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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, g1 T6 L1 e2 [7 I$ \' y" ]3 J

+ J5 S3 @: s, p/ R5 G: h" i' ^poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. u  Y. p8 G6 i+ _大部分是要match
- ^" r$ Z; ^* I7 a1 e) Q$ UMetal poly  density  不夠
( p, \3 E& V, M/ l9 I加ㄉ那些也較 DUMMY + T* C8 u# D$ G% q: Z( I
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ `, j( O& a- S, u+ }+ e

5 W3 U7 `) d  J6 f# Q0 X3 s" s
) o1 L, j2 l# C    感謝樓上的大大/ t. k7 |8 y9 r' D1 H% C1 G) x* y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% I/ m9 g7 o$ N( h2 ], n1 W2 A8 y* u' n
8 m+ _6 V2 m0 S+ k3 r
    感謝您回覆的這麼的詳細8 U) G2 A8 C3 Q6 s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) K0 p" F# A9 e$ e; M4 t8 y

7 l2 I+ t, l2 Z, I& o- k不過簡單來說
# N& o; |. C/ @+ f7 w: o- h在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 \- H! K( f5 w$ f而特性就被損壞: A- n  B0 T3 `- L/ L

$ E3 |1 D9 P. e1 ^) U8 P9 Q- i! o若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, F! Y+ |* ]6 j1 |% T所以蝕刻吃他最多
8 ^( ^" B0 h1 G0 M) p) v5 o6 p' X# N主要部份特性就不會被破壞
9 Z8 k# J, f* e* d2 p0 G: w; {- p7 D1 U# g7 u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; W% `6 c: R- m
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) [5 Z, B+ w$ O0 \! f. c' F4 H3 |" Q) i
3 x; ]8 X8 \; D/ Y; O" n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! G: e* M! q& j
還有電容也要加0 T' T/ ]6 H9 k( I  H
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% j5 Z! F1 g5 O6 \4 Q
+ i) X+ W3 h) N
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
, V" s. s9 P, ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- c; T! T' C1 Q: @2 G- v
* T! P1 M/ V3 l+ L
& S0 q7 }! q7 _' O7 E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 K. E3 A% L5 ^2 \8 d. v
% n% f( u; \* X, A# b2 n
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 Q1 K1 m2 O4 e; F! i
' f+ I1 c7 o; z# U: \* ^數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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