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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, ^% A$ Y  F1 J

% h$ z& n% ^% l9 m" Qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
4 |! H' D1 p6 Q( f大部分是要match" R; u3 C, S& O2 |- \  Q) O
Metal poly  density  不夠
  M; a6 v$ Q# h# |加ㄉ那些也較 DUMMY
2 w" K( S7 g% K0 _8 C$ r' y( n把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 C8 i; g" B$ I( [; v! U$ _

: e8 c- i6 k* M/ L0 t6 A7 d7 I3 l  o0 M! X
    感謝樓上的大大/ A6 e' s6 m* C6 E2 J! r1 l
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * }5 A/ f8 D+ v9 _3 J

) \' @4 v1 u" y- U
% Y+ ^7 e: P# I6 h1 L5 \    感謝您回覆的這麼的詳細$ m; W0 K% `2 r
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 F( b  k/ r) c% ~% a; G0 b2 a
& \' |3 k8 N' h. ~不過簡單來說# T4 T. X. n4 e) k0 |9 T$ J( z
在製程時食刻會破壞掉你的元件
& o$ p* l* I$ l而特性就被損壞
5 n$ N( Z2 W& w4 ?: ^# G1 M/ g) o- X2 X/ Z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ K) ?( O: J, Z6 k* k! ?9 U所以蝕刻吃他最多7 r  x5 e( W5 T: \4 ?0 a. ^
主要部份特性就不會被破壞/ y( x* _* T6 l+ x6 `

) {, K3 E5 J6 ~# B2 A% c) B- Q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 T% H8 b1 @0 ~2 B3 s! r8 H所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ E2 l1 v4 I) m/ D/ w: P) q$ g9 E" Z- r
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* i, m& m- q& N$ l, b, h# v還有電容也要加% @0 n7 {7 F* e
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 w+ ?; r- i* t
: V# p* n3 S$ N/ xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 S  g6 p) R0 R/ b; r6 p9 ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 ^, j  ?6 _; |9 k- h: z) M

' D& V) h. B4 W. g( U3 ]' T0 I
- U, o, a$ q: u6 O% c, B: D6 v4 b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ S) G8 o3 y" r. j" W( [4 `$ n: ?- ^$ Q! v/ T2 E
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: G& O- b9 g8 ^
1 f# M6 a" ^9 s3 V- @' P數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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