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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  V) I- ]& B+ q" L. r

/ C4 M0 d/ f3 Q: R5 Z1 J. b. ?poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ z) M$ u* B5 l( Q& t  M/ ]大部分是要match2 ^/ c: t; i" v( o
Metal poly  density  不夠1 Y  d' _$ Y: J' @1 ^, `" R0 K
加ㄉ那些也較 DUMMY
2 m2 @4 c1 |# @! I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 h6 F0 T$ Q" F: Y% M1 Z  K
2 b/ {8 U" ]$ n8 K" b7 m0 O4 c/ \
# k6 Q1 J' Z: f7 @0 {    感謝樓上的大大
  ^5 n5 n% G9 M  K* H7 u* j   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# s* K8 C( L( u$ X! j0 b. v: m. P; U6 f, M! u/ e" k6 ?. g

5 q6 L! Y4 m7 h  e% j    感謝您回覆的這麼的詳細
3 g1 y6 q5 ~4 M1 c. K3 [' j$ A您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ h8 r; S! Z" d/ h# s5 _  }

, k4 R' \: j6 l# A( s; _不過簡單來說& N) ~# H# T2 ~& h" T1 ~
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 |' V" x2 Z8 u1 T) e( m' c+ H
而特性就被損壞7 G7 Y# N+ _5 b& D! {5 u. L
; ?& ?; A2 L( E( U
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>5 q" J+ a) q, M) {3 l
所以蝕刻吃他最多
7 k. w5 B, g+ x; i主要部份特性就不會被破壞3 U' |: Y4 ]) y2 |* q; x
' ]  h( @; o) P$ T! u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ U7 J/ o. s  w, G& [5 r所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 L  \/ z8 g/ K

/ z5 [8 f" c1 D# r: E又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加6 I) a' {8 O& P  L: w
還有電容也要加4 K0 n9 j* r2 W! T
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!! D! v( |, r* K' [

, |$ J/ l/ t+ jand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..., z: C2 f& t5 Q' @/ i4 j
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
8 l6 c+ K. D1 b$ i' }" u$ j
3 C7 k, E$ z( P- W

5 K7 H, {' |8 V! _    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, `3 w$ c: \, @* M& c* z, {" h& y
6 T, U0 `! [7 X8 I* V5 ?8 S# d如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
$ R5 d/ j: j5 L! Z! h. Y2 Q
2 ?( z9 d3 `4 T* ?8 [% b$ g0 n數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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