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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 t( H! Y' S6 x- [: J  k! l# S

& ^* m" o" n; ~$ zpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) C# V. F; z/ q" k) ]
大部分是要match
0 ]' u' H. C! u8 v: ~" nMetal poly  density  不夠/ a, B' b' a' u. `: {3 N% q! m
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 ~3 m1 u4 O' m: P1 q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 x" ?* y6 W5 a" p8 J  C, v- |8 D7 R/ t- |7 k2 n! Q

5 g0 W1 l: u2 ^" e6 G: F1 f    感謝樓上的大大
& O* t8 \+ m+ ^6 s# m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% _/ w1 O( N9 X% l
/ o3 v# W1 T( i; E% `8 e/ G3 ]" e' T5 f
    感謝您回覆的這麼的詳細
, h' T. E. m& F: B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: b( l( b! s! G" W' S  a; m" s6 I. q- [& Q4 t* F, T. M7 R/ i
不過簡單來說; Y. l; Z: Q6 x% I& t  A
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* g5 f4 F# @! w4 T' {而特性就被損壞
. k3 p2 S' `$ c5 J. c* D2 s/ n
+ [8 r3 f7 H4 R4 z* m若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 g$ Y4 e* x9 t. {. v0 _所以蝕刻吃他最多
. c# g6 X8 P6 ]主要部份特性就不會被破壞  f! q& |# `2 }7 _
, r! }4 V7 A4 Q+ h, M; D' y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' X* v+ K! V( w1 `! P4 m6 p( l
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 F) l# h. |3 n; V5 H7 J' f
9 Z% |* V! ?, `  y1 P: u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ D+ _0 G1 I/ E7 r% z- [5 v
還有電容也要加- e4 _( y- _  n& @- E7 i
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 X0 `- R, ~9 j! v' H9 s6 ]* I

$ t! s5 d% V( [( h5 V. _' [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 F6 x; \; y2 ^& ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 z0 v$ x/ F6 L- _6 O- q% l  {8 l( v5 X" J4 a3 n( d. i

; u" G: B! i9 A, h/ n    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
0 w1 a1 ]8 S: }
% K6 r5 j5 S, X# e2 Z3 o如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 h+ K9 Y4 T  O# Y7 o9 l3 r

& {5 T, |' ]4 h$ u數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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