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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- G8 A# w2 u$ F1 c/ }* X

$ n) ]- }5 [9 D+ Z6 E0 Vpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) G$ @" Q7 B( A0 S
大部分是要match
/ z+ P1 X$ R3 V& ~9 gMetal poly  density  不夠) K9 A- n* m4 J8 K
加ㄉ那些也較 DUMMY 8 _/ j& z) w" p* s3 `) x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 @1 `  T4 c8 o* m) d7 u3 F
; D' Y- r/ j! E) i0 `

& S  Z" \/ Y: U5 U0 F/ g8 c    感謝樓上的大大
" j' ]0 H$ z" ]   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ {- m7 l) l  A+ Z( y( h% J
" d! d6 W" J/ D" g3 ?  D; Y2 k" }! G9 }
    感謝您回覆的這麼的詳細0 ?  b" i2 [9 w7 e8 F
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 r' A- x) \$ t6 d7 r, S4 U0 K# s) q- J& y4 \$ w
不過簡單來說
  j' a8 o2 N! \7 i. W在製程時食刻會破壞掉你的元件
) x# W9 l& y8 I- E$ L: C- Y而特性就被損壞5 Q& R- @3 e# m( g: l, B1 h
" U6 s7 x) @$ Q# G0 b* B
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, v( t; O9 O: K" R& j& m; g所以蝕刻吃他最多
# P# K7 a: ^5 z& P) Q) ]3 A0 U3 o主要部份特性就不會被破壞
: T/ j& V5 n5 [2 l% V% c
/ K- J' ?8 f& n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ B* L3 a7 |% u) y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) m9 o: a0 _* B/ L5 P  N3 w% ?/ |# z
5 _: M1 Z& Q" c8 H- I9 T
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 q" ?' I5 B; K9 t
還有電容也要加
! e3 w7 s1 \8 |& @) r! X/ m7 s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; f. K6 d9 q0 o
2 R5 V/ r" a5 G, ?) ]# g' K
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 z% {8 l2 A2 J1 j# y7 Fvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ o) F+ o  z" Q) [) K1 a

) M$ m' @) J* p2 r6 @) i% Z* D% f$ Z/ M9 K. |1 `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; l5 C7 `' O7 p( x

1 U% \4 B# G5 _4 l如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 B! B& T! Q: ^2 ~

, X! F  S4 R+ _. K7 ]. s數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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