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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; e  k. p( q; u* Y
' r2 g9 D3 X. \; L, E) W% jpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 b! d) R% \: F0 r5 p# T" ^0 J大部分是要match
" J9 u/ ]# J9 [5 l, DMetal poly  density  不夠3 t/ ^# q8 r5 `# n1 ]
加ㄉ那些也較 DUMMY
  R/ M2 X8 G& u+ F- p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ }! ?5 _6 b' O8 r' P4 G# {0 G) i
; \4 O0 U) |2 |* v7 N  X, K0 M& O6 J& ]2 P+ _
    感謝樓上的大大' T9 I' f2 m9 A( |; @, m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. c* @7 t1 {  L' B
7 S  U6 W; X( ~6 \+ w5 Y( E7 J5 w* t/ Q: o' n; B, l5 K( ]/ l, r
    感謝您回覆的這麼的詳細
; y/ A2 b0 ?) n( {# Y' ~您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 t6 B4 e: D& G6 V/ H0 m9 y
+ |' g2 F# y4 q
不過簡單來說6 ?; u7 |' }9 N
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 Z, `4 i; z1 h- i而特性就被損壞
, A* o8 \, e: I
. g- @; v( [8 L- F" M若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 S' y5 K8 f: Y, @- Z2 D1 Z/ k所以蝕刻吃他最多
$ t3 T9 M1 c. }主要部份特性就不會被破壞
" R0 H; b6 n! H, k/ M! i+ w% }; ?' {; [* l1 l% G+ H
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: Y  ]( `( ?5 t( N( J9 C1 U$ z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! ]/ [% s- v4 C2 c9 {7 [% N: R  V6 V5 |; Y3 U3 b% q
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 }; x7 A8 S( ^
還有電容也要加
. q) H& z  w/ u2 Q0 Z) e: |若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 Y$ C: N1 ^# U7 n. ~
5 y4 D+ A3 S) tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! o( F$ G! s, Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! D/ T9 P5 F+ z8 E  Y9 i9 P* U
+ t: x: [! d% c6 x# J4 D# B; _% m$ @  o5 @
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. o$ N; A6 g: L9 Q

4 a! `1 A' L# c( Q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 _1 F' \1 v3 G# C4 l1 }
/ w. q7 e7 A6 A' C5 A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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