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提供一個之前用的方法, + K8 x8 q3 z" [+ L8 l
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
( F, g6 B1 D3 J9 m+ z1 z在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,- x, A/ o9 o6 Q4 X N
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
1 G* Y# V n* U5 x
" t/ p! P5 @! p由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)9 I& x9 J; ^4 G% b+ |4 u2 F
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
9 u* \' s+ }/ ^. p2 q+ y由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)9 x( n4 T2 Y3 m
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)4 c6 P' f/ a. Y
0 x8 V- J6 j8 ^9 M; P( [
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值$ T3 ]5 \7 k% @# D
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]+ G1 N! z! A* @8 |
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
$ W6 G! w+ a/ T( U+ s: P/ \$ x$ q N: F {
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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