NXP半導體中文定名為 “恩智浦半導體”

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恩智浦半導體GreenChip為小筆電電源轉換器帶來更高的效能
新款TEA1733(L)實現精巧且高效能的電源設計
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! j% l7 X' J+ _【台北訊，2009年11月25日】 – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今日宣佈推出一款低成本晶片GreenChip TEA1733(L)，適用於75W以下電源，以增加效能並提升待機性能。TEA1733是一款開關模式電源(SMPS)控制晶片，專為小筆電及印表機的電源轉換器、液晶顯示器電源等低功率運算與通訊應用設備而設計，可達到低於100mW的待機功率水準。GreenChip TEA1733是恩智浦計畫於明年推出的一系列低功率AC/DC控制器產品的首款產品。   
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恩智浦半導體電源解決方案行銷總監Edwin Kluter表示︰「小巧美觀的設計需求日益受到市場所重視，而GreenChip TEA1733使消費者能體驗更小、更輕巧的小筆電電源轉換器，不但達到經濟效益，亦能節省能耗。GreenChip TEA1733在低功耗應用中達到了全新的效能水準境界，並減少外部元件的數量，使OEM廠商在保有產品高品質與高可靠性的同時，兼具價格競爭力。」

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TEA1733僅需要極低的10μA啟動電流，在正常工作時IC僅消耗1.25mA的低電流，能夠在低功耗的待機模式及所有負載水準下，達到更高的效率。高輸出功率下的固定頻率運作與低輸出功率下的降頻運作模式的整合，使電源在全部負載範圍內都具備很高的效率。TEA1733的高整合度可使電源的設計更小巧與輕巧，並且減少了所需的IC外部元件數量。恩智浦同時推出具有安全重啟保護功能版本的TEA1733，以及閉鎖保護版本的TEA1733(L)。


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作為設計與製造節能電源解決方案的行業領導者，恩智浦半導體迄今已銷售出約5億組GreenChip。GreenChip系列讓電源供應製造商能更輕鬆且更具成本效益地達到市場上的標準規格（例如80PLUS®和能源之星®）。GreenChip系列晶片專為節能所設計，自上市以來一直引領著個人電腦運算效能（尤其是筆記型電腦）的產業標準。

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技術訊息

在低功率應用的GreenChip TEA1733 開關模式電源控制單元，主要特點包括︰

·寬廣的輸入電壓範圍（12V至30V）

·極低的啟動與重啟電源電流（一般為10μA）

·正常運作時低電源電流（無負載狀態下，一般為0.5 mA）

·高/低輸入電壓下提供有補償的過功率（overpower）保護

·可調整的過功率時間

·可調整的過功率重啟定時器

·固定的開關頻率，利用頻率抖動降低EMI

·低功率狀態下，固定最小峰值電流，透過降頻操作保持低輸出功率狀態下的高效率

·工作在CCM下，具有斜率補償（Slope Compensation）。

·低的、可調整的過電流保護(OCP)等級

·軟啟動（soft start）時間可調整

·兩個保護輸入端口（用於輸入低電壓保護與過電壓保護，以及過熱保護和輸出過電壓保護等目的）

·IC過熱保護

上市時間

GreenChip TEA1733(L)即將上市。

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智浦半導體推出兩款業界最低0.65 mm的新2x2 mm無鉛離散封裝
3 s1 p6 T9 K- ~) D: h高效小型封裝的關鍵：SOT1061和SOT111散熱片的熱性能與其兩倍大的封裝不相上下
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【台北訊，2010年6月2日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 今日宣佈推出兩款業界最低0.65 mm的新2 mm x 2 mm小訊號離散無鉛封裝。透過具有良好熱性能和導電性的無遮蔽散熱片，塑膠SMD（表面封裝元件）封裝的使用壽命可提高，並提供3引線（SOT1061）和6引線（SOT1118）兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat電晶體和肖特基（Schottky）整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。該性能約與業界標準封裝SOT89（SC-62）相當，但只需一半的電路板空間。
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  j/ J4 y) c' V恩智浦半導體小訊號離散元件產品行銷經理Ralf Euler表示：「電路板空間及功耗是現今輕薄緊湊型電池供電設備的設計關鍵，恩智浦提供一系列的小型封裝組合以支援業界
" n8 b2 E9 r# Z: |! d發展更小尺寸的終端設備。新的產品線是行動設備、智慧型手機和筆記型電腦中高性能充電電路、負載開關以及開關模式電源（SMPS）等應用的理想選擇。」
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; A1 [# [; H# }" B( \SOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻，並符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準。採用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）

