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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' X2 j) q+ ]5 _; ~
! {, m( F1 i$ Z1 W# Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 ], L2 [; _0 a6 @8 Y* ^/ b大部分是要match
8 V& a% a( F6 j$ D1 CMetal poly  density  不夠
7 n2 H4 ]% f0 X  T0 A加ㄉ那些也較 DUMMY
" q, Q! W- R' _; ^. v/ j+ @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * X9 K- Q" w3 W
) D; t# U7 ]4 B3 C
/ {% J' e8 S. w  I7 C( u
    感謝樓上的大大
& b0 W2 Y/ ]3 ?& Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( U: e. D1 b" E$ I& j
; ^9 Z' d: D6 Y

) _0 u8 @, M, `    感謝您回覆的這麼的詳細
; s- \, m4 O/ ?/ A# q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& I- O4 G, ]7 G# N3 y( J

4 h& j0 Z4 W: ?# [$ U- E+ c, @+ e不過簡單來說% Z  {; p5 R; m7 _0 U2 K  e" `
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 {3 r5 z/ ?6 t( ^# J' W0 g而特性就被損壞6 P7 ?0 P+ G. N
, ]# _& |' ?  v0 ?8 |# }& w, Z# ~
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 q! G: S, q0 ]) q, U0 h
所以蝕刻吃他最多
- i$ }6 w* U( x8 u7 O* g主要部份特性就不會被破壞- b) a& i% ?& D* d7 F- l" o

( s4 ^% v+ {# s. }很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 d7 k- u  e) f4 K2 ]所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 `9 h% x6 L: D: V
. f; b4 A0 T: c# p
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ n6 L7 P9 r1 q5 g7 G還有電容也要加
! ]8 X. `0 N0 d6 B$ {2 d, Q' j若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: i" l4 ^% P7 [. }1 H/ k4 I" Y* H( t0 y' Y# Y8 `4 d2 J8 z1 _1 d- }
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ ]0 z5 I+ C% `) Q$ |6 ~4 P8 h* Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 j! w, k3 U4 f& a

  o$ ^4 y. i# J9 z" g2 o
6 s5 M" p2 Q( M, Q: l; q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- t6 j! c* R- l

+ U, [0 |4 P$ k( I9 j  z8 }+ e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* n' K" n3 y3 s4 z6 u: c/ S
" W) [5 ]& R! U! n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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