Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 28026|回復: 23
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] dummy 接點的問題

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2009-9-17 21:28:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,, c, w' a4 f. ?0 K4 b/ U
一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??' [% g; U6 g5 G, |
VDD還是GND呢?
  Y1 d" Z4 L( Z4 U- Q
! X; z, H1 _7 c  k& v那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?
) X) T  o0 `0 \7 {9 s7 N如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??
& h6 V. w$ R4 ?! `' A/ O$ F1 O& O" y3 _% t+ a# W
謝謝
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂4 踩 分享分享
2#
發表於 2009-9-18 11:35:28 | 只看該作者
好像都可以,我們都是"就近"接,而poly是接電位比較好.也一樣是"就近"接.
3#
發表於 2009-10-18 11:16:27 | 只看該作者
一般做mos match的poly可以接guard ring的電位或附近gate的電位,若是電阻的話就要看是什麼樣的電阻囉~若是nw電阻dummy需接vdd,n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)若是poly電阻則沒差,vdd/gnd都可,如果不方便接vdd或gnd時,至少要把電阻兩頭short,floating。至於電容的dummy只要2頭short,隨便接個電位就可以了~
4#
發表於 2009-10-22 10:50:49 | 只看該作者
請問一下版上的各位大大
: [0 j  F* R/ d. e/ b9 G
- f% B. ^& y; C8 H我想在LAYOUT中放置一些DUMMY保持電路的對稱性
- f0 h- ?/ O% S/ U6 {3 f- g. R% X- l' T) l( J  \* v0 f. T2 U3 a
那麼這些DUMMY的接腳可以浮接嗎?9 g& w3 K0 a  j; b" C0 a
% M+ K. x/ Y" \  X. Q0 N
例如我想放置DUMMY MOS好了
0 O' i/ \9 K5 o4 j+ R1 c5 [% z- j8 S+ ^+ f+ z9 V
那他的D G S腳要接到哪去呢?1 ~; {. w* b. \

# @' l, K. o0 @/ w0 A我看有些好像會接到最高電壓或是最低電壓9 Y  O4 U" Q& U

% K3 a. \8 k' M請問有一定的準則或是要特別注意的嗎?7 X2 W, g, p  V8 Q3 Q
, s. X8 r7 x8 c& `- T& Q
謝謝各位^^
5#
發表於 2009-10-22 16:58:20 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

请问:n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)
# \2 k, o- E3 M, j; n      这样不会存在额外diode的么?2 l/ |' Q6 x" z8 p, r& P* x. c* o3 N7 |
      还有mos这样接不是就相当于电容了么?
6#
發表於 2009-10-22 22:54:03 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

mos matching的dummy poly底下是沒有od的,所以沒有電容的問題(如果是放dummy mos的話接法就不同了~)。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd,雖然有個pn接面,但是兩頭都short在一起了,diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short,若只接其中一點的話還不如floating。
7#
發表於 2009-10-27 09:53:43 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

nwell电阻为什么要接VDD?接gnd不可以吗?我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。
8#
發表於 2009-10-28 22:29:46 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題,不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊,如果附近有其他nw但不是接到最高電位,譬如說接到某個訊號,據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的,所以我們的nw dummy都是接vdd,保証沒問題~
9#
發表於 2009-10-29 11:45:54 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?
10#
發表於 2009-10-31 00:49:45 | 只看該作者

回復 9# 的帖子

n+跟nwell是不一樣的東西,n+濃度較濃且深度較淺,並且有od的地方才有n+,nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw,不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的,以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在,但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說,我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠,因為psub的濃度沒有調好,造成nw和nw之間漏電,你想想,假設你這個時後把dummy的nw接到gnd,附近又有pmos接vdd的nw,是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?」反過來想,n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有,而poly只是控制mos的開關,也就是說把nmos的length拉長一點,也是可以當電阻用阿,那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?
11#
發表於 2009-10-31 10:56:39 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法,你可以參考一下:
6 w- Y( B: o' w) ]/ }3 C3 \0 O" j, n1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain接vdd(pmos)或gnd(nmos),如此一來dummy mos就變成了mos電容,但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。
/ v& G: a5 P$ t! J2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd(pmos)或gnd(nmos),這樣就是把mos都關掉。" D- s* E. U9 ?3 d  a* j" v
3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain short接到某個訊號,這樣雖然mos有通,但因為source/ drain已經用metal short了,所以底下通道可能沒有載子通過,metal的阻值遠小於通道,所以載子會走metal。
0 d# }3 u5 T% d& y# P8 }4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source接vdd(pmos)或gnd(nmos),drain floating。
12#
發表於 2009-11-11 10:11:30 | 只看該作者
就近接 不論 是 POWER OR GROUND
3 g9 T/ L7 i/ h0 CPOLY 最好 不要浮接 以免感應到
7 Y0 X) f3 {, \2 p# w/ r) e) |9 m被長期 所在 某個 訊號
13#
發表於 2009-11-17 11:06:03 | 只看該作者
dummy 要接死,不能浮空
14#
發表於 2010-5-21 11:45:25 | 只看該作者
我一般就就近接。。。。
15#
發表於 2011-4-20 00:07:50 | 只看該作者
小包大大講的真詳細,讓小弟學到了一些。
16#
發表於 2011-4-24 09:53:14 | 只看該作者
都可以接~當然已就近電位嚕
17#
發表於 2011-5-11 17:54:48 | 只看該作者
小包大大說的真詳細,小弟受教了
18#
發表於 2011-5-26 22:00:39 | 只看該作者
小包大大說的真是詳細,謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種
19#
發表於 2011-5-27 09:44:12 | 只看該作者
稍稍補充一下( m8 a6 S6 `' c" j$ a
建議MOS的S D G B都接同一點' O+ {8 R6 |! Q* f4 G) p
應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)
20#
發表於 2011-9-25 11:24:05 | 只看該作者
推薦這篇文章
- i7 X% r. j- V" j% l6 b5 ~" G: H) k! E; F/ ~' ]
這對小弟現在非常有幫助~~
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 02:49 AM , Processed in 0.194011 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表