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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' S3 x* f2 P+ x; [( @9 v
1 Z4 ]. N9 O! [9 tpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* Q9 Y$ @/ ]! ~& C, w4 U7 v
大部分是要match
, B, H9 X7 L$ r: PMetal poly  density  不夠* Y1 k- n4 s: f6 I- y$ g
加ㄉ那些也較 DUMMY ' q+ M( J$ ~3 E8 b, b: S& W
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& _" s# m  N2 v) ~# \  A5 q& K8 P3 n# g- \3 S6 k

+ S: {, j$ \: ^9 P1 @1 W    感謝樓上的大大& K- s1 h8 W' _+ V
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. e# H& C1 [5 `9 q- V6 y: `
' r1 F4 g/ f3 A' N. I9 S
" o3 F$ M2 c1 U6 i. {    感謝您回覆的這麼的詳細
  l! ^( O8 x6 T/ a您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. U" w! t& a5 E
  [! G# c! A* {  N5 D
不過簡單來說
2 P4 ^" z' v! @- X在製程時食刻會破壞掉你的元件2 N& t8 x' I  ~/ Z9 j  z6 r
而特性就被損壞& |& a9 \7 g% L) a: f1 _

9 j' U/ T4 d$ Q+ z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, S% h) D  N" ~# S& T1 b. ]: a9 `所以蝕刻吃他最多
- G, m  [; a6 l8 n+ x* `% u: l主要部份特性就不會被破壞
5 D  I9 |5 I. Z; w' j. v. q: M7 F0 I$ h7 @
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 g, Z- \/ K% W  v* m' B, j. S( d& y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 L3 z3 h/ @, }: {; ~% z
# e3 u! [6 W! R& x& j9 O, S) p. G
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ |. g% q! y2 ^+ s8 @' ^  c( o還有電容也要加  I/ i6 \: r1 b( o0 M. y, a
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 _, y. A1 x& d: W& L7 e/ ^$ E
9 F8 I9 C( y7 p4 Z. Z8 d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 x6 K* u) j6 W) [& Q$ @
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ o, `0 Q$ S% n- x" g3 K
$ [5 D. C! v' N# Y, [0 F0 B
1 m( I4 w6 e$ j& ?6 r    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. ~( s/ ?7 Y. U& q6 m) U  N
' y, `8 C# P% n4 c. l" ?2 X2 t& v6 L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 Q% k7 o6 {$ t; }# I" E
6 }5 F* M* B5 Q& F4 z0 {數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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