想請問那裡查詢的到簡單的反相器設計電路實例

yhchang

一般的人 講的基本閘
並不是 AND 跟 OR

& U4 j7 B1 Y9 f+ c+ F9 l/ |而是NAND Gate 與 NOR  Gate
這兩種電路都是兩個PMOS與 兩個NMOS組成
, T7 @* {; |- }) W
' y4 {+ `9 {: M0 y8 a只是差別在

: V& R- |6 Y9 X. }" bNAND gate:  下面兩個NMOS   串聯,  上面兩個PMOS並聯
. x1 s1 {+ S0 l3 GNOR   gate:    下面兩個NMOS  並聯,  上面兩個PMOS串聯

yhchang

我認為所謂基礎扎實的觀念是
) T% a- o6 }6 J5 X* ZLAYOUT除了要會畫不同類型電路的佈局圖之外
也要懂一些基礎觀念
一個是  一個Silicon是怎麼做出 IC的
+ D# M: F3 \; i+ x1 G這就牽扯到  積體電路製程概論
" b' U% S2 m3 h( T2 @另外一個是  一些 Latch-up  ESD 還有基本的MOS 操作區域的觀念
以上這些東西  都可以在任何一本VLSI的課本中 學到
+ q" W. k1 O9 |- O
所以把VLSI 積體電路設計概論的課本 讀熟讀通 應該是LAYOUT工程師
的理論基礎吧

yhchang

即使沒有畫出  反相器的 LAYOUT

& I- c4 z2 E" B# t1 \也會知道  好的反相器就是  rising/falling 時間 必須要盡量接近
0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay  的skew也要盡量接近
- e+ F  O4 f+ |3 \5 Z* F如果反相器用的SIZE大  要怎麼畫 FINGER
finger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation
, R5 B1 h* E  ?  I
) U6 }2 M7 A- r" p1 d/ n6 ?* e其中  如6樓所說     PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
PMOS width必定是  NMOS width的兩到三倍

( N- ]2 p3 a/ e; h其原因是因為  不管是哪一家的製程
. z& O9 h( e! i遷移率 (mobility)  NMOS都是PMOS的兩到三倍
1 G9 Z0 \- f& f0 u# g/ }3 u所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L
才能得到  跟NMOS一樣的Idsat
: @; Q& d- a, J: i* A
這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念
這對找工作絕對是加分.