RAMTRON擴充FRAM-ENHANCED MCU家族陣容 符合工業標準可直接替換8051架構的微控制器

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系列中包括待機電流低於0.5µA的超低功耗器件 適用於便攜式、電池供電和低功耗系統

全球領先的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈擴充其非揮發性狀態保存器系列，推出4位元的狀態保存器，此狀態保存器以4位元的 F-RAM技術為基礎，不需要電源即可保存邏輯狀態，並在上電時自動恢復輸出。任何狀態改變均會自動記錄在非揮發性的鐵電鎖存器 (latch) 內，此一成果之所以能夠達成，完全是因為F-RAM記憶體技術具備獨特的高速寫入能力和低功耗特性，以及極高的耐用性。
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- [2 B: p" O  {( y# jFM111x 4位元狀態保存器目前有三款產品：即工作電壓為5V的FM1110；以及工作電壓為3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作類似傳統的邏輯構件，使用起來就像雙鎖定儲存器或D型觸發器一樣簡單，但在斷電時可自動儲存和保持邏輯狀態，從而簡化了各種應用中系統控制功能的設計，包括開關介面、轉換暫存器、繼電器驅動器、LED驅動器、記錄錯誤旗標、掉電狀態檢測、干預 (tamper) 指示器、開門指示器、電機開/關控制、DIP開關的替換、跳線器 (jumper) 的替換及其它非揮發性邏輯電路。FM1114的獨特之處在於具有低於 0.5µA的超低待機電流，因而讓它極適合用於便攜式、電池供電及低功耗的應用，如八進制 (octal) 的鎖存器和非揮發性計數器等。

* V4 D0 r; k8 P9 K' d! wRamtron的技術市務總監Craig Taylor表示：“FM111x是2位元狀態保存器的自然擴充，是專為應用需要更多數據的客戶所開發的。4位元狀態保存器是我們不斷演變、真正創新產品系列中的第二條產品線，F-RAM技術具備高速寫入、低功耗和幾乎無限的耐用性，因而使得這一功能得以實現。”

! g# V  X$ X5 h/ |1 m5 C這種低功耗非揮發性狀態保存器是一個邏輯構件，不需要讀取記憶體就可以對非揮發性系統的設置進行連續存取。它能夠儲存變化頻繁而不須要預先通知的信號，還可以在不需要增加串列記憶體系統負擔的情況下，對系統設置進行非揮發性的儲存。

產品特性
$ V$ k$ l) Q) E: lFM1110的工作電壓範圍為4.5 至5.5V；FM1112則為2.7至3.6 V，具有低於10 µA的低待機電流；FM1114的工作電壓範圍也是在2.7至3.6 V之間，但具有低於0.5µA的超低待機電流。所有器件均以1 KHz的頻率連續改變狀態，並提供無限次數的狀態改變，可在整個工業溫度範圍 (-40℃至85℃) 內工作，且均採用16腳的 “綠色” QFN封裝。要瞭解有關產品的詳細資訊，請瀏覽網頁：www.ramtron.com/statesaver。

4 D5 b. {  Z& I( t6 L: o供貨
& I( |+ R2 [3 b! M+ C" Y( s7 w" z: _: b現已可以供應FM111x的工程樣品。該器件採用符合RoHS要求的16腳之QFN封裝。

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新器件採用Ramtron 先進的F-RAM單元架構，以德州儀器的130奈米CMOS製程生產

% }( F. `0 u" d9 X1 }全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出2百萬位元 (Mb) 並行記憶體產品，進一步擴充其高密度F-RAM產品系列的陣容。FM21L16是採用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb並行非揮發性RAM，具有高速存取、NoDelay™ (無延遲) 寫入、幾乎無限次數的讀/寫週期和低功耗等特點，其接腳與非同步靜態RAM (SRAM) 的接腳相容。FM21L16的主要目標以需要SRAM為基礎的工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲及電腦等應用為主。

Ramtron 策略行銷經理Duncan Bennett表示：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款F-RAM器件，是高密度獨立式F-RAM記憶體系列的新一代產品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池供電SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM的具成本效益之解決方案。除了成本低及占位面積小的優勢外，F-RAM比MRAM消耗更少的動態功耗與待機功耗，並且不需要像BBSRAM與NVSRAM一樣，分別需要使用電池或板上電容來為資料備份。”
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FM21L16特點
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0 g9 e8 K/ ?( v6 Z" l; Q& CFM21L16是128K x 16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面，能以匯流排速度進行讀寫作業，具有至少100兆 (trillion) 次寫入和資料保存超過10年的耐久性。該器件的存取時間為60ns，週期為110ns，當中包括一個先進寫入保護方案，以避免意外的寫入與資料損壞。

