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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" y/ V+ s4 k, H. e- a8 ~0 g

, O6 y' Y4 c* ~2 B+ {5 _* Y$ Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 c& L9 H5 K0 \- j7 [2 N
大部分是要match
$ s* C" L3 L3 ?% @/ X' FMetal poly  density  不夠: Z, A' X. k; y8 [4 q' ]. y
加ㄉ那些也較 DUMMY 8 s1 ^2 L  b; y% ?( P5 {; m
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; z+ e$ F' g$ y; C& h2 l( K
2 b) ]: [( z: f& A2 |* _
4 @/ \% t: _1 t( s; P
    感謝樓上的大大
* D4 i8 f: g* U$ f0 u) M: y' n3 _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! W0 q2 d, n# `: t7 @$ e) E2 X; f7 Z4 o4 X. q
! c- [2 [: y" a9 o, V: B3 z3 F
    感謝您回覆的這麼的詳細
' D! }3 G) [/ t您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- B; ?+ W- T7 w. [9 {- X0 r+ \( _1 a) }5 R9 h
不過簡單來說$ q4 v  U+ }& q9 w1 [5 p! R. Q
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 Y" ]: o5 M6 T
而特性就被損壞' ~; U7 {% A# z0 v2 I

+ |' \+ H! H- Y. u若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 t+ F( P0 g1 `: I7 K' `0 C, S所以蝕刻吃他最多
# N* D+ y+ p" G+ U0 ?" i6 J主要部份特性就不會被破壞
4 H9 v2 Y- g7 j  P8 e
+ M0 i1 y7 n& B/ e( R很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. y# A& ]* a7 J* \5 C
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. U9 \$ @3 Y/ Z) {+ n  X
6 z6 ^; C& R5 R: A7 q# H
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* I- l7 s+ t. m; {. i. s7 R: f1 S還有電容也要加3 L* U5 u0 R% D! v
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 Y  {2 N+ G% f/ m& h1 J0 e
6 z  w, R' h; X$ r! F; [5 B& Y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...9 A( A& [, X3 z/ M9 e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% B* A5 ]- s- E2 z7 [0 v3 _

) `; ]; [, Q4 Q' ~0 U4 ^( r' Y6 \+ Z4 p9 p
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 R1 p6 K) c3 F3 j- u8 {" Q

/ V7 W, g" Z# [$ {0 c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* e& r. l4 H0 P: ~" n. a/ C

; [2 g% S, t5 h6 h4 T數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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