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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; q: Q$ p6 B+ q, E5 {' Z/ l( u
% Y6 D- N& h* F0 L# L+ y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ U  b7 i. e5 v( R4 p大部分是要match9 m, u9 y7 ]. J! A+ y9 c" ~4 l' H1 t
Metal poly  density  不夠7 X+ P' l* V, ]$ g0 E% R4 [
加ㄉ那些也較 DUMMY
7 O1 N# @! S7 _8 W( Y' c' r把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . t  J% Z$ O& F% o
4 T; P6 d) }% p9 c8 C' x( s+ d
% _5 Z& L( n, ?' n. D
    感謝樓上的大大
  Y- g, B1 k. p0 n. b   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ i! C  a  p( x3 Y3 t+ B
' _6 G& J: }# J+ r: d& `& D% @' e$ h# ?) J: O
    感謝您回覆的這麼的詳細+ U4 ]  Q$ V/ Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ y3 ~, a7 A! L; E, b0 H% i/ e
不過簡單來說0 A8 o$ q& E; Z2 `: ]- D, d, x
在製程時食刻會破壞掉你的元件: a- z0 I/ z3 ?; Q9 |- t* a7 H
而特性就被損壞
) I& K8 y. P- E: |" Q: c8 _( F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- o  O4 V0 X2 \! M
所以蝕刻吃他最多
3 L  t; C2 [; O$ f! c. U, Z1 C; C主要部份特性就不會被破壞
+ |' X% Q/ `- h& ]- h3 |1 e' c% W: Z- A! |- t1 Y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& s( C/ Y/ B: T3 S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享: C' l* d8 n# v8 q' Y) w
, E0 N8 ]6 B0 @4 s* L
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 L3 g- b. u9 I還有電容也要加
( a, a  e, N3 l9 c若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' N$ Z  e; h  ~) r8 e; d: z. l
, S3 V7 s7 @5 Pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' h. w( V& K0 E2 [4 I" ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ W+ Q) h9 _. L( }6 g4 B

7 i% f# c7 d* x$ {% F+ b) ], D+ ]9 c& ]9 w$ C: w
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 w8 ~9 \! l9 d1 ^1 Z$ K
+ M5 D5 X9 R+ A8 u6 V7 Y  {
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 n  k: \# F+ |3 g/ V" ^+ s
  T. v: c6 a2 Q! r3 x+ j6 U5 H9 [) u
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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