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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154: X4 g1 r5 M+ X0 q) q. B9 f6 a/ L- n1 E
A gain of 1000 is expected.
5 T+ D8 F& m+ o- ~  _) J=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: - \3 Z6 v+ y3 ~
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
" q  Z" j- ~/ v
5 G8 |* Y# ~7 ]補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):3 A) E& \" [2 z& s% V; K
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
( K: Z# ?8 y9 k! _% w' A0 ~( Z8 J5 H6 `" S  `
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):9 R0 i; a) a7 [) c
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
  p; s5 R/ V# {4 [/ b% VInput shunt: Current mixing輸入電阻變小% s7 Z$ C; w  r* [" f' ]* J- C& \$ i
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大, k# d3 `6 m3 i, v+ a% X
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小3 d& b: r5 ?: g' U9 t" `
Output series: Current sampling輸出電阻變大  Q& J5 E1 e$ f, @# D' }
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07317 F, P1 J' o: b6 f0 \' t- q/ C
需要4各bias 點~1 c/ G; u2 J% q

% z" e: v# J! g2 X* V7 }side 0732& v3 R; M9 L' y) O9 a) {6 s
只需要3各bias 點~' k' Z/ h5 Q( _0 N! q
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
* B; \$ X3 c% K4 s# h( ZIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW( v# Z* ?0 z! X1 n
depending on the phase margin required.
$ w* {% K! w' p/ r: N3 U. ~=> 更正
2 ~! b$ d# B6 j) T8 F$ GIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW! B% P9 [# `$ Y% \, U! b
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM) Q- w$ l# L& ]
回復 32# tuza2000
# Y, \9 T5 ^8 y! y
上面說明有誤~3 {: T. ^: z& F$ W6 D
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
! x! ?% y) i+ _; `/ i& f, H( ~
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
9 J9 A0 k* d% t8 ICurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
8 }4 A- G& |, w; e5 H% B所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)4 y" ^! n- o- H0 p* q0 C
Ref: silde2219 6 D: ]4 S- m# i  F0 {7 o# [
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
$ u- g' S, Q, J2 i* m" _; l4 l1 e) c# }Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
! e5 a' e" x. `0 BNoise of a current mirror with series R:
9 f" Q1 \8 Y3 g4 _) d前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
/ Z% `; f0 J7 \9 g6 |還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~; i# A% m" e! B3 i
謝謝~~幫忙回附一下
% I7 b: D+ q! f) ]4 ]  O
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
, ~3 N  P6 U& ~4 I9 _! |# f分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下! [* C, g  k  N( e' M
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
. r9 _7 c% h8 f( D  N4 }2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
: p& q. S% q, j0 B9 n3 r" U+ m) O, H3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
3 C* Z2 k# E( K" H& t9 O分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下. V% s8 C8 W/ f& O7 _
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。( z- L- T! ?& b% i! ]! {
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; b/ q& q" o: E  a( Z3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
1 m" ~# _$ F& f; gVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, G) S; T6 ?4 I+ F
4 _% R' a! I3 n  B6 N* t" }=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ d3 x5 f; R5 a  \, u8 J: C. a用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  j( M4 b) Q% C7 `7 I. U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 f$ K* k. G: L& a  P/ s
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
# F, q* o) W- w* s8 ]' w! {8 JVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! H6 Y$ S2 I0 _8 Q7 u7 `0 o$ R7 X- `) }& B
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2# \4 P& c0 o9 F# o1 u: V
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻9 [3 _( t  z/ t# l0 n. {
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 c- y0 x' E, w) R" o4 }
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22229 g& ~' j  D: K
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)# W$ j. B4 Q8 M) s7 j

2 E' a& |. X+ L( p=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2* p- n. i! V3 d# a9 U7 _
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
' h8 f' a5 m8 s  C. p# U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
* b* R" \; |+ f; }
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22224 K9 V1 N% d- ?* V
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)- X; m+ k& i* S6 [" H+ \* ?1 _
% X( C2 o- n% k6 m5 d
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  T9 H7 Z: n/ I$ K0 A% f用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 A$ t8 Z: \& p- ^; [7 D* U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)4 u) j5 H0 C. o1 K( T  k, C' {
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA- _6 }- }9 v1 v4 k

" _2 x) ^; X( K, |5 Jgmmax 應該是C1WC1/2C3
' \+ t+ ^; l6 t7 s' ]  g  P0 |' H" T2 P+ G  A. a. O
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
4 Z! \5 I% S. \- P  Jslide 22229 A& p8 g, B6 s6 p! C
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

, h( h8 f* ^4 W; _gmA~ 4RsCL^2Ws^2- R9 X; C$ w; u6 ?
and 4WsCL^2/QCS
4 }9 n) \' @/ l5 K+ X
3 d5 i4 \: G0 E! x
7 d4 c2 ~! A7 ]9 U; c
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP 9 z% G, w! |! v) @, ^

+ m1 R9 E0 q  _. M5 M+ HIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
& k* x: e: T/ ]; R+ |. F% Z; G- J* W6 L* u
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 4 天前 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
' G' c1 x+ j+ e9 o$ jslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis* r1 z" R, y% M& X$ D
, H) N! g$ O* e
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing0 I) G; h8 S) c: f& s) D
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