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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' j: y- A3 B) k( a2 n+ r2 p
1 f% t# k: @1 `1 k' S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 `& @( T6 I; ~' a9 k$ s- |
大部分是要match
/ k- x8 o, m) J/ `Metal poly  density  不夠
4 b4 s9 |6 G. t加ㄉ那些也較 DUMMY - m: q# Z8 Y, @3 X: S
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - O9 |, O9 A$ A: d) Z

) [2 K3 Y  E& s, g+ m
! o9 X0 x7 R. \- v    感謝樓上的大大& V$ i8 S! L$ N
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   z( p! z% ^% ]2 I

8 P3 t& t4 n0 u7 v! Z
6 }2 f: z  Y( P2 o$ D, J% J8 Z3 H  h2 F    感謝您回覆的這麼的詳細
/ v6 I+ S1 _4 A) z- W您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 t1 C/ a% D" J) c
0 E/ ~. T% |( m4 [9 B1 V
不過簡單來說
8 X2 _% h' p) j$ @$ F2 V* |( o7 e1 o, z在製程時食刻會破壞掉你的元件
# w+ N: m; h8 _. J8 O5 P而特性就被損壞
4 ^# W, Y: F9 C; N+ F/ \/ Z2 Q: _/ i( L/ f, M8 J/ O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* S% }' J3 H3 z! I( v所以蝕刻吃他最多
7 S/ @/ I. K: z& g3 J6 L: ^主要部份特性就不會被破壞
4 y& d- y* Q2 T0 x7 O0 `4 D0 x1 r6 T) t+ c4 X* ?+ G$ g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: _5 o$ V8 L% H  Q+ `2 E) O7 u7 Z* s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- @1 M  k7 }. W9 X% l1 B4 D$ h

0 L9 ^' e0 M$ C( q! |. }5 j3 L又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 z1 i: l. Y" k
還有電容也要加) q2 ]7 s6 R' `: Y0 c3 n: E' h3 C
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ g- G/ X2 \3 r$ H$ Z2 r0 @7 U  l* R& n+ ?  Z, g$ _/ [& ]
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- g. ?6 p+ X, b( U6 V0 y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 P. `! T/ [/ C: ?; B3 x( ~
7 v$ a3 P4 H1 T" {, N% c  D  k

  L! @4 x9 [! @$ ~% @7 S; R& m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" V- @7 g9 F8 ?& R$ l
3 }, Z: x# ?5 @9 X2 E9 l  q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 v/ {, e- U7 b+ t
/ Z) f; }0 E: L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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