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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 h# N! s* K2 D# D" j, d0 U' M& y! j$ d7 r+ L0 k) O$ j. h# e
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 S# _* E/ h* Q5 d
大部分是要match
2 n; r2 o# K* @; D6 k6 y; LMetal poly  density  不夠8 S) t, l  m: j4 l
加ㄉ那些也較 DUMMY
% J6 x6 t2 Y9 v$ i* j" m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% Y% _/ y; m$ I% P( N
* q6 B" v4 k7 b8 r! @/ Y' v% v/ s3 j/ R, ?3 i
    感謝樓上的大大
; {5 W4 j1 N2 \1 R   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , R7 @+ z: O) P! R% _
- T' s' P; k: o2 x6 f& L$ E

- U1 n+ w% t6 A) m    感謝您回覆的這麼的詳細5 I: U7 D2 `& [4 t3 @7 C
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% k8 J- |& b6 q2 P' {7 w
: `% `6 M' P/ W9 @! x1 }
不過簡單來說) b# v4 v! Q5 G# V& v! J0 p
在製程時食刻會破壞掉你的元件7 D& z6 p# `/ B) M  x
而特性就被損壞* q( B2 x3 N6 v; R4 x% M, K  K

. k/ U4 F. U& p- i1 L% n9 E( X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- R/ t: [0 @& l  _
所以蝕刻吃他最多3 x, N2 v; J. o- |* |  B
主要部份特性就不會被破壞
5 q" R% y9 a8 ~8 @1 F( p* ^. ~7 i5 k3 @
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 H6 D0 ]. y( t$ |8 c# ^0 y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- O! N! p1 A7 ^" W- P/ ~& j; ?
9 q, x$ N/ v3 ?) h( \5 ~5 q% o
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* z# o, Q. q$ Y  v. n( S
還有電容也要加) ^4 {3 ^5 Q$ t
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: x5 t; d* y0 b% f1 \' Q1 k, C

7 F7 E6 Y# z  C1 W$ \" u7 K* N: uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 H0 G3 C5 Z* ?, v( S- h9 E7 Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 N0 D& i$ C3 r! {& S
, X1 E  f7 r9 I2 c7 \( ]

. ^9 q) `3 T6 B5 ~1 W    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* `: @8 @* J" Q8 ?- S( w6 Z! L& S$ {  j

5 _0 Q, a5 Q% |4 A# L2 K如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 Q3 \) X+ G. X3 M0 K4 I( s" p1 ^  m+ P; k* A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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