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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ d! a) C* \. ?
  L4 M! i; o: U0 K$ ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 U$ o& r# y) ]- [  T
大部分是要match6 x! d8 i; _( V+ S+ d  @
Metal poly  density  不夠& t: M/ v, W% i' h& t
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 V* L8 r# J: k6 C
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# ?. j* ]" i: q) ]* W5 V8 @# j: \. A( t  o, Q7 W6 n
: B, i# |( }/ a
    感謝樓上的大大1 M# a( g8 ?1 B' L" `# b  x' O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! `# x( T1 E! l0 ^6 A1 M9 S

6 i8 o( ?( U- B) W- S: B' [* S/ \  F; U9 [6 U+ ^/ ~
    感謝您回覆的這麼的詳細
5 J/ Q& |* ^0 C' j  k) T6 s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  j, n) p2 M8 }$ k6 y! O6 I
. g# z0 X6 T/ R) j9 B* Q不過簡單來說) `! Y9 k! K- ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件% h$ z, A; ]- Q! _  O
而特性就被損壞* a% Y4 A, D- V7 q% Y  d6 `8 I
! G6 b& v+ `' I" f3 d% D: O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 y/ ?2 D! @( V8 V所以蝕刻吃他最多
7 ?* ~, K( J0 A3 O- g6 W主要部份特性就不會被破壞( t: M1 B; e3 i

( E; p2 L% H, D2 z, m1 @很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& Z- C# X3 l8 N0 V% P
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 X" K) A/ N. h- W  J! Y/ Z! X  c# n. C8 M9 J: [, j
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) ~. i" u% i* q: z8 u& U( _還有電容也要加% T; B/ G( q( S) R3 g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ ?# y# {# M0 L
7 F& a) B3 w3 y) \+ M0 Z
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 d8 A! L6 c% `7 o6 {1 k* J* W# w
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& Z* A$ e: {% _
8 k3 C. S# }' P2 c
/ }. c8 e, K/ O  F' i- ?
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 b' Z, P# M1 z! Q: j  p& A$ h( f- i, Q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ g, D' S, g$ q0 c
2 e) A0 |' N" B6 n
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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