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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 \4 s; p0 C2 t
' s* U6 z7 m2 E* d0 V6 h
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! U- s$ i) I6 @* L  X大部分是要match% ]: K' U6 z& B4 _1 o
Metal poly  density  不夠
- z2 Q5 \3 r6 l: [+ }) g4 u加ㄉ那些也較 DUMMY
% s% X4 G6 p* }: o  p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 ~+ l+ l5 |- v& b. Z
* w5 {9 H" X: x2 T) J, s' p
; R$ s0 i  M+ i2 ~1 n4 W- z
    感謝樓上的大大- B0 h  b6 O+ P5 i
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 F. r( }+ E1 @5 D2 ^0 ]& Q
( e- X4 ?/ h5 r( Y) A; ~
9 h0 [  }* i  ]4 x
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 V' H7 X9 X  U$ a+ O6 S4 W您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 Z; u4 @; x9 E( X; z
' _  H( h6 L& [$ J; `不過簡單來說
  V$ F5 Z  N5 T* n% J5 b在製程時食刻會破壞掉你的元件5 v" f- k! U* m: ^
而特性就被損壞
  L( l3 x) G6 o' K5 ]
( b7 b9 @: p5 _+ I  K若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) y+ z  w. e$ b) Z
所以蝕刻吃他最多
" q8 D4 {) c" R9 p% J& _主要部份特性就不會被破壞2 r( q4 Y. P2 L  U( y
& Y7 X& M$ |' o, j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; I7 L& |: y; V$ {: I% t2 f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; B  F6 O- F1 ^$ _- I
3 l7 j& m+ s3 f2 r: F* `
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( E2 H6 p. N: I2 u' |, p: J還有電容也要加
3 A; U0 s0 M8 ~5 _# v) p若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 v& F9 R: u: O8 K& f) i* G: U4 S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* g' ], s/ r' _' f7 y, L4 }vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 _! {3 T+ h3 b  W# V% r

, ^$ F( ^! u. H/ P" ]2 r- @; `2 P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 M, x" F: `; [2 d

7 \  |  u' p& r  `如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 U. s! N. W9 O  R# l
1 C  M* j* M1 B# L! h, D# ?6 ~5 ~數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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