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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:, O: E1 n, a+ v$ g8 [7 y
•汽車點火器用IGBT單管3 _3 w0 j" `4 Y
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。+ o2 B' s% E( y& T# J3 f, J; f
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
5 e& e( Z$ K$ J9 N9 O2 s針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
4 [6 L/ z! X+ x4 c$ ^: r. g3 ^! k: b二、技術指標- I6 `. Z3 h' N8 f1 z& G
•汽車點火器用IGBT晶片及單管1 |' T# W# L4 V
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值: n' G6 A' M# e' }
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V" r2 B# p \7 c% Z4 \( M" y' g
集電極直流電流 IC 10-40A
9 o9 C) a+ p0 x# I0 [8 ]1 B集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
5 x' d# c% x e; i& J$ m) V•新能源汽車用IGBT晶片及模組
# ]0 r3 N) S6 e3 q主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值6 h2 L, |- E5 e8 p; z
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V+ V* M# A6 `1 N$ J: q
集電極直流電流 IC 100A 800A
( ~) j% W6 x% u- P6 y0 E o* U集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V5 |+ }7 C' A" `: x2 Q
三、經濟指標$ A8 z/ U. J! R! z
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。" h; m- {9 o4 I( C4 z9 F$ T5 O+ C
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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1 K" v7 X/ f& \8 e6 k- a合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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