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[問題求助] dummy 接點的問題

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1#
發表於 2009-9-17 21:28:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,
! i1 P- d" [6 k5 C8 N一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??
7 f1 S0 B5 r& }" i/ v0 r4 gVDD還是GND呢?
; ]/ n6 C5 [) ~8 O, D3 ]
) t0 F- C- j& m* r5 P0 V5 ?那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?+ s5 k" p" [0 u# A8 V7 I
如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??
* b9 y) u5 K2 \( W; u3 o: }0 o8 u0 Y  B
謝謝
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2#
發表於 2009-9-18 11:35:28 | 只看該作者
好像都可以,我們都是"就近"接,而poly是接電位比較好.也一樣是"就近"接.
3#
發表於 2009-10-18 11:16:27 | 只看該作者
一般做mos match的poly可以接guard ring的電位或附近gate的電位,若是電阻的話就要看是什麼樣的電阻囉~若是nw電阻dummy需接vdd,n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)若是poly電阻則沒差,vdd/gnd都可,如果不方便接vdd或gnd時,至少要把電阻兩頭short,floating。至於電容的dummy只要2頭short,隨便接個電位就可以了~
4#
發表於 2009-10-22 10:50:49 | 只看該作者
請問一下版上的各位大大) Y* H. C1 X  R  L, r
. k5 c+ ]% R* y5 B2 M0 c) S- U7 G
我想在LAYOUT中放置一些DUMMY保持電路的對稱性1 T( w3 S. `& D. j1 l& d

8 H: ^- H9 f. [; E( K) S6 Z; X, {+ R那麼這些DUMMY的接腳可以浮接嗎?# y$ ~/ o6 ?- |0 h% V9 V7 r
& z( Y) t& |9 U9 q3 E
例如我想放置DUMMY MOS好了
! w$ n/ T" d, Y1 B) e: M
3 ^9 E) z# s  j那他的D G S腳要接到哪去呢?( u' R2 v: M9 W( D. N' S
! D9 ~5 g) T/ k* j& N9 T0 \
我看有些好像會接到最高電壓或是最低電壓) x5 ]" x8 c) ]' o* P( K" ~
0 y' F4 H9 f) D; f- v# D
請問有一定的準則或是要特別注意的嗎?& y) A0 W! [0 N- ~( G. }

! f" y0 N; O( P$ s3 _. d2 d謝謝各位^^
5#
發表於 2009-10-22 16:58:20 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

请问:n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)
7 m: l% b& ?/ q      这样不会存在额外diode的么?: d, H# Z) W" O* c. O# C+ ?9 Z
      还有mos这样接不是就相当于电容了么?
6#
發表於 2009-10-22 22:54:03 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

mos matching的dummy poly底下是沒有od的,所以沒有電容的問題(如果是放dummy mos的話接法就不同了~)。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd,雖然有個pn接面,但是兩頭都short在一起了,diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short,若只接其中一點的話還不如floating。
7#
發表於 2009-10-27 09:53:43 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

nwell电阻为什么要接VDD?接gnd不可以吗?我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。
8#
發表於 2009-10-28 22:29:46 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題,不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊,如果附近有其他nw但不是接到最高電位,譬如說接到某個訊號,據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的,所以我們的nw dummy都是接vdd,保証沒問題~
9#
發表於 2009-10-29 11:45:54 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?
10#
發表於 2009-10-31 00:49:45 | 只看該作者

回復 9# 的帖子

n+跟nwell是不一樣的東西,n+濃度較濃且深度較淺,並且有od的地方才有n+,nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw,不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的,以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在,但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說,我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠,因為psub的濃度沒有調好,造成nw和nw之間漏電,你想想,假設你這個時後把dummy的nw接到gnd,附近又有pmos接vdd的nw,是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?」反過來想,n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有,而poly只是控制mos的開關,也就是說把nmos的length拉長一點,也是可以當電阻用阿,那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?
11#
發表於 2009-10-31 10:56:39 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法,你可以參考一下:
6 c3 h# q: i- |: {8 ^' z9 q2 R  L1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain接vdd(pmos)或gnd(nmos),如此一來dummy mos就變成了mos電容,但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。
! ~. K( u" G) i2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd(pmos)或gnd(nmos),這樣就是把mos都關掉。
6 x1 P9 {1 e1 ^; j$ P/ }9 Y; j3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain short接到某個訊號,這樣雖然mos有通,但因為source/ drain已經用metal short了,所以底下通道可能沒有載子通過,metal的阻值遠小於通道,所以載子會走metal。
, B6 B$ B$ a5 S5 Q3 P+ Z4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source接vdd(pmos)或gnd(nmos),drain floating。
12#
發表於 2009-11-11 10:11:30 | 只看該作者
就近接 不論 是 POWER OR GROUND
& d7 ^& z+ r, `+ n8 `$ T2 IPOLY 最好 不要浮接 以免感應到
' v% f8 g" C4 f3 K( H3 [2 T7 n& [被長期 所在 某個 訊號
13#
發表於 2009-11-17 11:06:03 | 只看該作者
dummy 要接死,不能浮空
14#
發表於 2010-5-21 11:45:25 | 只看該作者
我一般就就近接。。。。
15#
發表於 2011-4-20 00:07:50 | 只看該作者
小包大大講的真詳細,讓小弟學到了一些。
16#
發表於 2011-4-24 09:53:14 | 只看該作者
都可以接~當然已就近電位嚕
17#
發表於 2011-5-11 17:54:48 | 只看該作者
小包大大說的真詳細,小弟受教了
18#
發表於 2011-5-26 22:00:39 | 只看該作者
小包大大說的真是詳細,謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種
19#
發表於 2011-5-27 09:44:12 | 只看該作者
稍稍補充一下. P! D5 O: I* l/ U3 q
建議MOS的S D G B都接同一點1 T+ y% `- i! {
應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)
20#
發表於 2011-9-25 11:24:05 | 只看該作者
推薦這篇文章2 t" J4 ?: g9 m  i4 X4 I0 K/ N

: T+ t; Y8 \( {" k1 Q5 E; F0 G9 S這對小弟現在非常有幫助~~
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