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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 f4 p. F* z* n# n' M$ V1 T- d

. f8 ?  P8 c6 bpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
% m3 G+ L0 V& _: S; x) o0 [大部分是要match8 v" k4 {2 [5 W' A
Metal poly  density  不夠
. ?7 ?6 Y; P; d' D5 ^4 e加ㄉ那些也較 DUMMY
& {) D# V+ l  _$ `* P把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # K. c, L- \/ @/ |, y! c6 B
2 y; O, G7 x! ~6 x  d  \

7 A) C- N. r5 W' F    感謝樓上的大大
; l5 g+ ^* U. w3 _. l3 L   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
2 U3 R: [8 h- f+ s  Y1 u  O. @; Z/ Q
/ c2 J2 h& V& `3 o4 i1 |' D
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 X1 B6 }2 A; _8 Z# Z/ c( S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 B& e( U1 g) w$ `8 W
. V9 f4 r1 c% A; q8 q6 s* m6 x不過簡單來說
) b( P4 }: ], |, B2 W在製程時食刻會破壞掉你的元件
. Z9 P8 Q" s9 @4 l- u. ~( {2 q+ c% B而特性就被損壞
( [7 ]8 C+ ~0 q$ J8 G
* G# m% u' l) T* U. }# T若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 ]) o! H( h' e$ b所以蝕刻吃他最多2 p! d7 U/ t# @& }" w
主要部份特性就不會被破壞
3 J. J# H% j$ U" Q* M
, B! T; G+ |4 H" r# j3 r# b$ i4 r% D; {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ i! f+ P# m; y
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 |6 N+ Z" {, n5 [4 q8 O, t, h1 i8 u* a7 k
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' L( V- e5 r# B3 f: C4 x* b
還有電容也要加
  F, T5 D5 E0 ]9 C  O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 `" E5 V/ f1 b/ _

6 T) ?3 [1 Y7 R. {9 x8 ]4 fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 ?+ R, J% v, _: j$ x+ W2 p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, ?5 V1 {/ [) i7 h: \, O
( M' V+ ^/ Y. |: ?, f4 \

- y5 n" M  ^0 x: A- X2 Q2 {    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. D3 t- l/ n8 Z
2 n( S* a' Q8 q' M& Q' p& H$ ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. {$ _* J8 K, A( B/ R8 t
; A  |8 Z* w" Z# E3 p: ^5 u1 u數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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