Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54612|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! M; @6 J. Y0 [/ b
5 b7 B  [' n( M( s5 Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' M& y0 t' _1 `  k8 I. `9 n
大部分是要match
& `6 d2 P) e* w9 qMetal poly  density  不夠" b" ^) c1 G0 X
加ㄉ那些也較 DUMMY
" N9 y9 s' o! i9 Y. ]% d把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat , p1 m; N& @' ?
$ X' ?% |2 M  u3 a
+ U7 W3 u# p* _7 k
    感謝樓上的大大
9 f/ ^9 \1 m9 D& c( [2 }/ l   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 D, k9 t) x: Z2 L0 o8 G! A

' x2 f. @5 H# B0 F! Y
$ Y5 p# O" i! y" K    感謝您回覆的這麼的詳細: S: ]. B5 \. X" s
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% G3 ?* C9 K& Q) B+ ?, i! z" r4 v! c6 K8 s" B9 T& e0 P% t
不過簡單來說" j, b* b) `, @3 I4 h7 [' q8 H  l# S
在製程時食刻會破壞掉你的元件
) p' V# B+ G1 W$ q- P6 Y而特性就被損壞
, H; k/ b& r8 o% B. f7 ^; s( ^2 I
, Q: ?  [$ ?, _若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 F. _3 K& G7 a% v9 U* z9 l9 K9 T所以蝕刻吃他最多' i1 d; q* L0 a
主要部份特性就不會被破壞
. }8 Q; Z! h; V0 z
$ @1 H! ]/ \% X. l8 V( q' R很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
' P  _) B: u' z" ]所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 t1 h7 z  v4 G# E2 P

& A9 X" q: c% P  L' c# ]2 t' B$ T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 P: f/ G$ v/ e  o2 T! J還有電容也要加
3 {8 E# e( `6 A% q9 c, m若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% ~3 a' k- L1 A; C8 C1 o- @, g
: n" T$ W8 f2 S4 N8 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...& k3 g5 c0 P9 q: v# W( x5 G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  j+ \6 g1 K% q( D( Q% X& Q5 W% `4 x4 z3 j$ Y' m. q$ E' Z

) V3 M; C! z1 [$ }: n% {" Y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; Q# w- u' u" e. P& _- D  c. q4 k  S9 W1 \' S4 ?6 P# x( ^" q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# Q9 Y4 h( q- a- n! Z1 [' Z

* X3 @) {4 c% b& ^% B8 I* v數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 01:35 PM , Processed in 0.191010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表