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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' |3 f2 m# |7 @6 w$ r2 [# u& z) H4 W8 N  i" Z& R. L+ X# R, L1 p3 S! E2 `! p
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. [% o" L0 N$ b0 m
大部分是要match
6 M/ M; x" z8 v4 |& I9 QMetal poly  density  不夠
1 Z" a; N- Q5 t* {% x; W加ㄉ那些也較 DUMMY 6 Q( O$ y; M/ e5 M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % ^/ ~( i# A) l8 I
7 a; e, C0 q; p& v, N5 H

: v1 ]5 P  V* B6 A. D- X    感謝樓上的大大  S% ~& }( U* Q4 w6 z1 h
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 u  p' P, ]4 b$ V' N2 J3 z# e
. k) n$ |# ?6 V4 R, _7 G! o! p. M  U* W  z6 T4 l2 ?
    感謝您回覆的這麼的詳細. |7 n  ~) @6 U5 a; l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 c" ^3 A4 g9 [$ k9 U- a+ U) X( [+ f' m
不過簡單來說9 p7 i2 q! g3 K, S. M: w
在製程時食刻會破壞掉你的元件
" q* _+ g, {5 H2 D而特性就被損壞
4 O: z( G! U, y. m+ ]5 E7 J
( N8 z1 G' L! w' L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 |% L- X* l( m1 E6 g& r( |
所以蝕刻吃他最多/ q' N- f) T! S9 m0 X$ L
主要部份特性就不會被破壞8 W0 r* s9 B! v
9 ~  \% ]# J7 s6 c. q: @
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! v  j5 d$ ]3 d
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( J, ]" W! D" d$ {

- w8 K( a/ v# @( q& @+ o9 x. o) v: m又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, G# f- ]! I0 k- _還有電容也要加
4 W) W5 c9 P, G0 d' h" e( q( b3 V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 I+ B8 k5 g) f6 g" [' `9 v& I4 d/ Q6 |: ^+ x4 v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...2 g  A" A! ]; E1 e. s* W! F
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: G2 V8 v" J" I) ~1 J' h' i1 _1 Z' |) m8 W8 g0 s) f# n
$ _2 z; C$ t2 A9 `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, P- z% @# }: U* g
3 n; O: I4 Q" u" ^4 o4 h/ D如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 i# E7 G8 e7 ~+ }0 J5 O0 b9 d! V6 t  Q8 M4 y; B- C/ u/ i
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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