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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 g& D9 ^3 H5 x. Q7 \4 x, T
0 b1 m; i  W, g+ L
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; Z/ b# z. J: _; V& z$ T8 x
大部分是要match
2 ?! Z9 ?/ l6 }) X8 d8 i6 }" C0 Y- PMetal poly  density  不夠
5 n6 o/ H2 t7 k- `加ㄉ那些也較 DUMMY
" D9 g* J+ G2 G! x: \8 S+ {把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 \/ L3 O- A& N0 ~: c7 k2 P

% N/ F2 \/ T3 O4 F3 k! {
$ G5 X8 r1 E" h, _  h! i    感謝樓上的大大
6 V: w8 F0 Z4 u  N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - \6 r; ?4 w9 `, U7 |

3 H4 c) |' ]. R3 A9 k$ h' ^5 [' j  b- f
    感謝您回覆的這麼的詳細
7 S2 B8 P* t! Q+ x您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 p9 M9 R! [: @8 D8 \  M( G0 `

( J' f7 {9 l' W5 B: S8 P不過簡單來說
- N  E% W4 q, q+ A( D* @4 ^- i9 A在製程時食刻會破壞掉你的元件
; x& E: e8 \& ^  X而特性就被損壞; _0 q/ H' e0 A

2 }+ a( ~8 w3 N3 ?* E若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 k. o( a- q! W3 I0 t所以蝕刻吃他最多! r6 I  ^' `2 x9 s3 U
主要部份特性就不會被破壞
6 B% F6 g7 t5 N$ f- Y+ u1 M0 U! U8 Z/ H0 g" M" Q9 D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 C* m/ P& M% |) [6 D5 K( ^所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; e2 O* B( X7 F
( O6 K' d3 e, C, \% W& H! B9 Z' K
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
! R& L& h& ^. I還有電容也要加
7 r# W5 t& Y6 ^  u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 Y5 q7 v+ L: b( I/ X4 M. w- H

+ i8 l; V1 H: O$ G9 R- Kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ _* g9 v# g, @, y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  o% F( Y& j+ z( q
  E& H; }- P* J( y, _* E8 ~/ q% o! O& X0 E9 h2 t. i9 _- X4 \
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% n+ q9 I" T# K  z, x4 E9 _& n% y8 ^

0 d4 p" L  Z- f9 K$ a如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' E: Z3 W% P1 ]& z: j. g, g/ h9 x/ a0 e
9 F( G. U! Z! g$ [# @# U數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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