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德州儀器 NexFETTM Power Block 解決方案 以 50% 的尺寸實現最高效率、頻率以及功率密度! }* _6 l6 ]* r4 K; \
單一封裝中堆疊兩個 NexFET MOSFET晶片的高效能同步裝置 可支援高電流、多相位的 POL 應用. ]5 |, c8 | C s9 C1 f
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(台北訊,2010 年 6 月 8 日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出一款可在 25 A 電流下實現超過 90% 高效率的 MOSFET ,體積為同類競爭功率 MOSFET 的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D Power Block 透過先進的封裝技術, 將 2 個非對稱的 NexFET 功率 MOSFET 整合,為伺服器、桌上型電腦與筆記型電腦、基地台、交換器、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高效能。
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NexFET Power Block 除提高效率與功率密度外,還能以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流,可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局 (pinout) 與接地導線架 (grounded lead frame) 可明顯縮短開發時間,改善整體電路效能。此外,NexFET Power Block 還能以低成本實現與 GaN 等其他半導體技術相當的效能。( q1 p7 L2 _* C1 x0 O( |
9 n) v% {3 U B% q. [, L) WCSD86350Q5D Power Block 的主要特性與優勢
; Z1 a0 B9 z6 i. ~• 5 mm x 6 mm SON 尺寸僅為兩個 5 mm x 6 mm QFN 封裝的獨立式 MOSFET 裝置的 50%;! v, N' \! G8 M
• 可在 25 A 的負載電流下,達到超過 90% 的電源效率,與業界相同規格的 MOSFET 相比,效率高出 2%,功率損耗降低 20 %;! R- W7 ]: w* o& J. }9 j: W
• 與相同規格的解決方案相比,無須增加功率損耗便可提高 2 倍頻率;: j8 Z4 M5 c/ V. M6 ?9 l! I
• 底部採用裸露接地焊墊的 SON 封裝可簡化佈局。* Y$ ^4 p9 x( _# s' `; ]8 t; G; |
6 F# O% b: X. l$ n供貨與價格
$ _9 ?* B; |9 P, G3 F, R+ n8 b採用 5 mm x 6 mm SON 封裝的 NexFET Power Block 裝置現已開始大量供貨,可向 TI 及其授權經銷商訂購。CSD86350Q5D 每千顆單位建議零售價格為 1.75 美元。樣品與評估模組也已開始供應。 |
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