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提供一個之前用的方法,
5 q0 Y$ P. ~: {, n5 G/ U2 o# C3 t由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)& `% H6 ^9 w5 @8 u2 s4 c4 z; Z
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,9 D# n0 k& U+ ^, m9 g( ]7 n
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
9 R( u5 ?' A" K3 {4 G; D
- P& k1 m$ X5 ^, F7 a* k由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)( h% V: b3 |' P1 W, @
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
3 ?+ O6 V/ i9 C! ?: T7 _8 \" J由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2), t. H1 ^& q% n! e8 |/ U+ a# w
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1); G$ `3 w1 `9 g
" O) z* Y1 Z P* j9 n
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值0 Q5 @- j- [5 I& z
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]/ Y6 U' N) T+ W: G1 Z8 P2 P
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
$ i" F* U. B5 g; C
- \2 C+ v2 Y, l; O) H1 `: d之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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