這種2Mb F-RAM是標準非同步SRAM的簡易替代產品，在進行資料備份時不需要電池，從而大幅地提升部件與系統的可靠性。與電池供電SRAM不同的是，FM21L16是真正的表面黏著解決方案，不需要電池附接的返修 (rework) 步驟，並免受潮濕、衝擊和振動的危害。
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7 a: H) c7 ^( d, Q! v, SFM21L16具有能與現今高性能微處理器相連的工業標準平行介面，同時也具有高速頁面模式，此一模式讓它能夠實現每秒80百萬位元組的峰值頻寬，是市場上速度最快的非揮發性記憶體方案之一。該器件的工作電流比標準的SRAM還要低，在讀/寫作業時為18mA，在超低電流睡眠模式下更只有5uA。FM21L16在 -40℃至 +85℃的完整工業溫度範圍內，以2.7至3.6V的電壓工作。要瞭解更多與FM21L16產品相關的資訊，請瀏覽網頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
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FM21L16採用符合RoHS要求的44腳TSOP-II封裝，樣品已在供應中。
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chip123「有系統的整理」供應商技術資訊的確希望對RD能有所幫助！但最重要的，畢竟還是「大家的經驗與知識」！  

7 s. T/ l$ g* A4 H" O9 L用於其新型符合PC/104標準的單板電腦和智慧型I/O模組設計
+ ~% F# C) k" g" \! P, G' efimicro RAID 卡採用 F-RAM 記憶體以確保資料完整性，並防止資料的遺失及保護系統狀態；在  fimicro設計中取代 Flash、SRAM 及 EEPROM 技術
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，位於德國的嵌入式軟體和硬體供應商 fimicro 已在其新型符合 PC/104 標準的 active104 系列單板電腦 (SBC) 和智慧型I/O 擴充模組中，整合了 Ramtron 的非揮發性 F-RAM 記憶體。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、乙太網路和 USB 板的設計中採用 Ramtron 的 FM22L16 4Mb (megabit) 並行 F-RAM器件，以取代 active104 系統中的 Flash、SRAM 和 EEPROM 記憶體技術，因為Ramtron 的 F-RAM 器件具有非揮發性、No Delay™ (無延遲) 寫入能力及幾乎沒有次數限制的耐用性，非常適合用來確保證資料的完整性。
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fimicro 的執行合夥人 Simone Fischer 表示：“F-RAM 用來取代 active104 板上不太可靠的快閃記憶體，以便儲存 BIOS、OS、額外的系統軟體和關鍵的系統資料。另外，它還取代了智慧型I/O 模組上的 SRAM 和 EEPROM。在 fimicro 的硬體產品系列中廣泛使用 F-RAM 這種非揮發性記憶體技術，可以提高我們系統的可靠性和整體的穩健性。”
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fimicro 的 SBC 和智慧型 I/O 板採用四個 4Mb 並行 F-RAM 器件，以構成一個 2 MB 非揮發性記憶體陣列，讓系統能夠直接從該記憶體陣列啟動，以及在重新啟動之後的數毫秒內，恢復到最新的操作狀態中。F-RAM 是在這種應用中，用來取代快閃記憶體的理想選擇，因為它具有很高的耐用性和很快的寫入速度。
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# @8 T+ V. s) M0 A4 j5 TRamtron 策略行銷經理 Duncan Bennett 表示：“fimicro 選擇 FM22L16 用於其 active104 SBC、RAID、乙太網路和 USB 板中，在在證明了 F-RAM 越來越受先進嵌入式硬體供應商的重視。F-RAM 是 fimicro 的 active104 系統不可或缺的一部分，因它可以確保資料的可靠性，並在電源故障時防止資料遺失。”

