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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" f' H- N* ~! x
3 o* |) w! ^( P$ a8 j* Ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, W4 N8 @- I( c& A: M4 ]
大部分是要match1 n' W% P$ w3 B2 a, F
Metal poly  density  不夠1 R& j. |/ r+ j
加ㄉ那些也較 DUMMY
8 {0 q* m; U9 Z5 u8 i5 s, b  ^把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' A) X: Q; u3 l  `# h$ l' d1 d8 _7 r' r- S+ d- M. d

8 F3 q% H. w0 J9 m% U    感謝樓上的大大+ c9 s: H8 C( B) S" N( k
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) Z( X; m0 v0 Q# D
, ~  e( Y0 z% u! S0 {2 x
9 y( l' o4 A% R3 u# R% I; _. H    感謝您回覆的這麼的詳細
- n+ Z. K" O( z7 S5 [/ i1 S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% `7 K+ g0 C3 i: u3 [$ J1 z% u! H- X3 k: V1 p. c2 u* J
不過簡單來說
- f; U: y, [$ h' r6 d( c在製程時食刻會破壞掉你的元件! o5 i0 y2 }. [. M2 |7 R
而特性就被損壞
# R  c# v" j1 p  v& z- H/ d3 J, ^" Z4 i: w( j* h
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- F* ~) L+ O# G2 I( `" f所以蝕刻吃他最多8 @; W% a, k$ J
主要部份特性就不會被破壞
% x1 z) u( Z$ f5 R. {/ H( u9 C  q/ t3 a  z$ @
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: g% U* [4 a, V6 T所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* G3 V# n7 ]" a% |# R- o$ A& k. R" Y. W2 R: E# B* _$ P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. G" }( a- I$ N' [還有電容也要加! p) s0 H+ R7 b* h; a. ?
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  t! ?; T5 h9 ?# J, i

6 L0 D, q) z2 u$ m4 L" Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 b2 V8 V- k/ B8 ~, q* Avincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, {- B4 Z1 V& ]
9 q/ s- z2 ^- U% L

5 W6 c8 z0 k. V' X! A2 l- x; J: Y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??, }* S; y) Q8 v
; U; A5 ?! x: u# [
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" D  i* q& Z5 E  L! t; t! ^: g6 k0 g( Q  ]0 |: [) Q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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