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美高森美為NPT IGBT產品系列增添多款新器件
. ~: S9 p* I, c5 \+ L針對大功率、高性能的工業應用而設計的全新25A、50A和 70A IGBT器件
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4 K0 G7 {# {7 t- s/ g2 B功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC)宣佈在其新一代1200V非擊穿型(non-punch through, NPT) IGBT系列中新增十多款全新器件,其中包括額定電流為25A、50A和70A的器件。 t; I0 }) b" A2 Q# b- r3 @* R* B
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美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的,最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器,以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8™技術為基礎,相較於其他的競爭解決方案,總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。! |( O+ W0 B9 v' W
/ u4 h2 }6 t! P4 _& w美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣,可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起,以便為工程師提供高整合度的解決方案,從而簡化產品的開發工作。其它特性包括:
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7 o# o/ U6 x5 c9 t. j• 與同類器件相比,柵極電荷顯著減少,具有更快的開關性能;
0 S, c1 h, J8 j2 |; c" \• 硬開關運作頻率超過80KHz,可實現高效的功率轉換;
( d* n6 p( x7 V! c0 b3 J• 易於並聯(Vcesat的正溫度係數),提升大功率應用的可靠性
V, }( _/ i- |9 m• 額定短路承受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的應用中實現可靠的運作4 K( e9 |! g& C6 R
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除了器件優勢之外,美高森美還為NPT IGBT器件提供貼片-D3封裝,可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的製造成本。
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封裝和供貨
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) ?) i) W' d9 e. s, Y* C) _美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件,額定電流有25A、40A、50A、70A和85A。IGBT產品採用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。 |
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