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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; J* K, K5 F& `" Q4 f% @/ m

" n2 J9 q' N) o1 h" A9 n; ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" D4 _  G/ x- A
大部分是要match
9 M  K! Y# w2 P. h+ S" I0 A+ KMetal poly  density  不夠
8 ]; D) U8 v" s' ?& Z- N加ㄉ那些也較 DUMMY ; e+ _. }; {$ {9 [# ~% c
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 x; n2 n1 j6 w4 l" I+ V7 [# ~
2 Z5 L6 R6 S& ?0 _- c
1 ?% _$ c/ [6 C4 [. N
    感謝樓上的大大" i" _1 Z4 B# ]4 K( q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * C- P! X" I! ?  u# E

4 G4 z9 ~! J6 G/ R' d; Q
5 {, n* j! x5 }3 `    感謝您回覆的這麼的詳細
/ y  P7 ^$ g. P您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 J) B* M; o. T( w3 v  Z* m" O6 G
: h1 n: f% Q6 B不過簡單來說
* A9 G- C% |1 d1 r6 r在製程時食刻會破壞掉你的元件
  V' y' f; v) v" s! a而特性就被損壞* W7 N2 Z6 M6 E( ~7 a  c
+ [) h$ X6 l' G% r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' e+ Z0 K8 ^. ^" R9 A: {$ V8 D
所以蝕刻吃他最多
3 i4 u) }" [8 m# V主要部份特性就不會被破壞' v5 }- j8 M2 e) y; Y
, }! H: ]0 T7 S4 }" W1 k- p. Q! ]
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 v% Q$ ?; N  k: b. X  U
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 {( P3 j; Y, Y# G6 C

# t5 r% ~5 x' _7 B4 _* z. n' f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" t7 V1 }( y$ y) C
還有電容也要加
# b+ z1 d8 e5 Y3 _7 b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  I; Z$ p2 V3 R, [' Y
# _. |$ i0 O9 Hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- A3 S: L. D, D* zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 b3 }( Z% d' a
6 p( o. s4 W  S
0 H0 o1 {# r  N1 o+ A$ V, [# N    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 K4 g, X* t- Q! V+ T
1 n, b1 C% P/ w4 B0 H' u& R
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- Z& i) k6 C8 Z4 @0 C' ?8 P/ K4 |" q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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