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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 ]- f( D0 z, @- }; O. N
, X5 X: r$ c8 W* g5 vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# a8 K  ]; u7 Q) V# c9 t5 @; x大部分是要match
+ K) b0 {0 s+ m! U0 ^Metal poly  density  不夠1 [- {. M: f7 e/ N, p
加ㄉ那些也較 DUMMY
3 T  b( W& @% N% y( q1 \把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 3 {* o6 p' A3 B; M$ X

4 t2 q! _  ]5 ]1 ~
1 f: h9 v0 f2 {3 D    感謝樓上的大大
; }! p  ^4 n, Z" q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 \. H' U. Y+ Z$ S( X/ f+ m9 H/ L8 i1 x; [1 s. N1 \+ L
" `$ |2 C/ ^# O* W/ L
    感謝您回覆的這麼的詳細& `& |$ l5 w8 V: O# Q4 s  v% B+ T% G
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 D: Y  I5 n# A" b$ N
: f! m/ Z% }8 S* N1 S9 Q' v! X不過簡單來說
- t1 `& X4 |. X% Z在製程時食刻會破壞掉你的元件
( Q1 H2 l9 B  g$ u9 Q而特性就被損壞
% {7 s9 H) x: s) L* g$ n. W% {# `4 W  _3 n  X
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 J6 s2 j& z( }: l
所以蝕刻吃他最多
( @1 f1 z" h4 B  C主要部份特性就不會被破壞1 B% U$ m" P/ E

( K; H. Q* Q3 Y6 z0 Z很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 V4 B: O9 w3 _# n; d; q; _
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ h8 Q  F9 E, c: C: I- x

# y7 Q  y. @8 _5 o' @, o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) m: k! ?3 \4 O/ V2 W" ^還有電容也要加
2 Y; i) g* H$ z! ^' ]若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# q3 c# b6 Y9 D# g& o2 s
$ l' P' Q0 R1 Q/ B* c' u/ {/ m' i+ ^and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- H$ F2 |: u7 X* h- M
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! q; s4 z( j( n0 p6 Q
3 d; @' A; T) C) J% N- Z# h
( l0 A! p& k. ]% u( H& l/ d    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??: `) I2 c( F) |. D# ^) V
4 W0 `* ]. T" h) T
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 c4 u, f8 K* C# u8 n2 N6 I

* M7 c' x# {" G0 H: n1 }數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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