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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, r. J  \, w1 m# O
# @" C' }1 w# \  Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. L8 W  G8 L. @大部分是要match
+ D  C) X5 f9 R6 R( @! YMetal poly  density  不夠
6 p6 a8 k/ b+ c  X+ m# o加ㄉ那些也較 DUMMY 3 N0 i0 i5 G& h& p: n% q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, i3 u- t3 f4 w1 T3 @. @9 h. Q& J
1 q$ O$ ^, s9 ~( y2 u- i3 y" L' o# v, n; M$ a8 H! W, r
    感謝樓上的大大
/ h4 G2 M9 D3 A! I( c# y1 T. |/ I   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# b; z- ^+ p4 n# G* @3 ]1 x* P' P3 W) d

, i: \+ z% P! L: \$ t    感謝您回覆的這麼的詳細
1 g6 z) ~( }8 a4 v2 L) o$ y% `: Y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; Y8 e& J( }7 `

5 x' ^) z4 u9 t$ `不過簡單來說
( ]+ Z% k. {3 B6 y+ ?9 @在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ k0 o: L# [+ v$ v而特性就被損壞
( N( G$ s$ C8 x1 Z
. |( `% K, p, B) n3 f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ v  m+ S2 O* W, V3 |* w5 K所以蝕刻吃他最多0 B) X7 C: g6 Q# v$ g9 T8 ^3 `
主要部份特性就不會被破壞* t6 l/ \; o5 i4 T
+ U0 k* T( ]  X# h% t' W1 b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, n6 p+ t1 S# n6 y/ w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, n2 `7 ]. o0 m: k- ~
0 S+ |8 o/ S* e( _7 @) s& ]又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( l$ G) t0 r& Y. G' i
還有電容也要加7 u. U4 q8 T, \6 D& c, A
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  Q5 O, z& _" n& n' ]( m+ I6 {' k6 ?$ {8 g8 ?
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ x5 y, q( _$ N& r0 ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ ?' `" J8 b* V- [
2 u+ j: S: u% G; B; D$ Y
( f* }, I9 a; e9 L; _
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- |6 s( W) Z. X" J$ O2 h1 l. f. I
+ P4 ~+ I" g% T! E+ }' |: r
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' R  N9 j" s0 g0 Z; l3 m

( k6 F: V: r, [2 U2 }' g7 N! m5 ]& }數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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