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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
! y% E$ j# r. S9 J* N/ G* r* F/ S( t5 T  l8 K+ ~& O$ y) |2 @
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 o! q. e. y( i" {大部分是要match
& U( \. O, s7 ?Metal poly  density  不夠7 Q. t5 m  f0 U8 Q3 l+ |6 N; Y% Z
加ㄉ那些也較 DUMMY
% R0 R4 S+ b$ o! h( }9 Z6 }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 {  W' ^0 k2 y3 m
( z( G" Q  L% ?# v

- s: \) n! r/ K    感謝樓上的大大
0 C/ u) b) \# U8 P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 |  C/ V. _. U8 \: A: Q
9 T" S3 N6 V9 v6 O# h
  b( |$ c0 S! }8 m
    感謝您回覆的這麼的詳細
8 \5 r" L9 J* u9 k) p; ~2 _3 h$ Y0 l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ ^8 q1 }1 K1 y& ~, X: x! i; n4 Z8 U  J
不過簡單來說- e6 d  Y1 c$ d' ?: L9 q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# b& y* G3 I# @' M+ ?而特性就被損壞9 i. D( a( R! ?3 \! ^$ a) ^

+ f- D: k& A6 E& ^( k若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 u- f; q. ^! ?所以蝕刻吃他最多
2 o8 Q8 s& u$ V1 N. o/ G4 `2 C主要部份特性就不會被破壞. ?# R% z; ?) a
9 v3 f2 s3 s+ z+ M# g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) R) l. z5 G3 v所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& X/ s; |7 \0 t) k2 t5 ~# Y" q/ G! W' ]8 }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 U, P. w/ O$ I: a2 [
還有電容也要加
/ W4 E2 Y0 k5 m- }$ c若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* Y( c6 r- p0 h, V( f
! T8 i1 B$ m" Q/ L- Y+ _: m5 rand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" q0 t/ K7 o* Z% r4 [% \vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 i) Z+ {4 ?/ L) I7 n$ I9 I1 }6 y0 _4 r# I$ }  F$ o0 Q' h5 I
# \+ b9 J8 V/ R& g9 S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! Z- \/ C! n) `5 [. U0 }8 |
, o5 E& V1 [, S$ C
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 x, ~- i/ a* F1 z9 @1 B8 _9 B8 s* T5 a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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