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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" ?1 c4 I& H' O1 ]& W' `
& z) j9 P0 N+ w# B6 P  fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" L+ q& B- ?& N) A
大部分是要match
6 D4 S; P) \6 L2 P3 hMetal poly  density  不夠  R' D' o+ F# @0 ?$ @0 \
加ㄉ那些也較 DUMMY 7 W+ K8 N% y2 f, @* K' x: o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 L2 G( ^6 l" s( u5 o# G  K9 r  i8 H3 k
1 y) r$ _/ z( L( s
    感謝樓上的大大: V6 f: L' U$ G, H; A. c( y$ S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* `3 a, x1 y1 `! U- s; b- x: o5 J& n2 F# {# y3 K: H/ v

; \, O( p+ U, X7 y: G, W    感謝您回覆的這麼的詳細
2 I( k" ^8 \1 X3 @' r您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  c; @; ~* L+ a- @: }+ {5 o3 }4 k3 l* ]
7 `; @/ @! G$ n8 }' p
不過簡單來說
" F# F( L5 ?! C) U6 \3 T在製程時食刻會破壞掉你的元件0 o: H: A! p5 L, L* l
而特性就被損壞  e  Z' a% l3 t% _) Q; P

* z! \/ V$ z% }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 G6 ?3 C& B3 C# C( d* i0 n
所以蝕刻吃他最多, X$ ?! H9 s5 ]: W2 P% }
主要部份特性就不會被破壞) h9 r5 C2 [( A
  t% w/ D/ a+ V9 k! N
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 {% ^$ w/ X3 W7 v& t所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; x; J9 h4 ?: U8 V$ h, Q7 G' I7 `, u# k$ D- t8 s
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  E1 Q" A' I8 i6 ~- V4 i9 ?: Y
還有電容也要加
& T& F9 {: g3 \. d) S& a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 V- r5 ^, y3 |2 J  z9 C2 ?
6 ~; h! g- P7 m8 \! P) N5 h
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& ~. ?6 a. |: P. R5 l2 X% v% Y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 C6 J$ W: j) ?4 }: E. B2 q' d# S* `
( r# r0 Y; s' a+ j1 P8 `  N
, Y. b) i, y: A1 q- ?, s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 p; |$ O5 Y$ C( u: x; B, _
" k7 w( B- ?* M
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( V& p7 w$ z" G& W4 t1 e+ r

. N( t2 G! O! ~* G# O% r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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