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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ D. x' B8 ~- p2 }, F4 |

8 l4 Z8 f5 ]$ c/ ~) u  R4 Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 T5 s5 \  O( B6 c7 V# p  _* I7 V3 K, u
大部分是要match
! a0 k! J' n, F5 yMetal poly  density  不夠
2 h) R# R# k% f7 b& W+ v& P加ㄉ那些也較 DUMMY ( M/ E: F7 S# w( W/ }9 e
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . P. [8 m6 j7 ]) E
% a0 T6 e! m0 a
( R  P3 H& `$ y4 M+ s
    感謝樓上的大大: ~! I: z  @' \7 E" `& J: Z1 w( I4 R: i
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
9 _9 d, ]8 y$ z6 I1 ?$ X7 H( E* I
( {  _8 z: z* D! `4 X2 ]2 p
    感謝您回覆的這麼的詳細( b1 y  b/ o$ G8 g1 Q+ I
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 _# Q/ V' R2 K5 W
) U( M) d3 l5 z' {: D( m7 k
不過簡單來說$ n5 f$ b. [: ]6 B  C
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 v# Z5 C7 C2 j4 K2 D; J2 X* \而特性就被損壞3 {0 J8 `! l6 [$ z( I& P0 C5 ]+ l

6 Y: F' E8 f" Q0 z; G4 x若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  O+ h- E; W( |8 b/ Q; ]
所以蝕刻吃他最多, G; B- ]! j4 O
主要部份特性就不會被破壞- w0 S. s! }# P8 D

% i4 `2 E& Y9 q, J% u" q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' S4 `' z+ w7 G) u1 A$ S
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' T$ Z" c4 I+ t% E& U1 i9 X$ u
! }% Z1 t) F8 ]8 {0 S  d5 U" r4 U又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' a* Z. @4 v) E- G+ t8 z. v# v
還有電容也要加
: V+ ?  S' m7 D. E+ H0 r若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! U8 K. {* j/ `/ E3 r: P
) E# O; G$ u! V) B7 \! l/ M' m) ?and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 d. ]. d# N7 s8 a6 pvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( K7 N4 ]& x: s" Z! i

  K( V7 p( m1 S% I
; i+ g; P2 \5 h; }  Y6 [1 Z& C2 X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 I: ^3 u+ \* C; N; }, W7 }  V; e- B: B0 K0 m0 \: h: S) t3 ^
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! @* k6 ]4 ~$ X) ^6 ?8 o

# t0 @0 q7 E5 I0 d數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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