Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55331|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) U- a0 U6 c& j( a- w8 |+ q5 J
" h$ S2 E2 _  R, O& w: Epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; c* H6 Q6 v3 ]  E. X0 s大部分是要match1 J  ]; \" I3 e2 n9 R& I4 X$ b
Metal poly  density  不夠0 X! M9 h. o8 m0 _: @& p$ C
加ㄉ那些也較 DUMMY
9 A7 v, F% I9 m7 ~+ Q$ I6 a3 G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 V8 d7 Q: p( T* s
0 p- J3 z7 a" Y5 E  k: h, h/ ]: w  \; g2 P0 `
    感謝樓上的大大. t$ P9 H4 q! p
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; R; D3 A: g* u- P
6 x. ^0 e: o8 P
$ n' t' [6 Z- S5 y: [0 ~    感謝您回覆的這麼的詳細
! }4 P$ X, X% L, F4 h7 {& s+ k您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& g( B0 l$ T/ {3 `5 Y! {+ {- g+ X

/ u- v! B; K8 }8 e3 G, ?3 e不過簡單來說
- H* e# |( _  v) _9 A1 a在製程時食刻會破壞掉你的元件$ x# _4 C( e; j: K* m0 [1 v  H$ b
而特性就被損壞( g) {3 z1 u9 Q) p2 D8 ~

1 ?! @8 M* l* t9 V1 E! G% M1 ]& ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. D, F6 t- H9 @/ P2 F3 ?
所以蝕刻吃他最多& h; @: d. i: d% P
主要部份特性就不會被破壞& ^6 @% y+ I& }: A2 a5 j
: x1 }0 a) E+ `: E# C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 _( Y0 K/ U7 G. n' c: N  U所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 b3 }" r: n3 ~% A5 \9 Q/ Z6 r3 M
1 l! Y' H. s9 i7 N/ |& z6 K, X
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" Z% V+ i+ w( J- p還有電容也要加
. G5 l$ ?, Z, A: F1 T若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! O4 Z* Z, v  j2 Z, K) [/ P5 ?% |' [  K4 `/ ?; j6 J
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# h9 ^8 {6 N3 o% Y8 L, t& H1 G; _
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ I+ ?5 B; a  r+ b

$ m$ C) l4 h( }9 n: b- ?
6 }3 S+ U* X8 K0 J, y, a8 |    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 w9 K$ i& C; ]/ j( D& |2 L
; I  g7 R- a2 ^+ R! K
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 w' N( a5 b% Y& ^' y7 F
1 K4 d8 T9 w) p  g# P( i數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 06:43 PM , Processed in 0.175010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表