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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( N+ A; ^8 L# n& M: B, q
* E( `. u7 @/ i* C2 P8 hpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# x: |6 f! u( f# n5 t! r2 P0 `; G
大部分是要match  ?, q& k, A& U) [  o
Metal poly  density  不夠9 e6 s: d! Y* x" i. O* l" n% J
加ㄉ那些也較 DUMMY
# ?6 I  U2 B( \/ w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
9 D1 }3 q' P$ C( Y3 z& Q& A: B! m1 K6 l

9 O$ V4 O3 j1 X7 q5 e6 h* Q% x- U$ E    感謝樓上的大大
4 v) f" [6 z; X% Y  G+ b' r$ K8 U   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 Y! {0 P( ^+ ?% t1 `; q

$ z) ?, x/ j# Q  \- L* h; _
" l& r7 e7 x# O# j% v: A0 T    感謝您回覆的這麼的詳細5 U( |2 T' c! V6 k8 B/ r0 u; j
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ R2 R% E0 ?" C: ]7 F: `

7 [; U3 L/ c- g2 M- \. Z; U3 G不過簡單來說
; I% W) `& B2 }在製程時食刻會破壞掉你的元件7 w9 t9 G! n3 t0 O
而特性就被損壞
5 X/ V& l# _$ J( v$ z$ A" H. d2 Y8 b9 Q. D
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- \# J4 B: e1 W0 Z
所以蝕刻吃他最多
% a, H2 Q8 h2 c7 z% N3 {主要部份特性就不會被破壞
! H3 h1 Z( z% o/ W. q3 L- S3 T3 n7 j$ }' ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; h  X1 A/ E" t9 ~5 p4 ?
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- d3 d' d1 b+ o3 {3 A6 w
  ^. }3 f& v6 ^# @
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 f& v6 C9 C: r) k0 C
還有電容也要加
" G" Q  I; {. l, J若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; {* o5 G  p+ K: A
, X/ F' \+ I9 J! E
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) I; J4 G' R: u5 Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ I4 A% i5 D, c% ?% c! U
" D  [% `" _. t) F( @3 H. F: Z

; S) n3 A* w0 m! v! t* Q& `    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 N% v; T. {1 J) X4 o5 S# E) a2 n4 Q" o5 i$ j
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! l6 N+ `' o' b8 B. Z' y( a
: N5 ]- t, k( `: e/ }2 R
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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