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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) u" S1 g& ^( T! {
% A9 D% F/ h! J, ~poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# p6 C& Z: W, b7 q
大部分是要match* g% k5 j" f4 _
Metal poly  density  不夠7 g! t; u% k- `) l
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 `# m5 f3 S8 I! f% F* g0 S把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : V. M' |( ?2 T2 x
5 t: q$ k/ n  N6 e
: m6 u0 |% D: {) W( v% e" y
    感謝樓上的大大8 i- Q0 s2 Z. d( J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; r7 v% ]8 g/ l% K
% p+ N5 V9 |1 B; z  F# R& L% b. M- b" d( ?/ V
    感謝您回覆的這麼的詳細4 k: R6 [2 C$ U( [
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# w* M2 G/ m* N" G' {3 p3 p
; P8 Q! a: e  V/ f) p, N" k
不過簡單來說
! D2 k4 }. ^4 }5 {3 B$ r6 z在製程時食刻會破壞掉你的元件
. P5 r" S# @4 ^" i% @! e而特性就被損壞! ?! Q' S) a9 L) k# X" V: Y7 J
2 [0 T# J# j8 s* u9 l6 X2 P
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
3 \& v' q$ n- T; m/ Z- }所以蝕刻吃他最多
* U5 q! j: x3 Z主要部份特性就不會被破壞3 t0 j2 Y5 P* D" d/ E4 r* f

! Q9 K9 q6 g+ f, }; N  m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 m# ]9 j$ C$ E. M* {" f/ M' _3 \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ T3 N9 p9 l2 z0 I
4 G2 q  T# R" @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  a0 ~( K0 t+ n2 Y* |; E5 V還有電容也要加
7 I2 L, j( Q( f7 G若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 ]0 e& b, r  N
. D7 T3 I* J5 P1 T
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., ?6 v/ |: g# ~+ _( @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 k! A8 |& f" s

: }8 ], i& U  t3 Q% H' _/ n$ Q) q  k; @5 t
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 e9 A: ~2 d5 a" o' ~

0 f7 w0 r) o9 h, K4 d. z  \如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* G8 e6 g# j1 D& a. i! {6 f( Z" H( ^9 \
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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