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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) \8 D4 M# M* ]) |# r) O
* O% c9 H7 o4 O& [poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( r* ?, f6 Q* k( o7 N0 j4 p大部分是要match
% G2 H, e: e7 g  N$ g) }4 \  dMetal poly  density  不夠
3 J/ N" l" _: }3 i( A加ㄉ那些也較 DUMMY
; }5 }) T# I3 e8 Y9 \+ l2 n8 B+ K把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# P) X( F, ]7 M) l
: N( m) g$ N0 B5 D7 ]9 j4 u  r+ |$ C/ a% \! H; G$ r+ o
    感謝樓上的大大
$ a, E- h( `6 M3 }   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ; K. A  S4 j0 e: q1 ?
9 `7 R# P  O& D  G2 Y1 O
7 ~) l1 P9 N) ]( \4 `
    感謝您回覆的這麼的詳細; m& R2 v% y9 x6 D
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; S  f9 w# ]) j
& D. C* M2 C" @- f9 d8 H7 H: X: Q
不過簡單來說$ s- e  D* u/ k: ]1 o
在製程時食刻會破壞掉你的元件
" q$ D: H% ]; U6 e# u  n而特性就被損壞9 O) L! M' E4 h0 @+ B+ K2 j5 j  z

4 f# |/ R! w8 }- o. i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ T( K/ B7 ?, o9 w/ H8 w! i- J0 v4 z所以蝕刻吃他最多5 p6 V+ a9 C6 R" F0 Z& J- p1 ?
主要部份特性就不會被破壞
# S  G- d' y9 |5 z" d/ M; t, R( N
: \7 ~% m9 @/ ^, m; `很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 W4 _" |+ j. D( N! S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 u; X& ~( E% G9 B

4 R. U6 e* {, [$ O% B; x又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; e) }; x/ D8 e+ s還有電容也要加
; M6 ^( G/ B$ ]+ G# o/ b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. I$ A3 Q/ ~- u; T" T; L5 P. P2 F7 [  C& U4 H
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." p$ P9 ~+ B- A7 f& _9 b
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 ^% N' _" c1 c2 a* t

; @. l- e! ~: ]( H7 d* |+ }5 g( w; d6 n* P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ C- ?7 C) |5 \5 D3 ^' j# v  p$ t- K) _5 C5 X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 g/ M+ K  Q, f# Y% P+ g

" U2 @" w+ A4 H6 [1 _5 A& y% f數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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