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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 {9 y1 ^4 g. r9 W" {' n
, u3 `  l$ k7 N, H! T3 N
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( I+ Y7 f$ ^, j+ A
大部分是要match2 A2 V1 I- Z9 {5 A- l" G* J
Metal poly  density  不夠' \! ^, ]& T, X3 d  b4 S
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 v6 O2 H. E/ [1 [2 M) H
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / I, Z. q6 z7 ^) @' N
- H3 }* }- ?! K( }2 g2 N$ q
+ m4 e1 R$ O9 @! k; e1 s
    感謝樓上的大大
+ [* L& u# C) O8 Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; B5 n6 x- L' z7 C* n5 Y

# H. A9 o, A: ^& L2 j9 n% f3 I; Y2 q' F) R  Z3 P# B1 N$ X
    感謝您回覆的這麼的詳細2 P5 U4 T2 S1 _8 X# F5 k, ?+ Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ A" z( ^$ @7 _- f3 d

' K7 X6 `2 \3 h0 M  g. l0 p6 N不過簡單來說
- e9 j  b& U1 e& H" o7 i在製程時食刻會破壞掉你的元件
) K/ w  X2 l; {0 {$ Y5 i而特性就被損壞$ i! D' ^* g& s4 Y, Q* @, `6 ~9 m

7 Y- l" _& P7 Q8 T5 P* ~, R0 m若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; |( W  y& d4 U
所以蝕刻吃他最多
. W# |( ^' \3 w+ X( a主要部份特性就不會被破壞
' m$ f. J' H& q- ^: d( ^6 M3 q/ l- i
5 S6 ^/ E# h0 @  H; f0 O9 N: l0 R很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># A# l0 r; q1 c; v9 K5 F
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 s; f0 G3 j. P9 |* T9 }) S% i$ f

0 ~. v5 P8 ~/ n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* ~4 z: ~! \0 c+ q還有電容也要加# b; U3 C) J5 P) m# f8 P7 I
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 F9 K& }5 ~2 ^9 n0 h3 e7 l3 s
9 n0 a5 w& [; c# ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- l6 f5 d3 R# ~, g
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 w7 g; ~$ ^$ Y7 E3 D

# f6 P+ O( n1 Z* w: S8 v- Q$ }0 \% @/ p/ s  T* o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 X( @9 ~. K" ~6 @2 w; G

1 a" R' Y  O/ q6 [9 K* A0 T- B如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 q+ V3 }# X0 Y+ O/ _% e; t2 I* t8 A+ ?* d* l6 m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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