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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: f* Y+ |. R3 _- z& H- ?7 X: |
, _& N) n( U  p! `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 I; B# z5 ?+ s+ B/ P/ D大部分是要match7 _: B0 g; m: ?6 C
Metal poly  density  不夠9 P1 o" E. L7 O
加ㄉ那些也較 DUMMY 2 Q0 H. e( S  f) M* X8 P; N
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; M9 X$ n" O4 y: D% z. Y' V% t

* \  {& W  D( l! \( H7 B( Z# ^
; f0 t& S# |7 J3 g( ]    感謝樓上的大大
1 i! p% g, [& i8 k' o4 A   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & H& W# K1 Q% M6 K+ p6 V8 F
$ u6 Z6 D5 A' Z
. z6 C9 ^0 [; r4 ?3 q
    感謝您回覆的這麼的詳細9 r3 x3 X$ f; b3 H
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 d! @" t3 c. z) ^5 O" K5 E, R! U# Z3 O0 z% t1 D3 |
不過簡單來說* P& K  h: S7 H+ u
在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 I3 p1 ~8 p# H6 @4 m+ G- X而特性就被損壞
& _# Q( {7 w8 C1 U3 a' b
$ _: T( [# A- v若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 l9 J3 v; Y6 G3 B. [: n% m6 c所以蝕刻吃他最多" B8 r2 G3 ?1 @2 j4 n
主要部份特性就不會被破壞
+ k$ m. z* m- w+ m! [/ c
$ N# u7 H4 p  H% O. s; w0 H# S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* J- c  M: T) a4 ~9 u所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& T6 |- o5 s5 ^  a+ m) v8 O
; Y# c' p9 \8 |2 u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* ?6 |3 A& t- \4 w- F7 u7 m4 j. ]& H
還有電容也要加0 L* [! W1 g! [  w1 v' s) Z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 W; x0 d2 M8 T3 }$ l/ w: Z. W

2 I  J0 {0 R9 \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: t" U/ [# k; }4 b/ `) @! u' I' [
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ g1 ^1 j5 V4 `7 ^2 [
) V+ u4 r: F$ ]5 p6 ^
! y1 y) L) C% E8 L& F
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ K" X# e6 S1 ^: u4 o1 s5 `  e: G& p

( `' Q7 e2 e/ B5 U! Q+ g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 a: H3 \1 Z' q) ?& I  _
3 y6 {% S2 h( ?( B# n$ k數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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