" |% x2 b+ K' ]1 \& \7 D1 }: Q5 |) xF-RAM 還取代了所有 active104 智慧型 I/O 模組介面邏輯中的 SRAM。每個 fimicro 的 RAID、乙太網路和 USB 模組上都整合了一個額外的 4Mb F-RAM 器件，以實現快速的讀/寫存取，並確保資料的完整性。在 SBC 和模組之間傳遞的所有資料均以匯流排速度保存在 F-RAM 中，並在電源故障時也可以獲得保護。此外，該保存資料能夠在電源恢復時，使模組百分之百地恢復到故障發生前的狀態。F-RAM 還在 active104 系統中取代了 EEPROM，以便在需要時儲存器件的配置資料。

關於F-RAM
1 _1 X: q& u, B, xF-RAM 記憶體提供與 RAM 技術相同的功能，但卻是非揮發性的。它提供至少10 年的資料保存能力、幾乎沒有次數限制的寫入耐用性 (寫入次數大約為 1e14)、無延遲寫入存取，以及低功耗。要瞭解更多有關高密度 F-RAM 器件的資訊，請瀏覽網頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
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- V& @# ]' J: k# C2 D$ h關於fimicro
fimicro位於德國Henningen，是獨立的嵌入式軟體和硬體解決方案供應商。Fimicro 主要開發以目標導向的 x86-RTOS  aerolitheOS、系統和應用軟體，以及基於ZFx86 SoC的PC/104相容SBC和智慧型I/O模組。要瞭解更多資訊，請訪問公司網站www.fimicro.com。

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F-RAM 取代 EERPOM，以便在嚴苛的汽車環境中提供可靠的資料記錄
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，韓國領先的改裝柴油顆粒篩檢程式 (DPF) 設備與診斷模組供應商 Blue Planet 公司已將 Ramtron 的 FM3130 和 FM3104 Processor Companion 用於其 DMS 系列改裝 DPF 的資料記錄器中。
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# v( k# |3 G- l$ j9 v7 s7 x2 i1 eFM3130 納入了增強型即時時鐘 (RTC) 的64Kb F-RAM 記憶體、高度整合的支援與針對以處理器為基礎系統的週邊功能。F-RAM 已取代了 DMS 系列 DPF 系統中的 EERPOM，當中，F-RAM 與 RTC 的組合成為用來收集和存儲車輛排氣溫度、系統背壓 (system back pressure) 及時間記錄等密集資料的理想方案。Ramtron 的 4Kb FM3104 Processor Companion 也用於 DMS 系列中，其中 F-RAM + RTC 是用來當作寫入到安全數位 (SD) 卡的緩衝記憶體，而這個 SD 卡會存儲排氣溫度曲線及其它參數資料。
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4 o+ {9 x* b1 M+ X( a7 x) ~Blue Planet 首席執行長 Kyung-Woon Kim 表示：“為了提升寫入耐用性及在嚴苛的發動機環境中提升系統整體的可靠性，我們在高級的改裝 DPF 資料記錄器中，選擇採用 F-RAM， 而不是 EEPROM。RTC 和 F-RAM 在 FM3130 上的結合，使得我們能夠減少元件的數量和縮小電路板的空間。”
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: R$ _8 H5 v$ [8 e7 C+ [Ramtron 技術行銷總監 Craig Taylor 表示：“像 Blue Planet 這樣一家佔有韓國改裝 DPF 約 65%市場的公司選擇了 F-RAM，證明 F-RAM 在嚴苛的汽車環境中確實具有高可靠性。F-RAM 的快速寫入、高耐用性，再加上增強型的 RTC，使其成為這一類嚴苛應用的理想選擇。”

柴油顆粒篩檢程式能清除柴油發動機排氣裝置中的顆粒物質。透過催化化學反應，篩檢程式將捕獲的物質燃燒掉，但實質上是自我的清潔或“再生”。DPF 需要密集的資料記錄，以產生排氣溫度與壓力曲線。該曲線是基於陣列排氣溫度與壓力參數對比的時間記錄，可用來判斷目標設備需要哪種篩檢程式與催化劑：是被動再生篩檢程式或是主動再生篩檢程式。Ramtron 的 F-RAM Processor Companion 所執行的資料記錄必須要夠廣泛，才能有效地表現設備使用環境的各種情況。

7 p/ o+ k& Y# r6 r世界各地對柴油發動機排放的顆粒對健康與環境的影響，非常關注。為了因應此一發展趨勢，美國、歐盟、韓國與日本等都已經制定出了柴油發動機的排放限制。到目前為止，世界各地已有 20 多萬台柴油發動機採用 DPF 改裝，而預計到 2010 年，將有約 50 萬台的柴油發動機會進行改裝。
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關於FM3130與F-RAM Processor Companion

