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[市場探討] RAMTRON擴充FRAM-ENHANCED MCU家族陣容 符合工業標準可直接替換8051架構的微控制器

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發表於 2011-3-10 14:06:55 | 顯示全部樓層
Ramtron發表具有寬工作電壓範圍的串並列F-RAM記憶體) f4 M# K% Y* W; ]4 b/ u' {3 ~
W系列F-RAM記憶體提供寬工作電壓範圍和更低的工作電流
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世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發表其W系列的 F-RAM記憶體,W系列器件具有串列I2C、SPI介面和並列介面(parallel interface),可提供從2.7V 到 5.5V的寬電壓範圍。此外,W系列具有更高的性能,如工作電流(active current)需求降低了25%至50%,串列器件的首次存取啟動(初始上電)速度加快20倍。該系列中FM24W256 和 FM25W256器件分別帶有256-Kbit 串列 I2C 和SPI介面。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件則帶有一個並行通信介面。% u- T) D( I! U" O- D

" `. {" N  E. {' nRamtron公司標準記憶體市場推廣經理 Mike Peters 表示:“W系列 F-RAM記憶體所具有的寬工作電壓範圍,可協助系統設計人員降低工作電流,提高系統性能。系統能夠檢測出早期的功率損失,控制器的資料寫入電壓可降至2.7V,從而保護重要資料避免受到毀損或丟失。W系列的寬工作電壓範圍帶來更大的靈活性,能夠讓客戶所需的庫存元件數量降到最少。”
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發表於 2011-3-10 14:07:04 | 顯示全部樓層
關於W系列F-RAM記憶體
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6 A6 _, _6 i8 Q& V對先前使用64K至256K  F-RAM器件的客戶而言,W系列 F-RAM記憶體是一種設計替代方案。該系列產品以先進的高可靠性鐵電製程為基礎,具有無延遲 (NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數 (100萬億次-10e14)以及長達38年的資料保存期限等特性。這些新推出的器件採用業界標準的“綠色”封裝,其中串列器件採用8腳SOIC封裝,並列器件則採用28腳SOIC封裝。W系列非常適合需要頻繁或快速寫入資料或實現低功耗工作的非揮發性記憶體應用,應用範圍從高頻資料獲取直到要求嚴苛的工業控制應用。而在這些應用中, EEPROM的寫入週期很長,可能造成資料丟失,因而並不適用。W系列中串列SPI器件採用Ramtron的 F-RAM技術,能夠實現全速匯流排寫入,確保在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內正常工作。
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價格和供貨  _, _/ k% Y. b% _  l
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Ramtron 現可提供W系列 F-RAM記憶體樣品,訂購1萬片,每片256-Kbit FM24W256 和FM25W256的價格均為2.35美元。對於並列型的器件,訂購1萬片,每片64-Kbit FM16W08 的價格為1.96美元,每片256-Kbit FM18W08則為3.48美元。
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發表於 2011-5-13 14:53:15 | 顯示全部樓層
Ramtron新款F-RAM Processor Companion帶有溫度補償晶體振盪器以大批量的消費性、工業和計算市場為目標
9 A/ a& ^, |' y) T於矽谷嵌入式系統博覽會發佈的新產品,能夠為靈敏的時間記錄應用提供精確的即時時鐘運作
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世界領先的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 產品供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 在美國矽谷嵌入式系統博覽會 (Embedded Systems Conference) 上宣佈推出該公司Processor Companion產品家族的升級產品;Processor Companion是以大批量、基於處理器的電子系統為其市場目標。Ramtron的新款Processor Companion (處理器伴侶) 整合了帶有溫度補償晶體振盪器 (TCXO) 的精密即時時鐘(RTC),256 Kb非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM),以及一整套周邊功能。這款帶有TXCO的高整合度Processor Companion 器件可為電子製造商帶來極具競爭力的優勢,幫助他們降低零件的庫存和材料清單成本,減少製造步驟和潛在故障點,以及縮小電路板空間。FM31T378是帶有TCXO的新型Processor Companions系列中的首款產品,適用於儀表、執行時間監控器、使用時間記錄,以及其它需要精確時間標記的密集型資料收集應用。
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3 h& C; _8 \8 w/ ~' i% v帶有TCXO的Processor Companion系列產品還具有處理器監控程序,支持幾乎任何基於微控制器或微處理器的設計。這項監控功能可以檢測電源故障,並可啟動重置功能以避免軟體鎖定的情況發生。Ramtron帶有TCXO的Processor Companion產品還具有多種整合功能,包括:
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發表於 2011-5-13 14:53:32 | 顯示全部樓層
F-RAM非揮發性處理器 – Ramtron F-RAM處理器以先進的高可靠性鐵電製程為基礎,具有低功耗、無延遲 (NoDelay™) 寫入,以及100萬億次 (1e14) 的高耐久性讀/寫週期。
* O4 y6 ]- G! ?1 L8 N9 N. S# [溫度補償即時時鐘運作 – 嵌入式晶體和板載溫度感測器在內部校正晶體溫度特性,在工業溫度範圍 (-40°C to +85°C) 情況的精度達到每年±2.6分鐘 (±5ppm),精確的時間記錄元件在遮罩的保護下,可免於安全破壞和環境效應如振動、潮濕和突發的EMI/RFI。
) f, T& T) u+ z, w( v& ~3 j: a8 ]0 C低壓重置 – Ramtron Processor Companion器件的標準配置包括可程式設計的低VDD重置、可程式設計的看門狗計時器、備份電源控制器,以及手動重置功能。1 n( H( M' `1 E
附加周邊 – 兩個帶有篡改中斷輸出的電池供電事件計數器,一個32.768 kHz時鐘輸出、一個可鎖定的64位元序號,以及一個可用於早期功率故障 (NMI) 中斷的通用比較器。
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7 d( h8 Y" ?( A關於Processor Companion系列   8 T. `3 ?$ T/ k' G7 C

