Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54561|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 P' B* O' I: I

  E9 \- ], g/ g& E, W! Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ \5 c5 U' k4 R. K7 z大部分是要match
. s0 C( f; A/ Y* Q& qMetal poly  density  不夠
' u* b3 M8 S0 x: d! p5 j  `加ㄉ那些也較 DUMMY
' A) v' S8 f8 R! k把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* j+ ^3 G7 {' ~8 [4 D# p; r$ `+ ^! K  l5 g# |
' z7 [7 U  C. U7 S/ v
    感謝樓上的大大3 s* N2 Y3 B, |* X6 F1 Z& V" e) n
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 H8 F  ~4 M% A& @& c' }. s& f! m
% l4 W5 Q8 |( z
; b0 y8 `  I1 w: y
    感謝您回覆的這麼的詳細6 ?) h8 t* k& q  h
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' M: c; p! t! U

7 Q" r) n& X) s2 G) T5 B, Y不過簡單來說& `- k" G& Z  A: q3 n  M
在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ A6 T; h8 \" E6 r9 z. c4 v而特性就被損壞3 ~& \6 R, I- O3 b2 f
1 `% s+ ]" Y! q
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: y  D: _" U( v所以蝕刻吃他最多
9 i6 b9 d, J& L3 x% k3 p主要部份特性就不會被破壞: T! Z5 o9 w7 F  N! T) g

" H& A0 \/ c; z8 ~; Q% u+ N很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 C- M1 u1 X0 l5 `  M. `/ j所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! V5 @& Z8 v0 @# {4 G9 O% y1 s2 L

5 ?' C! A* u" @5 u+ a- \0 y0 g4 x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 U4 d0 C7 Y0 \( l% C* O1 D4 j% G
還有電容也要加
$ D3 d9 m" H! }' |3 ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: D+ l" o" h9 @/ [0 \1 u
! D# I8 u# U* R' q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ j' `! L# z+ ?* [& R% |0 |
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 r8 p0 `7 b" H1 I9 I; w! H* X  r; `; h$ Y) ?. d

4 z+ L4 p) ?9 |+ n0 i* D0 |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( ]; e! C# x- I5 m

, Q" C0 L  M: W0 G如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, M8 P! s$ u; L! V6 e5 m. l
& K4 h2 J! J6 N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 06:15 AM , Processed in 0.187010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表