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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 |# t& L/ b5 ~7 u6 m9 y) L+ A/ M( f  {3 ^3 r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" o; ~8 W) }9 d+ Z, p大部分是要match
$ c* Z5 G6 |; y0 n" t1 oMetal poly  density  不夠3 b) z5 J5 h. [% ^1 o- D" b
加ㄉ那些也較 DUMMY # Y8 {2 _% d! E2 T$ Y) D+ e' k( O
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' O* _( T9 W% K

& j5 A. i, S& @- t. d5 T7 C# k5 k' ~) r2 c7 q
    感謝樓上的大大! b4 y$ a$ i' O: S0 b$ E
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! m, L5 F  z4 k$ y1 t
. o: b* T" x: w" p3 r4 y: {$ z3 k( m9 H( q( T
    感謝您回覆的這麼的詳細( y& U+ k6 k5 I4 r
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; B1 g2 O4 X8 L+ g
4 t* K: o! B" r5 \$ w' F" D% }不過簡單來說
* l; x3 U" Z: z/ j" Y0 V在製程時食刻會破壞掉你的元件0 g1 Z# H/ g% S3 H$ v+ o( A/ A+ c
而特性就被損壞
- W$ M& v3 @# d) e
( O6 J' J6 ~5 [若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 Q! b+ O8 g1 q4 f所以蝕刻吃他最多# B9 O% r% j  F  x
主要部份特性就不會被破壞
7 }0 J8 G4 t7 x0 f$ w4 }; `, W; {) a6 v( v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 A% \  \, x* J: T+ Q  @! p) U所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) a8 k- h5 G& D1 V8 a

- G4 u7 M, Z( X% f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' G7 o+ H! m* n1 _3 w: z, X
還有電容也要加% P3 [. Z7 [  o. C0 z3 {5 _
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- H6 i. ]$ f/ S5 w- h

2 _+ A3 V7 M  I' xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% y& T; s- q! o- |4 Xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- ]  a( L+ \: A  m) V. I% D5 P4 |* K! X, b9 [2 J6 ~$ a4 C
3 J4 A+ ~. b1 \  [& ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: z) U6 I& v" ]* f
  F2 W) K' h5 G9 q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# y% \% D0 f* }
5 j9 S# {+ D% T7 v  \5 w* z2 n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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