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標題:
製成變換跟mos 大size的關係
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作者:
g9664414
時間:
2007-10-8 05:46 PM
標題:
製成變換跟mos 大size的關係
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路
3 }0 g( E I6 r( [# r. x) K8 e
) |( l: n2 f+ N, `. r& T" j
如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!
; r* N2 d# ]6 m5 _: v
& U/ C2 ?0 E9 h
如果可以 倍率約是多少呢??
" Y( l6 \2 x; w7 l$ K0 f0 k* w6 b
+ k* Y1 y( }4 \0 I/ Z
感情大家!!
作者:
小朱仔
時間:
2007-10-8 07:42 PM
基本上應該不行直接換
; K9 c! g8 m* v- L# h) E2 s* f5 l
SPICE Model不同
4 z8 w" [$ C3 f* \! q, k2 b9 h
參數也不同
/ F! c2 k9 @- m4 L4 n+ p; w
應該無法直接比例放大
3 ?2 s/ E2 L2 }4 ~% Z5 |3 x9 w
[) C1 T4 c, j, M
可是如果數位電路可能可以
- W- E9 d8 T' C: W f
不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
作者:
mt7344
時間:
2007-10-18 09:35 AM
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!
( ^# p @& C* Z
同樣的 0.18um 的製程!! 都不一定相同!!
1 d* M& a9 q6 T( @$ L# r q+ b7 X
所以 最好依你自己的規格 重新設計會比較佳!!
作者:
st5339s
時間:
2007-11-29 05:48 PM
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design 要 Layout 幹麻... 當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
作者:
motofatfat
時間:
2007-11-29 05:58 PM
標題:
回復 1# 的帖子
早期LAYOUT 用參數制
; w- c- b: \6 \$ R( B
就是想這樣做
2 a% R% S! x! j7 `7 n9 [) J
後來發現不行
) {% E9 f7 t/ ?* L, B0 ~
不是每ㄍ都按相同比例
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