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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 l: E; G% y. i" v1 `# w
4 B8 f1 Q6 d7 j; [- }( g) Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; f6 y$ t1 d' }, p+ Q大部分是要match
+ e1 P- C; f4 r7 IMetal poly  density  不夠
  ~0 x. N8 y  c, G加ㄉ那些也較 DUMMY ' ~) G2 n& a- Q: n: L; Q9 T: \) |; Y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* Q3 U8 J+ G$ p3 o; U
  P" m) O; i$ T+ c
9 |& Y. S& |) H+ s( c+ {. K    感謝樓上的大大9 {% Z. z7 {) _0 {1 Y% u  j
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 t, C  ^/ A/ @

5 x7 j4 h) _. \
5 `, l8 L  v- U: v! r" ~- ~/ I5 h    感謝您回覆的這麼的詳細# a! m/ \# B1 u5 b! L, V0 `( R, i5 A7 l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' q& C: t' T6 {, P  P  ?

, O" G+ i( |8 _: \- E+ H不過簡單來說
0 ^+ d2 p' L, U( T0 l. ?, u) R在製程時食刻會破壞掉你的元件
" C# T7 r& N" j. W0 e$ z而特性就被損壞
& Y9 p$ V6 Y# H2 x/ K, {' |1 K& i5 g' |: n4 d
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# e- a' V8 ~- @8 \4 A6 F所以蝕刻吃他最多7 E5 g3 ?7 o; \5 w! F; d# l
主要部份特性就不會被破壞
- f3 H& Q( a* O- f" |
$ P$ \# |, Y( |# M. f# d很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, W% S& h$ E. q, h7 }6 w1 k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; J/ y5 ^, M: }3 V- N
& c+ A5 `% Y6 `& C/ A; e* b又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% }! G. j' W+ c' _( x+ ~
還有電容也要加/ ^. d) i/ f4 _3 ?. e/ L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ O& }1 M  r6 G3 }5 ^

' A- f1 @& `* m" F/ tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! B3 t; v* X3 ?* I- u" tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& v3 k* z$ y8 H# u* R

+ \- Y  L% y7 k0 P/ V/ P- W3 `. |! h
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  n" k8 |. I: |3 w- J1 a# U' m; m( I1 \: q6 K6 a# B0 @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' t. v! ?& S3 b1 j# n% i
$ t6 o3 y: V1 R8 U數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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