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[問題求助] dummy 接點的問題

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1#
發表於 2009-9-17 21:28:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,% S9 d$ f9 Y/ k, F( j
一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??# a# \' i6 A* r% g! ^) c" r
VDD還是GND呢?
4 f9 F; I$ T7 ~( f
4 v6 D) p0 c* H* O那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?
; b, t* v; X( _7 C9 y如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??
8 \- b7 y2 B& i3 G- @) L/ P+ J6 }
7 p2 O0 j" c6 w9 b; K謝謝
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2#
發表於 2009-9-18 11:35:28 | 只看該作者
好像都可以,我們都是"就近"接,而poly是接電位比較好.也一樣是"就近"接.
3#
發表於 2009-10-18 11:16:27 | 只看該作者
一般做mos match的poly可以接guard ring的電位或附近gate的電位,若是電阻的話就要看是什麼樣的電阻囉~若是nw電阻dummy需接vdd,n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)若是poly電阻則沒差,vdd/gnd都可,如果不方便接vdd或gnd時,至少要把電阻兩頭short,floating。至於電容的dummy只要2頭short,隨便接個電位就可以了~
4#
發表於 2009-10-22 10:50:49 | 只看該作者
請問一下版上的各位大大7 G" S& Y6 j! F8 v

& w/ u, q( `3 V' \$ I/ w$ I3 ~$ I我想在LAYOUT中放置一些DUMMY保持電路的對稱性( |, R4 F( p2 e, d. v
+ P, t8 r) U* `- c8 k, Q
那麼這些DUMMY的接腳可以浮接嗎?
8 a/ B7 S  H: W9 b- Y
. n- O/ T" x$ A' {8 i8 J' s例如我想放置DUMMY MOS好了
  I3 g" l. S' @- X. o
$ h4 b& ^- T2 k: u那他的D G S腳要接到哪去呢?
, |& @: y5 ^- E6 f. f
. I& P, d9 u$ a8 }0 e; g# h# y- x+ a我看有些好像會接到最高電壓或是最低電壓
+ C+ p; I, S& X7 {: S' O1 s6 h% ?* d5 i8 _6 G" v
請問有一定的準則或是要特別注意的嗎?. c( E1 o5 {& F; X  X
. y. W' c- n) Z
謝謝各位^^
5#
發表於 2009-10-22 16:58:20 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

请问:n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)8 x' Z" R( X, M$ O+ u
      这样不会存在额外diode的么?7 u4 _8 y3 W' x5 b# f2 G
      还有mos这样接不是就相当于电容了么?
6#
發表於 2009-10-22 22:54:03 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

mos matching的dummy poly底下是沒有od的,所以沒有電容的問題(如果是放dummy mos的話接法就不同了~)。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd,雖然有個pn接面,但是兩頭都short在一起了,diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short,若只接其中一點的話還不如floating。
7#
發表於 2009-10-27 09:53:43 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

nwell电阻为什么要接VDD?接gnd不可以吗?我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。
8#
發表於 2009-10-28 22:29:46 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題,不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊,如果附近有其他nw但不是接到最高電位,譬如說接到某個訊號,據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的,所以我們的nw dummy都是接vdd,保証沒問題~
9#
發表於 2009-10-29 11:45:54 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?
10#
發表於 2009-10-31 00:49:45 | 只看該作者

回復 9# 的帖子

n+跟nwell是不一樣的東西,n+濃度較濃且深度較淺,並且有od的地方才有n+,nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw,不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的,以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在,但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說,我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠,因為psub的濃度沒有調好,造成nw和nw之間漏電,你想想,假設你這個時後把dummy的nw接到gnd,附近又有pmos接vdd的nw,是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?」反過來想,n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有,而poly只是控制mos的開關,也就是說把nmos的length拉長一點,也是可以當電阻用阿,那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?
11#
發表於 2009-10-31 10:56:39 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法,你可以參考一下:
% U4 h) a; C- a% N) x: W  K8 s1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain接vdd(pmos)或gnd(nmos),如此一來dummy mos就變成了mos電容,但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。( E  e4 Y1 F( v
2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd(pmos)或gnd(nmos),這樣就是把mos都關掉。
2 [- O4 |5 d3 n- U7 e1 P3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain short接到某個訊號,這樣雖然mos有通,但因為source/ drain已經用metal short了,所以底下通道可能沒有載子通過,metal的阻值遠小於通道,所以載子會走metal。
- }) B* q8 X9 C( s4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source接vdd(pmos)或gnd(nmos),drain floating。
12#
發表於 2009-11-11 10:11:30 | 只看該作者
就近接 不論 是 POWER OR GROUND
7 Q$ ]% u5 W3 v3 r5 ]+ N4 iPOLY 最好 不要浮接 以免感應到
2 R3 W# Y2 y& Z9 u+ J. C被長期 所在 某個 訊號
13#
發表於 2009-11-17 11:06:03 | 只看該作者
dummy 要接死,不能浮空
14#
發表於 2010-5-21 11:45:25 | 只看該作者
我一般就就近接。。。。
15#
發表於 2011-4-20 00:07:50 | 只看該作者
小包大大講的真詳細,讓小弟學到了一些。
16#
發表於 2011-4-24 09:53:14 | 只看該作者
都可以接~當然已就近電位嚕
17#
發表於 2011-5-11 17:54:48 | 只看該作者
小包大大說的真詳細,小弟受教了
18#
發表於 2011-5-26 22:00:39 | 只看該作者
小包大大說的真是詳細,謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種
19#
發表於 2011-5-27 09:44:12 | 只看該作者
稍稍補充一下. E, t( \0 v7 b# R- S9 x) S
建議MOS的S D G B都接同一點
; x! s4 i* L' \/ |3 {5 e: z6 P應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)
20#
發表於 2011-9-25 11:24:05 | 只看該作者
推薦這篇文章
. m; N! F% L( N8 |
$ _: o/ I' q7 P這對小弟現在非常有幫助~~
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