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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; y  n) j2 Q0 o) w, R8 q. i

; m. q8 }, w8 R# k' B; Q+ }poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 g8 w0 H, m. G3 z: I" H大部分是要match1 G$ [. f# ^1 _3 u- ~1 E7 a
Metal poly  density  不夠" L, {4 _$ [3 m! V
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 l; U" D0 L3 ]: B
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' V) p4 V$ ?& {2 D, y& o. F1 ?6 c3 H) Z! U, W; S% q4 M
5 I, ]# }- j9 ]& u
    感謝樓上的大大
: x$ v0 k' h4 C# I2 E0 E   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + Q+ d: D3 p" v9 r

' o6 j  k# |/ T" e& `
) f0 ]" G. m( N# X: h& O    感謝您回覆的這麼的詳細
# |/ N3 Z0 C$ E; R' C您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- u8 B3 @' K) \
7 Q& p5 H, `" t" J$ N6 h1 P
不過簡單來說( F2 C7 R  n: T8 r* _; G! E9 D
在製程時食刻會破壞掉你的元件. x" T$ a/ V" n7 X
而特性就被損壞6 T# R; S( \9 M
# J! C, }; l0 X3 r0 x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( a- X) }* P3 ~6 ^+ G( |! ~所以蝕刻吃他最多' F5 R* a6 |& I
主要部份特性就不會被破壞
& V# z; v. U0 s3 P- U" g4 i( y& m
* d' p4 F) ?" n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: ]8 q( g. l3 t" j
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 |; r: ?4 F% g# m# w6 c

3 ?6 ]% a; Z( L5 Z又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 T/ \3 B4 P4 {* p
還有電容也要加
7 B( c, D+ d7 @  u* s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 |/ i6 Y% R4 [5 y
( V# s/ C8 a) c* V
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 Q7 D: d9 @2 `9 I4 R$ T$ T
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& W8 J* f5 p; K4 \
! c/ c, ]: [% j
6 C$ h# F& G, K2 t2 [4 c# p
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. ~; t+ {3 M4 q9 r+ V

; p9 I9 i: a( d$ G) a8 g* B如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: _! [# `6 d. R( ?( g; P( q- i. ~! {, N/ n; K$ G) Y) ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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