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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 R: g8 j) Z# ^1 T5 @9 o

* I) B( B2 R) R: ]' }% \/ [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& m1 h& k+ y0 N/ e
大部分是要match
2 o7 [  q+ X: Z& Z4 qMetal poly  density  不夠2 y, ^; F$ h1 z8 n" d9 r
加ㄉ那些也較 DUMMY
: }* Q  Q% Z0 W) A2 a+ C1 ~把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . g# ^2 e# P8 l1 B
/ B4 ]+ i( [: d- k6 q
% f+ t+ Z7 o4 ]4 Q: w
    感謝樓上的大大
/ Y$ N" N# p* @: {* u   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : Y% N9 e9 c% F1 c5 q! ?% i

/ _! a5 U9 _" u7 o9 a6 Z8 x8 }5 b( Q2 y. t4 [, \
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 U4 p' H3 Z# J; i, ~; i您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ o7 i8 \7 d) i% K9 Q" j7 ]
9 j' C7 Z3 e) P) A不過簡單來說
/ V6 B0 Y: V9 b# v) _, C- J在製程時食刻會破壞掉你的元件/ Y" [% ?8 Q; ?% U' d
而特性就被損壞& }# ]1 L( o5 }# {0 D  K
' N0 \, ?$ v# \4 j3 X0 h
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. m$ P( z, o$ l8 i. o* H; w! Q
所以蝕刻吃他最多
" C' [9 Y+ r4 s& `主要部份特性就不會被破壞4 j+ f7 w5 a) J8 J" p: {9 b* q' W

: z4 K9 L% F# P6 {  h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 C0 ]& r0 T, {& I/ d, Z# M& B! M所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, Y" O+ W! X. q! o5 o  ]  ?

6 r2 Z+ R- Y3 ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 [% E- E$ _/ w7 y, B, M還有電容也要加
8 |  ^* \4 d0 P! n4 j$ t8 H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% C8 N' H; A! }/ _. Q9 I; r7 e! M( P2 N. U. C6 U& x& r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) m- u$ c) m4 d! B% d
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, X! H, C0 \: e9 T

* E* C0 C" e* y3 b2 b- u% A  N
- k: A4 J5 S$ S' U    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??/ \8 L2 u: Y+ a6 b+ t0 b

4 d0 q3 p* y+ O4 H$ k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??4 I; C% W& w& C2 ~1 m

% x. e- N/ [2 N& o; h0 S% L5 q數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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