Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55379|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# L: y5 `. @3 s' C* y

& y0 d/ ?# [. h- ?6 w; g0 Ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ X/ f1 l* a( x' t2 r$ ]+ X大部分是要match3 P6 E+ Z  x/ S
Metal poly  density  不夠0 L; F9 j% t; B( }$ Y( `) }; c
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 ^' e$ i$ E6 T4 b  p
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 Q- _/ v: U+ u% R

$ ~7 n% T: P6 Y% r' `, I/ H* ~! i8 @. P& k* s3 X* ~
    感謝樓上的大大" J) l7 L- {9 k( `5 S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
0 [( m" t% e$ M
8 o5 B& A$ U$ s; P. S# L& v) u
; f2 B# X9 I; z) u. q    感謝您回覆的這麼的詳細" L3 P9 K& Q6 O; {  H9 z
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' m4 }! B, A% v5 `1 i6 a5 X( Q+ @& ~6 h. d5 R6 c
不過簡單來說
3 T' a! Q( [. c  S2 _# _" a在製程時食刻會破壞掉你的元件
; d0 D; V- \$ e* ~3 L' Y, R, E1 C而特性就被損壞
: G# K: ]  k( e4 ]6 z( A$ ?( T% I8 ~, A, ]2 }7 X/ |+ n3 w
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) [4 I4 @9 O6 \- T, [& J1 f所以蝕刻吃他最多
- j: |4 z, _- M主要部份特性就不會被破壞  d+ B, q* H0 ~( O! y: O
5 W& w, a) m: l: m; t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! ~% x& ~: Z' R" @# i
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 g) @# I8 g, ~) _4 p0 b- [) W
+ f$ j/ ~7 j- _2 G
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( A- v0 c; Y/ J! O還有電容也要加
; P, C3 r$ g: h2 d' e6 b; d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, v7 O& g# T* `5 [" C6 ]! W% F, j6 e' D2 v+ U8 H
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., J! O0 O! t1 I; p& S! p" [& G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 g' z! a, l( D6 Q' P
0 K5 m, S# G0 |" x' r& M% c. y

0 }) ~4 O/ Q* k( h' h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# ?- N6 \1 Y) B: b

& l# C8 ~7 Y: i3 |& H如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 A; k' U) C# }+ g  b4 m+ j+ S+ T. v7 \! ^% _5 Q6 B& H- s
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-11 02:10 AM , Processed in 0.180010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表