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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 N! w9 o4 _* U: E+ O: e0 x
0 {( t1 g' c7 n% Ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
. g4 M. W* N. j7 N3 L大部分是要match+ g( J! Y3 T' w2 I; M, |+ ?! b) V
Metal poly  density  不夠7 y+ D: ?/ x! _" ]3 N' x
加ㄉ那些也較 DUMMY * M3 E5 p; G6 N+ h% E8 {/ k
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ L" L+ B1 e$ y0 P  `- v$ T
7 T8 F2 p; F9 r1 p5 u7 u, r; i$ f) i7 G
    感謝樓上的大大6 a6 u: G/ S# K3 L6 y2 o$ ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 e; Q5 y% w( \$ g

# v' i% v+ w0 a" y7 B! X- t: @( u' e9 X" X, `4 T3 p5 C3 {
    感謝您回覆的這麼的詳細* ]5 T2 o" K6 P+ K$ t. |
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ x7 ^' c- h' Y4 G
" V. |- _1 z9 q3 B+ N6 o4 D6 t7 C- L
不過簡單來說2 q( m' [+ Z3 }
在製程時食刻會破壞掉你的元件5 m8 b, y* B: J) S! u5 |3 z- Z
而特性就被損壞; c- m) @$ s+ z* L
5 ]: A  D( g* R
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% F( D& Y6 [; H, T% z所以蝕刻吃他最多3 |, k; a! J) [% q/ t+ v5 A
主要部份特性就不會被破壞: _8 i7 C4 l( {
1 y5 B$ F2 z$ @6 D1 Y9 f- b
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
8 A, ^/ P! s+ ]1 u( i所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 J6 k9 O2 w) K) f# r) e5 n
* m: z1 ~2 e6 E: f  {$ e  j
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加/ g! v6 u2 m3 ?" o9 S* V. ?; C5 \
還有電容也要加
1 y9 |: _- N8 y. c2 j若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& E9 A& a; c% e2 U0 t7 z0 U) ^( E  o
5 i# i. U) r* p( P: a9 Band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 n- X- ~' m, |6 j1 J" M5 Dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( j* L9 ?: w' v

& [4 A  e5 ^4 Q1 Z# V' r
9 g: t9 W+ Z4 |+ ?; |; d9 a    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) U4 _* ]3 Q& {- W, U: l; }$ b2 o+ F, A1 |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, ^, L- u7 S2 a7 Y) g
5 f  J) D3 \5 X* U9 m# y+ E3 P2 @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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