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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 a% ?8 D9 Q. Z2 _& y1 J& c  ~$ t
8 ^. t. p5 l0 f9 {poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( Q, N6 l* O& V  ^/ r. v
大部分是要match/ p! T3 @  H: L) [
Metal poly  density  不夠: k, ^! y  E! S3 E* W
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 f% W5 f% z( n- E2 l把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 ?1 ?% _& X% v$ L9 \' _9 A; z) X8 Y% W- {+ l+ ?' _. t
" U* |/ \: I/ s8 o  O4 p$ k  a
    感謝樓上的大大
5 F' {7 d& @2 A" l- S$ w. K   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: z7 k  \4 e; B
& W# [! w+ D2 A+ O
/ e' E6 ^4 J- C) z" O7 {5 P0 h- p    感謝您回覆的這麼的詳細1 }' Q+ L5 J- L/ |3 _' X# f! W# b
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. q; d% Z3 o$ M5 R0 d. s
7 {' F0 `; ?+ ^. _不過簡單來說% e1 @$ H+ {/ N6 _9 k2 R
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 h$ ~) \4 H5 r# W5 [2 ^而特性就被損壞
; \  e+ M! y  q! z3 U; A
; R$ e" C9 ?3 F若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' H8 k* {7 ~& K. ]
所以蝕刻吃他最多0 l2 `) s; V1 @
主要部份特性就不會被破壞7 {( S8 a, j  G& Z0 |

3 C! P0 H( R) i5 c1 h- b: A很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- C* w* m. u+ G+ k6 k+ C, V- w0 [所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! `3 s' n) Z1 V" o/ D* Q7 ~% f& R
* Y8 ^! m9 c4 O% x
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ t1 E2 w: n3 [# ~3 A還有電容也要加
3 ~, I$ y0 S' w% e; F5 ~若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 F4 L8 j; j) k' X+ K
' t& ]$ S( C$ D% n: N
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& k- n( O7 A$ w1 L$ a/ Bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 T" N- ^7 h/ R" @  f, k* p; Y2 V

0 v2 R% ]* a2 t$ u- @; J. \/ n    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ q" q/ L  V0 l) r9 G% }) m1 Z- V0 }$ `) i0 U
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: d( v# N; z- a6 B5 `
8 Q1 c- E5 t7 a4 e/ b, i數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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