ESD防謢電路中，MOS的source與Drain大小不一樣，請問為何呢？謝謝！

klim

我的ESD防謢電路中，MOS的Source與Drain的SCG及DCG都有加長,
) D1 {2 `6 e8 G) E1 J! u8 |SCG約為DCG的一半，HBM可過+/-8KV, 但MM只能過+/-300V,
: d$ U6 J( t( J. [( A: p0 K有做delayer, 發現是死在source與poly的介面, 請問為什麼？
/ t8 R% F. q' P0 Z; J( d' J知道答案的大大，請為小弟解答一下，謝謝！