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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; z7 |  }; g$ |$ m" m2 u) q. M+ c

' H5 ?% X. {+ H8 l, q3 qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: o# o$ ~" s, h- w& g4 C8 V, g
大部分是要match3 P5 u8 v) n& j6 N& x
Metal poly  density  不夠  c  D) o1 S+ i
加ㄉ那些也較 DUMMY * ?% u1 k0 I0 p7 f, @" N1 }0 z1 X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . {% @7 d1 L- F* H6 B* A

/ }% V' |& M- y1 [! f/ O+ _; l! E& }9 A/ e
    感謝樓上的大大
) ?) p7 U" _$ G. h   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , O- M. \! ?. Q% U8 `9 p
- _, w- m. X: o$ y* w+ ]
( H3 ^0 g- U: D# W. o& I& i0 E; {
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 J2 H1 V# C4 A  S* B6 m# c2 _( ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 i+ B6 X: o( o7 v
+ x, \0 B: @* d不過簡單來說
4 p7 A! {+ v8 _+ `5 Z9 T2 v在製程時食刻會破壞掉你的元件) \/ u, Y, w8 b7 F. i7 z; i, q
而特性就被損壞7 L: z& T- @; m0 \! n( l) _

2 q" v" B$ S) v  F9 t若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 B+ s3 f/ s0 D' |- {: M: [所以蝕刻吃他最多. |, ^! E; J5 e7 b
主要部份特性就不會被破壞# g" [  r+ A; [" c1 u5 Y

: F  ]# m5 V* ?$ \3 `8 u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 G3 {2 L" z4 r! p3 n) a所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 ~4 e: a# `" N2 S. x: A

+ y8 U& b6 P/ A* m  W1 }( y* J又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 H$ @9 H4 j. w' x7 ?) x( L8 l3 _
還有電容也要加& k. T' M* v9 `5 [2 e# K* Y& _0 U" q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 k" [# x' a9 C- y

, _3 I3 W9 v/ I! D$ \) Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* ~3 m1 g4 p3 X( u' y) kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 q: h! @7 }9 |% s
6 Q0 N2 S% {; g* i  \: p* I& ~

$ X% _; e2 j. T! ~4 D" o    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 Y5 C4 T; m3 ~% G
' d, |. }' t: ^! d$ p. W, j
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 d/ y0 H, Y" i

* \  T+ `8 a/ n% I0 P0 p數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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