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提供一個之前用的方法,
( [( s1 i2 J; O% n7 A' g; g由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
2 O/ s3 O$ p! J在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
, T6 M# I3 P% eVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
5 ~2 a* T# p' ?. Q( K5 R& D
0 o2 _3 C: x7 `4 G由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)/ F% ?1 Y+ ^5 k- S# _1 X" J% j
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]8 ]( E- i% _7 ~' a( c
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)( `1 e4 F* H7 S% D! g
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)1 o3 x' c- k$ |) w) ?2 n
" r% n9 \' }1 I- [將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值; |9 n/ X. ^; B4 l
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
0 y) _2 ^4 `* }0 X$ ?$ h! Y1 Q = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]% d* H! F7 ^8 C
D: X/ v) w5 D- @8 {* {1 ?之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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