l; M又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ Z7 y0 r1 [' W& S6 @, B
還有電容也要加4 j# Q: `/ ~. p/ S! c2 e
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ l& w1 i; q; ^2 x. C
% _- x3 L6 C6 A, q$ p1 i6 b+ g( Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# _- O. g4 q* z& tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% T+ z9 O6 r% ?! X; a$ T8 l
) [: o" U3 a' h1 S8 [( T

2 Z$ S  T! ]4 N7 B5 z    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 b0 K' T$ b" [0 T) R9 L- ]6 I! L3 H! C( N. f" l
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 [/ ]$ G4 m, W/ n0 }: V5 c6 x  O( P7 r' ]& h9 |# |3 d
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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