如何減少RC效應?

yhchang

我覺得可以用一個簡單的方法
' S8 }  ?2 A7 D* d6 x9 O就是把你的Bandgap的LPE檔案拿出來看
把寄生電容排序一下
再把寄生最嚴重的幾個點拿出來看
' |" F' }) l/ c看看寄生效應最嚴重的點是在你電路的哪些地方?
4 F" l6 H4 \- y' L+ C& X其實這些點只要出現在你的 Cueent Mirror或是BJT或是Resistance
或OP附近   相信都會對你的Bandgap 它整體的Performance
& ]/ Z, `. L2 ?7 P; U造成很嚴重的影響
然後你再去想  到底該 怎麼重畫它  才可以降低這些點的
9 Q2 b. ], U! b$ X6 t6 kParastic Capacitance
7 T4 F$ i: C- t. K
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-27 11:13 PM 編輯 ]

yhchang

做完 LPE 之後    能過LPE就表示LVS也通過了
這時候電路上 你想要看的節點   即使沒有打LABEL 也應該會有流水號
  Y8 `3 x5 X5 B8 _  u應該會是以 Hierarchical 形式 呈現

* e6 M! s0 t3 K5 b0 L以Calibre來說  會是這樣的格式

7 l1 w2 o- v1 {! a7 b寄生電容編號          節點名稱A                      節點名稱B     寄生電容值                        
3 T- `. d: q2 g4 S5 a9 j( f0 Cc000012345           xsdctl.xyctl.n1n4316       vss               7.66ff
3 S: Y4 F( ~$ A# E4 p, bc000012346           xsdctl.xyctl.rba0              vss                8.50ff
....
- N% c( |9 @, \: r! B; m
" L* M& r( u& F3 V" V; V這裡的節點AB可以是
可以是某個點對VSS的電容
也可以是兩個點之間的 Couple 電容

0 \) Q. H. ]; h, I1 Q/ s( ]不知道這樣有沒有回答到你的問題
如果你去點 你的電路的 Line  應該會出現流水號的節點名稱
你再去看 LPE檔案裡面有沒有那個節點名稱 對 VSS的寄生電容值

yhchang

抱歉一文多貼   只是我覺得兩篇文章好像都可以用同樣的答案來回覆 ^_^|||

+ v4 q6 W5 C; f/ ]$ E" [我印象中 Calibre 有三種抽取方式
$ J' ~# h$ U) M' v
1.  Lump
9 t% \" e. a( P7 Q! V2. Distribute
3. point to point
& y+ K- s9 [% [5 _
選第二種  第二種是把 節點 用 RC  Pai-model(抱歉不會寫數學符號)的形式表示
所以會看不到該節點的 total 的寄生電容
7 E$ p& A$ {7 q( ~$ b+ r  ^" r
8 v; h, |5 D, u& D- C, i5 u7 k選第一種  會把 該點對地的電容算出來  但是電阻會被忽略
9 n$ w+ b, I4 g, Z選第三種  除了 RC Pai-model之外還會有 couple電容出現.

所以選擇第一種抽取方式 應該是你想要的單點對地的寄生電容  電阻的部份 自己看製程資料的
& M; K$ r" X# I1 G( X各層的 square電阻 自己model就可以了.

選擇第一種抽取方式 得到LPE之後   在把電容值做排序
sort -n +2  lpe_file  >!  new_file
就可以看到  哪些節點比較 Critical了
自然就會明白 那些節點在連接的時候,  Layout畫得不好.

2 l% y+ i: L' P: F* P9 R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-31 11:03 PM 編輯 ]