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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 q5 Y3 J8 H, o: x* p) }' ?, S1 E' k
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密/ `# O" F! B% l( x8 s! f
大部分是要match( q; j0 Z; B! N3 H# W# h
Metal poly  density  不夠# S" Q' M- z; c  L) N
加ㄉ那些也較 DUMMY
; x# u$ L8 y" D! p  K' ]把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 u$ I+ V$ {1 a5 E# t, v+ q5 o: b
9 j4 a4 f& L, v/ e5 o
# j1 V) S, P/ [- \8 ~& z! n. M
    感謝樓上的大大
2 i  N6 W# O- a1 k" j) o6 l   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) L8 ]) a" t; @, _' g& G
6 b5 m6 v) s# o2 J% M5 ?& Z
' t. g" C2 x: }, \& B! C" j
    感謝您回覆的這麼的詳細. A% f: j0 k0 S" l8 F
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" Z+ E) N  T& h7 O- t! S
% P! G) j! ^' a, D9 f( ^
不過簡單來說
, @5 }$ N, `. F7 B& h在製程時食刻會破壞掉你的元件* L1 z1 _1 s- A, M- w
而特性就被損壞
  l5 h, g" [5 O- x$ ~7 v
% z) s9 U  l6 n* H4 {9 B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 i$ u% R# Y1 _) t0 G
所以蝕刻吃他最多  V/ m& U  O  K8 z& X! a3 F: d
主要部份特性就不會被破壞' i5 Y: t  a- r/ ?! ?3 `2 v

7 g4 v9 Q7 E3 T很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 M6 F, {' j. K
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" {, I7 {; n. U& p. r

& L0 O$ E% F% z4 {4 u* I* u1 h又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 g$ V6 L( [! G/ Z4 O. X9 p6 x+ |
還有電容也要加7 A$ w% S' {5 _. S
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% d* `" C) g1 w# l
  [; @. V4 l! ^' _! e8 s! |0 w' {
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 F8 _: |+ s' s( E2 Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& q! {: O3 }4 _1 e  L& R& `7 p/ E' P' r
9 n4 W' ^: Z# l8 X3 ]) [" Y8 R9 y- ~2 Y4 d: h8 u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" O# y$ j7 {1 |  }" E$ g
* ~  Q$ X7 h5 H) D* [0 U& g1 k
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 P" j# ~3 X0 O" i  B5 g& V

; r. }/ Y- x: w7 [! ~數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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