Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55128|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
! U; e* L& I) A2 v1 \% J7 |& E, Y# B0 r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# J  C9 x5 r: m& U! C  {
大部分是要match" }+ P# O) |$ R# F: k1 F7 T
Metal poly  density  不夠( A8 _/ o1 Q1 L3 H
加ㄉ那些也較 DUMMY
# i8 g; k( L1 s" G# U; @5 O' I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; s. F0 K8 n/ q- T

: k' W$ l+ F  x' k- A: L- E7 l) W  r  c/ E0 J. R
    感謝樓上的大大. K  {  L" M1 m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; Z6 ~4 v2 H4 p5 z( Z8 C
! W! Y" |, P# y) n: b! z

# }  ]% U8 x2 W, p    感謝您回覆的這麼的詳細/ b$ n& d! h8 _6 q4 c; U, P
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 p. \8 L' T8 d2 R! G* R; G
; M0 K, C4 W( h9 E
不過簡單來說/ O' c# g" x4 K" o" Y3 w- r
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 i0 i9 n5 F! [+ ~; q& N而特性就被損壞! l4 G; q1 c' J; i& m- P, |: L$ x
3 ?) E# |" `/ p' u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: G  N4 |) O4 ~7 Y1 M所以蝕刻吃他最多
4 `7 z% L2 U. ]1 r! s/ d主要部份特性就不會被破壞
8 C5 P% J# R3 k' ^2 ], Y% V
1 T5 Q/ }$ w+ y1 i/ j很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: L# C, p& b( p# v" O$ E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 {% b8 N2 }: v) R/ m  C) ?) ]7 o

% h' f' v) M5 t4 j* P又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, I0 d) z; p: J) }/ v5 m還有電容也要加0 p" l" o8 Y  N! O0 ]
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( f% x- v, A6 I8 q1 k
( J. u8 X% Q; }6 wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...8 q+ ?4 c) f3 N7 Q. x
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 h3 |9 E+ I. V& [! J

0 y& u5 t$ o- r5 Z6 F7 |1 z: Z  j  R( p# F
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! a+ r# ^8 p  Y+ N! a7 z5 _
) z$ w, S' e3 f6 ^0 }! ]6 x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 P8 z2 w) m* s# ^% i8 ]
0 e5 i. b) K9 D( \1 f; N( g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 11:43 AM , Processed in 0.204012 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表