Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55238|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& }. j7 L; d" D- T

/ w) a- i0 e! J1 k3 ~0 ~3 ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, B- z$ g- `' _  m+ I) t1 \& R' d7 O
大部分是要match3 c* P1 @. ]# [
Metal poly  density  不夠
4 `0 w- C' B) j: h4 X加ㄉ那些也較 DUMMY
8 R  }- P( ]) e; ^把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 H) z! ^! ~% ^+ `+ O4 v4 \
. v5 L. N/ M! y5 l& y* v& @
2 V9 A/ S! a) r; i- `7 m8 D! _    感謝樓上的大大6 D2 k& ?* W( _6 K2 M# _8 h3 K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; c1 J; J/ b. q5 J  U2 F! z/ O. S# X0 \
/ d7 P% l4 ~( Q4 r* e2 T, d0 c
    感謝您回覆的這麼的詳細' M9 O9 C' x3 f
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
& T$ b1 n: G. ~! I2 h
7 a* `: t6 M, h. i/ U8 Z! L3 h8 h不過簡單來說  e5 `) k! H" N3 [$ q
在製程時食刻會破壞掉你的元件: P5 H. c# d! ^. y4 W
而特性就被損壞* ~4 i4 C" a5 Z: N0 b6 H

$ a7 k) Z5 O: }" ]4 m若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 B7 e* A5 ^: z2 ~1 @# A& [
所以蝕刻吃他最多
6 e1 ~' x0 h4 }7 T- _' Q2 f8 C主要部份特性就不會被破壞0 y1 d3 J6 G& J

- {6 j2 |) U& [- z1 b很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, Q5 B* W2 Y5 a( }9 p$ b% [9 t所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' J: v4 F" x) A/ E- Z7 _! x/ U9 A2 K" M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加) J& N7 h4 N! B9 H
還有電容也要加
$ _  p  O+ l+ Y( D若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* L# Z% }* J, E7 `+ e8 B

1 ?0 [. r) K' s* Q# fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 [. W* l! y( }& t8 l% |2 W9 \
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

0 O; U8 F0 e, u  ^  y3 l- j5 v8 _/ N& Y8 Q7 g8 @; `

* O; Z) h) \0 w) X, Q7 E& J    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 ^+ N- Y# H) J
0 I% v' Y) S+ C如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 L3 `3 q* E$ d  W; A' Z9 S# F) f; P5 X: H& N3 E8 {
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-10 03:09 AM , Processed in 0.175010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表