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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; R7 _$ X. R4 w; R# F  a* L) `! Z8 Z0 h! c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. V9 z; Z% Q- y. n  i大部分是要match
+ ^- Q0 R% y( O1 n5 CMetal poly  density  不夠
8 E8 `9 u0 o$ e4 A% J加ㄉ那些也較 DUMMY
' ^4 T3 ~9 q& {: W7 I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 _" Z1 l4 J2 Z5 L1 m4 S- T2 M( g! |( c! }

" e  B$ a# \5 D, Z$ `    感謝樓上的大大$ ~* W. h' V; h$ p3 a& d  R, g
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 K9 p1 |4 Y6 p1 K2 |' O. ~; _; a& T* K8 c) ^3 C$ W, J

+ ]1 k) ]& f& w, C, q1 M    感謝您回覆的這麼的詳細
/ o. S" o4 a! o! B& w您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 e, G; ]& O4 w- e
- b* u0 q% S, v7 C9 ^
不過簡單來說
4 b" e! n2 k- E! C0 @0 D在製程時食刻會破壞掉你的元件4 }8 j0 y- I$ {4 i! U2 M  O9 R. p
而特性就被損壞+ D1 q  J7 y; g. w, A5 G0 B3 Z$ z1 B

1 B* Q4 r/ N8 n% K5 b. d$ C0 g若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 i: F" W& C( O( Z1 @' `
所以蝕刻吃他最多  V# `7 w2 d; i8 k- ?2 ~
主要部份特性就不會被破壞
& j5 U" T" B/ K1 S0 y+ B) O: r# u) w/ V1 U
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 j# t; U. L. S/ o% ?
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: V) t! W* b7 V# t6 w9 t" A; L. P& r' X/ O: k; k
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ {) s; r3 ^8 P/ m3 ~: n
還有電容也要加
# T9 w- f& C+ }2 I" e若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: s* C& F+ K/ U5 r5 g
/ B' u# e; v) J- i5 P, w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( |' O$ q1 B; p! {9 Q" [9 L9 _
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" E' d6 p0 t7 K& `! C- t1 {. g

8 y: h- B  |. c8 l" t8 ]
9 K- _! n8 Y' h5 i6 Y( y' [    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: z1 l+ }: o, H; ]4 ?* a# K! F
0 T# z! u( T$ w* h0 S3 U9 G1 J
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- @+ i8 ]$ R" ^2 Q. T2 X
3 R; \9 H) ?& r
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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