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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
& v' s! f# w$ n9 p* Z1 F- k) O5 D' K9 s; s) a/ L2 y% g5 ^
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. H( M5 p- Q) Q9 j大部分是要match# i: D" n6 _- w' b; s
Metal poly  density  不夠
" g* ?2 s: i4 N! Q4 g加ㄉ那些也較 DUMMY ) C3 E9 ^: A. T/ {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# A- k% V( l& p. m, O
" S+ c! ~' |5 l) ~! F' S) F) S5 d. V) t9 v  d+ q" o+ x
    感謝樓上的大大
; n3 p% x  U& T3 A2 ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   \/ S! H/ o4 S) D' @/ }! \" S3 g

& ?! K5 M1 r3 [/ |& N
: f1 b9 Q1 S& H    感謝您回覆的這麼的詳細
& I9 q; e/ Z$ i5 d$ G7 `' I您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" e0 t; d/ W* U  E* e6 y0 N7 C  f* J% V' W4 V: W& s. ~, _9 Z" K
不過簡單來說% I) `  C% ?8 `5 U
在製程時食刻會破壞掉你的元件' x8 L' R2 C7 i% t3 a
而特性就被損壞
9 J2 Z( i( {' f! M' W3 X. ~, m- W" ?6 Y7 u* j( b0 N6 m
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ C6 L9 [7 v2 R% l1 h9 X
所以蝕刻吃他最多* m) m) b: m  _! B3 g8 ?
主要部份特性就不會被破壞1 d7 n1 Y5 }2 ^* E

5 b6 R9 O5 M1 I5 X+ f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" y" S1 p. Z. _0 x, Y! i
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  |' p' H5 n2 E+ H

4 {# B  W0 ?- u6 e- n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 f6 x1 O2 A4 A3 h4 f$ `/ ]還有電容也要加/ j" J* ?2 ~: w- ?5 O# H
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ i' w3 j& L1 D/ c8 o" W
/ l, M- `) {  y! Qand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) |& h8 s5 g+ l: @0 O/ _' yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

% x9 ?* M- ~1 Y; L9 C# S
/ ]1 W6 A$ |+ r! N) P, V# l5 ]' Z* G( {" E- p# m' A! t$ M# E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 f3 Z2 N0 C8 l2 N
, o) {0 u. l$ q/ c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: f' ?7 B) \  E1 w: `

  u4 O, P( T; ~$ L) u8 m- d! {數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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