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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' o, L+ Z8 D. A# _! X8 I; B$ I. t+ Y

1 E" A8 Y( |: n) H/ |+ B2 ?poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
3 M4 b7 n) v5 i; ]7 x. a  G. \8 f& X大部分是要match
) q3 s2 W% h4 D' K+ zMetal poly  density  不夠
) R/ v2 H/ U+ f- Y- |加ㄉ那些也較 DUMMY - q( a; ~$ B' D4 D2 g4 F
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 `* ^5 @" D% ~! ?$ D2 _4 u# G5 R1 j9 g, H5 z: L' ]% c
; r/ T; n1 P0 d6 j& m. ~; {
    感謝樓上的大大
: K' h, t. v5 J  h   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ t% k" a3 _5 E: `
$ b5 j) P4 J+ W. k) k: c3 g% [) V
    感謝您回覆的這麼的詳細; K$ z9 w! M1 H0 T$ p
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ s. N! m3 |0 Z' a* f

% H  T( O; l3 c) V* \- A: q9 W不過簡單來說/ C% A* y5 n6 s- X- U0 F0 U
在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ _& e% O! n) p0 p# c而特性就被損壞' w, ]* m$ d0 w0 b

7 s' M% e: k6 M0 h  `/ T( P. R& P若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
* @3 B" P$ |5 D9 W所以蝕刻吃他最多2 t1 F9 @/ ^  V3 M6 U
主要部份特性就不會被破壞
9 r; L0 E8 O- I- P# m, c% }: G" b' y1 {/ I4 Z' Z  y5 I# D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' S( g* a3 U* C  m% P; \( h0 w
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" S) E" h8 y( l" y5 Y! s& F: C6 o7 G" l, W  G
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- o- J4 ~+ o  V6 L3 S7 F; Q; A& u+ z還有電容也要加
6 G! k8 F% }1 ]/ Y, B% ~若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, V. Q1 Y; s; c  b$ v' o. e( }
( m& v; j! _7 y' V, g
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 `5 n8 f0 L9 n8 dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ T5 N7 D# b! {& B5 o% Y

; L0 Q1 R0 W! W  `' i  U: h8 i' h0 T3 w  m
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??' v7 A, W( V3 M) y  u, ?* _

! ]  Y) ^8 T: t% Q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 P3 I! q2 f. ]5 W1 L4 j( W, l$ Q# v! g+ K$ z' h6 ~/ C! |! A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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