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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; W& F2 P7 [% {+ p. p/ t3 O; C% |, o* ]) U4 g! m
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: b) U% }9 S/ H% a6 A3 R" |( R' r: ?
大部分是要match+ U. i6 r' L1 P! @- |' A# Y
Metal poly  density  不夠6 \' u4 ^( R: Q' F
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 q% F- S4 P, x- |9 p2 O+ U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # ?9 J; w( s% `/ J, e& V+ {

9 V, Y. x! A( }" D' A4 \
! F- c3 e! c3 V9 W" c# q0 B    感謝樓上的大大) ^6 C" j: V' V* ]; k7 N, N5 @
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " J! w- K' N1 K" @
! L# F. @8 Y+ _7 C
8 p/ }9 p6 i# F4 |" [2 |
    感謝您回覆的這麼的詳細
# ], ~' b, M" f您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 N( a0 L* N6 |/ l3 T

0 D0 ]; G* f& {# v% q1 g不過簡單來說
. Z% V& H; P0 J  w在製程時食刻會破壞掉你的元件  H$ c. D. N3 A% B+ p# `7 Q! M
而特性就被損壞$ G: A! I8 X8 Z! N( q, {
0 `1 T3 B8 q8 F, N* \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# R  v' j" U$ k0 ^" L' G1 m所以蝕刻吃他最多
5 d. Q# Z! A% D主要部份特性就不會被破壞& i0 D) J, c% P" V7 \

- H2 B& n) P5 a. p" J0 S" S! `很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 }! T1 g8 i0 i& r所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ A3 V* S& p5 h/ X8 l' U) c+ }* a' [
! |3 ^# h2 K. a( }* R& Z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 U% w5 p  Q$ Z0 d
還有電容也要加
  @# i/ `' p/ f  c2 f7 s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- K8 t2 F$ d2 t3 a5 T: ?* W9 i
% d! V3 a3 U1 F/ c9 a
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ a& Y" i7 F: e" E. S% S# [  x6 Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 v( }; Q. b2 B8 P! }; E$ S" q( O/ T* |* z5 R
( Z& Y$ h; y& p/ J# R# Y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* D( o, I, b! C( {
4 Y8 e1 M6 p3 W- K$ A9 D. U如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& y" P* S) Z1 _* _! o, [# G+ ?: U9 D3 P6 ~( k: L( j. k
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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