一些Layout的問題

okfunny

关于 double guardring,我们的画法是 ntype ring 靠近噪声源
就是说 如果包的是噪声源的话,ntype ring 在里面,如果是为了防止别的噪声干扰的话,ntype ring包在外面

wendyamy8570

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0 Y% P& D6 \* V4 i* y非常感謝大大的分享
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semico_ljj

原帖由 finster 於 2007-9-6 10:31 PM 發表
( o8 I7 s0 k. p* w6 W( w; N我是在一篇paper中看到的,不過這篇paper不知被我放在那裡了
另外,你所引用的教課書的公式應是Razavi那本"Design of Analog CMOS Integrated Circuits"中第13章的吧
書上是先決定BJT的顆數比,然後再求出相對應的電阻 ...

2 g) m; R4 g" _  J
2 x* `+ t5 b) o1 c好像实际确实如此！谢谢！ ……………………………………

laker１０１

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& S# a' q, B. @非常感謝大大的分享
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/ C* j; ~, W7 p. u9 w非常感謝大大的分享
6 t7 R7 ]0 x/ b! _( Z  S非常感謝大大的分享

lethalkiss1

1    普通的logic电路影响不大，  不过一些高频信号， 一些delay电路等的还是尽量避免
' }9 S/ o  Q$ E; J
2    guard ring 最有效果的是p + guard ring，  但是一定一定一定要接到干净的gnd！！！， 这样才能吸收掉noise。  2种都画的话，比只要p+ 好一点点。

3  这个是为了匹配这样设计的，一般都是设计成1：8    ，1：24 。

gyamwoo

最近在做ｐｌｌ的電路。類比數位都會用到。
* J, Z" {: p4 k6 \+ z, {各位都好利害啊，每個回文都有參考價值呢∼∼

kstcandy

剛好要瞭解這方面的資訊，正好做來參考...
( @3 r1 R/ L: H& X; f% s$ o
謝謝分享...

091234567

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lnxmj

2：pring 接地收集空穴，nring接高电位收集电子，二者纵向结深越深越好；多子ring是为了让sub电位不被拉高或拉低，少子ring收集电子或空穴

段睿閩@FB

謝謝各位前輩的經驗分享

alfie.chuang

1
怕千擾
可以事先詢問rd care的地方，避免跨過即可
5 p' h! d8 `; B2 S$ F2
依pnmos來決定第一圈及第二圈ring
1 g" I* h- e$ i$ m3
2 N+ n4 e! U) S5 G- B我也是畫9官格

188

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- c3 c5 E8 D% m1 A7 A+ I非常感謝大大的分享
6 {3 @, J( r( P, ^% e8 f非常感謝大大的分享