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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 v; x# t& j6 @$ Q* L+ Q& O5 F2 j" }1 L; @- D/ D4 [; Q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 U& V4 f( P( k1 [% m
大部分是要match- r  l( k  R! V/ E1 w4 m  n: n" m1 I
Metal poly  density  不夠- e6 d( l$ f" k. v: Z
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 G" r+ u) V: R% D2 j8 h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 \% E) ]2 t5 O6 R4 C5 s
0 N, _1 V! D+ z, a. y' V

7 i/ ]( J# ^- e- z' n. P    感謝樓上的大大
. U' [; e) z" N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 E% D! U5 C& c% G9 n. g' ]$ ~

: y# N" ^/ s0 |& g; D( W) I& r  M: {# P2 j. q3 G
    感謝您回覆的這麼的詳細
, X4 |9 Y  H1 C7 C. A; u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ C" c- S4 Y+ x' q% i
% y4 y. n" n+ s
不過簡單來說
8 J: g4 |/ W2 s5 O& [6 H在製程時食刻會破壞掉你的元件
# a$ [- L1 L5 r' C$ v而特性就被損壞/ n- u1 H4 J+ ]" z6 W

+ L- S$ E% x% z) D8 {: w0 T若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ J0 I/ H% u' B$ Y) ^$ v所以蝕刻吃他最多* T- i4 y+ J$ u
主要部份特性就不會被破壞' e4 Z* i, Y9 L' f- o$ B. J: D
1 C9 t8 h8 V: x! r3 l5 @0 M" f' d8 Y  K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" a- h) m; R* p! b+ {* E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# s/ h- h3 I2 T: H) U

' N2 }/ g: i# k' e5 V% |) {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. s; S  {7 V0 C% B  w" N還有電容也要加
. K- h9 ^7 Y# L& e, Z5 r# N若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! O0 B! j) `3 p; O$ P2 o4 H

% Y& f/ }* @1 L: V, J, uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 k3 r' q7 w/ E; Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
& {# ~" @- ^2 i% Q: Z9 B* u
. N* \8 C5 j8 p0 v' |8 F! {6 e4 i; \
  o) }; r& m6 ]( o; w  G. ^
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# t6 {+ Q  _7 w* F( s& r" M
* {8 p% G" n: s& v& l* d& |如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' T, `2 f' s) ~" B3 Q3 ]8 ^: C% t1 p- S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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