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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  A. E* G9 O; f6 R$ G* P
; v# _) k+ o/ `( Z* n( A2 P6 a. R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; E! w" L  d. R* Q2 \/ b- k4 I$ i9 Y
大部分是要match
( O. V+ S8 B% s! B& r) j7 D; M' \Metal poly  density  不夠2 b: M, Y, U- |; X+ X8 `. s" T3 V+ }+ E
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 _: u7 O: b7 K( a3 i2 i. E6 g% Z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
  A8 ?0 E7 k' Z! X
6 }+ I2 O: z" F  c" Y2 ?* E3 ]
& @: J1 T% ]0 Z    感謝樓上的大大- K9 @/ r& U! l2 B" X
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * I2 d* J8 B  Z( t5 Y

" Y' q* Z" u. r5 H9 t; {. M/ A: k8 }7 ]( P' L8 O, v
    感謝您回覆的這麼的詳細
% O$ {/ v9 G2 `您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 X4 H1 y$ @; Y$ P
5 D' d- J8 ~6 M8 q. w( o  e& c
不過簡單來說' ~. G4 e! Q$ r* B
在製程時食刻會破壞掉你的元件" O0 Q' r% M* h) H  p
而特性就被損壞
9 q9 F; B! U0 X" _! e2 ]5 y2 B* F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* a; x  f! l$ N1 u( s, u- \- L0 d所以蝕刻吃他最多
# l1 z3 b4 U/ j: _) v% q: M主要部份特性就不會被破壞6 i9 e- A2 Y, }3 M& {  P+ a
2 q1 J2 l0 e0 j. n0 A
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 y/ X5 Q5 a, e4 R
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 }0 k1 U! l+ S3 @+ L$ k$ _  u& ]5 v% `1 J) x
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* i, q4 p2 O# e1 V4 K% w* b9 c還有電容也要加" w/ Y7 y( S) T+ L, ^! m9 k
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!1 {. d/ O4 d$ z3 h( i( E
0 a( A& R& Y2 a% D5 k
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) r0 m  x. b( l  z% C0 V$ c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ b, A9 q' A( L' f* R# M3 N  y5 D- ^+ B8 g+ G
9 G( {, n  [* q0 x) X
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; C, X. O* w/ g! ]  l, g/ }6 A
, }+ ?. F  p( X6 I  ?' v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
6 {' h" j+ v5 [( O" G; g; g
7 b$ y( \  F6 c: k. T數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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