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提供一個之前用的方法,
/ _: y- b7 r# t' k- H- x/ z由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)+ \, [; Q; h2 f6 [5 _* P* A
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
3 q# F$ P7 D, V; k( OVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
5 |) I* F' c) Z# i/ U, H: E' B2 w. A. B' W' T$ O9 F3 @5 d4 s; T
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
8 V3 U( k$ u! E在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]3 v2 r* s% ?) C" D0 W7 E4 M
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
! R( k) k) h( R故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
5 W8 ^$ O# G3 m8 [% b {+ h. F" N8 b( ?* P$ w- P5 x
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值% h" |; w# l \, ~. M% X
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
/ g" I( s3 ]" p2 ? = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]5 _: t6 M1 B9 `+ U. t
; O1 M5 K5 Z, Z" \, p" d之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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