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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
) F' M/ j- N( _+ G p' ?•汽車點火器用IGBT單管- z7 o& a) O: h5 Y
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
, O4 s% e9 U# W) e8 k# X* Q•新能源汽車用IGBT晶片及模組
4 T" n" B6 _+ m針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。$ [' J' q& X0 U( t! [* m- D9 d
二、技術指標+ V( y( R3 g0 v+ H$ Y2 f
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
6 O; a7 @1 G! G主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值5 O% a, S: y" K: B1 F
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V1 `/ {( H) R0 [/ w6 Z! t5 M: q
集電極直流電流 IC 10-40A
1 r6 u1 h% A" i集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
0 k* R2 B# M4 f0 y: ]4 O•新能源汽車用IGBT晶片及模組- d4 ~6 Q/ N% y
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值" h1 B+ Y5 {6 E( V& N9 @1 }, h
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V3 j. {, G# `! }$ f+ y# w- k
集電極直流電流 IC 100A 800A
) Z9 t! H1 m: e7 k) U集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V% |% t) w. Q& k+ h
三、經濟指標! Y. p( u5 s( h1 v" A- L
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
* t4 }/ s- b0 g+ _$ F0 B•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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5 Y" u8 I: a" U$ A合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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