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在這邊說說我的看法7 V; I2 f! I: M" ?6 `
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時4 |8 \& D- P* N( _. [# m: _4 x7 k. b
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
( r6 y: K! H$ D. l" z1 I. q但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上# _4 J' v7 u1 u9 E
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.5 V* q ?1 D. {3 F5 H1 @
, S; r$ K" p3 R$ S一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
* N1 b! j$ H0 U V7 j但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品
: S9 N8 C0 S" g: i3 ]5 Q再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓; C s) q, D) n# e# j% E7 }
去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 ! v2 l. ^2 p8 W; x! G0 s/ A4 P
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
2 h9 J! U" g% Q3 g9 @7 C就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期1 s& d4 a1 @, ^! n/ Z+ G
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間* z0 [3 {) B) |( i! n% r
讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
* R& U4 _+ X* a9 _4 ]: E k( j) \, E0 j1 I( N' v1 N4 |7 T* ]
最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命) O; I: Y8 G! I0 b/ |
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式2 ~; E, ] Q% e5 K! t
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速$ W2 v; ]. l9 h3 M/ h
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事$ g0 q) m1 ?( q$ H- y
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.7 _* |2 {9 w; S1 a4 T, T) K
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
6 t+ k' x8 t' L所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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