) ^; K2 r0 u; W# H! f& v# k' lFM3130結合了64Kb F-RAM與RTC，在這個RTC中，它整合了警報器和可編程頻率時鐘輸出，以及常用的12pF時鐘晶振。警報器將使用者編程的警報值與相對應的RTC時間/日期值進行比較，從而為自動開/關、頻道切換、監護控制及個人視頻錄影機 (PVR) 功能提供理想的解決方案。該器件採用工業標準2線匯流排來存取記憶體並控制RTC，其所採用的封裝是與TSSOP8接腳相容的8腳TDFN (薄型雙平面無鉛)，或標準的8腳、150 mil SOIC封裝。工作電壓為2.7至3.6V，可在完整工業溫度範圍 (-40至85度) 內操作。要瞭解更多有關此一產品的資訊，請瀏覽以下網頁：
www.ramtron.com/doc/Products/Non ... sp?ID=113&gr=12。

5 X# E/ ^: x" N# w2 N2 a: P& RRamtron 的 Processor Companion 系列是高度整合的 F-RAM 強化系统管理解决方案，可支持幾乎任何以微控制器或微處理器為基礎的設計。該解決方案透過整合非揮發性 F-RAM 和通用類比和數位功能，能夠把分立組件的數目減到最少， 從而開發出材料成本更省和電路板空間更小的單晶片解決方案。

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使用出色的連續補充充電器和標準12.5pF外部晶體RTC  
全新單晶片解決方案能夠降低基於處理器系統的材料成本

! y# H. D! v$ o% A) l) D1 t全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈升級其FM31x Processor Companion系列，納入更高效的連續補充充電器和僅需標準12.5pF外部時鐘晶振的即時時鐘(RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非揮發性F-RAM記憶體、高速雙線介面及高度集成的支援與外設功能，適用於基於處理器的先進系統。

Ramtron全新的Processor Companion是單晶片解決方案，可在基於處理器的設計中替代分立元件，以及降低成本並減小電路板空間。在各種計量、消費電子、通信、工業及計算應用，它支援了普遍需要的系統功能。

% C3 y; o$ P2 M6 f9 n1 @Ramtron技術市務總監Craig Taylor稱：“FM3127x/L27x Processor Companion產品的提升可為客戶帶來所需的各種特性。這些升級包括使用低成本12.5pF晶體RTC以降低總體系統成本。此外，我們還增加了性能卓越的連續補充充電器，通常可在少於三小時內充滿1 Farad超級電容，使得設計人員在需要RTC的高級計量應用、消費產品及許多其他系統中，可以使用電容作為備用電源而毋需任何額外元件。”
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- {7 O* K# o: T) g關於FM3127x/L27x
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8 e$ j( I  k% Z5 z0 v- S這些新型的Processor Companion的F-RAM鐵電記憶體具有NoDelay™寫入功能、幾乎無限的耐用性及低功耗。FM3127x/L27x採用了增強型連續補充充電器、12.5pF外部時鐘晶振、可編程低VDD電壓重定、可編程看門狗計時器、手動復位功能、雙電池供電的事件計數器、可鎖定的電子序號，以及用於預警斷電中斷 (NMI) 的通用比較器等。FM31272、 FM31274、FM31276及 FM31278工作電壓範圍為4.0至5.5V，可在整個工業溫度範圍內 (-40℃至85℃) 工作。FM31L272、FM31L274、FM31L276及FM31L278工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內 (-40℃至85℃) 工作。

