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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 顯示全部樓層
poly fuse ...% |# J8 y1 T4 d6 O5 F+ [) f
我看到的fuse 很少有用poly fuse# W6 y3 L2 V6 {: T9 H
通常是用metal fuse...% C9 ^* ^: }) ?5 u2 ~! ~0 }
我以前看過有使用poly fuse
1 w) `# K5 b  m1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA)
7 V/ M& q, [5 j" y' Y大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷
9 \7 ]- b( V- N4 v. M6 e有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)4 C% |3 N/ t1 _) L
發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了
/ L5 @' ?' p: U  C' x  j* x  [才發現到layout 的形狀也是蠻重要的) `/ k' D+ x+ U! B, O; u
最好要有轉角(電流集中)7 X7 Q7 A7 P  m' F; J; \0 [. I' h$ s
2.fuse 的地方通常會開window3 I9 {: x) c* ^8 o4 `
......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???
2 d# S5 C% L/ \7 y+ @' o! z目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........
1 \& W; s" w5 G" i
5 O* C+ I3 K+ v# E! i9 b5 r以上是實際的經歷,僅共參考

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參與人數 2 +6 收起 理由
skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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2#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 顯示全部樓層
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法+ b" r2 h3 o% O) J& c
   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)* ~3 I2 m, \$ c: m) A
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確
& a# Y/ J6 n$ s9 h# D! \   但是工程樣品的數據大約 80% .
/ Z1 I# Y: L7 y7 c. R  S
& |- n1 g) |$ {: u2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷
( g' b: g2 A, I  h0 R0 D   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去/ }( f: w. R; A: |7 u
0 ]/ o9 q" G" ~0 Q, R* C% |8 [  Q) n- {
3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)  P  C1 F8 l: |  U! Z$ Z( \0 o' k
   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....
/ ^2 P+ x  ?/ \) e( ]  c$ k! R' ]9 U7 E6 [9 U, n
4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
& O1 b$ ^) s* v0 o( z   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是......." r! |) r' x) U& c* d
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的
8 f% C! Z9 L4 p: n   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),; X1 j4 h" S3 B7 ~
   面積當然省啦.....
) t& g4 ]7 f( I) b) q4 |! ]% {6 z9 l   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以+ S( S, u' Z& t1 n
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給+ J: e4 V% o; U, E; s, O# b9 \
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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