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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: V0 _3 H) A/ x8 E
0 ~$ q/ S; [3 H. i$ ?  t: A2 p1 n3 Epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 M+ ]* E( b% l
大部分是要match
/ z5 C! P8 ~* T  d" j* E: c2 E3 {Metal poly  density  不夠
1 p! p- a+ ]0 ]7 [; p0 ?% b加ㄉ那些也較 DUMMY / ]: ?# X0 V! R/ t) h) F
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   F2 r+ \# E7 O. j/ S7 L

9 \0 L" ?0 h( N
+ e3 v( s1 V/ [- }! [    感謝樓上的大大! _) u/ d$ Z$ G! m1 K% T
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   M7 I4 ^, J9 q  n
) J* O0 }- U0 o- c- k
3 [2 u1 B9 d6 B6 M' {3 Z/ X
    感謝您回覆的這麼的詳細
. ^, ]" g/ C8 B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; Q8 O; @1 B% `% }, F' T/ p4 @$ A- r5 V1 u( n0 @! z
不過簡單來說
3 r7 [3 u# z$ c7 t在製程時食刻會破壞掉你的元件; K1 P( G1 n: u, p2 J
而特性就被損壞
# w4 y. i" q5 Y) u9 b; h* n. [0 ?1 j$ V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ Q/ A  l/ T% \5 b! c9 Q  e* y
所以蝕刻吃他最多
) l3 I  [$ O+ q4 G# Z9 x2 N! B主要部份特性就不會被破壞: a2 J9 b- C' m0 [: ~
* |+ B' Y) M5 @# l, t% X" R) P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! h" J( a+ a' {% z, m所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) y# h2 q# ]9 x; J
- G- E6 ]) p9 r* y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: v1 ?; ~. d  x4 H還有電容也要加0 b! O, Q1 T8 r9 _" M
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! A  I& X' P2 W4 {( _% a
! J2 `" R7 ~4 `1 F- Band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...8 V) W2 r% n6 K& `. z" U
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 l8 P' o9 P, y, J( D: J+ W+ o( M1 D5 r) v
. L  Z! a9 j7 I$ O, K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 y6 f0 T! c5 w. ]: s0 N
3 U. d8 Q" z6 R- L/ ]+ d9 w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ S7 V6 T7 w  U  X8 m: `& W- j7 T  @% ^$ R1 S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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