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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! |0 y2 W; y2 I/ h) X2 ?
1 J% Z+ g( b0 A9 s" W
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& ]* s; k$ @& S( \3 z( c3 i4 S( n  B
大部分是要match
2 B/ Q' L/ M( U* z$ ]Metal poly  density  不夠% ?7 r7 W1 y. w
加ㄉ那些也較 DUMMY
: X7 s3 r! Q  x" X2 w9 S$ U把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" Q, E/ F2 E/ ~' Z/ Y
( N$ l) k' Z+ l7 K$ G1 N: e7 o; [3 ~
- Q6 E$ Y5 ^1 K6 |' G6 j    感謝樓上的大大
, n" ?8 n7 c# b( F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 c& F# |$ N% }7 J' J; F3 w' v! E
9 l+ J$ R, g. z1 t9 u
* K% {- d: F# r; I( A% h4 V    感謝您回覆的這麼的詳細6 ^; K. P, U, l4 N( \; ?- p2 Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 R9 e  `% g" J
0 O. j9 N2 _6 W& _
不過簡單來說
7 F* @) A7 k4 |4 {. y" Y在製程時食刻會破壞掉你的元件! V5 g4 U0 C4 C4 t+ l7 l0 n( W
而特性就被損壞4 v! C4 R1 G! c6 R
3 j3 t% y, G7 ~  W- _
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 i$ b% ~; o# Q' z
所以蝕刻吃他最多
, O8 e4 a% ^$ c9 D: j$ \主要部份特性就不會被破壞
+ p2 y- X6 y5 F: V/ S, l1 R  g8 A' F0 i4 o8 a; a$ n6 p
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, V  {3 F0 m: r0 w' r2 R
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 L# S' u3 k! C* b3 {
, v. Q- t2 P) D4 j  b又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 Q$ Y& p( `# Y) F; U+ E- ~% k4 t/ j4 e7 R還有電容也要加
' x  z2 |, l  g: q& W% x1 v若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, h0 x, d- \6 k8 Q; f* A  Q
( f: \# Z- e' [5 E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  M- a2 c6 S+ s" a8 c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 P; e* v4 N  x. e+ q0 j5 V% c
# t) r$ {, T" t6 X) I
; q+ x6 r8 |* ?5 }: b
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' W0 Y1 a: V  }: T4 s9 f0 k* r- _5 u% R! b5 ~# e0 [) B1 f; m
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; T! T; V4 X0 x; q
- a5 \; M( R( [; p4 X1 _+ s" |( F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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