Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
) S9 \  z! E3 DSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
3 Y2 n" l! m7 L/ P- U
4 a4 [) w$ z! a8 X4 v3 q補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
/ y) n2 l. T* j% w5 m. l: mSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
/ _+ I, }7 S5 U0 j8 z+ f
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
: e. K, c9 G: z' m1 g& bSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
" ?+ z. B* |" JInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
5 h, z5 g4 \) p  FOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
2 T3 ?! u. R) j: ?3 @+ FOutput series: Current sampling輸出電阻變大

賴永諭

slide 0731
1 ?# u- h6 b/ f$ S! p+ q6 J% c$ @$ |需要4各bias 點~

side 0732
6 }' y3 i8 j: @7 B' Y2 G只需要3各bias 點~
/ Z  k+ f& o8 dM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
. z. m' B) ~7 w; adepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

* {& n. g' N7 V& v% s$ q. l' Y- s* F$ U上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
, ?% k5 @$ r1 G5 ]9 x9 nCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
% a7 F. V6 F& r, O所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
3 E1 d# C; r4 v- H  qRef: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
! s" H/ I4 p. e# T+ G3 ~Noise of a current mirror with series R:
0 B- t7 [5 @1 d- O) n6 y2 I前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
) c0 ~4 z1 D) y3 f2 |/ C7 [" _謝謝~~幫忙回附一下
+ I3 H8 O- e2 i! d: Q4 o

賴永諭

slide 0513
) a" l$ B/ I  M8 g2 J* l分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
. w, p9 e4 _3 p7 P/ d3 S1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
. X5 U2 r7 \$ g3 z1 s3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
  [9 D$ ~$ ^, T: h* x2 b9 U分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
7 x1 K! X9 f, o9 D( z8 WVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  J# e1 ~8 i, {" J2 v5 v
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

8 a/ ?2 C) u+ U6 s; p& A+ {=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
! M  K" B9 Q+ X" p

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slide 2222
/ g) U/ P# \, w  GVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

9 m) {3 c0 D0 G6 x$ Z- v3 v- A=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
3 g& h1 w; v6 z  _, z' j用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ {. |+ k. V# |. v+ u3 }; d: W
  \2 Z* |* y* ?% H0 F+ H/ r=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
- g0 a+ m! n4 x' q+ W& L  V2 ]; Z用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
% ?6 _  j% }; h$ t
! R9 b$ z9 `' l1 i/ b% ygmmax 應該是C1WC1/2C3
. k: S$ m  g4 E; P% |; ~; G5 }
3 l! G4 b& ]9 h7 i: D& P. q) g) e=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
, I; D: m- K$ Nand 4WsCL^2/QCS

賴永諭

RIP
' V# A1 G( k, b. D4 h
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

  x7 O$ Z+ C5 A+ b+ q& \3 Bhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

! E' Z: C; _* s( F3 Y, A. jhttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
$ u3 Y! o% b1 v