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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 U& `, |% [( r1 |/ v6 S
+ J  I4 F# S: h4 f0 B* T- {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: `. j& j2 h/ O, ?+ T1 u大部分是要match
( R" V  T0 a% X8 `6 u+ R9 x/ hMetal poly  density  不夠
9 c2 V9 K0 l# K  J9 R: c加ㄉ那些也較 DUMMY ! T6 K0 O# ^, h3 g: Q. u; f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & _  m2 ~- _( s2 |6 E. P/ M
* I" d2 A1 [- B- j- n7 E

( i1 G* Y; ]% Y    感謝樓上的大大
: Y+ n: W, C( v% s+ B0 ^+ _# C; l! ?   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
/ T( Z- ~" P4 W7 l2 I6 C
# i: k4 z: N+ m" b8 d( f# [" `  I! E" m( y# {; [
    感謝您回覆的這麼的詳細
" c* B) O5 h' y, Z您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ r+ s. H! B% r; t# H: ?& V

$ N9 p0 ^# A0 T5 N$ F* n不過簡單來說
7 ?/ E7 i; b% L. E* }" k: [: C在製程時食刻會破壞掉你的元件0 P9 p* m  I* y9 o! P* C; p0 g- d5 a
而特性就被損壞
9 w" @7 R! a+ L0 \( F: P9 L
7 ~3 M1 d" E( t: j3 u若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 K- o9 I8 Q" @2 x+ ^所以蝕刻吃他最多2 ^8 O% F& D  W& ~! e/ ~
主要部份特性就不會被破壞$ M; A$ _3 [8 l* ^
6 M* W  ?. x+ V' z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* X- L0 F2 B- G+ E$ t所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% u1 X; W9 T1 ]- y% ]  c5 w% |

) l' `$ `# ~! @  n  K! Q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( D0 ]& V& \$ q5 \$ V
還有電容也要加6 O* i* N9 z  V; h) U
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 i; _7 z9 v& T, k. T  X

5 ^$ ^& i7 K( B( wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
7 e. S2 B' s, o9 o3 X; }2 Z3 nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* a' G" e& O1 g0 I9 ^1 {
2 M0 T& m- Y! |8 B
5 ^" I, T' j6 k
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# g9 g; T* ?2 a/ L; E

+ h" m% \, M6 m5 F2 z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. l1 P) S5 n# p; i9 q' q5 F( v. H# X; a9 ~: _  R: _4 [: v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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