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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& H3 e  [- ]' m  _: Q

8 A' z! ?7 ?* T8 [; E9 @% apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密5 \  w* F1 m2 {: c" T
大部分是要match
) A7 i" k: L2 A/ OMetal poly  density  不夠
, l5 S! |4 e4 ?' N. a加ㄉ那些也較 DUMMY
5 `8 ^( X8 h! {+ ~# L把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" }5 W: R( b2 T  g
# N+ U$ u! m" I- ]4 P; ^7 A8 a' L) C9 F" i5 W' i: W
    感謝樓上的大大: ?0 t# G: D1 O! D$ J8 z. t$ D
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 {* F% K; T8 ?1 R  ^* y3 O. s( b; ]
: _. o) z: ?2 M8 H
    感謝您回覆的這麼的詳細
& V5 ?  m- _$ ^/ K1 r0 j' }4 u8 H+ `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" B( k8 D" e2 ?2 S/ |2 a, j+ w2 D# M0 e
不過簡單來說8 A7 p8 B1 L2 O' y2 v1 _
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 R7 b. w+ ?* l% H而特性就被損壞
7 g. ]5 J8 I  M2 D. O) R  A% ~6 H- J9 O. o3 p
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' n9 X5 ]+ W) a0 ^+ Y$ Q; v所以蝕刻吃他最多! A# G4 a4 x$ a2 H  ?8 {. J( |
主要部份特性就不會被破壞
3 q  A( f( Z8 I# M* w, m
. z/ }5 p$ o2 r* e. o5 k很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 Q# ^) `6 @2 V' W, E1 X1 r' X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享7 j% U. H$ v# L

% U8 Z8 K3 M# Y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) u; c5 J4 M$ z還有電容也要加
% `* F- k! `" w1 K) Z, \若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 w5 t1 c: d: u* W7 V0 s; X1 d3 h
  A$ y4 b# v% _and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 l2 r  V: _* l$ B" F4 l5 k+ L: k
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
8 n% Y4 u* t1 ^: D( x+ N' H9 E

1 g7 C" J* i! ]: q0 K& |. t, Z
( q9 d) G5 T6 t2 c; l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; J  x" a) P/ G
1 ?& K1 |4 Q2 B* X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' v  ~4 |+ e( {3 m1 a
1 p$ v* H# F6 x: K4 x% f數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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