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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
( U) M+ f+ v- i$ a•汽車點火器用IGBT單管! h( k; b: q/ S) ^
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。5 P+ c! U) {, ]+ J
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
; S" q, [! f5 q0 [7 G9 u/ k針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
0 p' |) ?2 z) H/ d二、技術指標+ u& O- Y4 W' m7 V& _# _) O" Z1 g. m
•汽車點火器用IGBT晶片及單管( y& K$ r+ {/ {$ d1 g5 F' u V* f
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
9 m# |. R3 }- |7 ^集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
- ?7 m. l9 `$ {5 y# b7 S+ R, F) }集電極直流電流 IC 10-40A
* W; ~! V8 c% K. m* u, ^7 \8 P集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
( u' n, n4 A h! P•新能源汽車用IGBT晶片及模組% d6 v7 I6 e( y( X7 I
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
3 c* z" w" d7 v7 N4 b3 p集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V+ _ _0 H+ m' W: H# D
集電極直流電流 IC 100A 800A& N# H O3 z5 a& k( C# K
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
+ v0 V0 N2 W3 n# O' {7 g三、經濟指標
9 c$ i6 k% v" b! [•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。8 Z. S. |8 M$ a+ J- M
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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