Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54541|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 U# V* m9 F, P% m* ]% D) C  z
; |* @- [2 C. M2 Z- m  a2 [3 k
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ C- M. E0 h! B大部分是要match
4 @: F* ]* |9 m6 j- U8 T& W: NMetal poly  density  不夠8 n; f" K5 F% n/ ~% u+ f3 ^' g
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 p0 m3 S9 q0 v$ m: W# M把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ I& k1 \- K. |* r; X, X3 [# E1 M
; C7 B! {' M! d# Q! N$ \; P# _
# X. \8 F7 k1 ^  }: H    感謝樓上的大大
) p6 P+ Y  |  e. C5 C/ y0 m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
/ ^( C8 F, o- J5 [7 j: F5 v% \( `( ^) k; _3 p, U

7 E3 A3 O4 `; B5 A' C    感謝您回覆的這麼的詳細
6 l7 M+ \2 |2 \: V* w; ?7 x您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" x# l/ t1 W- {) e" C: V1 s
# s  j. k1 ?# l不過簡單來說) w  \% [8 N1 n0 |
在製程時食刻會破壞掉你的元件; m; T0 ^6 l3 S9 D$ t
而特性就被損壞/ g/ F7 y! E4 P* J
9 q: h6 `! |4 V/ V! l
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>: o9 t0 n2 [3 M: O
所以蝕刻吃他最多
3 ~7 |- ]0 u* l# Z/ d3 o% ?5 T主要部份特性就不會被破壞* T( g+ i& [$ L" F
8 U! z6 ^$ l9 o2 V, |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 i" {' F- B- N: s- a  C所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' a$ u" Z& r  p

, W& E' `! ]; \8 {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ d- K1 s0 D, |9 Q; ?( q" y7 q. n還有電容也要加2 Y% s3 T& g- T9 n- L" N) L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 b- U7 j7 \- Z8 O# P
6 m) }5 |- o; ~2 ^( r% F! cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
0 c% `" \$ c' D8 c' x' ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 u2 t3 g7 f  O% C6 x5 ~& ^% u4 P, t  m3 `( q
; S6 j4 P  ]9 p8 W8 ]
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 E' o# s8 T0 Y" G5 M6 O" q" G
: \1 q$ l/ \& i: ?- B如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  I0 L9 `) u) t1 e, Z: V6 ^
" ~  w9 }  @3 D/ s' i* v數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 01:50 AM , Processed in 0.179010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表