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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) r! D: C# y- ^. i2 k% X/ @$ i
5 W7 d  \# Q" ~poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 W; x& ]4 _* e* S7 w9 l$ R大部分是要match9 q/ }4 N+ _3 u5 l7 q- Z% @# \' Z
Metal poly  density  不夠( C7 W+ R1 w' [' T# x4 h5 ?
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 ~- b3 s6 c; A( C8 {* u把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - o) c" v( K$ B8 v7 X- N

& i$ s/ D) m9 P; e7 g
2 R( @. M9 O. d9 S* j, Q' O    感謝樓上的大大
( a) \2 v% c* t: m; c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! T: \6 L7 ]' @4 m9 h0 @5 j* @# d* v  S7 ^) v1 C8 i
, y* U$ \$ @6 `  I  [" B
    感謝您回覆的這麼的詳細
8 W& _, l2 Q( M6 J9 \4 b您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& n* ^$ e+ |9 Q: U% {1 w. h6 B; w: L$ x# k1 }) T7 b
不過簡單來說3 ~! s0 S+ m+ D2 _
在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 Y$ e: ?* f5 t3 s" l0 B, L- f而特性就被損壞
+ y& h7 w! n! r& f* o5 `  O7 P& x3 o7 u5 |" t5 e4 p7 ]5 O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ h  u" e' s' N9 D7 V6 S, A所以蝕刻吃他最多
% L9 o% p* o- ]9 i主要部份特性就不會被破壞1 z+ F' C. b2 [: [% X0 s

* Z% Z3 t, S3 d/ w( H/ b0 o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* ?! P: d/ y- F: I' x+ F. I
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: `9 r7 W3 \9 [
1 x5 V  h4 r9 U" D& X又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 c# `0 T7 d- G
還有電容也要加
- m! K$ E" q, @若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  ]0 }# M4 ^  T, T1 w
8 e. ~9 b" q- B- n* a2 p, r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  Q& a3 o+ d8 t+ B" {) {0 T3 W, q5 ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# W9 p1 v; K$ x5 ?1 W; v% `, d

- U& }$ ]4 F0 p9 h
5 {+ x  Y1 b% r" _/ k4 I% ]    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% y4 O# S5 D& d" E
: R4 w2 W  S  ~4 N如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??4 j1 {! T2 {8 v& n

& [4 I, S5 M/ X2 D數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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