Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54754|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% G3 Q3 H9 d- h+ P! v& h* y$ N# {1 S  A( t* u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 |6 e+ \4 @0 D8 G# s6 @& M( y大部分是要match2 n4 W/ Z* t7 I% i
Metal poly  density  不夠
3 n+ ^  H; U! \9 _2 I, o! p5 U' B$ ]加ㄉ那些也較 DUMMY
2 W! J. h) \+ ~  A2 k. p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 e8 y- }  a( B7 ^1 ~
9 u! }5 ?0 m4 |2 Q
7 E& B" n* x) r, W  g    感謝樓上的大大
# l" x- e- j' `   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
9 h$ K+ T: V; m
+ k% Y4 @! L( O+ Q
2 M0 F& M" H" M1 o1 L7 {$ o0 u    感謝您回覆的這麼的詳細  ]  [: i$ x+ Q% x4 R* I1 C5 s: \
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
# C* b! N/ F$ t' i' h
+ l! p5 F# U- i% p& w8 R  A不過簡單來說* }/ C  Z# K$ s
在製程時食刻會破壞掉你的元件
# `  C+ V/ \  W0 I9 r4 s而特性就被損壞
3 D  C1 u3 |' F- }! r+ h$ V2 M5 M* J# @6 w8 V! [
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* o' [. o* j  u' i4 c所以蝕刻吃他最多- }1 C! m, R- ^1 ]6 i$ x
主要部份特性就不會被破壞
& D1 @- i8 q$ p0 ~& P: N- e, u; d( e' A& t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 G1 `; m3 M/ _6 [5 K; J) }" }2 [
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! l: L1 u, `) G5 K

. d, p3 a. R/ C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 E1 q9 M* h$ T- z5 W, [& b
還有電容也要加: c3 m& l4 c4 d7 ?8 w
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* y; \5 Y0 p2 ]& a5 x& @; K

, K6 x6 }8 }: j) H" {! _and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% v- I9 T% _1 H/ t5 ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 v0 {) G# ?* f7 r2 I
$ x) L, T7 Y3 P) v) f8 r1 o' t
' Y9 Z  @6 ]$ H6 t, g* p
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??5 `  V& S  N9 j9 H
- n0 M1 e( Q% F$ A2 G0 }
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" b9 Z4 m( A# F& |7 `. `2 W, }
- ?, R/ J7 C$ ~; m# u
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 08:23 AM , Processed in 0.182010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表