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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* F0 {, O- }' O3 q$ J; l- j: y% t
7 }. c6 l6 I+ V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% W$ t, B( q7 t大部分是要match- t0 R; s0 H" K' o
Metal poly  density  不夠( I2 `/ W: s7 s" P
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 X: D6 S4 k3 U! j% ?4 H把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 ^. r- B/ X6 X1 d$ x) [7 E
2 L3 {! ]- R% G( _* v

/ T9 g* N% Z6 K/ M- u. |    感謝樓上的大大
& T  o! b0 X1 H   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * O' x; \! p5 b4 K! t8 u
" p6 X4 Z$ D+ K8 C, C* I! h
, I3 {8 U8 \2 J& o& y1 \
    感謝您回覆的這麼的詳細
% b9 p% n' o# K您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 l1 j* H3 R) q* g( {4 r  B* M$ [
2 @* H5 B. k$ ?/ _: t$ T0 O' X
不過簡單來說
9 ?5 Q% p) E/ \$ e/ R* e在製程時食刻會破壞掉你的元件8 U; ]2 W4 G- [0 u( `' Y  H6 w
而特性就被損壞
! F  u5 D! m$ A3 C+ ?% ^! \/ Q$ x( ]* `" R2 F3 K1 I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>/ ?3 `2 F8 t% |( R% P# L
所以蝕刻吃他最多' X3 ?: w4 H8 N
主要部份特性就不會被破壞
% |; x" V1 P) G/ _* {
) w+ w. e$ C- h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# Z* N" i0 w2 U/ F: s) }所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! I3 F  M' ^6 L! g4 ?
' u9 F& \9 ?: S- O
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 L3 b5 |8 Y, m6 ~! n
還有電容也要加
3 z4 ^  T9 U3 c; |' P( L: n若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) C* h1 r# w- }, X
% t/ s0 b, }2 N5 u% R; _and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 @# {9 b" `3 k2 u5 g
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* Z7 V! K3 q' S

* R3 H) N% G2 O4 `3 M6 n1 N# f* j8 L' f' }$ ^& S1 l
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) l* l' c, _, q" F; h3 Y4 e  l4 r. ^& r0 U% f1 @* W/ n& h; n9 E
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ F' _& r* w2 \, U& C
$ R' Y4 r! g/ X& a& z9 u, A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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