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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
/ j+ E" l, B7 e/ l: Y0 L
# R  \0 |8 g0 k% C/ g6 L& upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ S. }" t  e* N+ _大部分是要match$ x  @* e$ c" ~7 ?$ f5 [; U, {
Metal poly  density  不夠* F& n1 {+ [) `: R
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 h6 T: o; T8 A9 k5 D* G/ ?
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # W) a4 d( c' X" o
7 Q/ E# b* B) R5 s

( F2 g# L. ?. }5 t: G    感謝樓上的大大: F& Q4 `" `+ I" ^7 u' l
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) C% x* R0 c& D: |" X
$ p& v: }- M; }! ]7 G* {% p$ e' k8 r8 Q* S8 I  i
    感謝您回覆的這麼的詳細
& g# t* @( q1 m7 H& m% w  v您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  F2 O6 U5 c. n) [$ _, n5 n( n* O
$ L3 k3 ^0 W+ }不過簡單來說
3 h4 ], I+ F* Z  Q/ i( W* O* I: a在製程時食刻會破壞掉你的元件' Z0 k- H2 T6 p# W9 O
而特性就被損壞
/ o% \& G) R, @' J/ v
& y/ z0 W' J4 J4 F2 s5 e若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 e- W* e8 N/ G4 {* X/ G
所以蝕刻吃他最多
$ M7 C" X8 M) p' K2 n/ C+ e" ?& j7 w/ i主要部份特性就不會被破壞
* r" p' T5 G+ k5 d) d' d& ?
& Q- w8 B3 @: Y9 t) c很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( _7 C# g6 \; b. ?/ B  @9 H% |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 I$ i+ [4 d6 u$ x
' }5 `. g% q* T6 P" \又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 M  }+ @& H( t還有電容也要加
7 m+ E8 U  m9 }# h7 e3 c# V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. p7 B0 q# Y" W
; B9 X( D3 [! ^3 S2 aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 l2 V% U* w5 T2 O- ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- F5 o5 V6 \' z+ p. Z2 @% K+ s9 l% F6 p* K
) C' w$ b) S( c% G" ?5 m5 Y0 j0 k# Z
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. m5 W4 d7 R$ @4 r; e8 b2 D
3 Q( C( M  @4 T5 ~. E  g8 [如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- g  y! c9 ~, c; ?+ v
# ?) f1 F# j" }/ y2 j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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