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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
& l7 d9 K$ z% u9 L# w" w. u7 o2 o+ y  ~. i; ^( S
OD2作用:
! C8 X4 q3 q4 |1 L. Z; j1. 增加阻值, k1 u6 W' F7 Z& v
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
8 J" O! w* `9 Z' r3. 通常用於高壓製程上1 }0 B. e9 S+ r$ r. ^" m! G/ L
7 N& o- f" [1 l+ Y
SAB作用:' @5 k3 {. j, F
1. 可以用來計算電阻值
0 V$ s( E& V  q: y  G) O; m' f, b2. 降低阻值9 a9 f5 K) r* A9 L; g
3. 防止LDD的尖端放電" s; W' B& t" T8 a
8 Z- L8 z7 p. C! g
4 D0 x1 W2 I$ K+ |( A  X# j  V
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
4 @- S4 Q; h1 b# y
# T! L0 c3 y8 q$ P個人的認知與看法!有錯請指點一下!
, A2 S- O; _) E& X6 M' u8 i, K: ^/ Y! X. J# H) x
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
  V8 @' t. ^# U, f& S# _' o1 ^& m; u9 v. Z, {
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
3 W" I# X+ I8 r  h% n能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
; j. i9 e5 c6 W這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的& J2 m* \9 y+ B0 J' y" K, J
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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