FM3127x/L27x 的特點：
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處理器監控器：為主處理器提供兩項基本功能：電源故障情況檢測和防止軟體鎖定情況的看門狗計時器。在電源故障、通電/斷電及軟體鎖定期間，重定引腳 (/RST) 驅動處理器復位輸入。復位引腳還具有開關防反彈功能，以方便手動復位輸入。
預警斷電中斷：由比較器建立NMI，可在VDD電壓低於規格值之前向處理器發出警報。比較器用於建立斷電中斷 (NMI)，這對非揮發性F-RAM保存重要的資料十分重要。
電子序號：提供獨立的記憶體位置來寫入64位元電子序號。它是可寫入的非揮發性記憶體，當電子序號設定後可由用戶鎖定。一旦鎖定後電子序號就不可以改變。
即時時鐘 (RTC) 操作：保持時間的裝置，能夠由電池或電容支援以實現永久的帶電操作。此RTC具有高精度軟體校準功能，僅需一個12.5pF外部時鐘晶振。
雙事件計數器：為用戶提供兩個16位元電池供電事件計數器，並串聯為一個32位元數目器，具有可編程邊緣檢測 (edge detect) 功能。這種獨特的計數器可用於記錄系統侵入 (篡改事件) 或幾乎所有的其它一般事件。
後備電源：RTC需要持久供電。當主系統出現電源故障時，VDD引腳的電壓將下降。而當VDD低於2.5V時，RTC (及事件計數器) 將切換至VBAK上的備用電源。備用電源可以是電池或電容。
內置連續補充充電器：容許用戶一般在不到三小時內充滿1 Farad電容，並毋需任何外部元件。VBAK引腳可隨意提供連續充電電流。由於資料是非揮發性的，因此即使電容失效資料也不會丟失。

記憶體：提供4Kb、16Kb、 64Kb或256Kb的非揮發性F-RAM記憶體。由於F-RAM是以匯流排速度進行讀寫操作，具有無延遲、幾乎無限次的寫入、低功耗及10年資料保存期等特點，能夠取代SRAM系統和其它非揮發性記憶體。

9 @6 O. O7 X- r9 \+ S# o關於Processor Companion
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( D0 T1 @* z/ Y2 e0 U$ ]( u6 vProcessor Companion是高度集成的F-RAM增強型系統管理解決方案，可以支援幾乎任何基於處理器的設計。與分立元件方案相比，該解決方案能通過整合非揮發性F-RAM改善系統的功能、創建能顯著節省材料成本和減小電路板空間的單晶片解決方案。

3 U4 Z& L: H* W4 ?% d7 t供貨
FM3127x 和 FM31L27x的樣品現已提供，採用符合RoHS標準的14腳SOIC封裝。

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Ramtron推出具有嵌入式32 KHz晶振的64kb F-RAM增強型Processor Companion產品
全新的單晶片方案可以節省材料成本及消除晶體接腳的疲勞， 適用於計量及其他時間戳記應用
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出64Kb、3V的Processor Companion產品FM3135，它結合了非揮發性F-RAM記憶體與增強型即時時鐘/日曆 (RTC) 及整合式32kHz時鐘晶振之優點。
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Ramtron應用和技術支援總監Craig Taylor解釋指出：「最常用及成本最低的晶振是一種穿孔 (through-hole) 元件，內嵌晶振能夠降低材料成本，省去插入和焊接穿孔晶振 (通常由手工完成) 的繁瑣步驟，並排除掉了裝配與處理期間晶振接腳出現疲勞的可能性。」
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FM3135設計用於計量、消逝時間 (elapsed time) 監控器、所用時間的記錄及其他要求時間戳記的數據存儲應用。F-RAM的高耐用性和快速寫入等特點，再加上RTC，讓它成為時間記錄事件系統的理想選擇。
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關於FM3135
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& F) s1 Y$ g. ]: HFM3135將64Kb F-RAM與整合了警報器和可編程頻率時鐘輸出的RTC相結合，該警報器將使用者編程的警報值 (alarm value) 與相對應的RTC時間/日期值進行比較，為具有自動開/關、頻道切換、上層控制和個人視訊錄影機 (PVR) 功\能的高階電視等應用，建構了理想的解決方案。利用業界標準的2線匯流排來存取記憶體和控制RTC。FM3135採用20隻接腳的SOIC封裝，工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內 (-40至 +85℃) 工作。要瞭解更多的產品資訊，請訪問網頁：www.ramtron.com/doc/Products/Non ... sp?ID=136&gr=12。

FM3135的特點：
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: i; t! ^/ C- ?# U3 m嵌入式的32 kHz時鐘晶振 – 此一持點可以讓設計人員實現晶振的表面黏著，消除了裝配操作期間晶振接腳出現疲勞的可能性，而不需要進行晶振的採購和存貨管理。

8Kx8 F-RAM – 真正的64 kb非揮發性RAM (不需要電池)。F-RAM記憶體技術可以替代SRAM、EEPROM、快閃記憶體或其他非揮發性記憶體，因為F-RAM是以匯流排的速度來進行讀寫的操作，因而具有無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎不限次數的讀/寫週期及低功\耗等特點
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即時時鐘 (RTC)  – 可由電池或電容支持的計時器件，以實現永久的帶電操作。它提供可實現高精度的軟件校正特性、報警和可編程頻率的時鐘輸出。

