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Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

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發表於 2012-3-15 14:18:42 | 顯示全部樓層
Microsemi 60W IEEE 802.3at標準PoE Midspan系列新增24埠產品/ K0 X. p3 \0 x6 K
為業界唯一同時支援新舊供電裝置,同時提升成本和功率效率的60W解決方案增添高密度選擇) B0 h$ f' M% T* s  O8 p- t. B$ p
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 宣佈擴展旗下60 W乙太網路供電(PoE) 中跨(midspan)產品系列,立即提供24埠產品PD-9524G,將四對線纜供電和Gigabit傳輸的優勢擴展到更高密度的網路部署。PD-9524G midspan中跨與PD95-xx同系列的單埠、6埠和12埠產品相似,經由所有四對乙太網線纜傳送最高60W功率,能量耗散僅為傳統兩對線纜解決方案的一半,同時將用電量減少15%。
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美高森美公司副總裁兼類比混合訊號部門總經理Amir Asvadi表示:「現在,美高森美的客戶擁有從單埠至24埠的完整密度選擇,為範圍廣泛的供電裝置提供60W電源。其它任何60W供電方案不管採用何種介面技術,均無法提供相同的靈活性、低部署成本和出色效率,且同時支援新舊電源裝置的綜合特性。」
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PD-9524G midspan採用與美高森美新近推出的PD-5524G midspan相同的省電PoE (EEPoE)技術,為功耗高達25.5W的裝置實現節能,同時符合IEE802.at-2009標準。除提高電源效率之外,美高森美的PD-95xxG midspan系列可讓使用者指定具有單一四對線檢測介面的供電裝置(PD),從而改善網路部署的靈活性。其它的電源裝置解決方案需採用昂貴的雙PD介面,才能為PD提供60W功率,將引致成本過高的問題,尤其是在高密度網路安裝的場合。
2#
發表於 2012-3-15 14:18:59 | 顯示全部樓層
PD-9524G產品與美高森美的其它60W midspan相同,包括一個Gigabit介面,可更輕鬆地支援如Pan-Tilt-Zoom (PTZ)網路相機和精簡終端機等高功率裝置。還可導入IEEE 802.3at技術規範規定的雙事件分類,以用於連接裝置的通訊。PD-95xxG系列的所有成員均專為經由乙太網線纜為高功率網路裝置供電的應用而設計,無需連接外部AC電源。這些裝置還採用了支援所有舊式PoE裝置的專利供電技術,提供現時效率最高的解決方案。美高森美的擴展PD-95xxG系列,進一步加強對包括多種數目連接埠的網管與非網管型的midspan產品系列的陣容。. J% G& n: F) ~+ |; t; u/ }" i

$ \+ c. B3 \/ R( `+ y6 q+ g相容性試驗
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( W& O% N# t1 q+ z# l美高森美最近完成PD-9501G、PD-9506G、PD-9512G和PD-9524G midspan與一家世界領先的電子產品廠商的網路監測器的相容性試驗。這種稱為「零終端機」(zero client) 的監測器包括一體化LED監測器,並且可用於PC-over-IP (PcoIP) 雲端運算顯示應用。這種最初設計由通用乙太網供電(UPoE)開關供電的零終端機,能夠與美高森美的PD-95xx midspan系列100%相容。
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發表於 2012-6-20 12:11:13 | 顯示全部樓層
Microsemi提供可用於極端溫度環境的FPGA和cSoC產品 可程式元件可在攝氏150至200度下運行
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC)宣佈,其可程式閘陣列(field programmable gate array,FPGA) 和SmartFusion®可客製化系統單晶片(customizable system-on-chip,SoC) 解決方案現已具備在攝氏150至200度下運行的極端工作溫度範圍特點。這些元件已經部署在井下鑽探(down-hole drilling)產品、航太系統、航空電子設備,以及其它要求在極度低溫或高溫環境中提供高性能和最高可靠性的應用中。# R$ `; @) t1 [& V/ I' }4 Z, ~
! K8 \# H5 j2 m
美高森美SoC產品部門市場行銷副總裁Paul Ekas表示:「這些元件在極熱和極冷的溫度下能夠十分可靠地運行,這對於石油勘探應用、航空航太和國防設備,以及其它用於嚴苛工作環境的產品來說,是不可或缺的特性。美高森美新推出極端溫度解決方案,顯示公司繼續致力提供始終如一的高品質解決方案,應對嚴格的產業挑戰。」
# x1 v' M6 v& f8 M3 M/ Y/ p. v6 n. g* Q5 q: G" d2 R- [
下列美高森美產品現已提供極端工作溫度範圍型款:
, a; a# }( c6 [; w0 k
產品技術特點
SmartFusion® ! _# S: k. f# Y0 B9 B9 r, l
(A2F)
混合訊號(快閃型)可重新程式
, i2 n$ ^/ H- l
Fusion (AFS) 混合訊號(快閃型)可重新程式
ProASIC®3 (A3P) 快閃型可重新程式
IGLOO (AGL) 快閃型可重新程式
ProASICPLUS1 _: v+ X7 ?% O5 a0 b+ E
(APA)
快閃型可重新程式
SX-A 反熔絲型一次性程式2 G& ?- u' z5 Q
MX 反熔絲型一次性程式
ACT1, 2, 3 反熔絲型一次性程式
4#
發表於 2012-9-4 15:53:17 | 顯示全部樓層
Microsemi新型封裝技術有助達成小型化可植入醫療器材
1 J  Q0 C9 G7 N7 c, q7 V先進的晶片封裝技術將無線電模組占位面積減少75%
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致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣佈,其新晶片封裝技術已經通過特別針對主動可植入醫療器材的內部驗證制度,包含符合MIL-STD-883測試標準的熱和機械應力。該晶片封裝技術針對可植入醫療器材,如心臟起搏器和心臟除顫器;還可用於佩戴式醫療設備,如助聽器和智慧配線,以及神經刺激器和藥物遞送產品。
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美高森美突破性封裝技術,可將公司現有的可植入無線電模組的占位面積減少75%。小型化器材容許醫生使用微創手術,提升患者的舒適度,並且加快復原時間,同時可降低醫療保健成本。更小巧、更輕盈的無線醫療器材也為患者帶來了更大的行動性。1 z8 m0 K1 y3 Z6 r! y4 U
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美高森美公司先進封裝業務和技術開發經理Martin McHugh表示:「這種內部晶片封裝技術的驗證符合我們客戶要求的參數,提供了推動小型無線醫療產品開發的解決方案。這些先進的封裝技術還可以與我們業界領先的超低功率ZL70102無線電相輔相成,提供無線醫療保健監護。展望未來,我們計畫將小型化技術和無線電技術應用到智慧感測等其它市場,以及尺寸和重量為重要成功因素的應用領域。」+ Y" ^& B6 q) x3 {& Q

