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提供一個之前用的方法,
3 k P, y* m* X0 z6 p8 Z& _; {由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
6 B# W, T! c7 Z5 f# s在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,7 Z4 l; C9 K4 y* W5 f' n) M
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
, Y& G$ Q# n: d. }
5 e1 v& O9 L1 e5 _3 M4 E |% o由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
S" W2 R1 v ]2 \0 e0 F* ~在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]; D, z6 P! u# f# S- h. x
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)1 h$ r& E" T8 w5 U* L( f+ M0 F
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)7 }# t* A) T" f, p
, ? P# X: C! K$ V1 Q將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
, W* w; B" j3 H% i. NKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]2 X" m& _3 k3 K ~# @5 c7 H) ]
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
; |( U% H2 g! _8 g3 _. }4 q0 _" C# \5 |7 _' I
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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