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樓主: ahoku
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[問題求助] 請問PLL的BANDWIDTH為什麼是1/10的reference frequency

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9#
發表於 2007-1-19 12:06:27 | 只看該作者
我也給7樓按個 "好"
7 m' \! ?( c; H# A# ~6 y+ [
% G' P4 j3 I- Z" k4 c$ G補充一下給大家參考2 z2 S: V( F. V" w, H) Y

- n1 w  s- D4 b2 w0 E在ADPLL的設計中考慮到locked後的phase error的話, 這個值太小是會有問題的 (太大肯定是不行的), 在只要lock frequency時, 反而沒有這方面的限制了
2 F% i9 d0 |9 s7 p有時下線成功跟失敗的差別會變成lock phase 跟lock frequency的差別而已
8#
發表於 2007-1-19 11:06:26 | 只看該作者
monkeybad的說明, 真是太淸楚了, 忍不住要讚美一下.  U& E  {/ J7 Z. n2 J% Q
, }/ E/ P- k- v" J% |5 {+ d
另外, 我不是指量產後的產品囉!
7#
發表於 2007-1-18 15:34:00 | 只看該作者

回復 #1 ahoku 的帖子

PLL的頻寬為什麼必須要小於reference frequency10倍,我想可能是穩定度的考量吧  U9 e9 E) q0 \
以穩定度的觀點來看, 4 H) w* `- r% q' J* \  F
假如PLL採用的是CP(CHARGE PUMP)的架構,在推導CP公式的時候,我們是用連續的系統去近似一個離散的系統,而在設計loop-filter的時候也是根據這連續系統推導的公式去計算極零點的位置。/ s1 [) o# c5 ^* D) Z
CP是以reference frequency來充放電PLL loop-filter的電容,是一個不連續的離散系統,而我們以連續系統去計算的話,當然希望CP越接近一個連續系統越好,也就是說reference frequency越快越好,偏離我們推導的PLL transfer function越小。
  k2 ^; x5 D  z0 Q而PLL的Bandwidth表示PLL系統的反應速度,當PLL Bandwidth與reference frequency(就是CP充放電的時間間隔)兩者差不多的時候,CP非連續的非理想效應就不能忽略了,因為PLL系統也會對此非理想效應產生反應,而當兩者差越多,則CP非理想效應影響越低。; u: H  m. I# p% L% v# Q
所以理論上PLL Bandwidth比reference frequency低越多越好,但太低的話PLL鎖定的速度會太慢,而且電容值也太大太佔面積,所以一般經驗值用大概小10倍即可保證能穩定,但實際上還是要靠HSPICE模擬過後才知道確實的情形。- K0 k* e3 ~& G/ t. `+ d
這是我個人的想法,提供給大家參考。
9 ]& L3 {( ^( }+ Y5 Z: a也許有更精確的說法或是其他考量 希望各位先進能指正或一起討論

點評

解釋清楚 感謝  發表於 2015-10-1 12:36 PM

評分

參與人數 2 +6 收起 理由
gyamwoo + 3 good
yhchang + 3 Good answer!

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6#
發表於 2007-1-18 15:32:44 | 只看該作者

回復 #4 evantung 的帖子

LC tank我認為就比ring oscillator還容易不準!
/ N' W3 |- S8 K6 R; m1 ^% |$ C5 ~1 H/ i5 H
不知道你指的是simulation 與measurement 比較之結果
8 c( J# [3 ?  |- V2 w還是量產後之良率?; y% a6 `, M5 m" L
on chip Inductor 應不會有多大的variaton * {* K& k" }* D2 F
Varactor 及MOSFET 與製程變異較有關4 p8 X. I$ Y% ]: g( T" Q
LC cross-couple VCO在設計時 只要有FET, Inductor, Varactor 的RF Model$ L1 Z( v- O! T/ J1 O
另外 再注意Layout 的parasitics  量測結果應該還算 OK
: Y% `4 e0 \7 j6 X, {關鍵在於process的穩定度  只要每個Lot都能控制的好  不要差太多
5 T7 D! Q0 \8 ?/ k一般而言 都能根據measurement 來修改 在下一次的MPW  tune 到所要之freq range3 h* w: ~- M/ X! e4 J# s8 W7 y9 ~
量產後之良率 就與foundry 製程 穩不穩 有關了
5#
發表於 2007-1-18 15:30:49 | 只看該作者

