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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ Z) T4 Z2 _: Q4 N5 a" q
  {& K* T7 S' _0 S$ Q5 H6 B3 H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# k/ r$ X& P4 b; o+ Z& f
大部分是要match
) {6 W( V9 B# h1 `Metal poly  density  不夠8 V! ?+ S5 G: _2 H' d
加ㄉ那些也較 DUMMY
$ r! t7 P( Q0 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 O, J+ {# e6 |  P. A
! l5 e0 Q5 g& d  p- C* H- x% ~- j1 p( o; V8 P* j) p, e
    感謝樓上的大大/ F% W( x; G- S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 Y7 X2 t. k1 R, K
, o3 V  R& Y. q1 }8 b/ j- v8 U0 F+ `# _  P  w8 Z
    感謝您回覆的這麼的詳細+ Q/ H1 S* w1 G' i$ S  _
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!5 _; F: D8 K4 M$ i

' \& W2 }& Y+ e8 z" y不過簡單來說
" J4 c! D: z$ C! C! ?& t在製程時食刻會破壞掉你的元件: ~+ H2 f5 f: w2 ?* w; O$ k: d/ t
而特性就被損壞
/ W2 W- ~; p0 n9 T" R
) i3 o  H: M. z( c0 ]5 g9 x) G若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
1 l( q9 W" M6 t9 q- ^$ H所以蝕刻吃他最多: f2 O" {$ O. M& q6 ]; E  B8 q  n1 I
主要部份特性就不會被破壞
3 ?9 u' v5 B- a0 V! e4 O& L4 Z% K( n2 l
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ h+ R$ R+ ~8 L2 a7 @! {所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' @% W4 ]* m. W1 T3 k  M$ O

: k! C  Y. r9 Q2 n) B+ W8 i6 m- @' O又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# z( z5 c, s! w. ^% f' D2 F還有電容也要加: e: W; C* O: `$ R* j
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 q3 t5 t- Q: }9 y/ N
% ]0 L5 D; O& R' xand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 O4 {. V2 G& U0 svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* o5 u1 X; U/ Z$ z! a+ M* l9 I, y: u% I

% M% b* m. F0 g; l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 I3 x9 ]* Q$ t4 }6 c8 Q, `, H* n  G* X* t! f, k& M
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# l& o; P$ x* l/ ~9 b9 L0 V: X% n
  R( `; {# D3 d  E; G) _
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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