Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1540 {5 X6 }! {8 ^9 _3 P$ p6 @' @
A gain of 1000 is expected.9 D! |- t4 h4 c/ h- }- _9 d
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: / m* M+ I% q1 B# q
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
2 P6 g5 `" D" }- t$ n
% R: G: N) a  G) m補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):* k- R& c8 N  ?( W; a. e6 u" r3 L
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1* }. l/ y9 p1 B- N. e7 s% a
4 o: M, }; g5 u  T. w+ j. o% u
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):) y' G: W6 I: ~0 _
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:# O  o4 Z* x% P; R
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小1 e! \' c& T" ^" c+ s
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
1 j' L7 c+ M: o( y/ Q6 C# |Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
7 ^1 c( l# H3 W. iOutput series: Current sampling輸出電阻變大+ I" X& r2 }9 {* U
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731) o6 Z' F0 u5 L+ K8 i" @
需要4各bias 點~
! M2 p  r$ Q) D1 r( f. u# y0 B' \: p/ |, c8 ?
side 0732
0 o5 A0 o& f( {. z" f* f只需要3各bias 點~
0 u% u7 i8 v8 n$ l* v* p" HM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 0974 J& k8 P  H/ I7 G
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
( x1 T: D$ e* Odepending on the phase margin required.
7 K/ n8 e. {, c" v=> 更正. b' {$ C% n7 H, i+ H2 E
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
" \5 Q$ ]/ u( k. L. k1 R( ]depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM0 |8 f' c9 g$ R* Q, j
回復 32# tuza2000
% h& u1 p4 s/ j- Y# q# r
上面說明有誤~
1 w( {% H/ h0 x' T8 }5 ^( y實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
- H, c& z' o, C( J/ T( G& J
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)# ?1 m- _: i' z' d' r
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
' [7 q3 d! i  Y& a所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)+ ]1 |7 M5 r2 ~, M$ j' w) Q3 f* b* A
Ref: silde2219
  q  w( q0 ]3 g: u& a1 O2 oStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025% i, s# ?/ I, t# ], B* _
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
  L7 ^! c  R- N5 INoise of a current mirror with series R:
6 m+ {# i( y; W前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
3 Q6 p: |7 j4 o& R0 ]還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
, U, K! J9 U" R, |+ o% E謝謝~~幫忙回附一下
% y. B, W5 C( F" ~  l' q
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
% j9 ?# F( }" i% _* W2 C- _6 Q: Z& n分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
, R# x9 N" q# _# k8 A' p- S6 u1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2 W4 z( P- w, E. ?6 `+ ~. K% M2 g2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。3 g# [; s2 c) \) f; ]: u
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
3 H! _0 D. L# ^4 i. \% G分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
) M8 j+ f- K7 h, n# Z8 C1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
: I3 _. e: E: u1 O. U2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
5 E; o6 s& C  p( m2 w3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222% i4 t2 |  @  a+ `! X
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: |; {3 a( w9 W3 X+ `8 ?# b
7 G! ?% z( V" i1 P=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2% d' B' U3 y/ Q% _. x" s
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ ?7 t0 C. B0 `4 p, ]7 K& b所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 \- {8 k7 ]. u2 a0 H( t7 t
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
$ M% ?* l& G( j6 W# {Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# M; F5 k; L; D  O2 K, P( h5 o' E/ H# f2 L
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
2 g3 p! `! d( }2 O用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻$ v5 U8 N7 C6 J* C# r9 O; f
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
+ ~/ I$ s% ^0 n/ }
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222# G3 Y- z& W' d$ M
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- r+ J' \; f* h; C- m$ x1 E( b0 u
: A2 G8 X* H5 o5 L! L. c3 B) m2 F: \4 |=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2" U) B( v& q) G/ y( V  d
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻4 u; j3 m, J/ b: R' {, |; R
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); J7 m$ N7 q! H
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
7 D+ b. C$ H. E" M; ZVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)' _# C: R) R' d$ X" j5 M) F
( Q' b) M5 \! o( P# C
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
3 K( E, _  V2 ?1 c6 g( i用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
8 A, D/ A! c3 ?+ ^. W; D$ W所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)$ @7 o* L5 R* n2 l. x2 a' W
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
) X# M6 E5 f5 e6 L$ l# e
* ~( ^: d( j  E" c5 egmmax 應該是C1WC1/2C3$ V& R! w' E  M, H: `
9 [6 Z) J0 s; A: d
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
9 A6 @% r* I3 ^; e6 ]slide 2222
+ f- h4 M4 H6 z$ [* p, P) \Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! o6 K! y/ V$ ~7 k
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
2 w4 S5 s% M) n- q: S  c. aand 4WsCL^2/QCS
' c& N7 i" n1 u' p8 J& e
6 V  R4 X4 P+ j$ o9 b5 Y9 s3 C; \$ e
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP * Y. q' z7 @* e2 M9 g4 c0 M. ]

! V/ y7 l/ N, Q% `, d% XIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)+ I- r9 x  Z1 B! J3 G7 m
# ]7 a3 Z4 k) A2 L
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
# H% U* \, f/ G5 m( cslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis
# R' B2 S* U7 b
! |4 w  J1 M, g; ?! W( U/ ?/ Whttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing& t: E0 U7 C+ f
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-14 06:50 AM , Processed in 0.130016 second(s), 15 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表