備份電源 – 可以為即時時鐘/日曆進行永久供電。當主系統電源出現故障時，VDD接腳上的電壓就會降低。當VDD低於2.5V時，RTC 將切換至VBAK上的備份電源。備份電源可以是電池或電容。

涓流充電功\能 – 便於電容備份供電。VBAK接腳可以選擇性地提供慢速充電電流。數據是非揮發性的，所以即使電容失效時數據也不會遺失。

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高密度F-RAM採用微型封裝，具有更大的數據收集能力，可替代要求低功耗的小型系統中之快閃記憶體
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世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出業界首款2百萬位元 (Mb)、採用8腳TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封裝的串列F-RAM記憶體。FM25H20 以先進的130納米 (nm) CMOS製程生產，是高密度的非揮發性F-RAM記憶體，以低功耗操作，並且具有高速串列周邊介面 (SPI)。這款3V、2Mb串列F-RAM器件可以最大的匯流排速度寫入，具有幾乎沒有限制的耐用性，更大的資料收集能力，及採用微型封裝，這些使得系統設計人員能夠在計量和印表機等高級應用中減少成本和板卡空間。
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- @4 S. M. G* D$ X: O( H- w9 DFM25H20是低功耗和最小板卡空間精密電子系統中串列快閃記憶體的理想替代產品。這些應用包括便攜式醫療設備如助聽器等，實際上，它們是微型數據處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與快閃記憶體相比，F-RAM的優勢包括可以大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比快閃記憶體高出多個數量級。
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Ramtron 策略市場拓展經理 Duncan Bennett 表示：「對於那些需要在其新一代應用中提高數據收集能力，卻不想增加板卡空間的計量和印表機客戶而言，這款 2Mb 串列 F-RAM 是自然的產品延伸。FM25H20 在佔位面積一樣小的情況下，為 50 萬位元串列 F-RAM 客戶提供高達四倍的存儲能力。除提升現有系統外，這種技術的發展還推動 F-RAM 得以進入多個需要低功耗記憶體而空間嚴重受限的新興市場，如便攜式醫療設備等。」

產品特點
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FM25H20是採256K x 8位元安排的非揮發性記憶體，以高達40MHz的匯流排速度進行讀寫操作，具有幾乎沒有限制的耐用性、10年的數據保存能力，以及低工作電流。該器件具有工業標準的SPI介面，優化了F-RAM的高速寫入能力。FM25H20還具有軟件和硬件防寫入功能，能避免意外的寫入與數據損壞。

: e; ]7 Y3 ~1 F3 l  e+ ?, _" j# r這款2Mb串列F-RAM以低功耗工作，在40MHz下讀/寫操作的耗電低於10mA，待機狀態下耗電為80µA (典型值)，超低電流睡眠模式下耗電為3µA (典型值)。FM25H20與同效的串列快閃記憶體器件接腳相容，並且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比快閃記憶體更有優勢。該器件在整個工業溫度範圍內 (-40℃ 至+85℃) 、在2.7至3.6V電壓下工作。要瞭解有關FM25H20更詳細的資訊，請訪問網站：www.ramtron.com/products/nonvola ... product.aspx?id=100。
  W& v, c# j% g6 k8 i% T8 g$ u
7 h+ i4 o7 @+ n* }- D. P關於先進的130納米製程

9 b7 ~0 v8 m! MFM25H20以德州儀器已被驗證過的130納米 (nm) CMOS製造製程為基礎。在標準CMOS 130 nm邏輯製程內嵌入非揮發性F-RAM模組，僅使用了兩個額外的光罩步驟。

* V9 V) o5 U8 Y* S  G供貨
" W+ j1 ?4 ~. x7 R4 h0 K' ~6 J4 A
7 B* W+ ]' \+ S; o) L. X/ NFM25H20的樣品已在供應中，並採用符合RoHS要求的8腳TDFN封裝，與8腳SOIC封裝器件的佔位面積相當。

