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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; {# m% \+ E1 x! `1 m. [8 X4 A' a: g8 m
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. e" {/ _; q) H6 l大部分是要match2 W. X+ @1 m1 Q9 K! M# R
Metal poly  density  不夠
1 i+ W9 `+ i- N! \4 p加ㄉ那些也較 DUMMY ! m% j& h$ ~* C  v( j
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 D7 @% j1 Z$ N1 c
4 f) |. }+ S: K, u8 X5 U
# k$ z7 H0 i# ~6 C8 d
    感謝樓上的大大
+ O  Y; ^6 u  J4 Q, v* y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 o1 g+ b- B. i2 {! u

" }' s. X5 H5 p0 L+ x$ N' C8 a
( |) z5 Q1 k/ N- l( u9 m2 H, [    感謝您回覆的這麼的詳細4 x2 X# T, N1 U- Y" c+ T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* X2 x6 ?2 ~, G

6 n! y- W# m3 H# w" c. l8 n不過簡單來說
4 v3 ?# |& c# ?+ f9 U在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 J7 Q( l5 r+ }. E) p; I( h而特性就被損壞
6 f2 B  t, |# s4 M4 g: f3 F5 u/ ~+ i) T
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ [- g& P7 z. U( s. ^6 [
所以蝕刻吃他最多# W6 I+ R: v7 ~8 j/ r' H6 j" L; `
主要部份特性就不會被破壞2 w( _5 G) @; B8 {7 [

9 a4 ^8 p# N! V3 V5 \3 k2 j很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 g$ L4 J6 s7 ~" a所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ N3 K! I5 [+ K3 ^5 i- P
  V$ Z% E! f8 ~% C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, p  H. @, d& E% c6 v* N! ?0 v# \2 O還有電容也要加
, Q8 |  Q; r/ V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- L4 B/ w) R. D$ `7 t

2 {7 t" k! f6 L$ c& ~4 r  \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' e  ~  s$ F' q% a) ?
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* L0 t0 c# A4 H( ?7 b
( ]5 u$ l* d" |; H( E( O& W+ A8 O+ _4 l
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 Q* c6 w- `1 x- E0 E( F
7 k& k/ T8 q5 @" V/ ~1 e7 W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% {( R2 G% J/ Q& s3 H
* a+ |3 E7 P- a" D
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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