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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% {: `5 Y8 e/ l- m  H

9 ]% T+ i6 ]2 ~  A' g5 G, S! C' ?poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, p1 c, S# ^' F! G( S- |9 S) H
大部分是要match
9 u8 L6 N( n, GMetal poly  density  不夠! {- s, z1 H5 H# `( C/ B  k  E) e6 P
加ㄉ那些也較 DUMMY   y( h' f3 \/ I! j& c1 r
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ N* h9 x3 ?3 ?" L& L' u; ^

- U* w7 V( Z* S$ J/ }6 f. ?: b; {0 r: X; z' o6 t7 E
    感謝樓上的大大# @- m! C8 t3 K5 n9 L& v7 t6 E
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & C; C: u  V: H( z

* C. H3 t+ U/ d# q. x
$ T" x) k9 i2 b, ~    感謝您回覆的這麼的詳細0 l0 o) C0 @7 }9 ]  I& X. d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  b. P# J1 }& B4 R; M+ e0 H

5 A4 `" p" t! z5 x, _6 X不過簡單來說' \4 n6 N0 B$ o  s9 A3 l4 \
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 [- {9 q: O0 |' B) j2 {0 B而特性就被損壞
, g: c; R" O# V! E9 S; G
# W& a$ S/ z# P6 g6 X, c* A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
  h" M2 g5 v% t  ^( Z$ }+ o1 e所以蝕刻吃他最多6 G0 v  [! R# Y1 k2 O: }
主要部份特性就不會被破壞
0 D7 R/ v3 b/ z
# u% s& S3 Y* X很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 p7 R, ~$ N" P( ~5 I& D. |
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ M$ U2 v6 T" {  Q* I
: q9 G+ x8 Q. w9 m8 a又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 e- T' q0 e& ?/ C1 B  }, d) u
還有電容也要加. N. d, E1 a7 y9 Q. k- ~; g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 m! G& s& K3 V9 }; A6 i
* {& v6 R$ h( w% h, V4 E6 band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* `$ U6 f8 W/ x2 z  @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) P' |+ v  O7 M- ]8 n1 M4 P, q: r1 C' [" O) e( G8 G
7 O& J" [  _5 H: u9 V/ H% ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 _. h" G' O( U7 i. K: Y* X! [: |

1 Q8 W5 N5 T! u/ h" _( S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 c6 S  O) O( Z

* M% V4 b2 _- l6 a) X, i數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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