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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 1543 \) D4 A( ?  _& ~! C) G, E! {
A gain of 1000 is expected.( b$ R( z9 y2 d4 j$ H
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: " \! G% S0 k* [5 L# @" i
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
: {: {3 y6 [0 q& s/ r
: F  t( r  S/ D5 T- u補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):! n  [# A- [. S, u+ t7 s6 x: C& ~
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1/ J3 u/ V6 I( D8 o

3 `( \; f- V  N/ [補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
9 `' P1 d4 P/ l0 }7 v; CSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
# y; g4 T2 W& ?6 i5 oInput shunt: Current mixing輸入電阻變小- E: X6 X+ E6 H  l( x. x( f
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
9 m8 x6 E9 V' K) }7 O7 tOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小& V9 f  U) |4 m! P+ n7 s$ W# r
Output series: Current sampling輸出電阻變大  Q4 k! t  v2 M8 I" D, U* K; j. C
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
! ^* Z& W0 C$ L7 n1 d需要4各bias 點~
+ U* n3 c3 b5 W. p. ~+ W. x% W/ b4 N3 v  z2 o0 `& Z
side 07327 r- E7 z7 A6 Z1 U* `( C  J
只需要3各bias 點~4 S5 q0 S5 j9 }4 `+ A( M' M
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097/ x6 u" L& b1 p7 ^$ q& ^
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
: L8 P% f6 E, V+ t6 o( [depending on the phase margin required.$ F! V; x' D7 a" Y9 ?
=> 更正
* x* E! Z. {) Z% U7 X& J, z4 sIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW4 ]$ p, A0 m" {" M
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
2 }8 B, k+ Q% m  n+ F回復 32# tuza2000
/ a+ e; y1 W  b/ E, c- R" S  T
上面說明有誤~
3 W. ^1 f% t' Q9 Y  w8 g實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接2 p' A* n& H0 n
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)+ V, P; ~/ p& ~/ d2 r: k5 f
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
. k8 j! d9 R, h  Y所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)6 J5 e* X1 ]7 d/ i, k$ F
Ref: silde2219
( U$ N* f1 u2 KStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
% ?- i  T, y* f0 O, g; |& \Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
8 }+ r! O- _2 S4 \& WNoise of a current mirror with series R:+ o" \! Z3 ^" h+ \- Y7 y5 ~8 I( I. h$ C
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
5 V( h0 e& L# j: c3 S' l還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~" U4 C, |: Y) i, w! i" p
謝謝~~幫忙回附一下# F" |: i# n9 e
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513( ^9 [. u. W8 c5 a. P
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1 Q3 x4 ], m* J9 x& R1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。9 }  g7 v+ q3 {/ ^- X
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。0 M7 b- p/ v8 N* H) S5 u
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05133 B' {4 c% k5 k5 f, w2 E+ T" V
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下$ ^4 T, B" V- }8 ^' l4 u
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
5 H  l+ B5 J8 X( e2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。5 r' w+ [9 ?0 i8 E8 |6 f4 s( B
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222, N7 |: h6 i+ M3 o1 }$ z# G
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, Q3 j  c& ]2 z0 N7 o/ H
' k( t, I6 L" h# g* E# i; @=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C27 C/ d7 g# V- n/ F+ L
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
( n- c: }( v9 {' Z1 i: ]' E8 M2 S所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)# ]$ b# o$ a2 k+ t+ i9 \. f$ J2 ~8 T
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222/ @$ N2 g7 ~0 T6 d
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)6 h; A3 h" `/ _( e4 _4 z- L: d( f

* L* M2 t( F# d7 ?) y3 K=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C25 t8 n* W+ p* L7 }7 R
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  ~+ t; f2 K2 h" W所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, n* ?0 ]6 t, \7 X' {
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222. t4 B9 v8 P) ?: W; T
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)3 B3 P4 x1 C) W5 m8 K

8 `% W+ ^! f% x4 s=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2# P4 q0 J7 O7 B; f6 B! u% z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻3 @! L' x5 h) W2 A1 s
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
$ h. l" o$ q  t+ X) r
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
- Y' g4 ?- _' e- rVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2), X9 b9 |* Z5 Y% j9 \+ f8 F) @- S

) G+ I! }% l# ?* A6 ^$ E+ t=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
# c: f) j5 K& `: K用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 q3 p7 a) ]8 r% O所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
( b& e8 Y3 A9 Y$ M& d
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA$ L. V3 w! X* E7 _! ]

1 n, F# F2 H' K( Pgmmax 應該是C1WC1/2C3
; W7 t! X5 ^9 ?) l: k, w
6 x3 N; S6 B5 L8 h/ v=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
7 O) b7 z- `- ^" D0 [slide 2222
7 {( P$ U! O  V" C/ r% T; x. NVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

' p) H$ x# X; t2 C' T  y# q4 igmA~ 4RsCL^2Ws^22 R" M1 L2 B( V; |+ B( K! G& {
and 4WsCL^2/QCS
5 t$ O6 \; j, Q* L4 `/ M8 r8 V& h$ ?% G9 E/ N& K
$ A2 Z0 q2 q! {4 i7 ?& \8 J/ O- c
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP + {1 s! m) A# I; G& ]; }, T# @
9 S& W+ G0 @. ~& t; i
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
6 b, J) }' K- x# x9 H
: r  W5 L) P5 h0 i' z! D7 Ihttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 3 天前 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators " q. n: l7 Z" i0 b% X* P
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis  O. a) `% `" H5 [' Q
6 x- J- @$ b& [0 n2 m  ~7 Q# g
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing9 q( y% J4 X- Y) |  N* z
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