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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 E: D0 h$ y# b

/ Z* F! x* c1 Y  Upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- Z! t. m( {; Z- R4 a& i  \) C
大部分是要match# m, P# c8 X: D; V+ z4 ~3 f
Metal poly  density  不夠
3 w: P* c- U/ B0 N加ㄉ那些也較 DUMMY
# ?) B- e1 ~" e- v/ z6 W7 _8 ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% q% u; ~) t& ~6 R- B- j
6 H% j) f1 P: }0 |9 m
7 U& Z* `& @# n. |+ ?' J4 Q    感謝樓上的大大
/ c8 K! t7 W3 @8 l8 z* e# q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: A- b1 l5 P& K$ @% O$ g& e* m0 t% Y2 V8 j' K5 ~( A/ F* }4 r

9 m' N8 x0 ^% \/ B/ \; j    感謝您回覆的這麼的詳細& O7 A' w+ z3 a( }1 o: ]- A
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  }, @, i# P' _* e1 Z

) v+ ^9 v4 r6 a, m$ q不過簡單來說
; L! T4 @. K! R6 L在製程時食刻會破壞掉你的元件' L& ~! ^4 m( X# X. O
而特性就被損壞8 D  m7 I8 P7 T- x! \2 Z5 E; t* o
) e* }$ A4 M) }: Z# |, i* |% N
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>/ d* e/ R4 r. P+ [% c/ P$ F  Q
所以蝕刻吃他最多$ f1 x0 D- t' P4 H2 s
主要部份特性就不會被破壞! S- y( U* h, D% u
0 M# F7 J! ]" a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 @: ~, N8 s+ _' j# U
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" Q7 r0 W9 k0 l+ }( P3 M$ ^; _5 \" S, F( N. v
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 j$ t- j* A: K0 v5 r
還有電容也要加
( g' N6 N1 g. a; R0 _2 ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# c; G( V+ |  y9 r' m8 C# B- C  T! x& p( H8 I9 w" L3 Q% _4 G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 S. }# [; F6 Z- P5 E( B* O
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' u- W# U4 m( d% U" ]/ g( x
4 X% O1 N+ o0 G& @- ~8 ]- }9 U; |9 ^
! {  o" R6 ]& A1 z* [0 a8 ~1 x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 O( l0 ]" e2 L3 \" R# J, d: o

1 S) }" u; j7 b3 [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; X/ f- c' R; I6 I

, \6 h3 H$ D7 ?  w數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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