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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
( t- g' ]9 l. D" w) g- D7 u: Q  i9 O9 p# x
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 _6 d/ G' J* y" q$ t- o& P4 K, N
大部分是要match4 \) N! b( T% s6 e6 A) e
Metal poly  density  不夠3 W. a( ^: e* j
加ㄉ那些也較 DUMMY 8 W+ X0 ~+ j9 _( r1 p
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 {, V+ ~- z$ j# R) d+ ?* d! o* ~  `& a% ^

$ Q. L  `9 L8 b3 n    感謝樓上的大大
; [* x9 t5 P* o; |   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) Q. `& T1 ~' n
9 l; q# G5 ^) B. u0 [. M  V
; j$ Q2 |% d1 p6 |1 k, K
    感謝您回覆的這麼的詳細- P; H5 E$ u8 j6 P/ E
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; k1 {- l; v. E7 }- T# ^2 R
! r: l, l3 W% ~5 q- U( c+ t) z
不過簡單來說
& e, Q# K0 f) o$ Y& t在製程時食刻會破壞掉你的元件1 A( b# R9 J) l- I' b/ X. @
而特性就被損壞- }% J& ~, G* W( g! d
3 u# F/ z0 F- r* w. U5 ^  S
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 U! N: `( e5 C所以蝕刻吃他最多
: x& c" N) G# y# V; l: A' R# K主要部份特性就不會被破壞
; ]' n$ x& y. o* C$ V6 m; i. V1 l
! `* Q, N1 P  R/ t4 m  e很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
: N. }/ _9 {% b1 S所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ {/ u+ X4 u6 p

1 x7 ~' v' W% R6 v- y7 L, U* w0 s1 g又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# M: d# R$ [( W$ L2 M, }: F還有電容也要加
% f5 E* h) e% a0 e1 U/ e$ M若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ j8 L# C5 H: a6 c+ N5 u$ g/ c+ I, P& E) Q. Q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 F, W8 Q+ ~* l3 d/ N$ K; Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. l+ _  {2 k( s1 \, H* ~' |8 _# u4 ]/ u* _! b4 p' R' \
% _" _" O% X6 c! s$ g. [: ^% M- |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
7 \- z; O5 d* O) x, Y2 V# p/ E9 m) E; ~
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* y3 s' Z% |5 e; h
' o& {2 P) F2 v2 l& p# i1 d$ q/ j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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