6 Z- Z2 p" p) T. FProcessor Companion系列器件整合了相互補充但又截然不同的功能,可以實現共用介面,並在系統電路板上省去多個部件。完整的FM31T37x Processor Companion系列包括帶有4Kb、16Kb、64Kb及256Kb等不同容量非揮發性 F-RAM記憶體的成員,預計將於2011年上半年提供4Kb、16Kb和64Kb密度的產品。FM31T37x系列採用標準14腳SOIC封裝,帶有TCXO的Processor Companion產品的工作電壓為2.7至5.5V,採用產業標準I2C介面以存取記憶體和控制所有的功能。該器件提供用戶可程式設計的可鎖定64位元序號,並具有兩個電池備援的16位元事件計數器,可用於日誌系統侵入(篡改事件) 或任何其它通用事件。這些器件與事件計數器共用時,篡改中斷功能可在發生企圖侵入事件時中止系統處理器。# H; Y* Y8 p' X0 T9 \

' U3 |5 U9 Y0 s2 l0 }* R; \& NRamtron提供採用14腳SOIC封裝的FM31T378器件樣品,訂購25000個時的起價為每個3.89美元。
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發表於 2011-6-21 14:08:53 | 顯示全部樓層

Ramtron第一批以IBM新生產線製造的F-RAM晶片樣品開始出貨

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世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈,開始提供以IBM公司新生產線上製造的首批先期驗證(pre-qualification)鐵電記憶體(F-RAM)之晶片樣品。FM24C04C和FM24C16C是位元密度分別為4kbit和16kbit的串列5V F-RAM產品,這些器件可為電子系統提供高性能的非揮發性資料收集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產品具有非揮發性RAM記憶體的性能、無延遲(NoDelay™)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。3 z1 @, @. v, g& V

$ M0 H$ z" H% R; V8 y. m4 m9 L, kRamtron公司執行長 Eric Balzer表示:「FM24C04C和FM24C16C晶片樣品的發表是Ramtron新代工服務專案中的一項重要里程碑。這些先期驗證晶片符合資料表上的所有規格和公司嚴格品質標準的要求,現在這批樣品可以提供給客戶進行產品評估。在測試完成後,我們將會提供其它晶片樣品,包括3V的I2C和3V及5V的SPI產品。」

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發表於 2011-6-21 14:09:03 | 顯示全部樓層
FM24C04C和FM24C16C採用串列I2C介面,工作電流為100µA(100kHz時的典型值),匯流排運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用於工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和運算應用及其它領域,可直接當作4和16千位元串列EEPROM記憶體的替代產品。FM24C04C和FM24C16C均採用工業標準的8腳SOIC封裝,工業工作溫度範圍為-40°C至+85°C。
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- G  X$ A% d) `9 S. z8 FRamtron公司FM24CxxC產品的單位元組(single-byte)寫入速度比EEPROM快200倍。此外,與之前記錄新資料需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件相比,這些器件具有無延遲特性,能夠以標準匯流排速度寫入。FM24C04C和FM24C16C的寫入週期為1兆(trillion)個,而EEPROM的則只有100萬個。與同類的非揮發性記憶體產品相比,它們具有極低的工作電流。
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關於IBM/Ramtron代工合作關係9 s6 J- k; B/ c( F$ W) R

9 [4 I: e; g8 f3 o) D: s2009年年初Ramtron和IBM達成代工服務協議,IBM在其位於美國佛蒙特州Burlington的先進晶圓生產設施中部署了Ramtron的F-RAM半導體製程技術。Ramtron的專有F-RAM技術堆疊已經加入到IBM的 0.18微米CMOS製程中,用於生產Ramtron的標誌性高性能非揮發性F-RAM產品。IBM擁有世界級代工服務,為Ramtron現有產品及新產品開發計畫提供了具有成本效益的靈活的製造平臺。
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