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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 ]8 h* M( k8 ^2 q5 V  s
6 _' K% }) x3 A6 q7 Ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" n  N+ [! u$ l' a1 t) _1 _
大部分是要match5 [: D0 F: h7 c6 o% |
Metal poly  density  不夠
+ T8 F! b! G, u+ ?. E加ㄉ那些也較 DUMMY
  E) @7 o  F) r: N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. x0 b- T2 n# S2 c$ V' {' M6 E6 a& |, s  s1 Y8 W& Y
; z4 o# U, o5 U+ y
    感謝樓上的大大7 @6 s0 ^+ X: F: s2 V! f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
/ j9 w% h6 c& Y8 m& o6 L$ ]" A8 }1 b. I+ V: a7 G. Q3 H

! m. o% d5 L9 a! D% n' W# R: c0 m    感謝您回覆的這麼的詳細
; r+ w6 ?4 B& v8 `3 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!4 K& c5 q1 E) w$ Y0 I+ L
! y, p: d* M) n2 v
不過簡單來說
5 }: H8 M+ P9 ?2 r5 {+ W在製程時食刻會破壞掉你的元件2 |1 N/ B$ I) m" ~- H& R  s; t
而特性就被損壞
, k$ K; ]: ?* a) ~
  L. ~8 j9 O: V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 G% `6 G$ T0 z, d3 G; s, b' l
所以蝕刻吃他最多0 ^, y6 F) X: `' p
主要部份特性就不會被破壞3 \2 t2 Z- {3 I" \! f, s) j

/ Y* g$ C/ Z5 U# M9 a4 z5 S很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ D" G/ Z: W' m& R+ I# B8 S, T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ Z' F: @) y; L6 O5 q  x  @' W' z) V! m4 m
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* V+ J9 X* h, I; f# M
還有電容也要加  q' T" p. }+ }7 a  k7 Y( z
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 c9 d% H( [/ n. g
+ ?5 i! o' n1 ?3 ~! l! \) eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... ?! E4 p1 K# a3 S6 c7 O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* q! s3 h. K9 D0 y* C+ C) b) a' u

: [" @- g* T* k! S% T" ~' B8 A
2 o: ?8 l. v. [( J+ U7 t4 \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% V  Z) r4 u9 E. h
' l% J% C& H0 b, O) J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
6 [1 h- {$ J7 F$ E4 _% {8 f8 E# S: ]& b
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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