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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 b" i( @' D4 i$ i$ g5 m) n4 C  S( e" r# t( K  C) [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 U. O9 E5 K; Y, j" O' Y% u- w# @$ R
大部分是要match
7 j' J* v6 X9 n- k& _, @Metal poly  density  不夠6 x/ ~# Y) N+ j0 t7 E2 V6 u
加ㄉ那些也較 DUMMY
- v- e# ~) F, L5 G. e把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( O" g2 V, @- t0 E# d
' S' l" J2 m5 O1 n7 h" d0 X& b  \- d9 c
! S, d5 _: b1 G  X' u
    感謝樓上的大大. n9 M9 ^3 o! B; G7 m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - J. o2 f  _& @# f. x  V

3 Z* B8 L# q) ^5 |
" k8 E. x6 J1 @0 d* N1 i/ B* z5 s    感謝您回覆的這麼的詳細9 V+ C2 Z$ m, B4 j& E% Z$ J
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- x6 s( ^) t- k+ N+ ^+ z9 Q1 N- m# U( [
不過簡單來說
; Y" k2 x7 R) F% A% `! a+ U+ H9 D* f在製程時食刻會破壞掉你的元件9 ?; _5 v; y5 d  i  @' `
而特性就被損壞5 t) I3 f. N( b6 I) A6 j
; M4 U  ]/ L9 E2 C. T
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& [, s. i% a( ~3 i
所以蝕刻吃他最多
. P: `4 e4 h: x) I" G* Q" }主要部份特性就不會被破壞
8 p! c# u  u+ C* I3 m/ `' t  G
0 F# `7 _+ l- T; b* N9 q; f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 }& |  ?& X' E$ U/ e" j: d9 f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
4 O$ o" U" k& o1 O. f: {7 o0 v  z  u& d1 y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 `2 @- g, X9 G, ?7 Y還有電容也要加
4 G8 x8 d: n, ?: Y5 A+ o若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ U4 |( u( G) p8 C
9 |; c' e" ?/ _( d" v* ]; p1 l! l
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 o* f  C+ D4 ~' y- dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; A; [3 ?4 [7 V" V' J( J

9 r/ R+ ?/ |! t; R" Y  ]0 E
  q( ~' C. t# \& L5 |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- r7 ~& R; x1 Q9 f/ O

) z7 X+ r6 h; p5 j如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 a8 M& R; S, f
% N' t3 m- t9 ]$ |" a. {2 `數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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