transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
8 @# V2 n  Y! }7 {: }4 u內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
, S' o  Y# h/ }/ W" B! j( n9 j) v兩者，哪一個ESD的能力比較強
" h3 }, N" W  r. d而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
6 l$ B. H# I+ v& G" D$ ]3 k% z# |那三者，又是哪一個比較強呢?

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

andyjackcao

回復  andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
1 ?: y5 x  [% m+ S# |gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

+ S1 e9 ^, `* d" ^# Y( \9 r, Y9 x
- ~% w, U5 f3 k( v
) {5 w; e3 |! ~2 B1 a
! _/ c0 z( p. Z, r* }    是这样的；
5 ?6 T' a- G. v   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

gaojun927

回復 2# andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

andyjackcao

請問各位前輩~
' x0 W8 R0 C" d3 O0 t在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。