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* 全新SOT1118封裝的兩款20V/3A FET-KY（整合低VF的肖特基二極體）與一款20 V雙P通道MOSFET將於六月底推出。
* 提供額外的1 kV（HBM）防靜電（ESD）保護，提高ESD穩健性。
* 在具有ESD保護的20V級別的產品中，新的FET-KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）導通電阻為業界最低，閘電壓（VGS）4.5 V下額定電阻為80毫歐。為提高效能，在電流1A時其正向導通電壓（VF）也同樣為業界最低，分別為365 mV和520 mV。雙P通道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下擁有低至70毫歐的導通電阻，是高效電源管理應用的理想選擇。
2 ?' U! O& {7 L7 O) A* 全新SOT1061封裝的14款高效低VCEsat電晶體符合其作為突破性小訊號（BISS）電晶體的稱號：6A電流下的超低飽和電壓低至200mV，相當於只有33毫歐的RCEsat。
* 涵蓋12V～100V的全部電壓範圍，新的PBSS*PA系列集電極電流（ICM）峰值高達7A。
* 方便客戶採用SOT1061封裝產品，以代替大尺寸封裝的電晶體，進而在更小的面積上達到相同的性能。
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採用SOT1061封裝的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）
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7 n0 U$ ?5 ?9 G* 恩智浦的PMEG*EPA肖特基整流器，不僅具備低的正向壓降（forward-voltage drop），而且擁有高正向電流，是該類元件中第一款置於無鉛中型功率SOT1061封裝中的產品。
% V- w# k# O* e2 z$ E5 @0 u2 |" C* 五款符合AEC-Q101標準的的單一類型，平均正向電流高達2A，反向電流在 20V和60V之間。今年六月將新增四款1A和2A的雙整流器。
7 ?, R: j! \7 T6 H% s( |* 整合的保護環用於壓力保護，與市場上同類產品相比，擁有更高的性能和效率。
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4 s* ~4 D2 C  A$ f, Y4 v; a+ U% F上市時間
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- a: J# S3 }6 D, y, D  ~SOT1061和SOT1118中所有新的離散元件的樣品可立即用於應用設計。SOT1061中的低VCesat（BISS）電晶體和低VF單肖特基整流器已可接受訂購。SOT1118封裝的P通道MOSFET和FET-KY產品線以及SOT1061封裝的雙肖特基整流器將在今年六月底量產供貨。

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恩智浦半導體高速交換器支援USB 3.0、PCIe Gen3和6 Gbps SATA/SAS
( g2 E  \, l7 o! [* a' D4 [推出業界首款交換速率高達8 Gbps的多路器(multiplexer)  
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【台北訊，2010年8月2日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 近日宣佈推出業界首款支援USB 3.0和PCI Express Gen 3的高速多路器/交換器，提供高達8 Gbps的交換速率。恩智浦CBTU04083高速交換器亦支援其他新標準，包括6 Gbps的SATA/SAS和5.4Gbps的DisplayPort v1.2 HBR2。透過支援這些新標準，恩智浦CBTU04083多路器/交換器使系統設計者能輕鬆應對未來高階運算產品嚴苛的性能和訊號完整性要求。CBTU04083現已量產，樣品即將上市。
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恩智浦半導體介面產品行銷經理Joe Kochanski表示：「USB 3.0在速度上比USB 2.0高出10倍，人們對它的關注度很高，因此執行這一新標準的高性能運算產品具有相當大的市場需求。同樣，具有遠見的設計師在系統設計上也不斷改進，使產品支援8Gbps速率的 PCIe Gen3，而相較速率5Gbps的Gen2訊號速率快將近一倍。CBTU04083多路器/交換器支援超高速率，同時能使串音(crosstalk) 和偏移(skew) 最小化，這對於保持訊號的高完整性極為重要。CBTU04083加入我們的高性能混合訊號產品系列，使我們能進一步鞏固恩智浦致力於支援領先高速串列介面技術的承諾。  

, l' K! H  Q6 L! ^+ K" c$ i恩智浦CBTU04083是一個具有4對差動通道、2:1多路器/去多路交換器，速率高達8.0 Gbit /s。恩智浦採用創新的設計技術，使交換器導通電阻和插入損耗達到最小化，使衰減可以忽略不計，並同時最大限度減少通道到通道的偏移，以及通道到通道的串音。

整體來說，CTBU04083可提供：
/ H4 r+ ^$ b( S．低差動線對內偏移：正負位間最大10 ps
．低差動線對間偏移：最大35 ps
* b4 n& Q: r/ e$ N) q0 N- n．低串音：4GHz時 -30db
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此外，CBTU04083電源電壓工作範圍為1.8V± 10%，可在保持超低功耗的同時擴展現有的高速埠。

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恩智浦半導體發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體
恩智浦BLF888A電晶體打造強大、高效能的數位廣播發射器
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【臺北訊，2010年9月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率電晶體BLF888A。恩智浦BLF888A為目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發射器電晶體，支援470至 860MHz的完整超高頻 DVB-T訊號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上。出色的線性度，21Db的高增益和傑出的耐用性（駐波比VSWR大於 40:1）使BLF888A成為DVB-T等進階數位發射器應用的理想選擇。恩智浦將於2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展（European Microwave Week）上正式推出BLF888A（攤位號：194）。
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恩智浦50V高壓LDMOS製程技術和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了出色的性能表現，達到前所未有的功率密度及0.15K/W超低熱阻的新突破。透過BLF888A電晶體，廣播設備製造商可將現有以及新設置的發射器系統達到最佳化，提高產品性能，降低擁有成本。此外，BLF888A與BLF881驅動器電晶體的優異整合，將符合全系列功率放大器產品的需求。

/ K9 n* _" ~5 n. `  R7 G  Y恩智浦半導體公司射頻功率產品行銷總監Mark Murphy表示：「 BLF888A是一款非常特別的產品，實現了耐用性、寬頻功率與工作效率的最佳化整合。過去設計人員只能對這些參數進行平衡，始終無法提出最佳解決方案。現在有了BLF888A，全球廣播發射器工程師可放心將自己的射頻系統性能最佳化，無需再擔心功率電晶體問題。」

BLF888A提供兩個封裝版本：螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS)，新封裝使PCB設計更加小巧。另外，BLF888AS還能在更低的接點溫度下焊接。  
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( X( L  Q% [3 J# ]& [+ J8 I$ N' J恩智浦每年射頻元件出貨量超過40億件，是高性能射頻領域的領導者，恩智浦領先的LDMOS技術和先進的封裝概念創造了一流的射頻功率電晶體，為各種廣播技術提供出色的高功率和耐用性。BLF888A和BLF888AS目前已提供參考樣品。