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由於DRAM Memory之技術與產品應用(如Low voltage, high speed, high bandwidth等)進展極快,有許多機會與挑戰值得深入瞭解,有鑑於此,我們特別邀請在國際Memory產業界知名專家:沈武博士及國內相關業者專家於2月14日同針對先進記憶體、構裝與產品應用等議題作深入探討,歡迎相關人士或對此課程有興趣者報名參加! 0 c6 d) c7 x3 U0 f; \2 U
+ [7 `( K* s5 ], k8 x1 _主 題:先進記憶體技術產品應用發展現況及3DIC整合機會 7 [$ B: J6 I' a+ ~$ W u" G1 t
指導單位:經濟部工業局 . S) D% u: R2 K
主辦單位:工研院資通所/電光所 ) i$ v% C0 {' `- p0 ?" \ F0 _
時 間:100年2月14日(星期一) 9:30~12:30 (9:10開始報到) : U, P( d& k) f- `+ [) P
地 點:工研院中興院區51館2B會議室(新竹縣竹東鎮中興路四段195號) w' Q9 G& x; T2 e
講 師:沈武 博士, Principal Engineer, LSI Corporation, USA
0 k+ P$ r# R5 o5 Y& Q; b8 i, Y◎ JC42.3B Letter Committee Vice Chair at JEDEC : o8 D) p O. J, ~8 b
◎ Sr. Application Marketing Manager, Product Definition and Innovations at Qimonda USA
! Y0 j P8 n6 Y$ D. L◎ Application Marketing Manager at Infineon Technologies.
, a8 F( B5 g% _1 y◎ Lead System Design Engineer at HAL Computer Systems , k0 Q7 `4 ^3 N1 n- r
: G, u0 n, L9 M議 程:
. B. p4 D8 h, [+ d9 mDDR Memory (I) 5 p2 B2 J. f2 W" W) k
●Highlight of DDR3
. b/ l" B, P+ d2 n+ O. V; U, k●Power Ramping, Reset 4 n; T n5 X6 V S
●Address/Command line structure and fly-by; Read and Write leveling 5 k8 f" ~: I+ E
DDR Memory (II)
: Y0 ^7 A" s% l* [●Data Path ODT and Dynamic ODT Usage : N$ a9 g6 q) Y3 k
●Challenges on DDR3 derivatives: lower voltage (DDR3L, 1.35V) and higher speed (DDR3E, 1866/2133Mbps) |
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