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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 x6 ?2 I, a2 f; q, Z' I' b+ H" \* C' B
4 w6 i* q! @' J; J+ t! dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 G6 [& J. v7 A) j% w' J
大部分是要match  t9 {2 q  k! r$ g" \( X1 S
Metal poly  density  不夠
5 ]$ p# O  y5 D! h1 V加ㄉ那些也較 DUMMY
, S2 Z5 ]: ?- b' I% X把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 M% ~/ `- e/ Q1 h5 m
4 [( G5 f/ I1 ~# I  P9 q/ N8 B

( z" q- ]9 ^7 k! p    感謝樓上的大大- ~& A8 l$ b; c: x4 m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
- k3 x4 k7 v0 H9 M( }
2 O- @$ `" ^  @9 H$ `2 Z
. K4 n: N3 T* p    感謝您回覆的這麼的詳細: ~( m8 P0 Q5 ^8 v. |& a+ |
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 `' [" A- W1 Q. Q

9 r! f4 e! s, w7 |不過簡單來說
' B5 f1 O/ z0 G4 P4 \  m+ [, B在製程時食刻會破壞掉你的元件; k7 E: L3 ]1 U# t
而特性就被損壞
( _' ]( @3 u! p. _9 [: H- q% E3 X
- F$ d) p: i* z6 n4 x0 d5 u8 ]$ L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
  U8 U6 a/ s/ _1 {4 @2 K所以蝕刻吃他最多
0 |; L+ `0 F2 {* i主要部份特性就不會被破壞: X& Q, e3 d: A5 R5 r$ \
* _( q( J0 K$ w. u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. e, F5 B7 \* [, b5 }( I' @3 _, l
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 _( i/ E- K7 F- k4 {/ ~6 l
- a9 A; I* ]( {2 o又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% c: V' W) }5 F$ `. _) i5 `
還有電容也要加$ K! ]! {1 N% u5 c8 O9 b% [
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; [0 k3 m- h; c5 L* u- h
$ M4 s5 c: v8 G( F( O6 w( zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( W1 `+ U$ ]1 o0 tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ X# |0 z. k' m: @2 u( E& B3 @% {; j: T% r6 A/ R, ^# ~" J  ]% Y

8 \$ Q7 r1 |  j+ p- Q4 D    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" t6 q8 Y/ s- a, u% K$ E
+ n8 J9 o* E  g3 h" x& `
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% M# m2 ?( k  M. N1 K5 W( j3 I: I* \
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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