|
提供一個之前用的方法,
5 Q2 O, e9 `! A! E由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
2 l' ]. K {3 k" E在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
2 L2 \ M) D" Q/ ^( |" zVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値7 Q9 d" R3 ]) y% h
# {* s; w: `# S3 f; }7 X1 s4 H u
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)8 l" v; [& A& r/ S3 T' Y" f
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
$ \( l9 }$ k5 E' o' f/ g6 m由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
( k# N- B9 b8 ~, v9 E8 J1 i/ l故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)& F& ~2 Q8 |5 G; R- L7 A
+ k% }- D3 w; {' z* H; a) P+ }
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值" j) v8 S- W, m, I0 D
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
! M* G: H3 H2 ^- h = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]# J) L7 z4 D: `; s! T
$ s$ t a- l4 ?" d
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
評分
-
查看全部評分
|