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沒辦法畫圖, 大家聯想一下或者自己畫張圖,& h0 e* r) M9 w. r' S2 ~, G/ K$ g
7 z2 R' |& _. F, Z0 n' q' W& k# K舉例GGNMOS single device for HBM test8 a! y7 }8 r# z' q. F1 m, _
only 2 pin (I/O and GND)
5 c# _9 O0 `% h3 C* b5 O3 a! ?# g: A9 _! [# X0 K7 I- m1 F
GGNMOS (drain-I/O; source & gate & sub - GND)
# U1 u: t$ Z/ O0 E* ^. {. ^記住ESD一個重要rule, drain contact spacing會放大,( K+ H1 B/ S( H! g5 n4 p3 a# O
; u5 L3 {2 `* j# f1 R假設從drain(I/O)打正電壓, 因為cont rule有放大,HBM pass 3K" B6 X" q1 r+ x& M6 f$ [
反之, 從GND打負電壓, source cont rule沒有放大, 所以HBM<2K( ~$ F" w+ |/ J+ e6 _, @9 t
3 N& d/ K# k, j$ _; U: Z5 O
這是最簡單的情況下說明了, 如果是circuit, path更多更複雜, , e6 c# L% M) V, o
要考慮可能反過來打負電壓其實是沒有ESD bypass path~4 H0 o( V& I* I2 U
4 l: c& K3 P* g1 h$ M4 w! `(這樣大家知道為何會有差異了嗎? 各位先進也可以提出其他看法) |
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狗仔卡
發表於 2012-1-31 11:22:13
顯身卡