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原帖由 odim 於 2008-3-20 09:56 PM 發表 " c% M; b' X, |1 Q- K h2 g, x6 u foundry的guideline基本上是1000um放一個, 5 k$ ]" Y* y! T) `( g實際上的概念是任何IO對power clamp的metal 阻值小於3 Ohm,. _# o! |1 b+ ] D 而更先進的製程進一步規定需小於1 Ohm.
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原帖由 cthsu1 於 2008-9-8 11:15 PM 發表 2 U1 _0 U0 {7 o$ [0 m5 {" B 看是哪一家製程7 F8 ~" R8 U$ q- X2 N& I RC設計大於 100ns 小於 1us 即可. T4 T. l0 o! ] 4kV 的話 NMOS 要化大一些
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