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回復 #1 君婷 的帖子
關於你的問題:* N% u2 ~8 r& X, `$ H1 L/ y$ x
Epd>=2λ：閘poly需超過diffusion的最小長度。若不超過話，在diffusion or Implant source/drain時，將使source/drain因為diffusion overlap而短路。- F+ Q& I/ ^( ^% q
. m% p3 ?, n* ]" A其實是多慮了,這只是特殊情況,沒有人會犯這種錯, b, B& |$ W! E: H7 n9 R- t
我們在畫MOS的時候不是會把poly覆蓋在diffusion上嗎? L4 l' q( }5 @
其中的兩邊就是source跟drain,) N1 A4 t% }$ H }3 F
而poly跟diffusion覆蓋的區域就是gate6 ~, e; ]7 k3 {$ y4 B& a
這是無庸置疑的嘛~' V" a. R* F4 o \5 n# K- g# B; z
MOS一般的digital操作我們知道就是在gate上施加電壓以使其導通或截止, c7 S, q$ h) Q a* k
書上寫的意思是說poly我們都會使它超過diffusion,4 D5 W" H0 V- E& @8 W7 d1 B
而超過多少則有design rule規範
2 d7 j0 [0 d( B4 x @! S+ N5 ]5 r如果今天poly的某一端沒有超過deffusion,
% T6 b! m# q1 c4 v- M也就是說poly並沒有整個把兩塊diffusion區隔開來
; r" Z8 k/ F( q& v7 x! s* B$ _這樣的話就沒有形成source跟drain
$ t- [0 N, Q/ ~0 A: I6 |' |也就不算是一顆MOS,7 D" M; W! H! h+ ]
所以書上才會說兩端短路,是因為根本沒有區隔出source跟drain
8 v' e! J6 X2 x1 L8 B6 Y+ n0 S4 ]) h2 ^
而λ只是一個單位符號,看看就好,
: Z& O7 ~( d# c& j; e+ g他只是為了要讓看書的人大概知道幾λ幾λ,
/ U; l5 | h$ q/ E這個rule跟那個rule大概的比值是多少,- l# v8 Z4 t/ w4 r: Y
所以不用太在意,畢竟每個process的rule都不一樣
/ @; {1 q# V! O1 J& j所以書上為了不想表示成一個定值7 d: Z, j1 S" @. a* z
就用λ來表示,意思相信也是希望讀者不要認為它是個絕對的值- S1 I9 @0 g; i
' T$ ?6 A4 b% w: p! _0 a從您的發問可以看出來您是位剛入門的同事
I. j# \( N* w' Q) A因此建議您書上的看看就好,design rule比較重要!
: ]4 O1 m- K) n7 f' h! E$ v( S: z& b. E( I% Z8 `4 k
小弟的淺見!
: q+ u/ ]& S, o7 i5 @如果有不對的地方還請指教~7 c# n K3 c. C* B8 r* r$ k
: M( n1 e- s& ~9 N3 y% Z( m# g
[ 本帖最後由 vlsi5575 於 2007-7-13 02:06 PM 編輯 ] |
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狗仔卡
發表於 2007-7-13 13:58:59
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