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本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-6 01:18 PM 編輯
; J4 T6 `2 Y5 J+ {& L- G1、高压(700V)反偏二极管的ESD能力如何评估?: , _, T t/ r- K/ X1 t; t9 X% q
我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线,TLP电压打到1000V,电流只有0.14A。按照It2与ESD能力的对应,该Diode HBM能力只有200V多一点。请问这样理解对么?据以前敬仰,曾经有测试过高压Diode,TLP的It2很小,但是HBM测试能过3KV。请问这个怎么理解?高压Diode TLP测试不能代表HBM能力?+ O/ f! L$ q- J9 J" X! R
2、越是高压器件,ESD就越不是问题。这个观点对么?
" Z1 [) O" c& r' j Z: e可不可以这样认为:ESD是一股能量,对于高压器件,比如700V反向二极管,只需要很小的电流就可以泄放掉大能量。因此,在没有电场击穿的前提下,高压器件抗ESD的能力几乎是不用考虑的。比如,一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对么?
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* ?/ s l5 n3 e0 C9 fANS 1,具体HBM值应当与TLP波形相关,若BV电平在1000V左右,It2在0.14A左右,不考虑测试时候寄生电阻误差(同时仅考虑单个器件的ESD测试),那么HBM值当小于1210V,TLP对ESD LEVER的评价应当是最精确的描述,当然价格也更贵些。
3 n4 c: U9 _" tANS 2,这个问题“通俗”的说是对的,但是就逻辑上来说,这是一个错误的命题。典型的例子就是您的这种情况。700V mos它的ESD能力可以轻易达到1000V左右,那么你说它的Esd能力如何?0 u3 m+ e" i- J. h' p2 p6 W
; U* W& O& u1 M" Q( P+ X- EPS1,目前HBM测试机台,误差在500V以内是很常见的,如果长时间没有校准,1500v的误差也可能出现。通常来说,用TPL逆推HBM值,才是DUT的ESD能力的准确评估。& i) c- p; h( w! u7 H
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PS2,通常HBM模型ESD PASS最大电压值等于1.5K*It2是因为通常亚微米管BV值在几伏特到十几个伏特之间,所以忽略掉这个值。若稍微修正一下,HBM=It2*1.5K+BV,从这里来看,BV值高会弥补It2较低的影响,但是却不是唯一影响因素。1 y6 `* m1 V- S1 I- v% b, m2 c8 M. B
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