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標題: 製成變換跟mos 大size的關係 [打印本頁]

作者: g9664414    時間: 2007-10-8 05:46 PM
標題: 製成變換跟mos 大size的關係
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路3 }0 g( E  I6 r( [# r. x) K8 e

) |( l: n2 f+ N, `. r& T" j如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!; r* N2 d# ]6 m5 _: v
& U/ C2 ?0 E9 h
如果可以 倍率約是多少呢??" Y( l6 \2 x; w7 l$ K0 f0 k* w6 b

+ k* Y1 y( }4 \0 I/ Z感情大家!!
作者: 小朱仔    時間: 2007-10-8 07:42 PM
基本上應該不行直接換; K9 c! g8 m* v- L# h) E2 s* f5 l
SPICE Model不同4 z8 w" [$ C3 f* \! q, k2 b9 h
參數也不同
/ F! c2 k9 @- m4 L4 n+ p; w應該無法直接比例放大3 ?2 s/ E2 L2 }4 ~% Z5 |3 x9 w

  [) C1 T4 c, j, M可是如果數位電路可能可以- W- E9 d8 T' C: W  f
不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
作者: mt7344    時間: 2007-10-18 09:35 AM
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!
( ^# p  @& C* Z同樣的  0.18um 的製程!!  都不一定相同!!
1 d* M& a9 q6 T( @$ L# r  q+ b7 X所以  最好依你自己的規格  重新設計會比較佳!!
作者: st5339s    時間: 2007-11-29 05:48 PM
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design  要 Layout 幹麻...  當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
作者: motofatfat    時間: 2007-11-29 05:58 PM
標題: 回復 1# 的帖子
早期LAYOUT 用參數制; w- c- b: \6 \$ R( B
就是想這樣做
2 a% R% S! x! j7 `7 n9 [) J後來發現不行) {% E9 f7 t/ ?* L, B0 ~
不是每ㄍ都按相同比例




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