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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 d+ d* l0 q& C& l" x- k6 {! V5 o) n! W# b+ V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 S+ E+ M- L5 C5 ~' l9 x
大部分是要match
% N8 M+ }4 ~8 f# x/ |# A  u. w5 ZMetal poly  density  不夠1 j; x% b9 G4 Q, }
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 m# \8 _# w0 ^把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 v  D6 S; \' ]0 T& E
6 k7 b( P0 i2 _" x* F* j( D. s: [

, T! a# O( @* f1 h1 f3 @& j    感謝樓上的大大
# p! A, N' \8 G' o: P, T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 k5 c0 g/ ?  {/ C3 h9 }; V. y. o2 O
2 j( }  J0 d. @1 G9 j% w2 l
    感謝您回覆的這麼的詳細& ?" U9 _& b+ Z0 [$ Y& f
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 B  Q; G4 E' t0 f

& c) E! B! c2 j- z6 W5 O2 f: v不過簡單來說
' M* C6 N5 ]+ h0 Q在製程時食刻會破壞掉你的元件) u. _0 t% x# ?2 w
而特性就被損壞
2 l- ]( w$ a9 Q0 s( H; j8 m: K6 o2 ?; u8 M- E; D- O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! f) M( I+ m9 \4 A# _
所以蝕刻吃他最多
  ]# ?0 G7 ]+ c$ U$ A0 g主要部份特性就不會被破壞
! i# E5 K& A1 U* x+ R; \0 O7 P* ]! S8 A8 l
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# w. z- a3 {$ y* X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' l. p$ w* n6 Z5 p: q
1 E9 H( ^( m1 P: n' [- [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- x6 M  c4 L/ c$ q  P5 z2 ?還有電容也要加# t% V9 a/ u  d( W. I1 e0 ?5 c
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* v8 d  {; V& r; [( U6 K% i1 T; n7 {, F
' O) A0 v5 U# X& U
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& u/ s" O9 d! T  K+ M; Mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ `# ?' ]. ?" U7 o. G/ z
2 x0 U" Y: g) {! o* R' p
7 B/ j9 U% R7 w9 j' h& Q
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ h, m) J1 e2 |$ h6 Q# R& P
/ G9 h. w4 N9 Z2 J" A7 }
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  C$ I- X6 l, n5 j3 I

! o0 V) I3 u4 e# Z3 L3 m# ^3 |9 [數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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