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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
" P5 _5 [- T# `, \/ u它們的差異在哪裡呀?0 c- U1 g! q. Q% l+ k9 d7 D
請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:1 j$ [8 g9 V: D0 c9 C
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting * I/ X# M8 \; b' }3 ?
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1 ' y' @3 H% d& V5 q7 w4 X+ G, K
VIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
7 y' J" {/ g8 X0 }1 v不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
6 U- [8 l$ b4 Y1 uproject,選用Diffusion ROM是很不智的。/ K, w  }0 V6 h
但他有面積小、速度快的優點。6 \3 r  m; V- V4 b
/ l4 R; q4 r7 p0 i2 a* \" k8 H
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的  {6 c  C5 U( W# _% s$ E
方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看/ k8 Y5 ~! v0 M7 T: t( h
你要投的fab有沒有支援此process。) y5 ~3 L/ A# C6 ~0 b! C

5 Z0 D. c# g$ `! A, t+ F% lVia layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。( c( H4 F7 g4 t0 r* J) i8 V

! @; A( X7 k0 w[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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