回復 #4 evantung 的帖子

LC tank我認為就比ring oscillator還容易不準!) [+ N9 E# m- u6 T4 N

9 x# G8 u( r6 c& a$ _9 V不知道你指的是simulation 與measurement 比較之結果
- n  C- C- K3 h) N6 s還是量產後之良率?1 C7 z) g( b! [4 ]5 X3 o
on chip Inductor 應不會有多大的variaton
0 s2 P) F+ @+ ~5 f: q3 V/ Q4 BVaractor 及MOSFET 與製程變異較有關# R) M6 [- }$ ^" w- _
LC cross-couple VCO在設計時 只要有FET, Inductor, Varactor 的RF Model$ r/ O4 a$ l- Z1 D9 K9 H9 j4 Y
另外 再注意Layout 的parasitics  量測結果應該還算 OK, g7 Z2 A9 j' [" E; V
關鍵在於process的穩定度  只要每個Lot都能控制的好  不要差太多7 _7 _; w" D' m
一般而言 都能根據measurement 來修改 在下一次的MPW  tune 到所要之freq range
& z0 B' l2 A9 i0 z0 y量產後之良率 就與foundry 製程 穩不穩 有關了
4#
發表於 2007-1-17 11:35:00 | 只看該作者
大部分的pll, 在loop filter應該都是選用passive 2 order的方式
: @3 o1 h; [- H' O) ^/ V而且, 每個都長的差不多.
7 ~( O- X* e& Y9 W1 H而差別就是在你的pole, zero要放在什麼位置!
( ^4 o/ q7 n4 n1 \2 X4 {你希望filter是濾掉何種頻率的雜訊! 什麼時候可以鎖定頻率!4 D, C5 R. e- q) c. e6 j0 }! |* S9 w
至於你說的sim和real chip差別, 那就跟你是在那裡tape out有差囉!
* E5 n  c6 Z  Y8 I4 @% \TSMC和T like良率一定差很多, 還有你的架構也是有點關係,
9 Q0 V( L' u4 D7 |7 g* J9 dLC tank我認為就比ring oscillator還容易不準!
3#
發表於 2007-1-17 09:37:43 | 只看該作者
low pass filter  2 order 對系統來說是 3皆 " g$ F: V/ _- M- {' J; }) D
那 如何挑選合適的 filter ?  + C/ a  O" K3 Q( q6 G2 |
trade off 考慮點
3 [2 z' @: U+ H6 G4 {
% M& I, [1 w- F. `還有  hspice 能 simulation lock range & capture range 和 frequency  ..; n' o2 H9 S7 O9 g, b2 Z
公式可以推出來 但是很想知道 , sim 和 real chip 會差多少 .
2#
發表於 2006-12-26 16:48:02 | 只看該作者
個人認為, bw設1/10並不是為了穩定度的考量.7 ^! W* q$ R2 Z* Q
而是為了, 減少reference spur而設計的, - R8 E1 ]/ }( c* V/ c$ U
但1/10一般來說是不夠的, 至少都要1/1xx, 1/2xx才夠!
9 S7 k  C7 T0 ^6 y因為這是trade off的考量, 當你BW做的愈小, 5 r- @8 I- X6 K$ m
VCO的noise就會濾的愈少! reference spur也就愈小, 5 m$ Y( B. u9 a& [
所以這是要看應用再來考慮BW要做多少!
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