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在安全、防爆的產品中使用F-RAM替代EEPROM，可使寫入速度更快、功耗更低
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0 }! U% o9 x6 i1 G. I+ T全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (FRAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，中國領先的壓力傳送器與電磁流量計供應商上海威爾泰工業自動化股份有限公司已將 Ramtron 的 FM25L16 16Kb 串列 F-RAM 記憶體設計用於其 2000S 安全壓力傳送器中。F-RAM 已替代了 EEPROM，用於上海威爾泰全新固有安全的防爆傳送器。

( t0 }! l6 v) J1 C5 o: i隨著今天的製程控制應用日益複雜，如在化工、製藥、電力、水處理和食品加工等行業，智慧壓力傳送器已變得越來越流行。2000S 壓力傳送器具有多項先進的功能，包括雙向通信、遙控校正及自我診斷。這些功能可實現更高的精準度、可靠性，以及更先進的通信協議，從而減少啟動和維護的時間、工作量及成本。

0 P7 B6 ~; E3 c( K  ~9 l- I% a2000S 產品將傳感技術與智慧電子結合在單一封裝中，而非揮發性 F-RAM 記憶體具備快速寫入、高耐用性及低功耗特點，是這種先進設計必不可少的元件。在 2000S 中，F-RAM 存儲各種配置參數，如傳送器範圍、信號類型、流體特性等，並在斷電時保存這些資料，使得傳送器在電源恢復後可即時投入使用。F-RAM 還可存儲 2000S 自動化自校正例行程式的校正/補償資料，並執行事件與資料記錄，讓系統可以使用這些記錄來診斷是否需要維護。
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7 n/ g; b$ s' z0 i# C. }  y) X上海威爾泰研發工程師解釋道：“我們在安全的智慧 2000S 壓力傳送器中使用 F-RAM 代替 EEPROM，能加快寫入速度、提高耐用性，並提升總體安全性以防止潛在的爆炸。我們首款2000S 設計採用了 EEPROM，但卻不能通過功\耗測試，因為 2000S 的總體工作電流小於 3.6mA。F-RAM 的功\耗低特性能實現固有安全性，其快速寫入速度更減少了可變性，以及降低新型智慧壓力傳送器中微處理器 (MPU) 的成本開銷。”

F-RAM 替代 EEPROM
6 \* k0 t6 a, Z; R$ s固有安全性：2000S是“固有安全性”的設備，這是指其設計可避免釋放能量導致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作電流非常低的記憶體，如 F-RAM。
: T; }. ]. ~& L. R; W減少可變性：F-RAM 的快速寫入對減少計算過程測量資料的可變性必不可少，這可對自我診斷帶來更準確的測量資料、更多的系統控制能力及更高的盈利。
降低 MPU 開銷：2000S 包括用於複雜計算的 MPU。由於智慧型壓力傳送器應用的處理量越來越密集，F-RAM 的快速寫入優勢可以降低 MPU 的成本開銷。

關於 FM25L16 F-RAM
F-RAM 記憶體提供與 RAM 技術相同的功能，但卻是非揮發性的。它提供“無延遲” (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的寫入耐用性 (寫入次數大約為 1e14)，以及低功耗。FM25L16 是帶有行業標準串列外設介面 (SPI) 的 16Kb F-RAM 記憶體，可以在高達 18 MHz 的總線速度及低工作電流下連續進行讀寫操作。而同級 EEPROM 器件的寫入延遲長，備有寫入輪詢軟體，耐用性低於 100 萬次寫入，且在較高功率下工作。FM25L16 採用無鉛的 8 腳 SOIC 和 DFN 封裝，在工業溫度範圍內工作電壓為 3V。
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關於上海威爾泰自動化有限公司
1 f. K+ @& `5 D8 Q  b* \3 h上海威爾泰工業自動化股份有限公司的主營業務是製造和銷售工業自動化設備與儀器。其他業務包括設計、承包和開發自動化項目及提供相關的技術服務。主要產品有MV2000T、WT3000、2000S、WT1151S及核安全級2000SN與MV2000TN系列壓力傳送器、XE、XEM和WT4300E系列電磁流量計及工業自動化系統。上海威爾泰工業自動化股份有限公司成立於1992年，是紫江集團的下屬公司，擁有250多名員工，是中國排名前三位的壓力傳送器與電磁流量計供應商。該公司是ABB公司在中國的壓力傳送器與電磁流量計產品的ODM合作夥伴。

