Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54536|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 w! b4 M- Z" `$ i( Z
$ Q) z+ S( b- e1 k+ h6 O( P7 B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ ?7 ]5 m) U3 s  O大部分是要match
8 l( K9 Y+ ?& z2 s! h* dMetal poly  density  不夠0 @/ r+ X- ^3 o, Z+ w! d
加ㄉ那些也較 DUMMY 7 D6 p' t# C) n
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, a4 b; N* ]. }/ F2 N! S2 h$ Z; I: z# D5 K
8 o4 F/ `  Q) A( _+ H; W8 s
    感謝樓上的大大8 ]$ _0 V9 T1 f/ C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 A! i0 z/ W0 o# b4 I# ?) U" v
8 K+ E% L/ T1 e0 a7 X
5 E% D3 u. `) {- C4 W) ~; ^( U
    感謝您回覆的這麼的詳細
& [% z+ [2 R% r2 k3 N- Q( V您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 U0 C! @5 B! r4 B/ o  d! e' {' d- B  L
9 ], @* _7 [% ]# |. f不過簡單來說1 I( d) X  i4 i3 N& C
在製程時食刻會破壞掉你的元件7 l( B( {8 J' R  Z
而特性就被損壞, t% d8 I' j" V0 o" |4 ?! u
! C- w( X5 M* h% G1 A
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  G: G0 _; K9 ^, C' O" y
所以蝕刻吃他最多
/ w$ X$ G2 L& u# g. b- m主要部份特性就不會被破壞& R7 o3 J/ I" L9 }
: P4 d$ K- P0 h$ O* K8 a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: d+ y9 D8 F, S+ V
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" B7 W: K$ T+ g6 c* M* x/ _+ _8 l
; ?+ `# H( @) [2 R  {% f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 Q3 `; @- |0 B- t/ X還有電容也要加9 y6 y3 ]* a  r* y( k
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* I- ~& @. K7 S7 i' h: d
5 A; x  |% y' S0 ^9 ~and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. i) m, L7 F: ], ?3 vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* w* d4 ~3 n3 I  Z2 Z' _$ o* E
% D0 W/ T7 f  P1 r- s& ]) M) x- f- s/ ]& h3 J: i/ ~* f7 z& Y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" \" d  L6 H* U' V6 Y5 @
" Q, H  n6 o0 i  `7 o0 I. ?% r如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, e* V& W5 e/ B$ q4 _: Q4 p* ?" r
+ U/ u+ J2 ^( Z1 R
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 12:57 AM , Processed in 0.181011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表