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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. a4 t, _6 O2 ~/ X% L4 j, t
( x! X; L& s& {3 mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  ]6 N% O3 m: |/ c; ^7 _大部分是要match( w( L! S7 A: W4 C* k1 j
Metal poly  density  不夠
& L' `2 Q  l6 C* Q  s2 Q7 D加ㄉ那些也較 DUMMY % u6 L, s* _9 c4 k7 X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 T3 D* X" `4 A( {0 S- _7 V" U8 ]2 }0 F% l( i; t, l* s
1 S* A0 w& x: w0 d7 |
    感謝樓上的大大
% C8 s' ^- a, B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' l6 P5 G" l0 d, E- i
! e( @4 s. J1 r& c$ G4 b
, W9 {; k, L$ Y& Y' n( y
    感謝您回覆的這麼的詳細
. d0 X0 x7 U$ R0 }$ l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: E* ]% j+ B* ]( j4 T0 t& k! i/ f& |0 E, j; E: O( w
不過簡單來說* d  T0 O( V: i
在製程時食刻會破壞掉你的元件  t4 E! k, ^6 D, W6 T
而特性就被損壞
' u2 ~' \& s" _7 L  k
- N- T  w( N: n' M若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ m6 x/ G0 ]9 S; z2 A4 Q所以蝕刻吃他最多
: N; Y* z( t$ T+ h7 H# S- b主要部份特性就不會被破壞
/ y! e1 A" w1 f* ~& c, p' R6 W4 u4 \2 S6 E. o* Z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 B& }8 w1 o! e3 q4 u6 ~7 e3 K所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- b& R9 t* {8 {* k* }
. I, q$ B' K5 G+ F: X
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 x# d. T4 D5 a& j( X1 H
還有電容也要加! T0 n* Y# O) x$ ?8 G! X
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 r7 ^( }0 p; e$ c0 u/ N* J" T& y) C. ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* t$ o8 R, z. w! G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. T* s* J' R% v$ X0 T

2 F& \1 G$ _  L" c! B9 N$ m9 }6 T4 l: r6 I0 d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; c2 K$ Z/ X, u
. W: E) Y" o/ C+ d如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* J5 w0 R8 U, P* A6 t9 Q8 ?: _. M; H
9 k4 W$ k& b2 A/ P3 v1 W4 @( h9 k# k
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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