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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) _. H- P6 |1 {3 ^9 s8 X; u# ~; ]- d0 Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) f. ?. {( I1 R* K3 ]) w7 u) ~大部分是要match6 _; u+ U; \9 Q# t" m$ \9 J
Metal poly  density  不夠
1 N" q/ O$ r6 Y加ㄉ那些也較 DUMMY " E- m8 o4 H7 B
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * m; m. z5 L$ t$ ]. F

9 P$ ?4 M% }- `- F3 ~
$ D$ T7 Z6 n3 h+ q) b    感謝樓上的大大0 k9 K+ U! a3 E( a1 U8 K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 s. ?. o$ U, }, }* U1 ~
1 O* p& A3 m  W- j9 @7 F* ?# ^. l0 y9 s. {, O7 ?
    感謝您回覆的這麼的詳細- g  v7 B8 x( `* s- i
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: ^3 E0 O1 H* ^# U1 n- G9 R8 W
* o4 v2 x, n$ O6 M+ \3 h$ E
不過簡單來說
4 p2 @$ L+ K( w, D+ q5 r9 J在製程時食刻會破壞掉你的元件
) c. Z7 j; V( E1 v5 w% E/ r而特性就被損壞- y- u3 h; ]( O8 M6 w! R  T4 E
* l, B. b$ Y, ?' v
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* F2 A( |) Q, q0 h: v
所以蝕刻吃他最多
- C* G. x  W9 J/ w; [; V主要部份特性就不會被破壞
/ {. e2 v; c& Q3 ~6 l' D3 q/ V% {9 i* L) w, g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>$ N/ ^, }. @" B2 k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 ~! g* k# W. O% p4 E5 t. @
, }, A0 m; f5 O/ {5 U, B. k% [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" _; n* }% F6 E. H: n" {/ }
還有電容也要加6 g; J: c% |. C1 R
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
. y! m" X$ u7 n% i8 @1 @% x( h$ K2 {8 @# y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* F' Q" _: G/ R, p7 l# B
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: P1 T' z4 q5 J
9 g9 a5 Q1 ^% t2 @: K: r7 S8 |  q

8 r3 {3 E! C1 y    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& N' y  b2 x6 e0 s
( @7 G( @- p3 j5 O5 i  _如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# ^" t. G- O( r6 R+ E& x. e( ], |! L7 o8 t
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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