Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55336|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias/ b" P- s/ z2 m* v+ T$ O5 R$ s
/ O" R9 @% j) _4 k+ N' P. W+ E
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  z3 _0 G/ S! I7 Z6 z  `7 Y大部分是要match' p& F1 |! z% g: B% V$ l
Metal poly  density  不夠% V- ]! m* E  Z
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 f( p$ E6 Y8 N( f- Q/ H把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - d+ @$ K" M9 c( B- O  `
. e/ a# A3 J! H: R

& @3 W9 @: I' D. Z0 }& L" i9 `- H    感謝樓上的大大
4 p, p, }$ G+ H' u/ f) q/ h2 J   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 w# b. Z. L* w

4 o: m) L% ]: p3 t) H; |5 Q' w% P8 ~
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 T9 q" g2 I3 T: a( \. @1 X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" h! n' a% m( l) M$ [, u

9 Q; I: J* }7 G, m不過簡單來說% `4 s; Q" o6 z8 V, o+ y2 K
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 l3 f9 }1 P" @; c0 w  `而特性就被損壞
1 h3 v- f2 v, S0 v5 [2 e( u" {" X( P- a; X3 U% \+ N
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, I. |3 Z6 z& c) x# v; I所以蝕刻吃他最多. X5 S( S; L6 y+ `0 k1 g
主要部份特性就不會被破壞
1 o8 w: H6 E) t; c( ]/ g* E6 T0 a$ c
3 S. G# {- l4 X, V- }很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 V" e0 M) M# _  d5 i7 u所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( w& r$ [& S8 V# T# k4 }# d# N# S2 C+ e
5 P9 x0 ]1 s* \- [9 P! _' @
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  c. c/ s0 H- x" {還有電容也要加% `) r) o% ~4 ~+ `) f: S- F
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; S4 w* r! Y1 f. U9 R$ T
* {" \8 M: G/ f( A( x3 |8 j  m+ d) kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; }! v  a6 q; Fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# Q+ z% {( [! n* L$ d1 \* S
" H& t8 ~6 Z) W) x: I
* d& o+ Q7 n. D/ T* i    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 S2 q- R: J( w2 A
# o5 M; b9 C6 @6 r
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& p4 P; I% X$ B/ C. \
% q0 O- N. a$ N9 I2 k: _; Q; M數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 07:33 PM , Processed in 0.187011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表