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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! X2 p& H" X$ s% n, I! M
) [0 Q* O9 B+ c0 C, p
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- {/ g, v3 b- P7 I% s5 @# {大部分是要match) B+ \! C* O* [) w- L
Metal poly  density  不夠; Z3 c9 `0 Y+ K  q
加ㄉ那些也較 DUMMY
8 u  I, P9 C- A* A1 S把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & Q8 ^8 U$ R3 W/ s
5 t1 c) s7 i  e& x' }  t

% [. h- o$ v$ b6 @" j. _7 H- ~( x/ Z    感謝樓上的大大  S  H0 B9 j( D
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - m* M0 Q+ N" n1 @6 K0 ?
2 }& ^, L* L% s+ [$ l

/ k) N* |( |' r+ e- Y; a( Q! Y2 j% N    感謝您回覆的這麼的詳細6 n% K) {$ b$ @1 s( V! A
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* C/ @2 |/ p8 X! d' M0 j$ a8 q( k5 z$ T% @# ~1 ?
不過簡單來說
8 G" n: X3 ~- W; I& s在製程時食刻會破壞掉你的元件
" B8 X# q. Z1 w7 {) s4 y& }而特性就被損壞4 F3 I; C6 V; W) P2 m8 x

1 G/ p$ b/ c, k. T; s( C8 @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># g& k7 f' c1 x0 `  l
所以蝕刻吃他最多
' U5 `& s9 Q0 f# g" E3 ^主要部份特性就不會被破壞# a/ A( t: Z1 c# {
0 {0 O5 {8 Q" F/ _+ \
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 c, b. C4 O' h* H4 _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& m9 c" P. P3 M  I2 V" A6 L- m, f* w( ^4 l
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" g* O+ X% K* q: ~; D) r$ j還有電容也要加
4 u, j( t4 g  t, Y# e: D8 A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  ^, Z) H2 J. e" f0 @5 O( y5 |9 {& H- |) n
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 d& t. F9 D! Z# C9 A) Uvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# j# X) d& a& y
8 D% _' z* N  J; q! p3 q- B& q+ g0 A# Q: y2 o5 T
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 H6 s+ y5 X! j9 L& k) V  E5 [
2 F& j4 I% }. N) C  h0 O& t如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  j4 f9 Y8 w0 c2 J4 g1 x. j; h. D5 T

; m' O, f' P0 H! r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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