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[問題求助] dummy 接點的問題

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1#
發表於 2009-9-17 21:28:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,
: N) U( `$ m! I9 b4 n4 K8 ]一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??3 b5 C- B) a$ d; E: k$ O3 |. o6 B
VDD還是GND呢?1 v* l& O  ~) M/ q( }. l, i0 o2 [
$ p+ f2 y6 ^3 f5 @4 ~! {9 x
那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?5 ]/ c5 n' Q! t/ q# D2 }: o
如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??7 a4 j, |  u7 n

1 e! x6 c1 G9 L; F; z1 n. S5 n謝謝
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2#
發表於 2009-9-18 11:35:28 | 只看該作者
好像都可以,我們都是"就近"接,而poly是接電位比較好.也一樣是"就近"接.
3#
發表於 2009-10-18 11:16:27 | 只看該作者
一般做mos match的poly可以接guard ring的電位或附近gate的電位,若是電阻的話就要看是什麼樣的電阻囉~若是nw電阻dummy需接vdd,n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd)若是poly電阻則沒差,vdd/gnd都可,如果不方便接vdd或gnd時,至少要把電阻兩頭short,floating。至於電容的dummy只要2頭short,隨便接個電位就可以了~
4#
發表於 2009-10-22 10:50:49 | 只看該作者
請問一下版上的各位大大
8 |) v, V+ `' m3 x
% L4 X) z) d" |. z. x0 o我想在LAYOUT中放置一些DUMMY保持電路的對稱性7 p: B/ {4 k. b

/ H; B: F9 s7 F那麼這些DUMMY的接腳可以浮接嗎?
" a5 ~) }# U6 j; ?" {' @# A' b& |9 ?% i
例如我想放置DUMMY MOS好了  c5 s- _7 H- C' x8 t4 K

9 e2 X$ U9 z: j, x$ J8 K那他的D G S腳要接到哪去呢?& e! u( d7 I  |1 |& M* J" h

- o5 U$ m  t- _  @6 R' u我看有些好像會接到最高電壓或是最低電壓. k# H# t) _- I$ m: N9 |* K* ]; p

/ O' ?" v! R* J8 E請問有一定的準則或是要特別注意的嗎?
, O' b2 D6 D- _. a" E# d
( i+ r: K8 I/ ^  p, W; S- |謝謝各位^^
5#
發表於 2009-10-22 16:58:20 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

请问:n+電阻的dummy接gnd(就像nmos接gnd),p+電阻dummy接vdd(就像pmos接vdd). l! M7 e% o' [& s1 r
      这样不会存在额外diode的么?
( q+ j) r/ |  W9 t# e& A      还有mos这样接不是就相当于电容了么?
6#
發表於 2009-10-22 22:54:03 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

mos matching的dummy poly底下是沒有od的,所以沒有電容的問題(如果是放dummy mos的話接法就不同了~)。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd,雖然有個pn接面,但是兩頭都short在一起了,diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short,若只接其中一點的話還不如floating。
7#
發表於 2009-10-27 09:53:43 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

nwell电阻为什么要接VDD?接gnd不可以吗?我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。
8#
發表於 2009-10-28 22:29:46 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題,不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊,如果附近有其他nw但不是接到最高電位,譬如說接到某個訊號,據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的,所以我們的nw dummy都是接vdd,保証沒問題~
9#
發表於 2009-10-29 11:45:54 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?
10#
發表於 2009-10-31 00:49:45 | 只看該作者

回復 9# 的帖子

n+跟nwell是不一樣的東西,n+濃度較濃且深度較淺,並且有od的地方才有n+,nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw,不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的,以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在,但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說,我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠,因為psub的濃度沒有調好,造成nw和nw之間漏電,你想想,假設你這個時後把dummy的nw接到gnd,附近又有pmos接vdd的nw,是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢?不然是不是也会有漏电问题?」反過來想,n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有,而poly只是控制mos的開關,也就是說把nmos的length拉長一點,也是可以當電阻用阿,那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?
11#
發表於 2009-10-31 10:56:39 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法,你可以參考一下:3 X5 p, r+ ?4 [* p- o7 A$ Y4 v2 v
1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain接vdd(pmos)或gnd(nmos),如此一來dummy mos就變成了mos電容,但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。, j8 L3 B! k. y2 ?  C1 W' c& i3 c
2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd(pmos)或gnd(nmos),這樣就是把mos都關掉。
) i( D5 _7 C- M( [& U3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source/drain short接到某個訊號,這樣雖然mos有通,但因為source/ drain已經用metal short了,所以底下通道可能沒有載子通過,metal的阻值遠小於通道,所以載子會走metal。
. N  H4 t* M! j5 p+ D& S4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起,source接vdd(pmos)或gnd(nmos),drain floating。
12#
發表於 2009-11-11 10:11:30 | 只看該作者
就近接 不論 是 POWER OR GROUND
1 _) e  |! }3 Z" A" R( GPOLY 最好 不要浮接 以免感應到5 _' X( k  A# J( A  R1 P
被長期 所在 某個 訊號
13#
發表於 2009-11-17 11:06:03 | 只看該作者
dummy 要接死,不能浮空
14#
發表於 2010-5-21 11:45:25 | 只看該作者
我一般就就近接。。。。
15#
發表於 2011-4-20 00:07:50 | 只看該作者
小包大大講的真詳細,讓小弟學到了一些。
16#
發表於 2011-4-24 09:53:14 | 只看該作者
都可以接~當然已就近電位嚕
17#
發表於 2011-5-11 17:54:48 | 只看該作者
小包大大說的真詳細,小弟受教了
18#
發表於 2011-5-26 22:00:39 | 只看該作者
小包大大說的真是詳細,謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種
19#
發表於 2011-5-27 09:44:12 | 只看該作者
稍稍補充一下
, `6 Z7 _5 |. S# {6 E建議MOS的S D G B都接同一點8 o/ u5 R% u# T% G
應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)
20#
發表於 2011-9-25 11:24:05 | 只看該作者
推薦這篇文章" q* t$ H6 ^: }- w8 h2 Q

1 p: x/ y) K+ ^* Q2 d) A5 T5 A這對小弟現在非常有幫助~~
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