Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

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Microsemi推出新封裝型式的耐輻射型「太空飛行」FPGA元件  RT ProASIC®3能以強韌的陶瓷封裝供應
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 今天宣佈，該公司的耐輻射型(radiation tolerant) RT ProASIC®3 FPGA產品系列現可以陶瓷四方扁平封裝(CQFP)形式供貨。CQFP封裝符合經過時間考驗與飛行驗證的電路板和組裝技術要求。此外，陶瓷可耐受極端的操作溫度，使其成為要求嚴苛的航太應用理想材料。

) {+ Z1 {* I/ P% a) J! BMicrosemi的RT ProASIC3 FPGA是同類型元件中的首款產品，可為太空飛行硬體設計人員提供耐輻射、可程式、非揮發性邏輯的整合式解決方案。此元件適用於需要以高達350 MHz時脈速度運作和300萬個系統閘的低功率航太應用。此元件可在低功率應用的1.2V和效能導向設計的1.5V核心電壓之間運作。

RT ProASIC3 FPGA是以安全的快閃技術為基礎，可免於受到輻射引起的破壞性配置錯亂，並同時消除了額外的程式碼儲存需求。易於重新編程的FPGA能夠加快實現原型製作與設計驗證功能，以簡化產品開發工作。

Microsemi已為要求嚴苛的航太應用提供解決方案超過40年之久，目前擁有150多項完全合格的產品。公司的標準化和客製化航太解決方案包括轉換器、可客製化系統單晶片(cSoC)解決方案、MOSFETS、整流器、切換式二極體、電晶體、DC-DC轉換器和齊納二極體等。
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! k7 Q4 k% I0 x$ ?! H& d7 t) x採用CQ256封裝形式的RT ProASIC3 FPGA將於2012年四月起提供樣品，2012年六月前可正式供貨。

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Microsemi發佈用於二級監視雷達航空應用的RF電晶體繼續擴展GaN on SiC產品組合

. \7 G. R0 [  O6 ~* I  @5 W2 x功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈推出第一款用於高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELM。SSR用於發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機，並且同時收集資訊，容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM元件的峰值為700W，工作頻率為1030MHz，並且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 (extended length message, ELM) 。新型電晶體建基於GaN on SiC 技術，這項技術特別適合高功率電子應用。

. t9 G( _2 e$ ^  D' l" i美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示：「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件，把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈，讓我們現在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC電晶體，用於二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品，將於今年稍後時間推出。」
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! e4 [, T, [( n3 m美高森美即將推出的產品包括多個用於L，S和C波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體，並且提供一整套GaN微波功率元件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。

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關於1011GN-700ELM RF電晶體

1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 洩極效率，以降低整體洩極電流和熱耗散，其它的主要產品特性包括：

2 B/ c: [  Z" ?. D: }  ^/ \6 W5 {8 D•        短脈衝和長脈衝間歇模式:           ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD
•        出色的輸出功率:                        700W
+ }; w, z( b5 _•        高功率增益:                                 >21 dB最小值
•        經控制的動態範圍:                         增量1.0dB，總計15 dB
0 ?9 `9 R. c, V) `- l1 N# ~0 T4 S•        洩極偏壓  -  Vdd:                        +65V

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括：

•        採用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
: l" x" m7 x" l•        較高峰值功率和功率增益，用於減少系統功率級和最終功率級合成
2 p- i. o$ b# _8 U$ `•        單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率，四路結合提供4 kW整體系統功率
•        65V高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求
( T! _4 m: y. _/ I6 v8 o' e7 F•        極高穩健性，提高系統良率
- W- j% `6 G  t9 Z! O$ i•        放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%

封裝和供貨
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1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線，提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期，但鑒於產品成本的緣故，不會提供免費的樣品。

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Microsemi為旗下主流FPGA產品推出 專為要求小外形尺寸之應用而設計的全新小型封裝器件
' O* G7 c) i1 Y" E全新的小型封裝選項可額外節省高達50%的PCB面積，並強化了美高森美在小外形尺寸單晶片可程式設計邏輯解決方案領域的領導地位

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈為旗下的主流SERDES-based SmartFusion®2 系統單晶片(SoC) FPGA和IGLOO®2 FPGA器件推出全新的小外形尺寸解決方案，這兩款採用非揮發性Flash技術的FPGA器件，可省去對外部配置記憶體的需求，為設計人員提供業界目前最小的占位面積。新封裝的推出擴大了美高森美真正基於快閃技術的可程式邏輯器件的產品組合，為這兩種產品系列增添了多種小外形尺寸封裝，包括FCS325 11x11mm、VF256 14x14mm、FCV484 19x19和VQ144 22x22mm。

美高森美市場行銷總監Tim Morin表示：“客戶對於高可靠性、安全性和小占位面積SoC FPGA器件和FPGA解決方案需求不斷增加，這正是我們為最新主流FPGA產品提供多種小外形尺寸解決方案的催化劑。我們很高興擴展了主流FPGA產品的組合，為客戶提供更多的競爭優勢。”

美高森美建基於快閃技術的主流FPGA本身就具有較小的電路板空間需求，而全新小外形尺寸解決方案的推出更進一步擴大了此一優勢。例如，配置一個90K LE 建基於SRAM 的 FPGA器件所需的SPI flash約佔用了100 平方毫米 (mm)的額外承載板空間，這大約是採用11x11封裝的M2S090器件所佔用的全部面積。除了節省高達50%的PCB空間之外，與其他同類FPGA產品相比，新封裝解決方案也因器件外部互連數目的減少而提高了系統的可靠性。
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9 Q3 j; f& b% ?- J最佳化後的新小外形尺寸解決方案適用於通訊、軍事/國防、工業自動化、汽車和視頻/成像市場，以滿足業界對更小占位面積解決方案日益增加的需求，同時也讓美高森美這類產品的觸角擴展到這些市場。這項優勢為客戶提供了更低的整體營運成本，並為像是Smart SFP™、安全的公共安全無線電和小外形尺寸地球物理學感測器存取等應用的設計人員，提供了在現今市場上具有最先進安全性、最高可靠性和最低功耗的FPGA器件。