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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
% ]) ]( c9 F1 ^3 t# h4 LA gain of 1000 is expected.: M% l- J- s8 I. r# G
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
% ~7 n+ Y; B# ?: ]6 n% b6 @; ASlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
# L9 z, G7 V+ t& {5 ?( P7 Z# w) c! o9 p( b
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
4 M6 \% a: \, d! b$ K/ L& D( NSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro10 d( W: [$ @* [& Q
( z: S& G% W5 n0 m8 M* A
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
* A! ]7 @" Q2 k: ^0 L3 XSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
0 \/ I1 I* W. o! gInput shunt: Current mixing輸入電阻變小( b" Z0 a: V8 X6 u
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大( Z4 ^. _; i1 s6 y  C/ c
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
1 {& @9 D! ~0 v& l6 u1 _Output series: Current sampling輸出電阻變大, C+ E9 _4 M1 B# \# b" Z7 Z
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731/ y& ?5 c* u$ ]7 W$ @3 w
需要4各bias 點~
9 a( P9 x0 p; J# V
5 W& W# e: _4 j( \( Zside 0732
) `) m: z  W$ b" D% l只需要3各bias 點~
' u+ f. M3 B! V% }  wM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
( V/ ?  b5 _3 _7 ]4 t, F, ?& B+ XIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
8 `4 f% J# Z" m# O5 fdepending on the phase margin required.
% R, s# W9 `/ E  i8 |=> 更正+ f3 J9 k2 u. \2 t" p
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
% M1 a; Q$ b1 }: Q' h1 q  B- Wdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
8 t$ C3 F: `: _( t- K5 S回復 32# tuza2000
! Z2 R0 I7 }) `* B
上面說明有誤~" [4 j( U8 W7 T9 w' C' v8 k' R5 X
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
5 C5 Y6 C1 T% r7 k9 ^$ [$ N
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)( f' m& w8 a& U2 m, u1 ^0 m( J
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
8 S6 S1 T; u3 x, N: p" _4 O' t( ?所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
$ U: c$ K9 ]) ^& s3 S) ^2 iRef: silde2219
" x# w& }% _6 Y+ h. i0 O. DStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
  q3 g6 T3 W$ _/ T  s- |& bNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444; a. C2 `) X5 S: L
Noise of a current mirror with series R:: i  \& f9 w% V* H1 x
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!! x# R+ C) ]+ S1 D
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
+ W) x* R" J9 K謝謝~~幫忙回附一下
! R& O$ m; p1 K
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
( i# H8 z! Y& B0 f: }分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下  u$ r8 o/ a0 ]1 ^
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
) r/ k# p5 n! c) C/ }2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
/ [$ U, T4 w7 s& T1 [* m3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513/ n; O8 c# O+ M2 J
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
+ p+ c4 A0 M' s' }, o% W4 F/ d# }1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。( U& M$ c! t# G6 o5 L" P# t* v6 R5 Z
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
6 i, ~, [7 u% G" H- N/ {- [0 y3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 22223 Y; ?6 I/ @! X5 K. ]
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ q9 I3 G/ G: @$ T9 E" Q
* V2 ^9 e  ?3 z. K" H8 X  n* c=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
8 a6 M( @+ H- a7 M6 Y' M用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻; a% [+ a0 n+ J, P4 t% z2 z
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)( d, Y' c! L4 H! }
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222# S+ O7 S  ?: B; \+ T4 {
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 K3 t% M, ~# w
5 r$ w/ z# m# w9 S: s  }7 E, [- n=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C29 a% [* m2 m( L" m' [8 |( t1 R
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
( r) Z- [7 {4 Y" }+ s& q0 g& f所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)- x. l# M2 D4 e
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
! v) a! s9 A+ i5 ~: m6 BVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
) H" n6 F: X$ S" C4 w; T$ t( [! w. e! j
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. m8 \4 O, u0 v: ]5 ^用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻# Q& W/ U6 c( u! L# n
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 k5 G' w# l( s5 a7 Y5 [5 ?
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
5 L/ m" ~' z  `9 Y( }: T$ ~) E8 tVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, t) C4 G- [+ H: Z0 w
) u3 `) a0 J& o$ Y=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2% X: C  V# V$ O/ _8 h0 Y1 G
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ G# m! E3 x, m' F( l: ^$ G所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)+ B4 ?' f" ?; p3 D4 c! z
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
) X7 k! q8 G7 x- k6 @0 w% ^, C2 q
7 O6 j8 h' L4 Ogmmax 應該是C1WC1/2C37 u" `; ?! f  S( |& C" J
( a) N/ h" _. T# v
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM/ c% ~: n, L  b5 ?% e/ w4 C3 K/ p
slide 2222
3 `9 i9 e( h7 b2 _1 z/ hVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

; @! M% [. j  G  K  P$ K9 agmA~ 4RsCL^2Ws^2& m! A) @9 p4 z
and 4WsCL^2/QCS& b9 J* Y2 Y4 W) B- _
) x5 n9 S6 @% Z$ V% b3 H: M, G
! r6 ]! I* Q- U' I
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
6 d5 U/ Z1 E8 n2 L6 ~# A, n9 y. m; B: X+ }9 @) S
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024); P% W  t* n4 j# m# m, O/ k
4 r3 }: o0 x/ b
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators 8 L7 q, l7 \8 A9 \, R/ U0 ]+ g
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis5 x* G' P8 z  {1 k; x2 N/ Z2 z
7 i2 O) U( j; K( t6 _4 ^: K  `2 A
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
+ ~* o6 a6 D6 r8 b# B
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