[問題求助] 何謂STI effect?

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kevin

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發表於 2008-1-25 14:15:23 | 顯示全部樓層

電晶體即使有相同的W/L,也會因為電晶體Layout形狀不同,而受到不同的STI(shallow Trench Isolation)機械應力,
導致不同的電氣特性.NMOS drain current 會降,PMOS drain current 會升.做類比Layout時,要注意此效應.
深次微米元件之間絕緣結構(Shallow trench isolation, STI)所引起的機械應力(Mechanical stress)變得更重要.

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