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GLOBALFOUNDRIES和飛思卡爾攜手開發90奈米快閃記憶體技術
)先進技術針對飛思卡爾下一代工業及多重市場微控制器平台應用
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; |7 U, @& G( }( K3 H6 q8 F% H- J加州密爾必達--(美國商業資訊)--在今天召開的首屆全球技術大會(Global Technology Conference)上,GLOBALFOUNDRIES和飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)公佈了一系列採用90奈米快閃記憶體技術的新薄膜儲存器(TFS)快閃記憶體產品的上市計畫。這種先進技術預計將用於飛思卡爾的微控制器(MCU)之中,針對從消費電子產品和家用電器到醫療設備和智慧計量系統的各種應用。; B6 Z5 R/ Z! p1 a
5 c' c& [; b7 f+ a# w: Y飛思卡爾的TFS技術具有FlexMemory功能,可設定電子式可抹除可編程記憶體(EEPROM),應用於ColdFire+™和Kinetis™系列32位元微控制器。這種以薄膜記憶體為概念的下一代非揮發性記憶體(NVM)產品將採用GLOBALFOUNDRIES的90奈米技術製造。早期測試晶片已經在位於新加坡的GLOBALFOUNDRIES晶圓七廠(Fab 7)進行生產,預計技術認證將於2011年上半年完成。
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90奈米TFS技術與其他傳統的非揮發性記憶體架構不同,採用了一種創新型矽奈米晶體技術,提供產業領先的可擴展技術,具有位元級的可靠性、速度、功率和尺寸。. ~2 X; o9 f4 V% ]
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GLOBALFOUNDRIES技術與研發資深副總裁Gregg Bartlett表示:「我們將協作途徑帶給代工廠產業,我們與飛思卡爾的合作就是一個很好的例子。我們運用在及時量產的產業領先能力,與飛思卡爾在產品開發早期階段展開密切合作,將這種創新型快閃記憶體技術推向市場。」 + j. U! P7 c6 Z
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飛思卡爾微控制器解決方案事業群資深副總裁兼總經理Reza Kazerounian表示:「飛思卡爾專注於開發與眾不同的嵌入式非揮發性處理技術,為客戶市場領先的微控制器解決方案提供支援。我們與GLOBALFOUNDRIES的合作夥伴關係將讓我們可以加快TFS技術的工業化,幫助我們走在嵌入式創新的前線。」 |
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