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其陽科技選擇Ramtron的4百萬位元 F-RAM記憶體 用於先進的以工業PC為基礎的遊戲機解決方案
F-RAM替代電池供電的SRAM，確保數據的完整性並減少元件數量

0 ]; q9 ^* \( C8 |) ?. F0 C) K6 @全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation宣布台灣領先的應用工業計算平台製造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎的 GA-2000 及以AMD 為基礎的 GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16  4百萬位元 (Mb) F-RAM非揮發性記憶體。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點，可在其陽科技的遊戲機解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM)，以確保數據的完整性，並能同時減少元件數量和機械接觸以及提高可靠性和安全性。

# X  K( f5 Y; M# O. r% ]娛樂場越來越多地使用先進的電子遊戲機解決方案來代替傳統的老虎機和桌面遊戲，這些方案能夠提供高性能的運算、圖形技術和嵌入式安全功能，以保護系統的完整性和防止黑客攻擊。除了電子遊戲外，娛樂行業正採用電子技術提供即時的玩家追蹤、監視、安全、數據分析和計算功能。現在，可降低運營成本、提高盈利能力及簡化產品開發的電子遊戲，佔娛樂場收益的70% 到80%。
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其陽科技項目經理Ken Huang解釋道：「我們已在GA-2000和GA-3000設計中使用F-RAM替代BBSRAM，F-RAM是業界廣泛認可用於娛樂場視頻遊戲工業PC設計的首選記憶體。」

今天的娛樂場是以嵌入式、基於伺服器的系統網絡為基礎，這些系統能夠相互無縫通信，從遊戲裝置及其外設，到追蹤玩家活動的主機系統，以至讓玩家兌現的交易和服務站。每台伺服器能夠在一個娛樂場或多個地點控制網絡，提供軟件更新、編排維護或更改遊戲組合。GA-2000 和GA-3000符合Gaming Standards Association (GSA) 標準，滿足先進的通信標準，並提供能評測多種遊戲和娛樂設備應用的電腦平台。

GA-2000/3000是功能齊全的集成式電路板，內含CPU、系統記憶體、F-RAM、固態磁碟記憶體、I/O功能及音訊放大器，可讓遊戲或娛樂設備提供出色的2D/3D圖形性能，而且耗電少。低功耗F-RAM記憶體作為GA-2000/3000統一的記憶體，提供緩衝遊戲設置、系統狀態、交易及勝負記錄等功能。F-RAM的快速寫入和高耐用性對於可配置參數的連續儲存必不可少，這些參數包括娛樂活動、幾率、交易及獲勝記錄等，並且可在停電後恢復數據。F-RAM還可儲存安全參數，如邏輯區域或現金門的訪問次數，以便讓娛樂場監視和記錄事件，從而識別未經授權的設備訪問。

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Ramtron全新高速 F-RAM系列推出第二款串列器件
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出全新F-RAM系列產品中的第二款串列器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列週邊介面 (SPI) 的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V05是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域的串列快閃記憶體和串列EEPROM記憶體的理想替代產品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron較早前也已宣佈推出1 Mb的FM25V10產品。

6 i( `5 S, c* b" TRamtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM25V05為客戶提供另一種密度選擇，加上Ramtron V系列F-RAM產品較低工作電壓和集成功能的特性。Ramtron已計畫在V系列中推出其他器件，為客戶系統提供廣泛的介面和密度選擇。”

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Ramtron高性能F-RAM系列之第二款並列器件
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世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出新型V系列串列和並列F-RAM產品之第二款並列器件。V系列F-RAM具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓。Ramtron 公司V系列F-RAM最新產品的編號為FM28V020，它是一款採用業界標準28腳SOIC封裝、容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V的並列非揮發性RAM，具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀寫次數及低功耗等特點。FM28V020可在工業控制、計量、醫療、汽車電子、軍事、遊戲和電腦及其它應用領域中當作電池供電SARM的普適型替代產品(drop-in replacement)。

8 g; N( D. D1 j4 W! j9 D. IRamtron市場拓展經理Mike Peters表示：“相較於現有的256Kb並列記憶體比較，FM28V020有多項性能經過強化的特點，並為由電池供電的SRAM或NVSRAM提供了一條簡便的升級之路。與目前廣泛使用中的FM18L08相比，FM28V020具有更快的存取速度和更短的讀寫週期，工作電壓降低至2V，工作電流更小，而且頁面模式工作頻率可高達40MHz。”