版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～
7 g  ?1 a/ `0 O

蔡廷暤@FB

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AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
!!
$ }- `/ A9 y% @( s感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
% U8 G+ w1 _* b1 n, _4 ?- q) |1 X   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
+ T( h8 j" u! K/ I, q7 N% J8 ~   
   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
( e4 V  h3 p( n* d3 a# l0 o   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

adjamie

謝謝分享!!
$ P* O) Q) ~+ A+ ~學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
  A$ r. B( F- @/ G4 `+ ]8 T想找些教學資料參考
謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
- i1 H7 k3 Q) B# I

何建頫@FB

謝謝分享
看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
( ]& I9 q  L" h7 D

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
0 D; p* K4 M  n5 r

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
* }/ g0 v5 x  O: v希望能對我這個菜鳥有幫助
1 }  N# x7 N7 j; c  p' u$ M, F

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
' ~. v. D4 Q; t, }5 _( E# {

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点

spacedpp

& v6 P- [* K" |! V/ C) d謝謝分享,
4 t& w; i7 x2 O6 c  `$ O; u& X研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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