transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
: p9 Y6 s/ M1 f) T6 d' {在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
2 T' ^" L8 q. {. ~; I5 ?兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
4 ]: h1 }( V  ?! w那三者，又是哪一個比較強呢?

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
" k+ E2 A2 F5 c3 K

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

andyjackcao

回復  andyjackcao

$ n& c0 _; G+ U  J5 x- {原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
# `0 j4 B! q, c1 ^gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

/ D( W1 ~- {* z3 D. g( e5 d



    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

gaojun927

回復 2# andyjackcao
+ L/ ?# U( x5 H% u
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
0 E% p; W$ _% D, U內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
  [9 Z4 P$ ^' Z( slupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
5 ~/ G; F  B9 t5 S2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。