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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
, m% L/ o( \; @% c, L8 {8 i, ^& v% Q. k
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
2 f$ v/ J: d8 q+ B' K& Q( v7 x9 Z6 U9 U: k
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。2 j) e% O, R) L2 M$ Y( [
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

4 G% o% [7 ?% j7 \1 c! a0 _
, s7 W: K6 V& z" J( _電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,2 _$ ]) F& s; R9 F
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
% z8 j& M6 B5 x- P7 v輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz), `9 B& Z2 k. W3 i7 v9 [( s4 K
在理想的switch中,輸出訊號正常。! \# C& ]1 e7 A; t- m
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
  G3 q" q6 y4 c/ E2 x取樣電容大概=400f F左右。( d/ \- p2 }4 K" n
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
$ _% Y$ X5 G4 h+ a$ K! y2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
+ J& j: Z( E8 d  \" Z; \! ~! D- p1 t% j) `: m5 B5 x& Y( e+ O" {
1 P# B3 C2 c' k/ U) q% D
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
% P' I" W8 m6 l$ S. n. {  }$ E
5 Q% B: ]! k, ^2 m: a$ h  N先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
, @8 G+ c, S  ^這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
6 i1 g4 b  o* y/ o所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值* V5 Z3 a# j$ u; s+ l
列成一個表
( z0 |: A5 H. F! R, }* k, Q' Y之後看表拿進去套用即可
) T3 j4 {2 r; k* h  E4 h此外此電路SH電容不大
$ V. \0 ^! {) C' K7 ?$ C會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
- K- N7 Y' d; e; ?, N) }
8 e, R& [3 ?2 D6 a6 u* S9 C- ~% ^( r/ g& |  \5 f8 h
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
% L" _3 g; u0 q# ~+ a' a) S由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,4 z# Y- z1 _9 K. n2 p
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,- f" q5 w9 O+ T% H1 m
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!# h* W* \3 N: E$ M% @
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
, P1 [" G) M3 K) o! s" k建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
, \* a! q. }3 O  N! W前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,9 [+ x2 y& C7 z
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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