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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154* b3 B; T  \5 E$ G- s( t
A gain of 1000 is expected.% ?% Y: Z5 h' b' M8 D" |
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: * e1 S  Q( G& I. A& m& S# G: D
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1' C* N& q7 y0 Y2 y5 p

, R+ v% s2 i* j5 J/ _8 H/ u補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):% c  R; u& K! L' X$ e% v
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
- g8 G) y' P$ M) e; b; b# O( m! R" q$ Z: @$ }
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):4 d( V1 e8 u' o% I, H/ V* I, a
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
4 C- G- X9 b1 E$ w3 S7 b9 m9 c1 PInput shunt: Current mixing輸入電阻變小; Y7 _+ T4 Z( q
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大! p( v  h; d4 Y. k+ u/ m
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小7 A" C8 }# q  B3 _! D6 H
Output series: Current sampling輸出電阻變大. C, r8 f2 u/ t
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
! a( ?& z0 f& r8 ]8 \( e6 M需要4各bias 點~  q# W# A7 Z3 X, F) k$ m: m2 j! k# I  q6 c

4 g' ]' F# |5 Z' z- [1 Iside 0732
* B2 |0 D/ W9 B* m只需要3各bias 點~
2 k8 G9 t# n8 H! ]- o; K# \M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
* s- p2 U2 h; y# f! v  @3 M: [It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW* c; I; O# \7 X& ]
depending on the phase margin required.2 a6 a5 T' b2 k1 v% U
=> 更正/ c! G/ F: h2 k9 B# z5 I
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 P+ R) [) t$ S- \5 |3 ddepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
& |% E/ p5 b6 [回復 32# tuza2000

& F" s! n* T+ u9 K上面說明有誤~
/ z4 G1 n2 D$ G0 a# x. s' h1 I實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接' r: H- t2 N) P5 s) e/ J
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
# a$ V# K" F1 v0 [0 {Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻; R" Z% \  M  H* t1 h2 q
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
$ T/ z; G# h  K, u* _Ref: silde2219
2 l' ?- h: N: P8 s2 {* aStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
( q5 Y: m4 X: u# @5 yNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444  q$ x) }" p$ D  F! k4 X
Noise of a current mirror with series R:, x. P7 S, Q/ Y: \
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
' v* n+ ^8 a" A; |+ |# D: U還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
7 s0 m- P2 n( c& ~6 n謝謝~~幫忙回附一下1 r8 t# P: ^! T6 v7 @, E+ b
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513" c9 E! i$ O% z  Y5 G2 @' [! Q$ q
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
: m: J5 S: Q9 G9 P1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
* q: Y5 G1 t) ]% h2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。6 K2 S& _0 o2 U# M  s4 f
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
9 n, [+ t, u. e( o8 S" S8 n/ s分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下% s% G3 b2 A3 N5 V
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。6 U$ j  F! g9 W
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。# o! L- F6 c2 N
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222' w2 a- \* T. O( o, F  V
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)! P  [) O2 P" x- _# i0 w- j" c' Q

4 i, w4 h$ V# Q" w6 p" V1 U( W0 _=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
* E7 ?' p7 t3 F9 F8 l& i( N" ?4 Q用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻5 S$ i2 P+ t) v2 Z; c# ^5 h: X; d- E
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)( X. |6 Z$ O( F" C% h  I
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222+ a/ }5 {3 F& g
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
4 E; T* g1 f+ e1 O5 |& V
; k  E. p9 u. Z0 ?3 _  F3 u1 q=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2' }. u. i& P4 U, n% O
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻, L3 }4 M1 r$ Q; u, f) W
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 |+ ^8 }, h+ _6 N7 k
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
. S2 V" }' w7 Q( C% ~Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
7 F; i$ @$ P0 T# j+ t( p: I" M
( T+ t: K1 V! Z6 Y/ f8 h  G* a=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; n9 J1 `4 B! V4 X6 F用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
8 U% w1 d3 O% g所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)) D* \4 I! @# O8 W6 X  N$ D
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
9 y" r2 y! v: O& j7 c+ DVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 r* C1 l  z* L$ a+ e; \+ ^4 m! L  {) e, @
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 i8 J. r% v4 M; }: g; x# d
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻( \: g: O- g, B& ]
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 r9 [  b* H  D: U$ s6 }. @7 v
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
% e0 k' V' H. E& z# r& T4 X+ h8 c
gmmax 應該是C1WC1/2C37 q2 ^. X# a  X* W/ {0 n
5 J$ W, V0 k" ?: E, X* f
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
" S" d! n! a) p. T: \slide 22222 G+ ]  N* C; L" A
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

7 f1 [" L% e$ _, X1 A: qgmA~ 4RsCL^2Ws^2( \; S' w" [2 w& d$ `
and 4WsCL^2/QCS
* c6 D7 R5 U1 x: I' {2 K! d  I
3 s* x( _6 Y8 H. x$ f
. m6 G3 I" _; n# e3 n' K! c
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
9 N: Y! v8 w7 G: H3 h3 \
$ A, G% x( c  `! Q4 a5 m' ~0 jIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
6 h/ G' P: p  y$ V: H4 W
! C- [* i* E  F. q( H0 \/ h$ `https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators 3 g; T' v$ D+ W0 o, J
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis% R0 U3 p9 l; z  B9 P
6 E6 X  l' {/ ?1 J' W1 z( n( U/ l
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
6 K: N' C2 [1 a% [* P
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