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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 o+ r# @* X, M: W1 V
5 D* `4 s9 B; I% L" Q6 Epoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 P0 D  k# R( n7 q4 D% I大部分是要match
: e3 z7 B8 K5 f: l  w% tMetal poly  density  不夠
( R) `! F! E$ m, Q4 v# K7 B加ㄉ那些也較 DUMMY ' ~, o1 t; s- W0 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- `# G- O3 S) |# s" @5 F" L& t! e" n, V4 L/ P

2 A" @  @: E4 U    感謝樓上的大大0 T* B, a, U1 j5 z2 y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + b5 e) i$ \% u0 u- R( q2 _0 H
) j6 H9 q7 R2 j$ ^2 P
7 O: Q6 \. g) R, P
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 v7 g: h( I# F) f9 N1 }6 j0 }您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) B. c- f) U- I2 A! w' E6 o6 e
3 {" d; H8 z% @$ `不過簡單來說
/ u; I2 i! K! t在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ f% d) Q4 m9 J& B# }9 X而特性就被損壞
  J3 o9 u1 L  L% n
6 C" D" T8 `: _' g8 `/ d. b) V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ J; T2 E4 x2 y; y所以蝕刻吃他最多( a* `* A7 h7 i. ~1 d% K
主要部份特性就不會被破壞
% Y8 M6 ?' Q0 m# L7 g' [( S' B, ^8 R9 a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& H; u+ L+ y0 M* C% T% B
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 J+ o5 k( S) s% x
$ J+ m. u( _8 M( V3 A
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 g0 W$ d! [9 V- H5 c
還有電容也要加
+ |2 M8 C& x  k1 C' n( M5 H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, U( ?; Z. x  ?0 t& G( l
; ]7 E. S' ^( d! Z. [. }, k  p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. A( ?* E8 t* Q7 c+ l- Rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ f7 W- o+ l! Q: r4 Y$ |6 K  x" `* c, N6 J* ^- _

0 N* }0 {, _# X+ R- L; K0 G7 X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 m. Z1 J$ A5 Y

: l; ]& X' m/ c如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# ]1 ?# Z  k. r% W9 B. P$ K+ F) C
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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