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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ ~0 g6 R0 e# Z$ p, ^8 Z3 }3 h6 `  d5 ^3 q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 f4 {4 C& S; [: A. j8 t( @" N大部分是要match, O  g. [) W* |5 g1 q& M  U, M- W
Metal poly  density  不夠
4 h3 l. P+ U5 T9 w加ㄉ那些也較 DUMMY ' O5 l$ G8 a3 C8 t
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* Y! G: M: \* _) M) n8 X7 H& T+ Y! o5 `6 v
) h( {+ c* E; o7 @( V9 q
    感謝樓上的大大2 G1 b& [' r- m5 \: y. y4 n
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 ]1 Y; b/ y' |% x9 @3 F

$ e9 @/ O. o* V' A9 ^) Z2 q8 k9 a- D3 I% v3 U* T
    感謝您回覆的這麼的詳細, B) u% d' _1 E! K  E" H' `% n
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ Y- y5 }& v+ Q$ {- K" w! H/ p5 x* O  i, L  F/ J3 @2 j! S# }- Y) e- r
不過簡單來說
  g2 l$ c  @3 u! i: q1 |在製程時食刻會破壞掉你的元件- e& e& x' ~8 Y# O( R. u
而特性就被損壞$ ?; @6 B$ e6 \4 O5 C

5 a3 l9 H- d  k& A6 A! I4 b$ Q$ O7 m若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& L$ O# r& k5 l9 \
所以蝕刻吃他最多
; n2 \. |$ h8 W5 o0 p: O主要部份特性就不會被破壞
# o: S5 |+ R( t& T1 G3 }7 l$ U/ z  F7 c0 P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: g$ i* ^9 I9 q+ H! }所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( P4 G3 L. \! x6 j4 I( A/ |; m$ l  ~4 _0 J
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加) ^+ f$ l( X" t! s( l; Z; }) t
還有電容也要加
' ?; E& |( I- _; L" n. a8 t若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!' T5 G0 ?' v. ]# ?0 b6 t
8 s6 N* p+ ]" s' [
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- V  r* k/ i# C/ M! Q$ U3 G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& r. R% ]! q: T: I* a" r/ K$ M5 p
! y- ?/ w4 S, ?' D8 e

/ U5 i! K$ F/ p9 M! G1 S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" N* [/ n7 K; O- G" W

- Z! j, x0 @' J' v3 m# E% W/ c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% x$ o6 C" R* Y; t

( U8 [, ?2 m9 F' A! D數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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