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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 E( x+ @2 u; ?4 C: i3 D+ k# G2 k3 ^  I- ^" H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 D" l# p, A, v, e1 @: a: |
大部分是要match
% a! k7 D7 l& _- z( I4 e  OMetal poly  density  不夠
' Z* H8 c! d% G2 k/ [  E加ㄉ那些也較 DUMMY 8 ~0 U; c0 \6 d$ _* z* ^
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" D6 Z1 Z; }& P
5 C) f0 e+ ~( f& `6 L
/ Y% f: O) \6 m. t6 v# Z0 f& x$ b    感謝樓上的大大! w6 L: B/ H0 A( b- X0 J: _- [* K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 }/ P9 L) ?4 ^. B
2 R3 w; h. z, I, C7 ?; `  M4 {& F
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 i/ v! Z6 h0 r" Y4 M您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 L1 x' m. k0 Y- E

- `0 Y) ~6 s7 X: O9 a: f不過簡單來說0 H( j- G! r5 Y5 r
在製程時食刻會破壞掉你的元件
) M( M1 |/ l, q( k" S, p而特性就被損壞
" X4 a% V& i' U2 q# B+ R
1 o4 K7 e4 x2 z7 k. ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 f0 [  r: ?7 [: A) S( q* c
所以蝕刻吃他最多6 y$ z- A6 H/ q5 E1 P
主要部份特性就不會被破壞
& y  H( x# _* B8 S( a$ P
4 J" B* E' I2 F' ]/ Q3 Y; d! a很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>) Q3 J! ?8 M" t4 @9 A
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
- F/ f0 z, C2 `6 l- f8 M
( W! U" u: s: e2 k2 G# z( [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; h& o) Y( q1 j0 L, ~3 x% O: u還有電容也要加( t* N4 C1 C! J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 i1 r0 H% O, `9 J* V6 z7 I% M5 v& s' t, l- v! d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ {2 i) J7 G3 Y4 e, p- avincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% L7 [* J& R# C3 G4 o
3 c- Y" Y' N, b$ c4 w! D
/ F- n+ L' H, n! a2 n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# M( p0 r% q4 e! x( p. ^( z+ [/ S  V/ F7 y5 R( }4 I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??2 R3 b' P* w' {
0 t8 n& ~# S2 g
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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