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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 C. `- J" l3 b

6 i9 W6 l/ ~; _% ]poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 M5 n  e4 o" o- w+ E( u
大部分是要match
, B( S/ X, l- V$ e3 QMetal poly  density  不夠# N" n: Y0 @' [" O- _
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 o+ ?: Y' M4 A1 k& E把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * y, ^+ c( D, e( y5 {& y
9 t9 Q& b# S1 ]6 Q. b) [) s5 Y

: F) W- @3 a6 q9 Y    感謝樓上的大大
7 v6 @/ }! C* t, U' {; F# L, h   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 Z$ i" {& Y( Y) d6 W7 t' m

+ K' a" P% X' H1 m2 R8 h, p8 l" t: ]( S9 ^2 x$ s
    感謝您回覆的這麼的詳細
: Y9 L* j1 ^5 ~, j) j您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" a! J5 Z: A* L2 d* a8 {0 A2 {& W) W4 O( b2 B2 m
不過簡單來說
2 z4 ^0 E+ _: R2 ?# s  f在製程時食刻會破壞掉你的元件
" }4 ^: j' a9 i, a+ k3 U$ e# ~  ?而特性就被損壞% a' b% G* Q  \- {: c  U% E5 ]
, @3 o9 |" x: }8 W' C) D) p
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- \( `1 X) t5 L7 \( c6 f* X所以蝕刻吃他最多1 H/ R2 E& G3 ~7 Y
主要部份特性就不會被破壞* u. W5 i6 s, D  i% X
/ S% j3 Z2 p: H6 s4 ?) i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ Z  |$ R" M7 B) `
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, W4 F1 H$ e- c  B( a
6 y3 T. {  \' i& M" s* }又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 g/ m9 d3 b7 T9 K
還有電容也要加
4 G1 E+ e6 `& X若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# S* G" D- V6 n
, d- A' j. S9 O) a( U7 I+ E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 F1 e7 x+ m/ L9 T7 I2 {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- b1 h8 j, K2 `$ Z! o+ W
8 [/ ?1 O0 C7 m0 l

9 N! e: K* x9 b    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# v3 r1 B% Z( [3 |8 A  z% N  q8 l1 G' c2 c6 U' B* Q7 f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, d; x  Q1 `$ }

. X' y3 u- g4 O6 i4 ?4 b9 s$ r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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