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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% H# z; G$ x; j$ l  B$ r
* d' p; T, M! s" [% y  X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, ~& H. M  k* c
大部分是要match7 X/ |# ^8 P6 o+ [: t- f3 V
Metal poly  density  不夠' R, h  g/ c/ v4 Q6 P9 a. w( g
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 [( ]8 \: U1 ]+ [5 a
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ j& b( }: y2 x0 F
; n# v% O% C) N; Y
+ ], _' C0 D' f$ I! r; r
    感謝樓上的大大
& ?+ O. r# Y7 O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 ^7 p) s( h4 b4 u" W
, s2 D- ?! E$ \4 ]; Z% H

% P9 h7 f' g/ w  ]& ~3 u, h& I    感謝您回覆的這麼的詳細7 c7 ^# ~* u$ `4 Z/ M' R3 _8 p' d8 d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( g( E: L) K9 c
5 |) ^7 a4 X8 m不過簡單來說1 C6 j9 I3 X. `! w+ ~1 o6 W: H
在製程時食刻會破壞掉你的元件
' e& }+ H4 y7 q, }" [) s而特性就被損壞" _+ S9 N5 S: z0 g) B- m& ]
5 R6 H  y) d5 ?' q
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& r. u6 _6 D& r* B+ v所以蝕刻吃他最多
# M( C, J6 R0 S& y# f( J主要部份特性就不會被破壞9 Q, P7 U) _7 k, t$ E' X# j7 k  s

2 L6 k) y6 P! d- a$ g, ?, y% v/ f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; i/ |4 i" x0 l, t0 w( |0 q
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 z% c( Y0 q4 ~% C. S
4 F" h: p' U' Z3 R
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ J  e1 T, [1 R; m9 V% |. _. J
還有電容也要加! ~- n! [2 W" p
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- v7 V/ J1 {0 o5 h! d) j3 w
/ n" `) y9 P. i& x2 J3 \
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 l3 p$ U4 B1 ]0 Y8 X( {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

; n6 ?6 F/ Q6 V- ]+ U4 O% r
6 b: m/ h; e# T; L" V) u$ h7 l  D$ f7 h- p- L
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ M6 m& C( a, r* Y$ @7 I/ Y
. S, m) C' V0 @+ m' m
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 R3 I9 O# a) Z7 B; Q

0 f% `4 d0 {# }* A, r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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