Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54715|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, p" x2 s! A3 D
$ }& N* D" p7 i: Dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密$ f, O3 X- ^3 n0 f) V) Y
大部分是要match' p8 j; d! m+ }8 K! }
Metal poly  density  不夠
( c# s& }* M% C9 `% [加ㄉ那些也較 DUMMY $ }: _* R2 h$ f: _/ L6 [
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & K$ E# |3 O) J+ |) Q6 A( u& i
' m" ^* d1 t& w' w4 n& z. d! [- i2 ?
' x  E; r2 f9 I& `# s
    感謝樓上的大大  ~: [# I% n4 Z( d1 Y" ~7 Z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , h/ G4 [; `+ ?* `( y

6 ?0 @, T0 ~( y7 `: K: d# k2 k4 R8 d/ B# E3 G& o
    感謝您回覆的這麼的詳細
. y2 H" T, i, e7 Y+ ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 G. y- @9 R3 i3 f& F3 s/ z# ^& N3 _# z, n8 S/ W
不過簡單來說2 F& c1 z7 w, w; W% ?" u
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# t3 c, ]; J, l而特性就被損壞
+ P; [5 e- y7 ^: y" R+ M
; ]; D( S+ W* B% c& _若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 i% U0 I* W& N" J, j3 G  q! z所以蝕刻吃他最多
* q" m  m$ u) G8 y/ I. P主要部份特性就不會被破壞& m% W' z2 V8 Y$ d7 K6 r7 I9 w
* k* u7 M/ t8 U2 g% b% K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( B9 z+ W5 y3 S# [
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# y+ {+ R$ Y/ f$ a! J9 e) j

# k( U- d! m4 F$ d0 w又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) z; i' S) o. u6 O* Z還有電容也要加. d+ q$ ~$ {5 P) C$ H% T% E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% ]6 y1 L( Z: y9 W

% \1 j* x- b. K* _8 S7 f0 [% M$ aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! v+ V0 d7 O- g2 Dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

% ^2 d$ E3 M  H+ n; ^! _3 ]. O3 i1 u2 a0 k; T
; e1 w. l2 z) e! ]  f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 I+ u& Z1 [! K( j% u

7 Q$ S- V0 @1 G4 t& [. T* J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 k3 M! @5 c* h1 l% D% g7 b3 a- j
$ j8 y# Q9 C" H4 i- j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 03:17 AM , Processed in 0.188010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表