2 D9 r# C3 e* @/ W關於ZL70102
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, v9 ?7 `: Z/ J! \# H* i美高森美的超低功率ZL70102收發器晶片支援資料速率十分高的RF連接,適用於可植入醫療通訊應用。該晶片的獨特設計,能夠實現快速傳輸患者健康狀況和器材性能的資料,而且僅對植入式器材的有效電池壽命產生微小的影響。ZL70102專為植入式醫療器材和基地台而設計,且可於402–405 MHz MICS頻段運行。產品支援包括使用2.45 GHz ISM頻段喚醒接收選項等多個低功率喚醒選擇,以用於超低功率運行接收器。
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發表於 2012-11-28 14:04:02 | 顯示全部樓層
Microsemi提供S波段 RF功率電晶體適用於空中交通管制雷達航空應用 現提供新型500W GaN on SiC電晶體產品
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4 e9 ~6 G7 |/ Q& u; H/ i" t功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 擴大其建基於碳化矽襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)電晶體系列,推出新型S波段500W RF元件2729GN-500,新元件針對高功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用,ASR用於監視和控制在機場大約100英哩範圍的飛機。: U( O. I7 G8 W1 G8 O& l

6 @8 J$ d( q9 J# }# b* C1 b, N在2.7 至2.9 GHz頻段上,2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能,經由單一元件在這個頻段上提供最高功率,主要特性包括: $ r5 u8 `5 F8 k) z' c7 R! H* }# J3 \
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•        標準脈衝間歇格式:           100µs, 10 % DF+ w& X4 z- p0 F) u9 a. w& C$ ~; l
•        出色的輸出功率:                 500W
/ R% C  B& O3 f$ A: f  S•        高功率增益:                         >11.5 dB min9 X0 Y0 S% V! o+ t+ E/ [- h
•        洩極偏壓−Vdd:                 +65V+ d* V; h  I! l4 \7 W# Z: X
•        低熱阻:                                0.2℃/W
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發表於 2012-11-28 14:04:06 | 顯示全部樓層
使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括:6 Z/ K4 D; T3 g/ L6 @
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•        具有簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要額外整合較低功率元件4 n. c4 f. ?7 J1 A$ |
•        最高峰值功率和功率增益,可減少系統功率級數與末級整合" w( z8 M- u; X* x" x
•        單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率,經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率6 Z/ R' `2 p7 q5 f, o' U0 @. J- x5 ]9 k
•        65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求
' z5 g% b8 G# P) R8 R•        極其穩健的性能提升了系統良率,而且" c/ `. z2 j2 g6 L
•        放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%5 b) q( n# c. C4 _4 Y

: B& z& \2 X8 x  M: W# G  h& L4 Y封裝和供貨:
8 N' s2 l/ J7 C0 W" \$ F2 V. L' F. h5 P# b  [# C1 U* L/ h
2729GN-500電晶體採用單端封裝供貨,在密封性焊料密封封裝中採用100%高溫金鍍金線材佈線,以達到長期軍用級可靠性。
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