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在這邊說說我的看法, f+ @; v' e, C2 k) [1 \
一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
: Q7 V0 S# l L& i# w. Q找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試( e7 E3 A2 K) q
但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上3 F# Q9 N6 F# z3 R- \$ T3 o" }
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
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一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
) L+ w' d' K3 E但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品' z$ `5 n3 B) i& _
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓9 b$ D b$ m" F, a
去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 - f u! t1 P4 `7 l6 R. M' C
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上7 l8 I6 ^) K$ I2 H: ]# x
就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
$ ^5 R; O, T5 l7 G8 d: t所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間: e% }( H8 d1 ]1 |, }4 a
讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability( e# I, B) n" Q# q& y3 w
: }' _( Z. m' `) I1 L8 ]
最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命
7 d9 p0 j9 N. R: n& P3 l& E2 r不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
3 i+ S! F2 [; W$ ^5 A- D2 p但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速, R3 n A! S$ Q+ P b! u% h7 j) q1 ?
畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
* Z/ I7 S+ L, e只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.- C( ?0 y6 J; O$ E- a% g$ i
何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
! j0 ~- V, t. R( T$ C! O: ~所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.+ V( Z u3 U. U6 n- |$ _
7 W; V3 \. H: R. W[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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