Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54782|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" K9 L" B! ^4 A* o$ H5 }
- _/ y# i# a! k1 m- G5 dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: I% k( N! q& C0 C! P8 h大部分是要match3 A3 j) Y9 l3 ~
Metal poly  density  不夠
# o3 W, a6 s' X# g2 k# z0 S3 A加ㄉ那些也較 DUMMY 6 e- @$ x) |5 g$ t
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 F0 _: |) k7 [0 I( s( Y- d
! p0 U9 P1 M$ \( _: O; v& F* l/ |2 d+ O- v, i4 ?. L
    感謝樓上的大大
* p$ n4 j( J' T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) c+ D3 I9 ?2 J+ s' @

: i1 [) L( Q% Y. S1 v. F7 C# j2 @, N0 I2 g- W
    感謝您回覆的這麼的詳細
& s, D) ?3 \* C6 v( h* {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 I8 _: P3 H3 m0 l% K" z
- L* U& k& s$ g* `. h& P
不過簡單來說
5 p4 [0 ?6 z# r在製程時食刻會破壞掉你的元件' N8 |% @1 K% g9 W2 S+ E
而特性就被損壞
# f, x" f& U# u* }
% J" Z3 p( _2 o- A& Z- i" _若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" {, u( P# F+ Q2 l5 W所以蝕刻吃他最多4 M# O7 t7 B+ ?, E" i1 F3 N8 Y
主要部份特性就不會被破壞
( r8 M6 F& j: J* C4 t; P% w4 M2 s6 G! T( i  B
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 \/ l7 t! Y: H' p所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 I9 H1 B$ w3 i% s' I+ E
& O  V1 d8 s6 s4 a
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ E7 R6 C+ a! L9 h, ^
還有電容也要加
* C' G& i! ]4 T3 r. B  N# b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 B" a9 R6 I8 y1 b

& q$ t/ @6 ]7 L7 y( e. B& aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 M4 N8 e) _9 s9 l% dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ O1 U* Z$ I; j% S* [% a

/ R+ Z4 W( ~5 H9 c% Z/ r; f8 n2 U! Z- x
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% x1 ?) U8 f# `. V( |! b
; G7 u6 W/ ^2 a, I, k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 a9 L* y4 g1 }7 M# u# X

  X8 M/ A+ n- X  \* L! ~9 @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 12:01 PM , Processed in 0.179010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表