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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 s6 \2 p* f8 N$ i; ~2 v

. R3 z2 K, j6 |% R4 rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. V( |% L* G' H
大部分是要match8 g* C" T* c/ J
Metal poly  density  不夠/ C+ I6 i5 R7 Y! m2 N+ m
加ㄉ那些也較 DUMMY . o, ?' N) p; f* Y+ m, t/ D7 Z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
/ I: z5 l. P- v0 u, _, K/ `7 {: r" [& {. p% R

8 Y5 m! J4 P; |( H    感謝樓上的大大
+ u$ w  m, {. Z8 V7 C# Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / o3 w3 D4 ^/ q  v* |' s

& j0 |2 B; t  `" L6 u, l
$ I9 A) ^. m) p5 Z% n9 h8 j* J    感謝您回覆的這麼的詳細" A5 d- r% l% s" ?* b
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' l4 O: @9 J8 T" z6 e
! s2 l" E7 N- O. M5 M不過簡單來說
2 I# \6 J- N3 r0 S* M2 J& Y在製程時食刻會破壞掉你的元件; z/ j1 A8 B* i% @* x
而特性就被損壞
) J( E2 b6 d) p# F
5 J/ a% u9 [6 I8 I5 M9 a若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) {+ q' K* x( v1 v0 F! a所以蝕刻吃他最多
4 c" b7 |2 k$ h% {/ S' J6 B主要部份特性就不會被破壞+ b# {: V" a7 }8 X4 ^
: I" l, ]$ y* @) C/ Q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! v; X( _+ y$ J9 Z2 N所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 o9 R; ?. O9 V0 h. ^' Q" s) }. ~+ O5 `4 P, i
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* k; t2 F  p. O- c  u8 o
還有電容也要加
0 s! m6 y+ q. Y. @/ U# [9 I" Q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. C" ~8 |; ?' Q! F/ t1 ^; {$ ^5 u% H$ f
. ]8 }: g1 o! }  a( ^% dand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." |2 ^1 y$ a1 d) D
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. N! w" \- W$ B! X3 `7 I: ?# K) r
4 ]0 \! H; |: u3 T
1 [8 a9 W" V5 T4 t9 {( z    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 L4 l  F- `4 h
+ l& B' X7 o  v. S
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) C/ F4 g% A' l/ k+ [& G4 u
& h; ]2 C( @" d" f9 t數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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